JP2011029726A - 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ - Google Patents

固体撮像装置およびそれを備えたカメラ Download PDF

Info

Publication number
JP2011029726A
JP2011029726A JP2009170590A JP2009170590A JP2011029726A JP 2011029726 A JP2011029726 A JP 2011029726A JP 2009170590 A JP2009170590 A JP 2009170590A JP 2009170590 A JP2009170590 A JP 2009170590A JP 2011029726 A JP2011029726 A JP 2011029726A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current source
solid
drain
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009170590A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Muroshima
孝廣 室島
Yasuyuki Endo
康行 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009170590A priority Critical patent/JP2011029726A/ja
Priority to PCT/JP2010/003232 priority patent/WO2011010420A1/ja
Publication of JP2011029726A publication Critical patent/JP2011029726A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Abstract

【課題】それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1は、行列状に配列された複数の画素11aと、画素11aの列に対応して設けられた複数の垂直信号線13と、複数の垂直信号線13のそれぞれに設けられた列増幅回路14aとを備え、列増幅回路14aは、複数の垂直信号線13のうちの対応する垂直信号線13からの信号を増幅する増幅トランジスタNM5と、第1電流源トランジスタPM1と、第1電流源トランジスタPM1とカスコード接続され、増幅トランジスタNM5に電流を供給する第2電流源トランジスタPM2とを有し、固体撮像装置1は、第2電流源トランジスタPM2のソースとドレインを短絡するか否かを切り替える切替部100をさらに備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、固体撮像装置およびそれを備えたカメラに関する。
近年、CCD(Charge Coupled Device)センサを用いた固体撮像装置に代わる固体撮像装置として、MOS(Metal Oxide Semiconductor)センサを用いた固体撮像装置が主流になりつつある。
一般的なCCDセンサは、行列状に配置された受光素子であるPD(フォトダイオード)で入射光によって生成、蓄積された信号電荷Qを、複数の高電圧からなる転送パルスによって垂直、水平方向に転送し、センサ出力端に設けられたFDA(フローティングディフュージョンアンプ)でQ−V(電荷−電圧)変換して信号を出力する。
これに対し、一般的なMOSセンサは、行列状に配置された画素にそれぞれ受光素子であるPDとFDAを設けることで、入射光によってPDで生成、蓄積された信号電荷Qを、画素毎にQ−V変換し、単一電源で構成された出力回路を通って信号を出力する。
近年、MOSセンサが主流になってきたのは、CCDでは信号を読み出すのに複数の高電圧からなる転送パルスが必要であるのに対し、MOSセンサでは単一電源で信号を読み出すことができ、消費電力を抑えることができるためである。またCCDのように特殊な製造プロセスを必要としないため、アナログ回路、デジタル回路を同一チップ内に配置でき、映像信号の処理が容易に実現できるためである。
また最近のMOSセンサでは、列毎に画素からの信号を増幅する増幅回路を備えるものがある。例えば、一般的なMOSセンサが列毎に画素で発生するFPN(固定パターンノイズ)を除去するための列CDS(Correlated Double Sampling:相関2重サンプリング)回路や、信号を増幅して出力するための出力アンプ回路を設けている。これは、これらの出力回路で発生するノイズに対して、画素信号を増幅し、高S/N(信号/ノイズ比)を実現するためである。
図13に増幅回路を備えた一般的なMOSセンサを用いた固体撮像装置のブロック図を示す。
同図に示すように、固体撮像装置200は、MOSセンサにより構成され行列状に配置された複数の画素201aを備える画素アレイ201と、行ごとに画素201aを選択する垂直走査回路202と、列ごとに設けられ、一列の画素201aに共通に接続された垂直信号線203と、垂直信号線203のそれぞれと接続された列増幅回路204を備えている。列増幅回路204の出力は列CDS回路205に接続されており、水平走査回路206からの選択信号を使って水平共通信号線207に順次読み出しを行う。水平共通信号線207には、出力アンプ回路208が接続されており、増幅された信号が順次出力され、出力画像が得られる。
また、特許文献1に列増幅回路204の消費電流を一定にするための手段として、列増幅回路204が有する電流源トランジスタに電流源カスコードトランジスタを設ける従来技術が開示されている。
特開2005−252529号公報
特許文献1に開示された従来技術では、電流源トランジスタに電流源カスコードトランジスタを配置すると、列増幅回路の入力電圧レンジ(ダイナミックレンジ)が小さくなり、入力電圧レンジが撮影するシーンに最適でない場合が発生するという課題を有している。ここでいうシーンとは、センサ出力を増幅するような暗い被写体を撮像する状態と、それ以外の明るい被写体を撮像する状態のことを表す。
前記課題を鑑み、本発明は、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記課題を鑑みて、本発明の一形態における固体撮像装置は、行列状に配列され、入射光の強度に応じた信号を出力する複数の画素と、前記画素の列に対応して設けられ、前記画素からの信号を列方向に伝達する複数の垂直信号線と、前記複数の垂直信号線のそれぞれに設けられた列増幅回路とを備え、前記列増幅回路は、前記複数の垂直信号線のうちの対応する前記垂直信号線からの信号を増幅する増幅トランジスタと、第1電流源トランジスタと、前記第1電流源トランジスタとカスコード接続され、前記増幅トランジスタに電流を供給する第2電流源トランジスタとを有し、前記固体撮像装置は、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの一方のソースとドレインを短絡するか否かを切り替える切替部をさらに備える。
