JP2011040146A - ビット誤り閾値、及びメモリ装置のリマッピング - Google Patents

Abstract

【課題】メモリ装置の寿命を、比較的少数のメモリセルにおける寿命よりも、大多数のメモリセルにおける寿命まで延ばし信頼性の向上を図る。
【解決手段】メモリの特定部分から読み出した情報を表す信号に関連する、ビット誤り率および／またはビット誤り数を決定するステップと、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較するステップと、および少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するステップとを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、メモリ装置のリマッピングに関する。

メモリ装置は、様々なタイプの電子機器、数例を挙げるなら、コンピュータ、携帯電話、ＰＤＡ、データロガー、ナビゲーション機器等に使用される。このような電子機器において、数例を挙げるならＮＡＮＤまたはＮＯＲフラッシュメモリ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、および相変化メモリなど、様々なタイプの不揮発性メモリ装置が使用される。一般的に、書き込みまたはプログラミングプロセスを使用して、そのようなメモリ装置に情報を記憶し、読み出しプロセスを使用して、記憶された情報を読み出すことができる。

このような不揮発性メモリ装置は、時間が経つにつれ徐々に劣化するメモリセルから構成されるため、メモリセルへのアクセス時に読み出しおよび／または書き込みにおけるエラーが起こる可能性が高まる。このようなエラーは、例えばメモリ装置内で後に補正されるものの、エラーの数が増加するにつれ、そのようなエラー補正は困難または不可能となる。

本明細書にわたる用語「一実施形態（one embodiment）」、「実施形態（an embodiment）」とは、実施形態に関連する特別な特徴、構造、または特性が、特許請求の範囲における発明要旨としての、少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書を通して散見される「一実施形態」、「実施形態」という表現は、必ずしも全て同じ実施形態を示すわけではない。さらに、特別な特徴、構造、または特性は、1つ以上の実施形態において組み合わさることもある。

一実施形態において、メモリ装置は、時間と共に徐々に劣化するメモリセルから構成されており、メモリ装置の読み出し中に１つ以上のエラーが起こる可能性を高める。このようなエラーは、例えばエラー補正コード（ＥＣＣ）または他のアルゴリズムを用いるコンピュータシステム内の幾つかの領域で補正される。システムの観点から、このようなエラー傾向があるセルの使用を継続するか否かについて決定することができる。以下に詳細に説明するように、このような決定は、少なくとも部分的にはエラーの数と、例えばメモリ装置の設計段階で定義されるエラー閾値との比較に基づく。特定のメモリセルの使用を中止する場合、メモリ装置の全容量を維持するように、代替メモリセルを選択する。

従って、一実施形態において、メモリ装置のサイズ容量を維持するプロセスは、エラー傾向があるメモリ位置を、全体的なシステムメモリ空間（例えば、メモリ装置容量）を失わずに、適切に機能するメモリ位置にリマップすることを含む。このようなリマッピングは、少なくとも部分的には、エラー傾向があるメモリ位置からの読み出し結果として起こるエラーの量および／または頻度に関する情報に基づく。ここで、メモリ位置は、このようなメモリ位置および／またはメモリ部分を識別するアドレスを用いて、読み出しおよび／または書き込みプロセスなどを介してアクセスされるメモリ装置の一部を指して言う。以下に詳細に説明するように、メモリの特定部分の読み出しに関連するビットエラー率および／またはビットエラー数を決定するためには、例えばＥＣＣデコーダを使用する。その後、ビットエラー率および／またはビットエラー数を、例えばエラーの許容数の実質的制限から構成されるエラー閾値と比較する。その比較の結果によって、エラーを発生するメモリの特定部分に対する使用中止などの退役に関する決定を行う。

特定の実施形態では、メモリ装置の一部の退役プロセスはメモリ装置の退役予定部分に記憶されたデータを表す信号を、メモリ装置の他の部分に移動または移転することを含む。ある実施例においては、メモリ装置の退役部分から移転されたデータを表す信号は、メモリ装置のスペア部分に移動する。以下に詳細を説明するように、例えば、このようなメモリのスペア部分は、初めにメモリ装置の全容量の一部として認識または考慮されていなかったメモリ装置の物理的位置である。メモリ装置の一部の退役プロセスはまた、メモリ装置の退役予定部分のアドレスを、メモリ装置の新しいスペア部分のアドレスと一致するようにリマップすることを含む。もちろん、このようなプロセスは単なる一例でしかなく、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。

