JP2011025548A - Wiring board, method for manufacturing the same, recording head and recorder - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board capable of enhancing electric reliability, and a method for manufacturing the same, a recording head and a recorder. <P>SOLUTION: A head base body 20 includes: a base substrate 30; first to third conduction parts 51, 52 and 53 provided on the base substrate 30; an electric pad 70 provided on the first to third conduction parts 51, 52 and 53; and an insulating part 54 provided around a portion where the electric pad 70 is provided on the first to third conduction parts 51, 52 and 53. The insulating part 54 contains metal oxide formed by oxidizing metal composing the first to third conduction parts 51, 52 and 53, and projects to a thickness direction D6 side in thickness directions D5 and D6 compared with the first to third conduction parts 51, 52 and 53. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板と、該基板の上に設けられている電気配線と、該電気配線の上に設けられている電気パッドとを有している配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置に関する。   The present invention relates to a wiring board having a substrate, an electric wiring provided on the substrate, and an electric pad provided on the electric wiring, a manufacturing method thereof, a recording head, and a recording Relates to the device.

ファクシミリ、レジスターなどのプリンタとしては、サーマルヘッドおよびプラテンローラを備えるサーマルプリンタが用いられている。このようなサーマルプリンタに搭載されているサーマルヘッドとしては、基板と、該基板の上に配列されている複数の発熱素子と、該複数の発熱素子に電気的に接続されている電気配線とを有している配線基板と、該配線基板に対して機械的かつ電気的に接続されている外部配線基板とを備えているものがある。プラテンローラは、例えば感熱紙などの記録媒体を発熱素子上に対して押し当てる機能を有するものである。このような構成のサーマルプリンタでは、所望の画像に応じて発熱素子を発熱させるともに、発熱素子上に記録媒体をプラテンローラで略均等に押圧することにより、発熱素子の発する熱を記録媒体に対して良好に伝達させている。記録媒体に対する所望の印画は、この処理を繰り返すことにより行われている。   As printers such as facsimiles and registers, thermal printers including a thermal head and a platen roller are used. As a thermal head mounted on such a thermal printer, a substrate, a plurality of heating elements arranged on the substrate, and an electric wiring electrically connected to the plurality of heating elements are provided. Some have a wiring board and an external wiring board mechanically and electrically connected to the wiring board. The platen roller has a function of pressing a recording medium such as thermal paper against the heating element. In the thermal printer having such a configuration, the heating element is caused to generate heat according to a desired image, and the recording medium is pressed almost uniformly on the heating element by a platen roller, so that the heat generated by the heating element is applied to the recording medium. To communicate well. Desired printing on the recording medium is performed by repeating this process.

上述のようなサーマルヘッドには、配線基板と、外部配線基板との機械的かつ電気的な接続を、半田を介して行っているものがあり、例えば特許文献１に記載されている。   Some thermal heads as described above perform mechanical and electrical connection between a wiring board and an external wiring board via solder, and are described, for example, in Patent Document 1.

特開２００３−１０３８１７号公報JP 2003-103817 A

しかしながら、半田を介して配線基板と、外部配線基板との機械的かつ電気的な接続を行っているサーマルヘッドでは、電極配線の高密度化に伴って、半田を介した接続部も高密度になってきている。そのため、このようなサーマルヘッドでは、配線基板と、外部配線基板とを接続する際に、溶融した半田が隣接する他の接続部と跨って形成され、短絡が生じてしまうおそれが大きくなってきている。このような接続部の間の短絡のおそれは、サーマルヘッドに限るものではなく、電極配線が形成されている他のデバイスでも大きくなってきている。   However, in the thermal head in which the wiring board and the external wiring board are mechanically and electrically connected via solder, the connection part via the solder becomes denser as the electrode wiring becomes higher in density. It has become to. Therefore, in such a thermal head, when connecting the wiring board and the external wiring board, the molten solder is formed straddling other adjacent connection portions, and there is a greater possibility that a short circuit will occur. Yes. The fear of such a short circuit between the connecting portions is not limited to the thermal head, but is increasing in other devices in which electrode wiring is formed.

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、電気的な信頼性を高めることが可能な配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置を提供することを目的とする。   The present invention has been conceived under such circumstances, and provides a wiring board capable of enhancing electrical reliability, a manufacturing method thereof, a recording head, and a recording apparatus. Objective.

本発明の配線基板は、ベース基板と、該ベース基板の上に設けられている導電層と、該導電層の上に設けられている電気パッドと、前記導電層の前記電気パッドが設けられている部位の周囲に設けられている絶縁層とを有しており、該絶縁層は、前記導電層を構成する金属を酸化して形成される金属酸化物を含むとともに、前記導電層に比べて厚み方向に突出していることを特徴としている。   The wiring board of the present invention includes a base substrate, a conductive layer provided on the base substrate, an electrical pad provided on the conductive layer, and the electrical pad of the conductive layer. An insulating layer provided around a portion of the conductive layer, and the insulating layer includes a metal oxide formed by oxidizing a metal constituting the conductive layer, as compared with the conductive layer. It is characterized by protruding in the thickness direction.

本発明の配線基板において、前記絶縁部は、内部に空孔を有していることが好ましい。   In the wiring board of the present invention, it is preferable that the insulating portion has a hole inside.

