JP2011032142A - 単結晶引き上げ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、メインチャンバーに収納されたルツボ内の融液から、メインチャンバー上部に連接された上部チャンバー内へ成長した単結晶をワイヤー11により引き上げる単結晶引き上げ装置であって、少なくとも、ワイヤー11に不活性ガスを側方から吹きつけてワイヤー11の付着物を吹き飛ばすガス吹きつけノズル12と、ワイヤー11が上下回転動可能に挿通する貫通孔14を有し、ガス吹きつけノズル12からワイヤー11に吹きつけられた不活性ガスをガス吹きつけノズル12の反対の側方から吸引して排出するガス吸引管10とからなり、上部チャンバーに配設されたワイヤークリーニング機構1を備えたものである。
【選択図】図1
Description
このような、単結晶引き上げ装置において、シードを引き上げる手段としてシャフトを用いる方法とワイヤを用いる方法とがあるが、近年では引き上げ装置の大型化により引き上げ機構の小型化が出来るワイヤー方式が主流である。
図4に示す単結晶引き上げ装置101は、原料融液106が収容された昇降動可能なルツボ107が単結晶を育成するメインチャンバー102内に収納されており、該メインチャンバー102の上部には育成した単結晶を引き上げて取り出すための上部チャンバー103が連設されている。また、この上部チャンバー103は、成長した単結晶を収納するプルチャンバー104と、その上部に連接され、単結晶取り出し時等にシードチャック112及びシード(種結晶)113を退避させて格納する副チャンバー105とからなる。
この際、ガス供給源110からアルゴンガスを上部チャンバー103を通して炉内へ供給し、メインチャンバー102の下部から真空ポンプ109により炉内のガスを排出しながら単結晶引き上げが行われる。
さらに、ワイヤーは引き上げ機構内の巻取部のプーリ及びドラムと接触しながら巻き取られるので、金属のプーリとワイヤーの摩擦によってプーリの摩耗粉(金属粉)が発生する。
ワイヤーのクリーニング方法としては、圧縮エアーを吹き付けて酸化物や金属粉などを除去するものや、コットンをアルコールに浸し拭き取る方法などがある。エアーの吹きつけによるクリーニングはチャンバ内や引き上げ室内を汚染する可能性があり、また、チャンバやワイヤーは高所にあるため清掃作業は困難で負担の多い作業となっている。また、クリーニング作業はチャンバ内を常圧に戻して行わないと出来ないため、半日は掛かる作業となり、引き上げ機構内の清掃を含めると1日を費やしてしまう。
以上より、本発明の単結晶引き上げ装置によれば、チャンバー内を汚染することなく、効率的にワイヤークリーニングができ、単結晶の生産性が向上する。
このようにクリーニング機構を副チャンバーに配設することで、上部チャンバーの上方でワイヤー全体を効率的にクリーニングでき、また、ワイヤーの引き上げ機構付近でワイヤークリーニングできるため、引き上げ機構のワイヤー巻き取り部等からワイヤーへ付着した金属粉が飛散する前にクリーニングすることができ、チャンバー内の汚染をより確実に防止できる。
このようにガス吹きつけノズルの先端がガス吸引管内に挿入されることで、ガス吹きつけノズルからの不活性ガスがワイヤーのクリーニングする領域に集中してクリーニング効果が高くなり、さらには、ワイヤーから吹き飛ばされた付着物をより確実に吸引することができる。
このようなガス流量になるように制御することで、ガス吹きつけノズルからのガスやワイヤーの付着物を、ガス吸引管により効果的に吸引、排出することができ、チャンバーの汚染や単結晶の有転位化を確実に防止できる。
このように、ガス吸引管内の圧力が上部チャンバー内の圧力よりも低くなるように制御されることで、ワイヤーから吹き飛ばされた付着物をガス吸引管により確実に吸引、排出できるため、チャンバー内汚染を防止でき、さらに吹きつけられた不活性ガスもチャンバー内に漏れることが無い。
このように、ワイヤー振れ止め装置を備えることで、ガス吹きつけノズルから吹きつける不活性ガスによるワイヤーの振れを抑制できるため、単結晶引き上げ中にも本発明のクリーニング機構でワイヤーをクリーニングすることができ、ワイヤーの付着物を除去しながら、歩留まり良く単結晶を引き上げることができる。
このように、Arガスであれば、単結晶引き上げ中にチャンバー内に供給されるガスでもあるため、ガス吹きつけノズルからのガスがチャンバー内にもれてチャンバー内のガスと混ざっても、汚染もなく、チャンバー内の純度を高く保てる。
このような形状の貫通孔であれば、引き上げ機構のワイヤー巻き取り部等から落下する金属粉やシリコン酸化物をガス吸引管の上側の孔から吸引して排出できるため、チャンバー内の清浄度も高くできる。