一実施形態において、上記のようなプロセスは、相変化メモリ（ＰＣＭ）装置より構成されるメモリ装置に関連する。従って、ＰＣＭが古くなると、ＰＣＭの一部分により引き起こされるビット誤り率および／またはビット誤り数は増加する。このようなエラーは、ある程度までは、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー補正アルゴリズムを用いて補正することができる。しかし、エラー数はそのようなエラー補正技術の許容量を超えて増加する。従って、メモリ部分が過剰な数のエラーを引き起こしている、もしくは引き起こし始めたことを示した時に、そのようなメモリ部分を退役させることが望ましい。

上記のような実施形態は、例えば、信頼性検査結果に劣る、現在無視されているダイまたはＰＣＭダイのような、比較的信頼性の低い技術を含むメモリ装置を有効利用できるようにする。さらにこのような実施形態によれば、メモリ装置の寿命を、比較的少数のメモリセルにおける寿命よりも、大多数のメモリセルにおける寿命まで延ばすことができる。
限定するものではない、また排他的なものではない実施形態を、添付図面につき説明するが、特に明示しない限り、図面において同一参照符号は同様の部分を示す。

本発明の一実施形態による、メモリ構成の概略図である。 本発明の一実施形態による、メモリ読み出しプロセスのフローチャートである。 本発明の一実施形態による、ベクトルリマップテーブルの説明図である。 本発明の一実施形態による、メモリシステムの概略的ブロック図である。 本発明の一実施形態による、コンピュータシステムおよびメモリ装置の概略的ブロック図である。

図1は、本発明の一実施形態による、メモリ構成の概略図である。メモリ装置１００を、メインメモリ１１０とスペアメモリ１２０とに分割する。メモリ装置１００は、数例を挙げるなら、ＮＡＮＤまたはＮＯＲフラッシュメモリ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、もしくはＰＣＭなどから構成する。メモリ装置１００は、互いに隣接する、しないに係わらず、また単独装置内に存在する、しないに係わらず、このようなメインおよびスペアメモリ部分、および／または１つ以上の他のメモリ部分を含む、ユーザがアドレス指定可能なメモリ空間から構成される。メインメモリ１１０およびスペアメモリ１２０は、例えば、読み出し、書き込みおよび／または消去のプロセスによってアクセスできる独立したアドレス指定可能な空間により構成される。

一実施形態によれば、メモリ装置１００の１つ以上の部分は、メモリ装置１００の特別な状態で表現されるデータおよび／または情報を表す信号を記憶する。例えば、データおよび／または情報を表す電子信号は、メモリ装置の一部に「記憶」し、この記憶は、データおよび／または情報を二進法（１と０など）で表すようにメモリ装置１００のその部分の状態に作用する、もしくは状態を変更することで行う。従って、特別な実施例において、データおよび／または情報を表す信号を記憶するメモリの一部におけるこのような状態変更は、メモリ装置１００の異なる状態もしくは異なるものへの変換を構成する。

メモリ装置１００は、初期的にメモリ装置１００の完全に使用可能な容量と一致するメインメモリ１１０を構成する。このような初期構成には、メモリ装置の容量決定に含む必要のないスペアメモリ１２０を付加的に設ける。しかし、メインメモリの一部が、例えば読み込み／書き込みプロセス中に使用不能もしくは過剰な数のエラーを生ずるようになった場合、メインメモリ１１０の一部を置換するためにスペアメモリ１２０を使用する。１つの実施例においては、メモリ装置１００を含むメモリシステムが、メモリ装置１００に記憶されたデータのプロセッサまたは外部リクエスタが、エラーのないデータを特定の要求されたアドレス範囲から、たとえそのアドレス範囲が退役させたメインメモリから構成されるとしても、受け取るようにする。この場合、例えば、大量のデータがメインメモリおよび（退役させたメインメモリと置換された）スペアメモリの両方から、リクエスタに知られずに読み出される。もちろん、このようなメモリ装置の構成は単なる一例でしかなく、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。