この構成によれば、切替部により、シーンによって前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースとドレインを短絡するか否かを切り替えることが可能となり、列増幅回路を消費電流の変動が小さい状態または入力電圧レンジが大きい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる。また、前記増幅トランジスタは、ソースがグランドに接続されたn型のMOSトランジスタにより構成され、前記第1電流源トランジスタは、ソースが電源に接続されたp型のMOSトランジスタにより構成され、前記第2電流源トランジスタは、ドレインが前記増幅トランジスタのドレインに接続されソースが前記第1電流源トランジスタのドレインに接続されたp型のMOSトランジスタにより構成されるようにしてもよい。
また、前記切替部は、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに印加される電圧として、グランド電圧または電源電圧を印加するか、バイアス電圧を印加するかを切り替えるようにしてもよい。
また、前記固体撮像装置は、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに印加される電圧を生成するバイアス回路をさらに備え、前記バイアス回路は、ゲートが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに接続され、ソースが電源またはグランドに接続された第3電流源トランジスタと、ドレインが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートおよび前記第3電流源トランジスタのゲートに接続されソースがグランドまたは電源に接続された電流源負荷トランジスタとを有し、前記切替部は、ソースが前記第3電流源トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第3電流源トランジスタのゲートおよび前記電流源負荷トランジスタのドレインに接続されたスイッチトランジスタで構成され、外部からゲートに供給される制御信号により、前記バイアス回路から出力される電圧として、グランド電圧または電源電圧を出力するか、バイアス電圧を出力するかを切り替えるようにしてもよい。
この構成によれば、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに印加される電圧として、グランド電圧または電源電圧を出力するか、バイアス電圧を出力するかを切り替えることによって、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方の使用状態を切り替えることが可能となり、列増幅回路を消費電流の変動が小さい状態または入力電圧レンジが大きい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる。
また、前記切替部は、ソースおよびドレインが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースおよびドレインにそれぞれ接続され、外部からゲートに供給される制御信号により、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースとドレインを短絡するスイッチトランジスタで構成されるようにしてもよい。
この構成によれば、切替部により前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースとドレインを短絡することによって、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方の使用状態を切り替えることが可能となり、列増幅回路を消費電流の変動が小さい状態または入力電圧レンジが大きい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる。
また、前記スイッチトランジスタのゲートアスペクト比は、前記スイッチトランジスタによりソースとドレインが短絡される前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートアスペクト比と同じ若しくはそれ以上となるようにしてもよい。
この構成によれば、簡易な回路構成で前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方の使用状態を容易に切り替えることができる。
また、本発明は、固体撮像装置として実現できるだけでなく、上記した構成を備えるカメラとして実現することもできる。
本発明によれば、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる固体撮像装置を提供することが可能である。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の画素、列増幅回路、バイアス回路の詳細な構成を示す回路図である。 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の画素、列増幅回路の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置における列増幅回路の入力信号と消費電流の関係を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の画素及び列増幅回路の詳細な構成を示す回路図である。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の変形例の構成を示すブロック図である。 本発明の第3の実施形態に係る撮像装置(カメラシステム)の一例を表す構成を示す図である。 本発明の比較例に係る固体撮像装置の画素及び列増幅回路の構成を示す回路図である。 本発明の比較例に係る固体撮像装置の画素及び列増幅回路の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の比較例に係る固体撮像装置における列増幅回路の入力信号と消費電流の関係を示すグラフである。 本発明の比較例に係る固体撮像装置の横帯状のノイズが現れた出力画像の一例を示す図である。 従来の一般的な列増幅回路を備える一般的な固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を説明する。本実施形態では、本発明の切替部として、列増幅回路が有する第2電流源トランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替えるスイッチ素子を備える固体撮像装置について説明する。これにより、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる固体撮像装置を提供することが可能である。
まず、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置1の構成について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るMOS型の固体撮像装置1の構成を示すブロック図である。