本発明の記録ヘッドは、本発明の配線基板の前記ベース基板の上に主走査方向に沿って複数の発熱素子が設けられていることを特徴としている。   The recording head of the present invention is characterized in that a plurality of heating elements are provided along the main scanning direction on the base substrate of the wiring board of the present invention.

本発明の記録ヘッドにおいて、前記複数の発熱素子は、前記導電層と電気的に接続されていることが好ましい。   In the recording head of the present invention, it is preferable that the plurality of heating elements are electrically connected to the conductive layer.

本発明の記録装置は、本発明の記録ヘッドと、該記録ヘッドに記録媒体を搬送する搬送機構とを備えていることを特徴としている。   A recording apparatus of the present invention includes the recording head of the present invention and a transport mechanism that transports a recording medium to the recording head.

本発明の第１の配線基板の製造方法は、ベース基板を準備する第１の工程と、前記ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、前記導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第３の工程と、前記絶縁層の近傍の前記導電層の上に電極パッドを形成する第４の工程とを備えることを特徴としている。   The first method for manufacturing a wiring board of the present invention includes a first step of preparing a base substrate, a second step of forming a conductive film on the base substrate, and oxidizing a part of the conductive film. Forming an insulating layer, and forming a conductive layer in the non-oxidized portion of the conductive film, and a fourth step of forming an electrode pad on the conductive layer in the vicinity of the insulating layer It is characterized by comprising.

本発明の第２の配線基板の製造方法は、ベース基板を準備する第１の工程と、前記ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、前記導電膜の上に電極パッドを形成する第３の工程と、前記電気パッドの周囲の前記導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第４の工程とを備えることを特徴としている。   The second method for manufacturing a wiring board of the present invention includes a first step of preparing a base substrate, a second step of forming a conductive film on the base substrate, and an electrode pad on the conductive film. And a fourth step of oxidizing a part of the conductive film around the electric pad to form an insulating layer and using a non-oxidized portion of the conductive film as a conductive layer. It is characterized by comprising.

本発明の配線基板は、ベース基板と、該ベース基板の上に設けられている導電層と、該導電層の上に設けられている電気パッドと、導電層の電気パッドが設けられている部位の周囲に設けられている絶縁層とを有しており、絶縁層は、導電層を構成する金属を酸化して形成される金属酸化物を含むとともに、導電層に比べて厚み方向に突出している。そのため、本発明の配線基板では、電気パッドと他の素子とを半田を介して接続する場合でも、隣接する電気パッドの間に溶融した半田がたまるのを低減して、当該隣接する電気パッドが短絡するのを低減することができる。したがって、本発明の配線基板では、電気的な信頼性を高めることができる。   The wiring board according to the present invention includes a base substrate, a conductive layer provided on the base substrate, an electrical pad provided on the conductive layer, and a portion provided with the electrical pad of the conductive layer. The insulating layer includes a metal oxide formed by oxidizing the metal constituting the conductive layer, and protrudes in the thickness direction compared to the conductive layer. Yes. Therefore, in the wiring board of the present invention, even when the electrical pad and other elements are connected via solder, the accumulation of molten solder between the adjacent electrical pads is reduced, and the adjacent electrical pads are Short circuit can be reduced. Therefore, in the wiring board of the present invention, electrical reliability can be improved.

本発明の配線基板において、絶縁部は、内部に空孔を有している場合、電気パッドと他の素子とを半田を介して接続する場合に、加えた熱を良好に蓄熱することができる。そのため、この配線基板では、製造効率を高めることができる。   In the wiring board of the present invention, when the insulating portion has a hole inside, when the electric pad and another element are connected via solder, the applied heat can be stored well. . Therefore, with this wiring board, manufacturing efficiency can be increased.

本発明の記録ヘッドは、本発明の配線基板のベース基板の上に主走査方向に沿って複数の発熱素子が設けられている。そのため、本発明の記録ヘッドは、上述の本発明の配線基板の有する効果を享受することができる。したがって、本発明の記録ヘッドでは、電気的な信頼性を高めることができる。   The recording head of the present invention is provided with a plurality of heating elements along the main scanning direction on the base substrate of the wiring board of the present invention. Therefore, the recording head of the present invention can enjoy the effects of the above-described wiring board of the present invention. Therefore, the electrical reliability can be improved in the recording head of the present invention.

本発明の記録ヘッドにおいて、複数の発熱素子は、導電層と電気的に接続されている場合でも、溶融した半田が広がるのを低減することができるので、当該発熱素子へ電力を供給する導電層間の離間距離を短くすることができる。そのため、この記録ヘッドでは、複数の発熱素子の間の密度を高めることができ、発熱素子の高密度化を図ることができる。   In the recording head of the present invention, even when the plurality of heating elements are electrically connected to the conductive layer, it is possible to reduce the spread of the molten solder. Can be shortened. Therefore, in this recording head, the density between the plurality of heating elements can be increased, and the density of the heating elements can be increased.