図２は、一実施形態による、メモリ読み出しプロセス２００のフローチャートである。ブロック２０５において、メモリ装置の一部に記憶された情報を表す信号の読み出しプロセスの開始は、例えば、記憶されたデータを読み出すべき１つ以上のメモリ位置のそれぞれを識別する１つ以上の読み出しアドレスを提供するシステムアプリケーションによって開始する。例えば、読み出しデータをパリティチェックすることによる、ＥＣＣのハードウエアおよび／またはソフトウエアを使用して、読み出しデータ内のエラーをチェックおよび／または補正する。その後、ブロック２１０において、最初に読み出したデータを補正した読み出しデータと比較し、これによりメモリ読み出しプロセスにおいて発生したエラー数を決定する。このようなエラー数は、ビット誤り率（ＢＥＲ）として表すことができ、このビット誤り率（ＢＥＲ）は、例えば読み出しビットの合計数に対する誤りビットの割合である。ブロック２２０において、メモリ装置の一部からの情報を表す信号の読み出しによるＢＥＲまたはエラー数は、例えばそれ以上のさらなるエラーはうまく補正できない最高許容ＢＥＲもしくは最高許容エラー数等の値で構成したエラー閾値と比較し、このようなエラー閾値は、特定のメモリ装置、例えば図１に示すメモリ装置１００のような特定のメモリ装置が許容可能なＢＥＲのほぼ上限値またはエラー数を示す数で構成される。このようなエラー閾値またはそれ以下では、ＥＣＣのハードウエアおよび／またはソフトウエアは、読み出しデータを補正できる。しかし、エラー閾値を越えると、全ての読み出しエラーが補正されない可能性が比較的高くなる。

ブロック２３０では、メモリ装置の一部を退役させるか否かについて、少なくとも部分的にはメモリのそのような一部からの読み出しが過多数のエラーを生ずるか否かにより決定される。もしエラー数がエラー閾値以下である場合、読み出しプロセス２００はブロック２４０に進み、例えば読み出しデータを要求したアプリケーションに読み出しデータを供給する。一方、もしエラー数がエラー閾値を越える場合、読み出しプロセス２００はブロック２５０に進み、例えば、過多数のエラーを引き起こしたメモリの一部分の退役させることを開始する。特定の実施例においては、このようなエラー傾向があるメモリ部分に初期的に記憶されていたデータを、有効および／または正常であることがわかっている他のメモリ部分に移動する。このような新たなメモリ部分は、例えば図１に示すスペアメモリ１２０のようなスペアメモリの一部により構成される。ブロック２６０では、データの元のメモリ位置を識別する１つまたは複数のメモリアドレスを、データを移転する新しいメモリ位置を認識するようリマッピングする。ある実施例において、リマッピングは、例えばベクトルを介して元のアドレスと一致する新しいアドレスを割り当てるステップを有し、このステップにより、元のアドレスの呼び出しが移転されたデータの位置を特定する新しいアドレスにリダイレクトすることができるようにする。そのようなリマッピングされたアドレスに関する情報は、以下に詳細に説明するベクトルリマッリマップテーブルに記憶する。メモリのエラー傾向がある部分のリマッピング後、読み出しプロセス２００はブロック２４０に進み、例えば、読み出しデータを要求したアプリケーションに読み出しデータを供給する。もちろん、このような読み出しプロセスは、単なる一例でしかなく、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。

図３は、一実施形態による、ベクトルリマップテーブル３００の説明図である。他の実施例において、テーブル３００に含まれる情報は、テーブルにフォーマットする必要がなく、このような情報は、例えば情報を整理する項目列または他の手段で構成する。このような情報は、例えば図１に示すメモリ装置１００のようなメモリ装置に記憶された１つ以上の信号を表す情報である。項目列３１０は、アドレス１、アドレス２、アドレス３などの元アドレス３４０のリストで構成し、状態項目列３２０は、項目列３１０にリストされている、対応する元アドレスがリマップされたか否かに関する情報で構成し、項目列３３０は、項目列３１０に記載された元アドレス３４０と対応する、アドレス１′、アドレス２′、アドレス３′等のリマップしたリマップアドレス３５０のリストで構成する。