図1に示すように、本実施の形態にかかる固体撮像装置1は、入射光の強度に応じた信号を出力する画素11aが行列状に複数個配置された画素回路(画素アレイ)11と、行単位で画素11aを選択する垂直走査回路12と、画素11aの列に対応して設けられ、各列の画素11aに共通に接続された垂直信号線13と、複数の垂直信号線13のそれぞれと接続され、対応する画素11aからの信号を増幅する列増幅回路14aを備えた列増幅回路部14と、列CDS回路15と、水平走査回路16と、水平共通信号線17及び出力アンプ回路18とを備えている。また、列増幅回路部14にバイアス電圧を印加して列増幅回路部14の入力電圧レンジを切り替えるバイアス回路19と、バイアス回路19から列増幅回路部14に印加するバイアス電圧として、グランド電圧または電源電圧を印加するか、バイアス電圧を印加するかを切り替えるスイッチ素子100とを備えている。
垂直信号線13は、画素11aから出力された信号を列方向に伝達する。スイッチトキャパシタアンプから構成される列増幅回路部14の出力は列CDS回路15に接続されており、水平走査回路16からの選択信号を使って出力信号が水平共通信号線17に順次読み出される。水平共通信号線17には、出力アンプ回路18が接続されており増幅された出力信号が固体撮像装置1から出力され、出力画像が得られる。
図2は、本実施形態に係る画素回路11、列増幅回路部14、バイアス回路19の詳細な構成を示した回路図である。尚、各垂直信号線13には垂直走査線S0〜Snに対応する数の画素11aが並列に接続された画素列11xが構成されているが、今回は回路図の簡略化のため、1画素分の画素11aの回路とその列に接続される列増幅回路14aおよびバイアス回路19のみを示す。
同図に示すように、画素11aは、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積するフォトダイオードPD1と、フォトダイオードPD1から転送された信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョンFD1を有している。フォトダイオードPD1とフローティングディフュージョンFD1との間には電荷転送トランジスタNM1が設けられ、フローティングディフュージョンFD1と電源信号線PIXPOWとの間にはリセットトランジスタNM2が設けられている。また、電荷転送トランジスタNM1のゲートは転送信号線TRに接続され、リセットトランジスタNM2のゲートはリセット信号線RSに接続されている。フローティングディフュージョンFD1は、垂直信号線13と電源信号線PIXPOWとの間に接続された増幅トランジスタNM3のゲートと接続されている。また、増幅トランジスタNM3は、垂直信号線13に接続された電流源負荷トランジスタNM4と共にソースフォロア回路を形成し、フォトダイオードPD1からフローティングディフュージョンFD1に転送された信号電荷に応じた信号電圧を垂直信号線13に出力する。
また垂直信号線13には、列増幅回路14aが接続されている。列増幅回路14aは、垂直信号線13からの信号を増幅する増幅トランジスタNM5と、ドレインが増幅トランジスタNM5のドレインに接続された電流源カスコード(シールド)トランジスタPM2と、ドレインが電流源カスコードトランジスタPM2のソースに接続されソースが電源に接続された電流源トランジスタPM1とを備えている。また、列増幅回路14aは、入力容量Cinと、帰還容量Cfbと、増幅トランジスタNM5と、クランプトランジスタNM6とを備えている。なお、増幅トランジスタNM5、電流源トランジスタPM1、電流源カスコードトランジスタPM2が、それぞれ本発明における増幅トランジスタ、第1電流源トランジスタ、第2電流源トランジスタに相当する。
また、電流源トランジスタPM1のゲート及び電流源カスコードトランジスタPM2のゲートには、バイアス回路19が接続され、電流源トランジスタPM1のゲートには電圧Vcur、電流源カスコードトランジスタPM2のゲートには電圧Vcasがそれぞれ印加される。
バイアス回路19は、電流源I1、MOSトランジスタNM7、NM8、NM9、PM3、PM4、PM5により構成されたカレントミラー回路と、スイッチ素子100とを備えている。スイッチ素子100は、ソースが電流源トランジスタPM15のドレインに接続され、ドレインがMOSトランジスタPM5のゲートおよびMOSトランジスタNM8のドレインに接続されたスイッチトランジスタPM6で構成され、スイッチトランジスタPM6のゲートには、外部から制御信号Vselが与えられ、バイアス回路19から列増幅回路14aの電流源カスコードトランジスタPM2のゲートに印加される電圧Vcasを、所定のバイアス電圧(“High”レベルの信号)またはほぼグランドの電圧(“Low”レベルの信号)に切り替える構成となっている。ここで、スイッチ素子100が、本発明における切替部に相当し、MOSトランジスタPM5、MOSトランジスタNM8がそれぞれ本発明における第3電流源トランジスタ、電流源負荷トランジスタに相当する。
なお、本実施形態では、電流源カスコードトランジスタPM2としてp型のMOSトランジスタを使用し、電流源カスコードトランジスタPM2のゲートに印加される電圧Vcasを、所定のバイアス電圧(“High”レベルの信号)またはほぼグランドの電圧(“Low”レベルの信号)に切り替える構成としているが、電流源カスコードトランジスタPM2としてn型のMOSトランジスタを使用し、電流源カスコードトランジスタPM2のゲートに印加される電圧Vcasを、所定のバイアス電圧(“Low”レベルの信号)またはほぼ電源の電圧(“High”レベルの信号)に切り替える構成としてもよい。
この列増幅回路14aの増幅率Acは、
Figure 2011029726
で表される。
次に、本発明における画素回路11aと列増幅回路14aの動作について図3のタイミングチャートを使って説明する。
まずt1〜t2のタイミングで、リセット信号線RSに“High”レベルの信号を与え、画素回路11a内のフローティングディフュージョンFD1を電源信号線PIXPOWの電圧にリセットする。同時に列増幅回路14aのクランプトランジスタNM6のゲートに接続されたリセット信号線CLに“High”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM6をONにして列増幅回路14aのリセットを行い、t3のタイミングでリセット信号線CLに“Low”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM6のリセットを解除する。その後、t4〜t5のタイミングで、転送信号線TRに“High”レベルの信号を与え、画素回路11a内の電荷転送トランジスタNM1のゲートをONすることでフォトダイオードPD1に蓄積された信号電荷QをフローティングディフュージョンFD1に転送する。すると信号電荷QはFD容量CfdによりQ−V変換され、
Figure 2011029726
の信号が垂直信号線13に出力され、列増幅回路14aでは更にこの信号をAc倍に増幅した信号
Figure 2011029726
が出力端子Voutに出力される。但し、ソースフォロア回路のゲインを1としている。
ここで、スイッチ素子100の動作について説明する。
図4は、列増幅回路14aの入力信号Vinと消費電流Iampの関係を表したグラフであり、スイッチ素子100は、電流源カスコードトランジスタPM2の使用状態(図4に示すカスコードトランジスタあり、または、カスコードトランジスタなし)を切り替える動作をする。
Vselを電源にした(カスコードトランジスタがない、つまり電流源カスコードトランジスタPM2が消費電流Iampの変動を抑制するように動作していない状態)場合は、図4のグラフに破線で示すように、入力信号Vinに応じた消費電流Iampの変動が大きくなる。