本発明の記録装置は、本発明の記録ヘッドと、該記録ヘッドに記録媒体を搬送する搬送機構とを備えている。そのため、本発明の記録装置は、上述の本発明の配線基板の有する効果を享受することができる。したがって、本発明の記録装置では、電気的な信頼性を高めることができる。   The recording apparatus of the present invention includes the recording head of the present invention and a transport mechanism that transports a recording medium to the recording head. Therefore, the recording apparatus of the present invention can enjoy the effects of the above-described wiring board of the present invention. Therefore, in the recording apparatus of the present invention, electrical reliability can be improved.

本発明の第１の配線基板の製造方法は、ベース基板を準備する第１の工程と、ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第３の工程と、絶縁層の近傍の導電層の上に電極パッドを形成する第４の工程とを備えている。そのため、本発明の配線基板の製造方法では、上述の本発明の配線基板を良好に製造することができる。   The first method for manufacturing a wiring substrate of the present invention includes a first step of preparing a base substrate, a second step of forming a conductive film on the base substrate, and oxidizing a part of the conductive film. A third step of forming an insulating layer and using the non-oxidized portion of the conductive film as a conductive layer; and a fourth step of forming an electrode pad on the conductive layer near the insulating layer. Yes. Therefore, the wiring board manufacturing method of the present invention can satisfactorily manufacture the above-described wiring board of the present invention.

本発明の第２の配線基板の製造方法は、ベース基板を準備する第１の工程と、ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、導電膜の上に電極パッドを形成する第３の工程と、電気パッドの周囲の導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第４の工程とを備えている。そのため、本発明の配線基板の製造方法では、上述の本発明の配線基板を良好に製造することができる。   The second wiring board manufacturing method of the present invention includes a first step of preparing a base substrate, a second step of forming a conductive film on the base substrate, and forming an electrode pad on the conductive film. And a fourth step of oxidizing a part of the conductive film around the electric pad to form an insulating layer and using a non-oxidized portion of the conductive film as a conductive layer. Yes. Therefore, the wiring board manufacturing method of the present invention can satisfactorily manufacture the above-described wiring board of the present invention.

本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるヘッド基体およびサーマルヘッドの概略構成を示す、保護層を省略した平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a head substrate and a thermal head as an example of an embodiment of a recording head of the present invention, with a protective layer omitted. 図１に示したヘッド基体およびサーマルヘッドの要部を拡大した平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of the main part of the head substrate and thermal head shown in FIG. 1. 図１に示したヘッド基体およびサーマルヘッドの要部を拡大し、保護層を省略した平面図である。FIG. 2 is a plan view in which main parts of the head substrate and the thermal head shown in FIG. 1 are enlarged and a protective layer is omitted. 図２に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV shown in FIG. 2. （ａ）が図２に示したＶａ−Ｖａ線に沿った断面図であり、（ｂ）が図２に示したＶｂ−Ｖｂ線に沿った断面図である。(A) is sectional drawing along the Va-Va line | wire shown in FIG. 2, (b) is sectional drawing along the Vb-Vb line | wire shown in FIG. 外部配線基板の概略構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows schematic structure of an external wiring board. （ａ）〜（ｃ）は、図１に示したヘッド基体およびサーマルヘッドの製造工程を示す説明図である。(A)-(c) is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the head base | substrate and thermal head which were shown in FIG. （ａ）〜（ｃ）は、図７に示したヘッド基体およびサーマルヘッドの製造工程の続きを示す説明図である。(A)-(c) is explanatory drawing which shows the continuation of the manufacturing process of the head base | substrate and thermal head which were shown in FIG. 本発明の記録装置の実施形態の一例であるサーマルプリンタの概略構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a thermal printer which is an example of an embodiment of a recording apparatus of the present invention.

＜配線基板および記録ヘッド＞
図１〜６に示した本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッド１０は、配線基板としてのヘッド基体２０と、駆動ＩＣ２１と、外部配線基板２２とを備えている。このサーマルヘッド１０においては、ヘッド基体２０と、駆動ＩＣ２１および外部配線基板２２との電気的かつ機械的な接続は、半田層２３を介して行われている。なお、ヘッド基体２０は、本発明の配線基板の実施形態の一例である。 <Wiring board and recording head>
A thermal head 10 which is an example of an embodiment of the recording head of the present invention shown in FIGS. 1 to 6 includes a head substrate 20 as a wiring board, a drive IC 21 and an external wiring board 22. In this thermal head 10, the electrical connection and mechanical connection between the head base 20, the drive IC 21 and the external wiring substrate 22 are made through the solder layer 23. The head substrate 20 is an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention.

図１〜５に示したヘッド基体２０は、ベース基板３０と、グレーズ層４０と、電気パターン層５０と、電気抵抗層６０と、電気パッド７０と、保護層８０とを含んで構成されている。   1 to 5 includes a base substrate 30, a glaze layer 40, an electric pattern layer 50, an electric resistance layer 60, an electric pad 70, and a protective layer 80. .