ある実施例において、元アドレス３４０は、アプリケーションおよび／または1つ以上のアドレス位置でメモリ装置１００に記憶された情報を要求するシステムによる読み出しリクエストに含まれる１つ以上のアドレスで構成される。状態項目列３２０は、元アドレス３４０がリマップされたか否かを表すメタデータで構成する。このようなリマッピングが行われた場合、項目列３３０は元アドレス３４０に対応するリマップしたリマップアドレス３５０で構成する。図1に示す例を説明すると、アドレス１、アドレス５、アドレス７およびアドレス８は、それぞれアドレス１′、アドレス５′、アドレス７′およびアドレス８′にリマップされており、アドレス２、アドレス３、アドレス４およびアドレス６はリマップされていない。ここで、リマップされていない元アドレスは、対応するリマップアドレスを項目列３３０に持たない。他の実施例においては、例えば、リマップアドレス３５０の存在が特定の元アドレス３４０のリマッピングが行われたことを充分に示すため、状態項目列３２０がテーブル３００に含ませる必要がない。もちろん、ベクトルリマップテーブルのこのような実施は単なる一例でしかなく、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。

図４は、一実施形態による、メモリシステム４００のブロック図である。コントローラ４１０は、データが読み出されるメモリ装置４２５の位置を特定するアドレスを含む読み出しリクエスト４０５を受け取るよう構成する。メモリ装置４２５は、例えば上述のように、メインメモリ４２０およびスペアメモリ４３０により構成する。コントローラ４１０は、読み出しリクエスト４０５がリマップされたアドレスを含むか否かを決定する。この決定に従って、コントローラ４１０は読み出しリクエスト４０５をメインメモリ４２０またはスペアメモリ４３０に命令してデータを読み出す。例えば、読み出しリクエスト４０５のアドレスがリマップされていない場合、コントローラ４１０は読み出しリクエストをメインメモリ４２０に転送し、一方、アドレスがリマッピングされている場合、コントローラ４１０は、スペアメモリ４３０に向けられる読み出しリクエスト４０５がリマップされたアドレスから構成されるよう変更する。その後、メインメモリ４２０または４３０は読み出しデータ４３５を、例えばエラーカウンタおよび／またはＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック４４０に提供する。一実施例において、ＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック４４０は、メモリ装置４２５のダイ素子内に配置する。他の実施例では、ＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック４４０は、例えば、アプリケーション内のようなシステムレベルに配置する。エラー検出ブロック４４０は、読み出しデータ４３５に存在するいかなるエラーも検出および／または補正することができ、検出されたエラーをＢＥＲおよび／またはビット誤り数として表す。従って、エラー検出ブロック４４０は、アプリケーションおよび／またはホストシステムのような、読み出しリクエスト４０５を発生させる構成要素に、補正された読み出しデータ４４５を提供することができる。エラー検出ブロック４４０はまた、読み出しデータ４３５に存在するエラーの数に関する情報を、比較エンジン４５０に提供する。エラー検出ブロック４４０をメモリ装置４２５のダイ素子内に配置したＥＣＣデコーダで構成する場合、このようなエラー情報は、システムレベルの比較エンジンアプリケーションによりアクセス可能である。ある実施において、たとえば、ＥＣＣデコーダは、検出されたエラー数とエラー閾値とを比較する比較エンジン４５０がアクセスできるエラー情報レジスタを含む。

上述のように、エラー閾値は許容可能なＢＥＲまたはエラー数における限定値で構成する。比較エンジン４５０は、このような比較の結果４６０をコントローラ４１０に提供する。少なくとも部分的にはこの比較結果に基づいて、コントローラ４１０はメモリ装置４２５の特定部分を退役させるか否かを決定する。この比較が、メモリ装置４２５の特定部分が例えば読み出しプロセス中に過多数のビット誤りを引き起こしたことを示す場合、コントローラ４１０はメモリのエラー傾向がある部分を退役させるプロセスを開始する。この退役プロセスは、メモリの退役部分に記憶されたデータをメモリの他の部分へ移転するステップを有する。例えば、データはメインメモリ４２０の特定部分からスペアメモリ４３０に移動される。従って、コントローラ４１０はメモリの退役部分を認識するアドレスを、移転されたデータを含むメモリの新たな部分を識別するアドレスに変更する。このメモリ退役プロセスは、例えば読み出しリクエスト４０５を発生するアプリケーションおよび／またはホストシステムに関してシームレスに起こる。もちろん、メモリシステムのこのような実施例は単なる一例でしかなく、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。