具体的には、スイッチ素子100のクランプトランジスタNM6のゲートに印加される制御信号Vselを電源に接続すると、スイッチトランジスタPM6がOFFになり、電流源カスコードトランジスタPM2のゲートにはほぼグランドの電圧(“Low”レベルの信号)が与えられ、電流源カスコードトランジスタPM2はONになり、電流源カスコードトランジスタPM2のソースとドレインが短絡して電流が流れ、電流源カスコードトランジスタPM2が消費電流Iampの変動を抑制するように動作していない状態となる。
このときの列増幅回路14aの入力信号Vinに応じた消費電流Iampは、図4のグラフに破線で示すように一定でなく変動(減少)する。
またVselをグランドにした(カスコードトランジスタがある、つまり電流源カスコードトランジスタPM2が消費電流Iampの変動を抑制するように動作している状態)場合は、図4のグラフに実線で示すように、入力信号Vinに応じた消費電流Iampの変動を十分に抑制できるが、回路ダイナミックレンジが小さくなる。
具体的には、スイッチ素子100のクランプトランジスタNM6のゲートに印加される制御信号Vselをグランドに接続すると、スイッチトランジスタPM6がON状態になり、電流源カスコードトランジスタPM2のゲートには所定のバイアス電圧(“High”レベルの信号)が与えられ、電流源カスコードトランジスタPM2に流れる電流が減少し、電流源カスコードトランジスタPM2が消費電流Iampの変動を抑制するように動作している状態となる。
このときの列増幅回路14aの入力信号Vinに応じた消費電流Iampは、図4のグラフに実線で示すようにほぼ一定となるが、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが小さくなるので、入力電圧レンジが撮影するシーンに最適でない場合が発生する。
したがって、シーンが明るい場合には、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRを大きくするために、上記したようにスイッチ素子100に与える制御信号Vselを電源に接続してスイッチ素子100をOFFにし、電流源カスコードトランジスタPM2のソースとドレインを短絡することにより、電流源カスコードトランジスタPM2がない状態にして、列増幅回路14aを入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが大きい状態に切り替える。
また、シーンが暗い場合には、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRを大きくしなくてよいので、上記したようにスイッチ素子100に与える制御信号Vselをグランドに接続してスイッチ素子100をONにし、電流源カスコードトランジスタPM2がある状態にして、列増幅回路14aを消費電流Iampの変動が小さい状態に切り替える。
このように本発明によれば、スイッチ素子100のON、OFFにより、シーンによって電流源カスコードトランジスタPM2の使用状態を切り替えることにより、列増幅回路14aを入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが大きい状態または消費電流Iampの変動が小さい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することが可能である。
なお、上記した実施形態では、第2電流源トランジスタである電流源カスコードトランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替える構成について説明しているが、第1電流源トランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替える構成であってもよい。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態を説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、本発明の切替部として、ソースが第2電流源トランジスタのソースに接続され、ドレインが第2電流源トランジスタのドレインに接続され、外部からゲートに供給される制御信号により、第2電流源トランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替えるスイッチ素子110を備える点である。これにより、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる固体撮像装置を提供することが可能である。
図5は、本実施形態に係るMOS型の固体撮像装置2の構成を示すブロック図である。固体撮像装置2は、第1の実施形態の固体撮像装置1の列増幅回路14aとは異なる構成の列増幅回路24aを備えた列増幅回路部24を有し、複数の画素21aを行列状に配置した画素回路(画素アレイ)21と、垂直走査回路22と、垂直信号線23と、列CDS回路25と、水平走査回路26と、水平共通信号線27と、出力アンプ回路28とを備えている。列増幅回路24の出力は列CDS回路25に接続されており、水平走査回路26からの選択信号を使って出力信号が水平共通信号線27に順次読み出される。また、列増幅回路部24にバイアス電圧を印加して列増幅回路部24の入力電圧レンジを切り替えるバイアス回路29を備えている。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る画素回路21、列増幅回路部24、バイアス回路29の詳細な構成を示した回路図である。尚、各垂直信号線23には垂直走査線S0〜Snに対応する数の画素21aが並列に接続された画素列21xが構成されているが、今回は回路図の簡略化のため、1画素分の画素21aとその列に接続される列増幅回路24aおよびバイアス回路29のみを示す。
同図に示すように、画素回路21aは、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積するフォトダイオードPD11と、フォトダイオードPD11から転送された信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョンFD11を有している。フォトダイオードPD11とフローティングディフュージョンFD11との間には電荷転送トランジスタNM11が設けられ、フローティングディフュージョンFD11と電源信号線PIXPOWとの間にはリセットトランジスタNM12が設けられている。また、転送トランジスタNM11のゲートは転送信号線TRに接続され、リセットトランジスタNM12のゲートはリセット信号線RSに接続されている。フローティングディフュージョンFD11は、垂直信号線23と電源信号線PIXPOWとの間に接続された増幅トランジスタNM13のゲートと接続されている。また、増幅トランジスタNM13は、垂直信号線23に接続された電流源負荷トランジスタNM14と共にソースフォロア回路を形成し、フォトダイオードPD11からフローティングディフュージョンFD11に転送された信号電荷に応じた信号電圧を垂直信号線23に出力する。
また垂直信号線23には、列増幅回路24aが接続されている。列増幅回路24aは、垂直信号線23からの信号を増幅する増幅トランジスタNM15と、ドレインが増幅トランジスタNM15のドレインに接続された電流源カスコード(シールド)トランジスタPM12と、ドレインが電流源カスコードトランジスタPM12のソースに接続されソースが電源に接続された電流源トランジスタPM11とを備えている。