ベース基板３０は、グレーズ層４０と、電気パターン層５０と、電気抵抗層６０と、電気パッド７０と、保護層８０と、駆動ＩＣ２１とを支持する機能を有するものである。このベース基板３０は、平面視において主走査方向Ｄ１，Ｄ２に延びる矩形状に構成されている。ここで、「平面視」とは、ベース基板３０の厚み方向Ｄ５，Ｄ６におけるＤ６方向視のことをいう。このベース基板３０を形成する材料としては、例えばセラミックス、ガラス、またはエポキシ系樹脂を含む絶縁樹脂が挙げられる。   The base substrate 30 has a function of supporting the glaze layer 40, the electric pattern layer 50, the electric resistance layer 60, the electric pad 70, the protective layer 80, and the driving IC 21. The base substrate 30 is configured in a rectangular shape extending in the main scanning directions D1 and D2 in plan view. Here, the “plan view” means a view in the D6 direction in the thickness directions D5 and D6 of the base substrate 30. Examples of the material for forming the base substrate 30 include ceramics, glass, or insulating resin including epoxy resin.

図４，５に断面を示したグレーズ層４０は、電気抵抗層６０の後述する発熱部６０ａにおいて発生する熱の一部を一時的に蓄積する蓄熱層としての機能を有するものである。すなわち、グレーズ層４０は、発熱部６０ａの温度を上昇させるのに要する時間を短くして、サーマルヘッド１０の熱応答特性を高める役割を担うものである。このグレーズ層４０は、基部４０ａと、突出部４０ｂとを有している。このグレーズ層４０を形成する材料としては、例えば熱伝導率が０．７Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１以上１．０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１以下の範囲の絶縁材料が挙げられる。ここで、「絶縁」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいい、例えば電気抵抗率が１．０×１０１２Ω・ｍ以上であることをいう。このような絶縁材料としては、例えばガラスが挙げられる。なお、本例では、グレーズ層４０が設けられているが、グレーズ層４０を設けなくてもよい。グレーズ層４０を設けない場合としては、例えば基板２０がガラスによって形成される場合が挙げられる。 The glaze layer 40 whose cross section is shown in FIGS. 4 and 5 has a function as a heat storage layer for temporarily storing a part of heat generated in a heat generating portion 60a described later of the electric resistance layer 60. That is, the glaze layer 40 plays a role of improving the thermal response characteristics of the thermal head 10 by shortening the time required to raise the temperature of the heat generating part 60a. The glaze layer 40 has a base portion 40a and a protruding portion 40b. As a material for forming the glaze layer 40, for example, thermal conductivity include insulating material 0.7W · m -1 · K -1 or more 1.0W · m -1 · K -1 or less. Here, “insulation” refers to the extent to which current does not substantially flow. For example, it means that the electrical resistivity is 1.0 × 10 12 Ω · m or more. An example of such an insulating material is glass. In this example, the glaze layer 40 is provided, but the glaze layer 40 may not be provided. As a case where the glaze layer 40 is not provided, for example, a case where the substrate 20 is formed of glass can be mentioned.

基部４０ａは、ベース基板３０の上面の全体に渡って略平坦状に設けられている。   The base 40 a is provided in a substantially flat shape over the entire top surface of the base substrate 30.

突出部４０ｂは、記録媒体を発熱部６０ａの上に位置する保護層８０に対して良好に押し当てるのに寄与する部位である。この突出部４０ｂは、基部４０ａから厚み方向Ｄ５，Ｄ６におけるＤ５方向に突出している。また、この突出部４０ｂは、主走査方向Ｄ１，Ｄ２に延びる帯状に構成されている。この突出部４０ｂは、主走査方向Ｄ１，Ｄ２に直交する副走査方向Ｄ３，Ｄ４における断面形状が略半楕円状に構成されている。   The protruding part 40b is a part that contributes to pressing the recording medium against the protective layer 80 positioned on the heat generating part 60a. The protrusion 40b protrudes from the base 40a in the direction D5 in the thickness directions D5 and D6. Further, the protruding portion 40b is formed in a strip shape extending in the main scanning directions D1 and D2. The protrusion 40b has a substantially semi-elliptical cross section in the sub-scanning directions D3 and D4 orthogonal to the main scanning directions D1 and D2.

電気パターン層５０は、グレーズ層４０の上に位置しており、発熱部６０ａへの電力を供給するのに寄与するものである。ここで、「電力を供給するのに寄与する」とは、発熱部６０ａへの電力供給、またはこの電力供給の供給制御にともなって電流が流れることをいう。この電気パターン層５０は、電流が流れる導電層と、該導電層の各部を絶縁する絶縁層とが一体となって構成されている。より具体的には、導電層としての第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３と、絶縁層としての絶縁部５４とを有している。この電気パターン層５０では、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３が発熱部６０ａへ電力を供給するのに寄与する電力供給線として機能している。また、この電気パターン層５０は、矢印Ｄ５方向側の上面５０ａに、第１導電部５１と、第２導電部５２と、第３導電部５３と、絶縁部５４とが面しており、一の層として構成されている。   The electric pattern layer 50 is located on the glaze layer 40 and contributes to supplying electric power to the heat generating part 60a. Here, “contributes to supplying power” means that a current flows in accordance with power supply to the heat generating unit 60a or supply control of this power supply. The electrical pattern layer 50 is formed by integrating a conductive layer through which a current flows and an insulating layer that insulates each part of the conductive layer. More specifically, it has the 1st conductive part 51, the 2nd conductive part 52, and the 3rd conductive part 53 as a conductive layer, and the insulating part 54 as an insulating layer. In the electrical pattern layer 50, the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 function as power supply lines that contribute to supplying power to the heat generating portion 60a. The electric pattern layer 50 has a first conductive portion 51, a second conductive portion 52, a third conductive portion 53, and an insulating portion 54 facing the upper surface 50a on the arrow D5 direction side. It is configured as a layer.