このように、上部チャンバーのガス置換用の真空ポンプを、上部チャンバーのガス置換と本発明のクリーニング機構とで兼用すれば、本発明のクリーニング機構を設ける際に生じる新たな装置コストを低減できる。
図1は、本発明の単結晶引き上げ装置のクリーニング機構の実施態様の一例を示す概略図である。図2は、本発明の単結晶引き上げ装置の実施態様の一例を示す概略図である。図3は、本発明の単結晶引き上げ装置のガス吹きつけノズルの吹きつけ口の例を示す側面図と正面図である。
また、この単結晶引き上げ前に炉内のガス置換を行うために、ガス供給源26からフィルター31を介して、例えばアルゴンガスを炉内へ供給し、メインチャンバー19の下部に接続された真空ポンプ24により炉内のガス置換を行い、また、同様に単結晶引き上げ中にもアルゴンガスの供給と排出が行われる。この際の供給ガス流量は流量計32で測定しながら、手動弁33や空気式操作弁30で制御する。また、排出ガス流量は、可変流量弁29や空気式操作弁30で制御する。
このように、Arガスであれば、単結晶引き上げ中にチャンバー内に供給されるガスでもあるため、ガス吹きつけノズル12からのガスがチャンバー内にもれてチャンバー内のガスと混ざっても、汚染もなく、チャンバー内の純度を高く保てる。従って、単結晶の成長に悪影響を及ぼすこともない。
このようにクリーニング機構1を副チャンバー13に配設することで、上部チャンバー18の上方でワイヤー11全体を効率的にクリーニングでき、また、ワイヤー11の引き上げ機構22付近でワイヤークリーニングできるため、引き上げ機構22のワイヤー巻き取り部等からワイヤー11へ付着した金属粉が飛散する前にクリーニングすることができ、チャンバー内の汚染をより確実に防止できる。また、上部チャンバー18が副チャンバー13を具備しないものである場合には、本発明のクリーニング機構1を上部チャンバー18の上方に配設することで、ワイヤー11全体を効率的にクリーニングすることができ好ましい。
このように、上部チャンバー18のガス置換用の真空ポンプ25を、上部チャンバー18のガス置換と本発明のクリーニング機構1とで兼用すれば、本発明のクリーニング機構1を設ける際に生じる新たな装置の設置コストを低減できる。もちろん、このときの真空ポンプは、上記のような兼用でなくて別途設けてもよいし、また、種類としては、例えば酸化物の吸引に有効なドライ真空ポンプを用いることが好ましい。
このように、ワイヤー振れ止め装置28を備えることで、ガス吹きつけノズル12から吹きつける不活性ガスによるワイヤー11の振れを抑制できるため、単結晶引き上げ中にも本発明のクリーニング機構1でワイヤー11をクリーニングすることができ、ワイヤー11の付着物を除去しながら、歩留まり良く単結晶を引き上げることができる。
このワイヤー振れ止装置28としては、特に限定されず、公知のものを用いることができ、ワイヤー長さによる振れ周期を考慮した装置等とすることができる。
このようにガス吹きつけノズル12の先端がガス吸引管10内に挿入されることで、ガス吹きつけノズル12からの不活性ガスがワイヤー11のクリーニングする領域に集中してクリーニング効果が高くなり、さらには、ワイヤー11から吹き飛ばされた付着物をより確実に吸引することができる。
また、この場合は図1に示すように、ガス吸引管10の先端を細くすることで、ガス吹きつけノズル12との隙間を小さくして、ガスの吸引、排出をより効率的に行うことができる。また、ガス吹きつけノズル12の先端を、ワイヤー11に近づけることでクリーニング効果を高くできる。また、ガス吹きつけノズル12がガス吸引管10内に挿入されない場合には、ガス吸引管10の先端を広げて、ワイヤー11にガスが効果的に当たるようにするとともに、吹き飛ばされた付着物を捕捉し易くするようにすることもできる。
このようなガス吹きつけノズル12を、ガス供給源27に接続して、流量計32で流量を測定しながら、手動弁33と空気式操作弁30で制御しながら、フィルター31を介して清浄なガスをワイヤー11に吹き付けることができる。
このような形状の貫通孔であれば、引き上げ機構22のワイヤー巻き取り部等から落下する金属粉やシリコン酸化物をガス吸引管10の上側の孔から吸引して排出できるため、チャンバー内の清浄度もより高くできる。
このようなガス流量になるように制御することで、ガス吹きつけノズル12からのガスやワイヤー11の付着物を、ガス吸引管10により効果的に吸引、排出することができ、チャンバーの汚染や単結晶の有転位化を確実に防止できる。