また、電流源カスコードトランジスタPM12と並列に、スイッチ素子110が配置されている。スイッチ素子110は、ソースが電流源カスコードトランジスタPM12のソースに接続され、ドレインが電流源カスコードトランジスタPM12のドレインに接続され、外部からゲートに供給される制御信号Vselにより、電流源カスコードトランジスタPM12のソースとドレインを短絡するスイッチトランジスタPM16で構成されている。
また、列増幅回路24aは、入力容量Cinと、帰還容量Cfbと、増幅トランジスタNM15と、クランプトランジスタNM16とを備えている。
また、電流源トランジスタPM11のゲート及び電流源カスコードトランジスタPM12のゲートには、電流源I11、MOSトランジスタNM17、NM18、NM19、PM13、PM14、PM15により構成されたカレントミラー回路を備えたバイアス回路29の出力がそれぞれ接続されており、バイアス回路29から電流源トランジスタPM11ゲートには電圧Vcur、電流源カスコードトランジスタPM12には電圧Vcasがそれぞれ印加される。
なお、スイッチ素子110が、本発明における切替部に相当し、増幅トランジスタNM15、電流源トランジスタPM11、電流源カスコードトランジスタPM12、MOSトランジスタPM15、MOSトランジスタNM18がそれぞれ本発明における増幅トランジスタ、第1電流源トランジスタ、第2電流源トランジスタ、第3電流源トランジスタ、電流源負荷トランジスタに相当する。
この増幅回路の増幅率Acは、
Figure 2011029726
で表される。
本発明における画素回路21aと列増幅回路24aの動作は第1の実施形態と同様であり、図3のタイミングチャートを使って説明する。
まずt1〜t2のタイミングで、リセット信号線RSに“High”レベルの信号を与え、画素回路21a内のフローティングディフュージョンFD11を電源信号線PIXPOWの電圧にリセットする。同時に列増幅回路24のクランプトランジスタNM16のゲートに接続されたリセット信号線CLに“High”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM16をONにして列増幅回路24aのリセットを行い、t3のタイミングでリセット信号線CLに“Low”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM16のリセットを解除する。その後、t4〜t5のタイミングで、転送信号線TRに“High”レベルの信号を与え、画素回路21a内の電荷転送トランジスタNM11のゲートをONにすることでフォトダイオードPD11に蓄積された信号電荷QをフローティングディフュージョンFD11に転送する。すると信号電荷QはFD容量CfdによりQ−V変換され、
Figure 2011029726
の信号が垂直信号線23に出力され、列増幅回路24aでは更にこの信号をAc倍に増幅した信号
Figure 2011029726
が出力端子Voutに出力される。但し、ソースフォロア回路のゲインを1としている。
ここで、スイッチ素子110の動作について説明する。
列増幅回路24aの入力振幅Vinと消費電流Iampの関係は、第1の実施形態と同様、図4のように表される。
Vselをグランドにした(カスコードトランジスタがない、つまり電流源カスコードトランジスタPM12が消費電流Iampの変動を抑制するように動作していない状態)場合は、図4のグラフに破線で示すように、入力信号Vinに応じた消費電流Iampの変動が大きくなる。
具体的には、スイッチ素子110のクランプトランジスタNM16のゲートに印加される制御信号Vselをグランドに接続すると、スイッチトランジスタPM16がONになり、電流源カスコードトランジスタPM12のソースとドレインが短絡されるので、電流源カスコードトランジスタPM12が消費電流Iampの変動を抑制するように動作していない状態となる。
このときの列増幅回路24の入力信号Vinに応じた消費電流Iampは、図4のグラフに破線で示すように一定でなく変動(減少)する。
またVselを電源にした(カスコードトランジスタがある、つまり電流源カスコードトランジスタPM12が消費電流Iampの変動を抑制するように動作している状態)場合は、図4のグラフに実線で示すように、入力信号Vinに応じた消費電流Iampの変動を十分に抑制できるが、回路ダイナミックレンジが小さくなる。
具体的には、スイッチ素子110のクランプトランジスタNM16のゲートに印加される制御信号Vselを電源に接続すると、スイッチトランジスタPM16がOFFになり、電流源カスコードトランジスタPM12のソースとドレインは短絡されないので、電流源カスコードトランジスタPM12が消費電流Iampの変動を抑制するように動作している状態となる。
このときの列増幅回路24の入力信号Vinに応じた消費電流Iampは、図4のグラフに実線で示すようにほぼ一定となるが、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが小さくなるので、入力電圧レンジが撮影するシーンに最適でない場合が発生する。
したがって、シーンが明るい場合には、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRを大きくするために、上記したようにスイッチ素子110に与える制御信号Vselをグランドに接続してスイッチ素子110をONにし、電流源カスコードトランジスタPM12のソースとドレインを短絡することにより、電流源カスコードトランジスタPM12がない状態にして、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが大きい状態に切り替える。
また、シーンが暗い場合には、入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRを大きくしなくてよいので、上記したようにスイッチ素子110に与える制御信号Vselを電源に接続してスイッチ素子110をOFFにし、電流源カスコードトランジスタPM12がある状態にして、列増幅回路24を消費電流Iampの変動が小さい状態に切り替える。
このように本発明によれば、スイッチ素子110のON、OFFにより、シーンによって電流源カスコードトランジスタPM12の使用状態を切り替えることにより、列増幅回路24を入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが大きい状態または消費電流Iampの変動が小さい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することが可能である。
(変形例)
以下に、第2の実施形態の変形例について説明する。本変形例に係る固体撮像装置は、列CDS回路の代わりにカラムADC(ADコンバータ)回路を備えている点が第2の実施形態と異なる。図7に本変形例に係る固体撮像装置の構成を示す。最近のMOSセンサでは、図7に示すように、図5に示した列CDS回路25の代わりに列毎にカラムADC(ADコンバータ)33を配置したカラムADC(ADコンバータ)回路34を内蔵するものもある。また、カラムADC回路34の列毎の出力は、デジタルメモリ35、シフトレジスタ36に接続されている。このような構成によると、従来のアナログ出力の構成と比較して、AD変換の際に画素や列増幅回路で発生するFPNも除去することができ、また画素信号を読み出した直後にデジタル信号に変換できるため、列CDS回路、出力アンプ回路などの出力回路で発生するノイズを抑制でき、デジタル信号処理をチップ内で行うことができるなどのメリットがあるためである。