この第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３を主として形成する材料としては、導電材料が挙げられ、例えばアルミニウム、金、銀、および銅のいずれか一種の金属、またはこれらの合金が挙げられる。ここで「主として構成する」とは、構成原子のモル比率が最も多いものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。本例の電気パターン層５０は、アルミニウムによって形成されている。   The material mainly forming the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 includes a conductive material, for example, any one metal of aluminum, gold, silver, and copper, or These alloys are mentioned. Here, “mainly composed” means one having the largest molar ratio of constituent atoms, and may contain, for example, an additive. The electric pattern layer 50 of this example is made of aluminum.

また、この第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３は、厚み方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が電気パターン層５０の厚み方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３は、電気パターン層５０を矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。   In the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53, the upper and lower surfaces in the thickness directions D5 and D6 constitute a part of the upper and lower surfaces in the thickness directions D5 and D6 of the electric pattern layer 50. is doing. That is, the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 are configured to penetrate the electric pattern layer 50 in the arrow directions D5 and D6.

第１導電部５１は、複数に分かれて設けられている。各々の第１導電部５１は、一端部が複数の発熱部６０ａの一端部に電気的に独立した状態で接続されている。この第１導電部５１は、発熱部６０ａの副走査方向Ｄ３，Ｄ４におけるＤ４方向側に位置している。また、各々の第１導電部５１は、他端部が駆動ＩＣ２１に電気パッド７０および半田層２３を介して電気的に接続されている。この第１導電部５１は、発熱部６０ａへの電力を供給するのに直接的に寄与している。本例の第１導電部５１は、駆動ＩＣ２１を介して基準電位に電気的に接続されている。   The first conductive portion 51 is provided in a plurality of divided portions. Each first conductive portion 51 has one end connected to one end of the plurality of heat generating portions 60a in an electrically independent state. The first conductive portion 51 is located on the D4 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4 of the heat generating portion 60a. Each first conductive portion 51 is electrically connected to the driving IC 21 at the other end via the electric pad 70 and the solder layer 23. The first conductive portion 51 directly contributes to supplying power to the heat generating portion 60a. The first conductive portion 51 in this example is electrically connected to the reference potential via the drive IC 21.

第２導電部５２は、一体的に設けられている。この第２導電部５２は、端部が複数の発熱部６０ａの他端部、および外部配線基板２２に電気的に接続されている。この第２導電部５２は、発熱部６０ａの副走査方向Ｄ３，Ｄ４におけるＤ３方向側に位置している。この第２導電部５２は、第１導電部５１と対となって発熱部６０ａに対して電力を供給するのに直接的に寄与するものである。本例の第２導電部５２は、外部配線基板２２を介して電源としての基準電圧源に電気的に接続されている。なお、この第２導電部５２と、外部配線基板２２との電気的な接続は、半田層２３を介して行われている。   The second conductive part 52 is provided integrally. The second conductive portion 52 is electrically connected to the other end portion of the plurality of heat generating portions 60 a and the external wiring board 22 at the end portion. The second conductive portion 52 is located on the D3 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4 of the heat generating portion 60a. The second conductive portion 52 directly contributes to supplying power to the heat generating portion 60a in pairs with the first conductive portion 51. The second conductive portion 52 of this example is electrically connected to a reference voltage source as a power source via the external wiring board 22. The second conductive portion 52 and the external wiring board 22 are electrically connected through the solder layer 23.

第３導電部５３は、複数に分かれて、第１導電部５１と離間して設けられている。各々の第３導電部５３は、一端部が駆動ＩＣ２１に半田層２３を介して電気的に接続されており、他端部が他の駆動ＩＣ２１、または外部配線基板２２に半田層２３を介して電気的に接続されている。この第３導電部５３は、発熱部６０ａに電力を供給するのに際して、駆動ＩＣ２１に電力を供給したり、駆動ＩＣ２１に制御信号を供給したりして、発熱部６０ａへの電力供給に寄与するものである。   The third conductive portion 53 is divided into a plurality of portions and is provided apart from the first conductive portion 51. Each third conductive portion 53 has one end portion electrically connected to the drive IC 21 via the solder layer 23 and the other end portion connected to the other drive IC 21 or the external wiring substrate 22 via the solder layer 23. Electrically connected. The third conductive portion 53 contributes to supplying power to the heat generating portion 60a by supplying power to the driving IC 21 or supplying a control signal to the driving IC 21 when supplying power to the heat generating portion 60a. Is.

絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３の周囲を囲むとともに、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３の側面に対して接した状態で設けられており、第１導電部５１と、第２導電部５２と、第３導電部５３とを互いに絶縁している。ここで「絶縁」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいう。この電流が実質的に流れなくなる程度としては、例えば抵抗率が１．０×１０１２Ω・ｍ以上であることをいう。この絶縁部５４は、電気パターン層５０を厚み方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されており、厚み方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が電気パターン層５０の厚み方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。 The insulating portion 54 surrounds the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53, and on the side surfaces of the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53. The first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 are insulated from each other. Here, “insulation” refers to the extent to which current does not substantially flow. For example, the resistivity is 1.0 × 10 12 Ω · m or more. The insulating portion 54 is configured to penetrate the electric pattern layer 50 in the thickness directions D5 and D6, and the upper and lower surfaces in the thickness directions D5 and D6 are part of the upper and lower surfaces in the thickness directions D5 and D6 of the electric pattern layer 50. It is composed.