図５は、例えば上述のようにメイン部分およびスペア部分に分割されるメモリ装置５１０を含むコンピュータシステム５００の実施形態を示す概略図である。コンピュータ装置５０４は、メモリ装置５１０を管理するよう構成することができる任意の装置、機器および／または機械を代表する。メモリ装置５１０は、メモリコントローラ５１５およびメモリ５２２で構成する。限定するものではなく単なる一例として、コンピュータ装置５０４としては、１つ以上のコンピュータ装置および／またはプラットフォーム、例えばデスクトップコンピュータ、ノート型コンピュータ、ワークステーション、サーバー装置等、１つ以上のパーソナルコンピュータまたはコミュニケーション装置または機器、例えばパーソナル・デジタル・アシスタント、移動通信装置等、コンピュータシステムおよび／または関連するサービスプロバイダの能力、例えばデータベースまたはデータ保存サービスプロバイダ／システム等、および／またはこれらの任意の組み合わせがある。

システム５００に示す様々な装置のすべてまたは一部、およびさらにここに表すプロセスや手段が、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはそれらの任意の組み合わせを使用または含んで実施されることを認識すべきである。従って、限定するものではなく単なる一例として、コンピュータ装置５０４は、バス５４０およびホストまたはメモリコントローラ５１５を介してメモリ５２２に動作可能に結合される、少なくとも１つの処理ユニット５２０を含む。処理ユニット５２０は、データ計算手順または処理の少なくとも１部を実行するよう構成可能な１つ以上の回路を代表する。限定するものではなく一例として、処理ユニット５２０としては、１つ以上のプロセッサ、コントローラ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路、デジタル信号プロセッサ、プログラム可能論理回路、フィールド・プログラマブル・ゲートアレイ等またはこれらの任意の組み合わせがあり得る。処理ユニット５２０は、例えば上述のメモリ分割処理と同様、読み出し、書き込みおよび／または消去などのメモリ関連の操作を処理するメモリコントローラ５１５と通信することができる。処理ユニット５２０としては、メモリコントローラ５１５と通信するよう構成したオペレーティングシステムがあり得る。例えば、このようなオペレーティングシステムは、バス５４０を超えてメモリコントローラ５１５に送られるコマンドを生成する。このようなコマンドは、例えば、メモリ５２２の少なくとも一部を分割し、１つ以上の属性を特定の位置に関連付け、部分的にはプログラムおよび記憶されるデータのタイプに基づいて特定の位置をプログラムするための命令を含む。

メモリ５２２は、任意のデータ記憶装置を代表する。例えば、メモリ５２２は、物理的記憶位置が特定アドレスに関連付けられるアドレス可能なメモリで構成する。従って、このような記憶位置は、読み出し／書き込みプロセスで記憶位置に関連付けられたアドレスを特定することにより、アクセスされる。メモリ５２２は、例えば、第１メモリ５２４および／または第２メモリ５２６を含む。特定の実施例において、メモリ５２２は、上述のように、少なくとも部分的には１つ以上のメモリの属性および／またはメモリ管理プロセスに基づいて分割されたメモリで構成することができる。第１メモリ５２４としては、例えばランダム・アクセス・メモリ、リード・オンリー・メモリ等がある。図示の実施例においては、処理ユニット５２０から分離して示しているが、第１メモリ５２４の全てまたは一部を、処理ユニット５２０内に設ける、またはコロケーション／結合することができると理解されたい。

第２メモリ５２６としては、例えば第１メモリと同一または同種のメモリ、および／または、例えばディスクドライブ、光学ディスクドライブ、テープドライブ、固体メモリドライブ等の、１つ以上のデータ記憶装置またはシステムがあり得る。ある実施例において、第２メモリ５２６は、コンピュータ可読媒体５２８を動作可能に受け入れ可能な、もしくは結合するよう構成することができる。コンピュータ可読媒体５２８としては、例えば、システム５００内の１つ以上の装置に対するアクセス可能なデータ、コードおよび／または命令を有する、および／または生成することができる任意の媒体があり得る。

