JP2011040385A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 接点（１０２）と、
   非接触位置と接触位置との間で選択的に移動可能に構成された導体素子であって、前記導体素子が、前記非接触位置では前記接点から隔てられ、前記接触位置では前記導体素子が前記接点と接触して前記接点との電気的連通を確立する、構成の導体素子とを備え、
   前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、それらの間で３２０Ｖμｍ^-1を超える大きさの電界を維持するように構成されたデバイス。
2. 前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、少なくとも約３３０Ｖの電位差に保持されるように構成された請求項１記載のデバイス。
3. 前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、約４μｍ以下の距離だけ隔てられるように構成された請求項１または２に記載のデバイス。
4. 前記導体素子が、前記接触位置と前記非接触位置との間で移動したとき変形を受けるように構成された請求項１乃至３のいずれかに記載のデバイス。
5. 前記導体素子が片持ち梁を備える請求項１乃至４のいずれかに記載のデバイス。
6. 前記導体素子が、前記接触位置と前記非接触位置との間で移動したとき変形を受けるように構成され、前記接点または前記導体素子のうちの少なくとも一方は、前記導体素子が前記非接触位置にあるときの前記接点と前記導体素子との間の静電気力が前記導体素子と前記接点とを接触させるのに必要な力より小さくなるように構成された有効接触表面積を有する請求項１乃至５のいずれかに記載のデバイス。
7. 前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、少なくとも約３３０Ｖの振幅および約４０ＧＨｚ以下の周波数で振動する電位差に保持されるように構成された請求項１乃至６のいずれかに記載のデバイス。
8. 前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、少なくとも約１μｓの時間の間、少なくとも約３３０Ｖの電位差に保持されるように構成された請求項１乃至７のいずれかに記載のデバイス。
9. 基板（１０８）をさらに備え、前記接点および前記導電素子が前記基板上に配置される請求項１乃至８のいずれかに記載のデバイス。
10. 接点（１０２）と、
    導体素子が前記接点から隔てられている非接触位置と、導体素子が前記接点と接触し、前記接点との電気的連通を確立する接触位置との間で選択的に移動可能なように構成された導体素子（１０４）とを備え、
    前記導体素子が前記非接触位置に配置されたとき、前記接点および前記導体素子が、少なくとも約３３０Ｖの電位差に保持されるように構成されたデバイス。