また、この絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３を主として構成する導電材料の酸化物を含んでなり、絶縁部５４の形成部位に位置する導電材料の一部を酸化することによって、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３と、絶縁部５４とが一体的に形成されている。この絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３を構成する導電材料に比べて硬度が大きく、熱伝導率が小さい。ここで「主として構成する」とは、構成原子のモル比率が最も多いものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。また、「硬度」とは、ショア硬度のことをいい、ＪＩＳ規格Ｚ２２４６：２０００に規定されている。本例の絶縁部５４は、当該絶縁部５４の形成部位に位置していた第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３の導電材料の一部を酸化することによって、第１〜第３導電部５１，５２，５３と、絶縁部５４とが一体的に形成されている。   The insulating portion 54 includes an oxide of a conductive material mainly constituting the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53, and a conductive material located at a site where the insulating portion 54 is formed. By oxidizing a part of the material, the first conductive part 51, the second conductive part 52, the third conductive part 53, and the insulating part 54 are integrally formed. The insulating part 54 has a higher hardness and a lower thermal conductivity than the conductive materials constituting the first conductive part 51, the second conductive part 52, and the third conductive part 53. Here, “mainly composed” means one having the largest molar ratio of constituent atoms, and may contain, for example, an additive. “Hardness” refers to Shore hardness and is defined in JIS standard Z2246: 2000. The insulating part 54 of the present example oxidizes a part of the conductive material of the first conductive part 51, the second conductive part 52, and the third conductive part 53 located at the formation site of the insulating part 54, The first to third conductive portions 51, 52, and 53 and the insulating portion 54 are integrally formed.

さらに、本例の絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３に比べて厚み方向Ｄ５，Ｄ６におけるＤ５方向に突出している。つまり、この絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３に比べて厚みが厚く構成されている。この絶縁部５４は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３から離れるほど厚みが厚くなるように構成されている。   Furthermore, the insulating portion 54 of this example protrudes in the D5 direction in the thickness directions D5 and D6 as compared to the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53. That is, the insulating portion 54 is configured to be thicker than the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53. The insulating portion 54 is configured such that the thickness increases as the distance from the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 increases.

電気抵抗層６０は、電力供給によって発熱する発熱素子として機能する発熱部６０ａを有している。この電気抵抗層６０は、電気パターン層５０の第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３の上に設けられている。また、この電気抵抗層６０は、第１導電部５１から該第１導電部５１の対となる第２導電部５２に渡って設けられており、第１導電部５１と第２導電部との間に設けられている絶縁部５４を覆っている。この第１導電部５１から該第１導電部５１の対となる第２導電部５２に渡って設けられている部位が発熱部５１として機能している。この電気抵抗層６０は、単位長さ当たりの電気抵抗値が電気パターン層５０の単位長さ当たりの電気抵抗値に比べて大きくなるように構成されている。このような電気抵抗材料としては、例えばＴａＮ系材料と、ＴａＳｉＯ系材料と、ＴａＳｉＮＯ系材料と、ＴｉＳｉＯ系材料と、ＴｉＳｉＣＯ系材料と、ＮｂＳｉＯ系材料とが挙げられる。また、この電気抵抗層６０は、電気パターン層５０に比べて平均厚みが小さくなるように構成されている。ここで平均厚みとは、最大厚さと最小厚さの相加平均値をいう。この電気抵抗層６０の厚みとしては、例えば０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲が挙げられる。   The electrical resistance layer 60 has a heat generating portion 60a that functions as a heat generating element that generates heat when power is supplied. The electrical resistance layer 60 is provided on the first conductive part 51, the second conductive part 52, and the third conductive part 53 of the electrical pattern layer 50. In addition, the electrical resistance layer 60 is provided from the first conductive part 51 to the second conductive part 52 that is a pair of the first conductive part 51, and the first conductive part 51 and the second conductive part are connected to each other. The insulating part 54 provided between them is covered. A portion provided from the first conductive portion 51 to the second conductive portion 52 that is a pair of the first conductive portion 51 functions as the heat generating portion 51. The electrical resistance layer 60 is configured such that the electrical resistance value per unit length is larger than the electrical resistance value per unit length of the electrical pattern layer 50. Examples of such an electric resistance material include TaN-based materials, TaSiO-based materials, TaSiNO-based materials, TiSiO-based materials, TiSiCO-based materials, and NbSiO-based materials. The electrical resistance layer 60 is configured to have an average thickness smaller than that of the electrical pattern layer 50. Here, the average thickness means an arithmetic average value of the maximum thickness and the minimum thickness. Examples of the thickness of the electrical resistance layer 60 include a range of 0.01 μm or more and 0.5 μm or less.