本発明は、このようにカラムADCを内蔵しているチップの列増幅回路に搭載しても、同様の効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態を説明する。第3の実施形態では、本発明に係る固体撮像装置を備えたカメラシステムについて説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る撮像装置(カメラシステム)を示す図である。
同図に示すように、本実施形態の撮像装置120は、外光を集光する光学部材(レンズ)121と、本発明の第1または第2の実施形態に係るMOS型の固体撮像装置122と、固体撮像装置122内の回路の動作タイミングを制御するタイミング制御部123とを備えている。
図8は、撮像装置120が、光学部材121を通って入射した光を画像信号に変換して出力するMOS型撮像素子122と、MOS型撮像素子122から出力された画像信号を処理して表示装置などの外部機器に信号を出力する信号処理部124とを有する例を示している。MOS型撮像素子122と信号処理部124とは同一半導体チップ上に形成されているが、互いに別々の半導体チップ上に形成される場合もある。
撮像装置120としては、本発明の第1または第2の実施形態に係る固体撮像装置1、2が用いられる。従って、MOS型撮像素子122は、入射した光を電圧信号に変換する画素131と、画素131から出力された信号を処理する信号処理部132と、信号処理部132から出力された信号を画像信号として出力する出力回路133とを有している。MOS型撮像素子122内の各回路は、第1の実施形態または第2の実施形態に係る固体撮像装置内の各回路と同一である。画像信号処理部124は、出力回路133からの画像信号を受ける相関二重サンプリング回路(CDS)134と、AGC(Auto Gain Control)135と、ADC(Analog Digital Converter)136と、DSP(Digital Signal Processor)137とを有している。
本実施形態のMOS型撮像素子122では、シーンによって消費電流Iampの変動が小さい状態または入力信号Vinに対する入力電圧レンジDRが大きい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジを簡単な回路構成で実現できるため、撮像装置120のサイズを小さくし、カメラシステム全体としてサイズの縮小を図ることができる。
(比較例)
以下、本発明の第1および第2の実施形態の比較例として、第2電流源トランジスタを備えていない固体撮像装置について説明する。
図9は、本比較例に係る画素回路41、列増幅回路部44、バイアス回路49の詳細な構成を示した回路図である。尚、第1および第2の実施形態と同様に、各垂直信号線43には垂直走査線S0〜Snに対応する数の複数の画素41aが並列に接続された画素列41xが構成されているが、今回は回路図の簡略化のため、1画素分の画素回路41aの回路とその列に接続される列増幅回路44aおよびバイアス回路49のみを示す。
同図に示すように、画素回路41aと列増幅回路44aは、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積するフォトダイオードPD21と、フォトダイオードPD21から転送された信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョンFD21を有している。フォトダイオードPD21とフローティングディフュージョンFD21との間には電荷転送トランジスタNM21が設けられ、フローティングディフュージョンFD21と電源信号線PIXPOWとの間にはリセットトランジスタNM22が設けられている。また、転送トランジスタNM21のゲートは転送信号線TRに接続され、リセットトランジスタNM21のゲートはリセット信号線RSに接続されている。フローティングディフュージョンFD21は、垂直信号線21と電源信号線PIXPOWとの間に接続された増幅トランジスタNM23のゲートと接続されている。また、増幅トランジスタNM23は、垂直信号線43に接続された電流源負荷トランジスタNM24と共にソースフォロア回路を形成し、フォトダイオードPD21からフローティングディフュージョンFD21に転送された信号電荷に応じた信号電圧を垂直信号線43に出力する。
また垂直信号線43には、入力容量Cinと、帰還容量Cfbと、増幅トランジスタNM25と、電流源トランジスタPM21と、クランプトランジスタNM26からなる列増幅回路44aが接続されている。
また電流源トランジスタPM21のゲートVcurには、電流源I41、MOSトランジスタNM27、NM29、PM23により構成されたカレントミラー回路を備えたバイアス回路49の出力が接続されている。ここで電流源トランジスタPM21のゲートには、バイアス電圧Vcurが印加されており飽和領域で動作している。
この増幅回路の増幅率Acは、
Figure 2011029726
で表される。
画素41aと列増幅回路44aの動作は第1および第2の実施形態と同様であり、図10のタイミングチャートを使って説明する。
まずt1〜t2のタイミングで、リセット信号線RSに“High”レベルの信号を与え、画素回路41a内のフローティングディフュージョンFD21を電源信号線PIXPOWの電圧にリセットする。同時に列増幅回路44aのクランプトランジスタNM26のゲートに接続されたリセット信号線CLに“High”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM26をONにして列増幅回路44aのリセットを行い、t3のタイミングでリセット信号線CLに“Low”レベルの信号を与え、クランプトランジスタNM26のリセットを解除する。その後、t4〜t5のタイミングで、転送信号線TRに“High”レベルの信号を与え、画素回路41a内の電荷転送トランジスタNM21ゲートをONにすることでフォトダイオードPD21に蓄積された信号電荷QをフローティングディフュージョンFD21に転送する。するとフローティングディフュージョンFD21からFD容量CfdでQ−V変換された
Figure 2011029726
の信号が垂直信号線43に出力され、列増幅回路44aでは更にこの信号をAc倍に増幅した信号
Figure 2011029726
が出力端子Voutに出力される。但し、ソースフォロア回路のゲインを1としている。
列増幅回路44aの電源、グランドはチップ端に設けられたボンディングパッドから配線されており、少なからずそれぞれ寄生抵抗Rvdd,Rgndをもっている。そこに、列毎に図9のようなシングルエンドの列増幅回路44aを設けると、入力信号Vinに応じて電流源トランジスタPM21のVds(ドレイン−ソース間電圧)が変動し、チャネル長変調効果により、図11に示すように、列増幅回路44aの消費電流Iampが変動してしまう。この入力信号Vinに応じた列増幅回路44aの電流変動は、寄生抵抗Rvdd,Rgndにより、各列増幅回路44aにおける電源、グランドにノイズとして現れる。この結果、図12に示すように、列並列処理において同タイミングで読み出す行に高輝度被写体50があるかないかで、特にセンサ出力信号を増幅した時に黒レベルの変動が生じて、図12に示すように、横帯状のノイズとなって出力画像に出力段差発生部51が現れる。