このように、ガス吸引管10内の圧力が上部チャンバー18内の圧力よりも低くなるように制御されることで、ワイヤー11から吹き飛ばされた付着物をガス吸引管10により確実に吸引、排出できるため、チャンバー内汚染を防止でき、さらに吹きつけられた不活性ガスもチャンバー内に漏れることが無い。
このとき、圧力の制御方法としては、図2に示すように、隔膜式真空計(差圧計)34を用いて、ガス吸引管10内と副チャンバー13内の圧力差を検出しながら、可変流量弁(コンダクタンスバルブ)29等で制御する。
吹きつけノズル12からのガス流量(パージガス流量)としては、2〜100l/minの範囲で設定可能である。また、真空ポンプ25の排気量(ガス吸引管10の排出ガス流量)は、パージガス流量より大きく設定することで、吹きつけノズル12からのガスがチャンバー内に漏れないようにすることができる。また、ガス吸引管10内の圧力をチャンバー内圧力よりも低くなるように、ガス吸引管10側の真空ポンプ25に設けられた可変流量弁29で制御することができ、このときの圧力差としては、−10〜−100hPa程度に制御することが好ましい。
また、上記のようなワイヤー11の上下するスピードは例えば、1〜1000mm/min、回転速度は1〜30rpmの範囲で調節可能である。
また、このようなワイヤークリーニングを結晶取り出し前に行う際は、成長させたシリコン単結晶棒をプルチャンバー17へ引き上げる際に、ワイヤークリーニング操作を行うことで、引き上げ機構22への酸化物汚染も低減できる。
10…ガス吸引管、 11…ワイヤー、 12…ガス吹きつけノズル、
13…副チャンバー、 14…貫通孔、 15…シード、
16…シードチャック、 17…プルチャンバー、 18…上部チャンバー、
19…メインチャンバー、 20…ルツボ、 21…融液
22…引き上げ機構、 23…単結晶引き上げ装置、
24、25…真空ポンプ、 26、27…ガス供給源、
28…ワイヤー振れ止め装置、 29…可変流量弁、 30…空気式操作弁、
31…フィルター、 32…流量計、 33…手動弁、 34…隔膜式真空計。
Claims (9)
- 少なくとも、メインチャンバーに収納されたルツボ内の融液から、前記メインチャンバー上部に連接された上部チャンバー内へ成長した単結晶をワイヤーにより引き上げる単結晶引き上げ装置であって、
少なくとも、前記ワイヤーに不活性ガスを側方から吹きつけて前記ワイヤーの付着物を吹き飛ばすガス吹きつけノズルと、前記ワイヤーが上下回転動可能に挿通する貫通孔を有し、前記ガス吹きつけノズルから前記ワイヤーに吹きつけられた不活性ガスを前記ガス吹きつけノズルの反対の側方から吸引して排出するガス吸引管とからなり、前記上部チャンバーに配設されたワイヤークリーニング機構を備えたものであることを特徴とする単結晶引き上げ装置。 - 前記上部チャンバーが、プルチャンバーと、前記プルチャンバー上部に連接され、シードチャック及びシードを格納する副チャンバーとを具備し、前記副チャンバーに前記ワイヤークリーニング機構が配設されたものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記ガス吹きつけノズルの先端が、前記ガス吸引管内に挿入されたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記ガス吸引管から排出される不活性ガス流量が、前記ガス吹きつけノズルから吹きつけられる不活性ガス流量よりも大きくなるように制御されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記ガス吸引管内の圧力が、前記上部チャンバー内の圧力よりも低くなるように制御されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記ワイヤーの前記単結晶引き上げ中の振れを抑制するワイヤー振れ止め装置を備えたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記吹きつけられる不活性ガスが、Arガスであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記貫通孔が、前記ガス吸引管の下側よりも上側の孔が大きいものであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
- 前記ガス吸引管が、前記上部チャンバーのガス置換用の真空ポンプに接続されたものであり、該真空ポンプによってガスを吸引して排出するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ装置。
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