発熱部６０ａは、電力供給によって発熱する発熱素子として機能する部位である。この発熱部６０ａは、電気パターン層５０からの電力供給によって、温度が例えば２００℃以上５５０℃以下の範囲で発熱するように構成されている。この発熱部６０ａは、主走査方向Ｄ１，Ｄ２に沿って略同一の離間距離で配列されている。また、この発熱部６０ａは、平面視において、各々が矩形状に構成されている。さらに、発熱部６０ａは、各々の主走査方向Ｄ１，Ｄ２に沿う長さが略同一の長さに構成されている。また、発熱部６０ａは、各々の副走査方向Ｄ３，Ｄ４に沿う長さも略同一の長さに構成されている。ここで、「略同一」とは、一般的な製造誤差範囲内のものが含まれ、例えば各部位の長さの平均値に対する誤差が１０％以内の範囲が挙げられる。ここで、一つの発熱部６０ａの中心と該発熱部６０ａに隣接する他の発熱部６０ａの中心との離間距離の値としては、例えば５．２μｍ以上８４．７μｍ以下の範囲が挙げられる。本例では、この複数の発熱部６０ａの配列方向がサーマルヘッド１０の主走査方向となっている。   The heat generating part 60a is a part that functions as a heat generating element that generates heat when power is supplied. The heat generating part 60a is configured to generate heat in a temperature range of, for example, 200 ° C. or higher and 550 ° C. or lower when power is supplied from the electric pattern layer 50. The heat generating portions 60a are arranged at substantially the same distance along the main scanning directions D1 and D2. Further, each of the heat generating portions 60a is configured in a rectangular shape in plan view. Furthermore, the heat generating part 60a is configured to have substantially the same length along the main scanning directions D1 and D2. Further, the heat generating portion 60a is configured to have substantially the same length along the sub-scanning directions D3 and D4. Here, “substantially the same” includes those within a general manufacturing error range, for example, a range in which an error with respect to the average value of the length of each part is within 10%. Here, examples of the value of the separation distance between the center of one heat generating portion 60a and the center of another heat generating portion 60a adjacent to the heat generating portion 60a include a range of 5.2 μm or more and 84.7 μm or less. In this example, the arrangement direction of the plurality of heat generating portions 60 a is the main scanning direction of the thermal head 10.

電気パッド７０は、電気パターン層５０と、駆動ＩＣ２１および外部配線基板２２とを半田層２３を介して接続する際に、半田層２３の接続パッドとして機能するものである。この電気パッド７０は、電気パターン層５０の上に設けられている。具体的には、第１導電部５１の他端部（駆動ＩＣ２１と接続する端部）と、第２電気配線６２の外部配線基板２２と接続する端部と、第３導電部５３の両端部（駆動ＩＣ２１または外部配線基板２２と接続する端部）とに電気パッド７０が設けられている。この電気パッド７０としては、電気パターン層５０に比べて半田に対する濡れ性のよい材料が用いられる。このような濡れ性のよい材料としては、ニッケルが挙げられる。   The electrical pad 70 functions as a connection pad for the solder layer 23 when the electrical pattern layer 50 is connected to the driving IC 21 and the external wiring board 22 via the solder layer 23. The electric pad 70 is provided on the electric pattern layer 50. Specifically, the other end of the first conductive portion 51 (the end connected to the driving IC 21), the end connected to the external wiring substrate 22 of the second electrical wiring 62, and both ends of the third conductive portion 53. An electric pad 70 is provided on (an end connected to the driving IC 21 or the external wiring board 22). As the electric pad 70, a material having better wettability with respect to solder than the electric pattern layer 50 is used. An example of such a material with good wettability is nickel.

保護層８０は、発熱部６０ａと、電気パターン層５０とを保護する機能を有するものである。この保護層８０は、主走査方向Ｄ１，Ｄ２に沿って発熱部６０ａと、電気パターン層５０の一部とを覆うように形成されている。保護層８０を形成する材料としては、例えばダイヤモンドライクカーボン系材料、ＳｉＣ系材料、ＳｉＮ系材料、ＳｉＣＮ系材料、ＳｉＡｌＯＮ系材料、ＳｉＯ２系材料、またはＴａＯ系材料が挙げられる。ここで「ダイヤモンドライクカーボン系材料」とは、ｓｐ３混成軌道をとる炭素原子（Ｃ原子）の割合が１原子％以上１００原子％未満の範囲であるものをいう。このような保護層８０は、例えば蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法、フォトリソグラフィ技術、または印刷技術を用いる種々の周知の製造方法によって形成できる。 The protective layer 80 has a function of protecting the heat generating portion 60a and the electric pattern layer 50. The protective layer 80 is formed so as to cover the heat generating portion 60a and a part of the electric pattern layer 50 along the main scanning directions D1 and D2. Examples of the material for forming the protective layer 80 include diamond-like carbon materials, SiC materials, SiN materials, SiCN materials, SiAlON materials, SiO 2 materials, and TaO materials. Here, “diamond-like carbon-based material” refers to a material in which the proportion of carbon atoms (C atoms) taking sp 3 hybrid orbitals is in the range of 1 atomic% or more and less than 100 atomic%. Such a protective layer 80 can be formed by various well-known manufacturing methods using, for example, a vapor deposition method, a CVD method, a sputtering method, a photolithography technique, or a printing technique.