(まとめ)
本発明の固体撮像装置は、列増幅回路に設けられた電流源カスコードトランジスタのソースとドレインを短絡する切替部を有する。この構成によれば、切替部により、電流源カスコードトランジスタのソースとドレインを短絡して、電流源カスコードトランジスタの使用状態を切り替えることが可能となり、列増幅回路を消費電流の変動が小さい状態または入力信号に対する入力電圧レンジが大きい状態に切り替えて、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジで撮影することができる。ここでいうシーンとは、センサ出力を増幅するような暗い被写体を撮像する状態と、それ以外の明るい被写体を撮像する状態のことを表す。
すなわち、本発明の固体撮像装置は、例えば暗いシーンの場合には、センサ出力信号を増幅して使用するため大きい入力電圧レンジを必要としない。そこで、スイッチ素子を切り替えてカスコードトランジスタがある状態にすることで、前記列増幅回路で発生する横帯状のノイズを抑制する。
反対に明るいシーンの場合には、大きい入力電圧レンジを必要とするため、スイッチ素子を切り替えてカスコードトランジスタがない状態にすることで、入力電圧レンジを大きくすることが可能である。
このようにシーンによって電流源カスコードトランジスタの使用状態を切り替えることにより、それぞれのシーンに最適な入力電圧レンジを得ることが可能である。
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。
例えば、上記した実施形態では、第2電流源トランジスタである電流源カスコードトランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替える構成としているが、第1電流源トランジスタのソースとドレインを短絡するか否かを切り替える構成であってもよい。
また、スイッチ素子を構成するスイッチトランジスタのゲートアスペクト比を、電流源カスコードトランジスタのアスペクト比と同じ若しくはそれ以上となるようにしてもよい。
また、使用する各トランジスタの種類は、p型、n型どちらであってもよい。
また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
本発明に係る固体撮像装置およびカメラは、列増幅回路を備えた固体撮像装置において、列増幅回路の入力電圧レンジをシーンによって切り替えることが可能であり、特に、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、監視カメラなど種々の撮像機器の固体撮像装置及びカメラとして有用である。
1、2、200 固体撮像装置
11、21、201 画素回路
11a、21a、201a、41a、131 画素
13、23、43、203 垂直信号線
14a、24a、44a 列増幅回路
19、29、49 バイアス回路
100、110 スイッチ素子(切替部)
120 撮像装置(カメラ)
122 MOS型撮像素子(固体撮像装置)
NM5、NM15、NM25 増幅トランジスタ
NM8、NM18 MOSトランジスタ(電流源負荷トランジスタ)
PM1、PM11、PM21 電流源トランジスタ(第1電流源トランジスタ)
PM2、PM12 電流源カスコードトランジスタ(第2電流源トランジスタ)
PM5、PM15 MOSトランジスタ(第3電流源トランジスタ)
PM6、PM16 スイッチトランジスタ

Claims (7)

  1. 固体撮像装置であって、
    行列状に配列され、入射光の強度に応じた信号を出力する複数の画素と、
    前記画素の列に対応して設けられ、前記画素からの信号を列方向に伝達する複数の垂直信号線と、
    前記複数の垂直信号線のそれぞれに設けられた列増幅回路とを備え、
    前記列増幅回路は、
    前記複数の垂直信号線のうちの対応する前記垂直信号線からの信号を増幅する増幅トランジスタと、
    第1電流源トランジスタと、
    前記第1電流源トランジスタとカスコード接続され、前記増幅トランジスタに電流を供給する第2電流源トランジスタとを有し、
    前記固体撮像装置は、
    前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの一方のソースとドレインを短絡するか否かを切り替える切替部をさらに備える
    固体撮像装置。
  2. 前記増幅トランジスタは、ソースがグランドに接続されたn型のMOSトランジスタにより構成され、
    前記第1電流源トランジスタは、ソースが電源に接続されたp型のMOSトランジスタにより構成され、
    前記第2電流源トランジスタは、ドレインが前記増幅トランジスタのドレインに接続されソースが前記第1電流源トランジスタのドレインに接続されたp型のMOSトランジスタにより構成される
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記切替部は、
    前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに印加される電圧として、グランド電圧または電源電圧を印加するか、バイアス電圧を印加するかを切り替える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  4. 前記固体撮像装置は、
    前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに印加される電圧を生成するバイアス回路をさらに備え、
    前記バイアス回路は、
    ゲートが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートに接続されソースが電源またはグランドに接続された第3電流源トランジスタと、
    ドレインが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートおよび前記第3電流源トランジスタのゲートに接続されソースがグランドまたは電源に接続された電流源負荷トランジスタとを有し、
    前記切替部は、
    ソースが前記第3電流源トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第3電流源トランジスタのゲートおよび前記電流源負荷トランジスタのドレインに接続されたスイッチトランジスタで構成され、
    外部からゲートに供給される制御信号により、前記バイアス回路から出力される電圧として、グランド電圧または電源電圧を出力するか、バイアス電圧を出力するかを切り替える
    請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記切替部は、
    ソースおよびドレインが前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースおよびドレインにそれぞれ接続され、外部からゲートに供給される制御信号により、前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のソースとドレインを短絡するスイッチトランジスタで構成される
    請求項1または2に記載の固体撮像装置。