コンピュータ装置５０４としては、例えば、入力／出力装置５３２があり得る。入力／出力装置５３２は、人間および／または機械による入力を受け付けまたはその反対に発生させるよう構成することができる、1つ以上の装置または構成、および／または、人間および／または機械による出力を供給またはその反対に提供するよう構成され得る1つ以上の装置または構成を代表するものである。限定するものではなく一例として、入力／出力装置５３２としては、動作可能に構成されたディスプレイ、スピーカー、キーボード、マウス、トラックボール、タッチスクリーン、データポート等があり得る。

上述の詳細な説明において、特許請求の範囲の要旨を完全に理解できるよう、多数の特定の詳細を記載した。しかし、特許請求の範囲の要旨は、これらの特定の詳細無しで実施できることを、当業者であれば理解できるであろう。当業者には周知の方法、装置またはシステムは、特許請求の範囲の要旨を不明瞭にしないよう、詳細には記載しなかった。

上述の詳細に説明したいくつかの部分は、特定装置のメモリ内もしくは専用コンピュータ装置またはプラットフォーム内に記憶されたバイナリデジタル信号の操作のアルゴリズムまたは象徴的な表現として提示されている。この特定の明細書内の文脈において、特定装置等の用語は、プログラムソフトウエアからの命令に従って特定の操作を行うよう一度プログラムされれば、汎用コンピュータを含む。アルゴリズムに関する記述または象徴的表現は、信号処理またはそれに関連する技術における当業者によって、彼らがその研究内容を他の当業者に伝えるために使用する技術の例である。ここでは、そして一般的には、アルゴリズムは、所望の結果をもたらす操作または同様の信号処理の自己一貫性を有するシーケンスであると考えられる。この文脈において、操作または処理は物理的な量の物理的操作を含む。必ずしもそうであるとは限らないが、通常そのような量は、記憶、移動、連結または他の操作が可能な電気的または磁気的信号の形式を取る。主に一般使用の理由で、このような信号は、ビット、データ、値、要素、シンボル、文字、用語、数字、数詞等と呼ぶことが便利であることが時々証明されている。しかし、これらの全てまたは類似用語は適切な物理的量に関連付けられ、単に便利なラベルであるにすぎないことを理解されたい。以下の説明から明らかなように、特に明記しない限り、本明細書の考察を通して使用されている用語「処理」、「計算」、「演算」、「決定」等は、専用コンピュータまたは類似の専用電子コンピュータ装置等における特定装置の作用または処理を示す。従って、本明細書の文脈において、専用コンピュータまたは類似の専用電子コンピュータ装置は、専用コンピュータまたは類似の専用電子コンピュータ装置のメモリ、レジスタ、または他の情報記憶装置、送信装置またはディスプレイ装置内における物理電子的量または物理磁気的量として一般的に代表される信号を操作または変換できる。

本明細書で使用される用語「および」、「および／または」、「または」は、少なくとも部分的にはそれが使用される文脈によって、様々な意味を含む。一般的には、「または」と同様に「および／または」は、Ａ, ＢまたはＣ、のような羅列を関連付けるために用いられた場合、ここではＡ, ＢまたはＣを意味する排他的意味と同様に、Ａ, ＢおよびＣを意味する両立的な意味が意図される。本明細書にわたる「一実施形態」または「実施形態」という言及は、実施例に関連して表された特定の特徴、構造、または特性が、特許請求の範囲における要旨の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書の様々な個所において出現する表現「一実施形態」または「実施形態」の全てが同じ実施形態を示している訳ではない。さらに、特定の特徴、構造、または特性を、１つ以上の実施形態において組み合わせることも可能である。ここで説明する実施形態としては、デジタル信号を用いて作動するマシン、デバイス、エンジン、または装置があり得る。このような信号としては、電子信号、光学信号、電磁的信号、または位置間で情報を提供する任意の形式のエネルギーがある。

実施形態と現在考えられるものを図示および説明したが、特許請求の範囲の要旨から逸脱することなく様々な変更を行うことや均等物による代替が可能であることは、当業者であれば理解できるであろう。加えて、本明細書に記載した主要概念から逸脱せずに特定の状況を特許請求の範囲における要旨の教示に適応するよう様々な変更を行うことも可能である。従って、特許請求の範囲の要旨は、開示された特定実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲内にある全ての実施形態およびその均等物を含むことを意図する。