  6. 前記スイッチトランジスタのゲートアスペクト比は、前記スイッチトランジスタによりソースとドレインが短絡される前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタの前記一方のゲートアスペクト比と同じ若しくはそれ以上となる
    請求項4または5に記載の固体撮像装置。
  7. 請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置を備えているカメラ。
JP2009170590A 2009-07-21 2009-07-21 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ Pending JP2011029726A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009170590A JP2011029726A (ja) 2009-07-21 2009-07-21 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ
PCT/JP2010/003232 WO2011010420A1 (ja) 2009-07-21 2010-05-13 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009170590A JP2011029726A (ja) 2009-07-21 2009-07-21 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011029726A true JP2011029726A (ja) 2011-02-10

Family

ID=43498901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009170590A Pending JP2011029726A (ja) 2009-07-21 2009-07-21 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2011029726A (ja)
WO (1) WO2011010420A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019171686A1 (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 増幅回路、撮像装置、および、増幅回路の制御方法
WO2022196079A1 (ja) * 2021-03-15 2022-09-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び撮像装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4144535B2 (ja) * 2004-03-03 2008-09-03 ソニー株式会社 固体撮像装置、画素信号読出方法
JP2009038531A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2009177749A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Panasonic Corp 固体撮像装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019171686A1 (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 増幅回路、撮像装置、および、増幅回路の制御方法
CN111742546A (zh) * 2018-03-05 2020-10-02 索尼半导体解决方案公司 放大电路、摄像装置和放大电路的控制方法
US11283417B2 (en) 2018-03-05 2022-03-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Amplification circuit, imaging device, and control method of amplification circuit
CN111742546B (zh) * 2018-03-05 2023-12-19 索尼半导体解决方案公司 放大电路、摄像装置和放大电路的控制方法
WO2022196079A1 (ja) * 2021-03-15 2022-09-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011010420A1 (ja) 2011-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10771718B2 (en) Imaging device and imaging system
US8259205B2 (en) Solid-state image pickup device
US10027916B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US10044953B2 (en) Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP2009038531A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
US8294798B2 (en) Solid-state imaging apparatus
JP2009177749A (ja) 固体撮像装置
JP2008042679A (ja) 光電変換装置及び撮像装置
US20100231761A1 (en) Image sensor and image capturing apparatus
US20090128677A1 (en) Dual sensitivity image sensor
JP2008252195A (ja) Cmos固体撮像装置
JP2010187317A (ja) 固体撮像装置及び撮像装置
JP7473041B2 (ja) 撮像素子、及び撮像装置
US20110279720A1 (en) Solid-state imaging device and camera
WO2016114153A1 (ja) 固体撮像装置、駆動方法、及び、電子機器
US10425605B2 (en) Image sensor and image capturing apparatus
US9749566B2 (en) Imaging device and electronic device
JP2011029734A (ja) 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
WO2017022451A1 (ja) 固体撮像装置および電子機器
WO2011010420A1 (ja) 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ
WO2012023271A1 (ja) 撮像装置
KR20140107212A (ko) 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법, 카메라 시스템
JP2012151692A (ja) 固体撮像装置及びこれを備えた撮像システム
CN109672833B (zh) 摄像装置及相机系统
WO2011064921A1 (ja) 固体撮像装置、その駆動方法、及び撮像装置