Claims (20)

1. メモリの特定部分から読み出した情報を表す信号に関連する、ビット誤り率および／またはビット誤り数を決定するステップと、
   前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較するステップと、および
   少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するステップと
   有することを特徴とする方法。
2. 請求項１記載の方法において、前記メモリの前記特定部分を退役させるステップは、信号で表される前記情報を前記メモリの前記特定部分から前記メモリの他の部分に移転するステップを有する、方法。
3. 請求項２記載の方法において、前記メモリの前記他の部分はスペアメモリ領域で構成する、方法。
4. 請求項１記載の方法において、前記メモリは相変化メモリ装置で構成する、方法。
5. 請求項２記載の方法において、さらに、前記メモリの前記特定部分のアドレスを前記メモリの前記他の部分にリマップするステップを更に有する、方法。
6. 請求項１記載の方法において、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数は、少なくとも部分的には前記メモリの物理的劣化に基づいて生ずるものとした、方法。
7. アドレス可能なメモリと、
   前記アドレス可能なメモリの特定部分から読み出された情報を表す信号に関連付けられた、ビット誤り率および／またはビット誤り数を決定するエラーカウンタと、
   前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数とエラー閾値とを比較する比較エンジンと、および
   少なくとも部分的に前記比較に基づいて、前記アドレス可能なメモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するコントローラと
   を備えた、ことを特徴とする装置。
8. 請求項７記載の装置において、前記コントローラは、さらに、信号で表される前記情報を、アドレス可能な前記特定部分から前記アドレス可能なメモリの他の部分へ移転するよう構成した、装置。
9. 請求項８記載の装置において、前記アドレス可能な前記他の部分は、スペアメモリ領域で構成した、装置。
10. 請求項７記載の装置において、前記アドレス可能なメモリは、相変化メモリ装置で構成した、装置。
11. 請求項８記載の装置において、前記コントローラは、さらに、前記アドレス可能なメモリの前記特定部分のアドレスを、前記アドレス可能なメモリの前記他の部分へリマップするよう構成した、装置。
12. 請求項７記載の装置において、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数は、少なくとも部分的には前記メモリの物理的劣化に基づいて生ずるものとした、装置。
13. メモリの特定部分から読み出された情報を表す信号に関連付けられた、ビット誤り率および／またはビット誤り数を決定する手段と、
    前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較する手段と、および
    少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定する退役手段と
    を備えたことを特徴とする、装置。
14. 請求項１３記載の装置において、メモリの前記特定部分の退役手段は、
    信号で表される情報をメモリの前記特定部分から前記メモリの他の部分に移転する手段を有する、装置。
15. 請求項１４記載の装置において、さらに、
    前記メモリの前記特定部分のアドレスを前記メモリの前記他の部分へリマップする手段を備えた、装置。
16. 請求項１３記載の装置において、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数は、少なくとも部分的には前記メモリの物理的劣化に基づいて生ずるものとした、装置。
17. 機械読取可能な命令を記憶した記憶媒体であって、前記命令が、専用コンピュータ装置により実行された場合、前記専用コンピュータ装置が、以下のことを行う、すなわち、
    メモリの特定部分から読み出された情報を表す信号に関連付けられた、ビット誤り率および／または前記ビット誤り数を決定し、
    前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較し、そして
    少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定する
    ことができるよう構成した、
    該記憶媒体を備えたことを特徴とする物品。
18. 請求項１７記載の物品において、前記命令は、さらに、前記専用コンピュータ装置により実行された場合、前記専用コンピュータ装置が、前記情報を前記メモリの特定部分から前記メモリの他の部分へ移転することにより、メモリの前記特定部分を退役させることができるように構成した命令とした、物品。
19. 請求項１７記載の物品において、前記メモリは、相変化メモリ装置で構成した、物品。
20. 請求項１８記載の物品において、前記命令は、さらに、前記専用コンピュータ装置により実行された場合、前記専用コンピュータ装置が前記メモリの前記特定部分のアドレスを前記メモリの他の部分へリマップできるよう構成した命令とした、物品。

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