駆動ＩＣ２１は、複数の発熱部６０ａへの電力供給を制御する機能を有するものである。この駆動ＩＣ２１は、第１導電部５１の他端部に半田層２３を介して電気的に接続されている。また、この駆動ＩＣ２１は、外部配線基板２２に半田層２３を介して電気的に接続されており、当該外部配線基板２２を介して基準電位点に電気的に接続されている。このような構成とすることにより、第１導電部５１と基準電位点とを電気的に接続したり、この電気的な接続を解除したりして、発熱部６０ａを選択的に発熱させることができる。   The drive IC 21 has a function of controlling power supply to the plurality of heat generating units 60a. The drive IC 21 is electrically connected to the other end portion of the first conductive portion 51 via the solder layer 23. The driving IC 21 is electrically connected to the external wiring board 22 through the solder layer 23 and is electrically connected to the reference potential point through the external wiring board 22. By adopting such a configuration, the heat generating portion 60a can be selectively heated by electrically connecting the first conductive portion 51 and the reference potential point or releasing the electrical connection. it can.

図６に示した外部配線基板２２は、第１支持基板２２１と、第２支持基板２２２と、回路配線層２２３と、外部接続部材２２４とを備えている。この外部配線基板２２は、発熱部６０ａに電力を供給するのに寄与する機能を有している。   The external wiring board 22 shown in FIG. 6 includes a first support board 221, a second support board 222, a circuit wiring layer 223, and an external connection member 224. The external wiring board 22 has a function that contributes to supplying power to the heat generating portion 60a.

第１支持基板２２１および第２支持基板２２２は、回路配線層２２３を支持する機能を有するものである。また、第１支持基板２２１および第２支持基板２２２は、対となって回路配線層２２３の電気的な絶縁性を確保する機能を担っている。ここで「絶縁」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいい、例えば電気抵抗率が１．０×１０１２Ω・ｃｍ以上であることをいう。本例の第１支持基板２２１および第２支持基板２２２は、平面視において主走査方向Ｄ１，Ｄ２に延びる矩形状に構成されている。 The first support substrate 221 and the second support substrate 222 have a function of supporting the circuit wiring layer 223. In addition, the first support substrate 221 and the second support substrate 222 have a function of securing electrical insulation of the circuit wiring layer 223 as a pair. Here, “insulation” refers to the extent to which current does not substantially flow. For example, the electrical resistivity is 1.0 × 10 12 Ω · cm or more. The first support substrate 221 and the second support substrate 222 of this example are configured in a rectangular shape extending in the main scanning directions D1 and D2 in plan view.

この第１支持基板２２１および第２支持基板２２２を形成する材料としては、例えばセラミックス、樹脂、およびセラミックスと樹脂との複合材が挙げられる。このセラミックスとしては、例えばアルミナセラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、窒化珪素セラミックス、ガラスセラミックス、およびムライトセラミックスが挙げられる。また、この樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリエステル樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂が挙げられる。これらの形成材料の中でも、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、およびアクリル系樹脂などの可撓性を有する樹脂を採用することがより好ましい。ここで、「可撓性」とは、ＪＩＳ規格Ｋ７１７１：１９９４に規定される曲げ弾性率が例えば２．５×１０３Ｎ・ｍｍ−２以上４．５×１０３Ｎ・ｍｍ−２以下であることをいう。本例の第１支持基板２２１および第２支持基板２２２は、ポリイミド系樹脂により形成されている。このポリイミド系樹脂を採用した第１支持基板２２１および第２支持基板２２２の熱膨張係数は、約１０×１０−６Ｋ−１である。なお、第１支持基板２２１と第２支持基板２２２とは、異なる材料で形成されていてもよい。 Examples of the material for forming the first support substrate 221 and the second support substrate 222 include ceramics, resin, and a composite material of ceramics and resin. Examples of this ceramic include alumina ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon nitride ceramics, glass ceramics, and mullite ceramics. Examples of this resin include thermosetting or ultraviolet curable resins such as epoxy resins, polyimide resins, acrylic resins, phenol resins, and polyester resins. Among these forming materials, it is more preferable to employ a flexible resin such as a polyimide resin, an epoxy resin, and an acrylic resin. Here, “flexibility” means that the flexural modulus defined by JIS standard K7171: 1994 is, for example, 2.5 × 10 3 N · mm −2 or more and 4.5 × 10 3 N · mm −2 or less. Say something. The first support substrate 221 and the second support substrate 222 of this example are formed of a polyimide resin. The thermal expansion coefficients of the first support substrate 221 and the second support substrate 222 that employ this polyimide resin are approximately 10 × 10 −6 K −1 . Note that the first support substrate 221 and the second support substrate 222 may be formed of different materials.

回路配線層２２３は、発熱部６０ａに電力を供給するのに寄与するものである。この回路配線層２２３は、厚み方向Ｄ５，Ｄ６において、第１支持基板２２１と第２支持基板２２２との間に設けられている。また、この回路配線層２２３は、第２導電部５２と、第３導電部５３とに半田層２３を介して電気的に接続されている。このような構成とすることによって、この回路配線層２２３は、例えば駆動ＩＣ２１の駆動電力、タイミングを制御するクロック信号、および印画する画像に応じた画像信号、ならびに発熱部６０ａへ供給する電力をヘッド基体２０に供給している。この回路配線層２２３を形成する材料としては、例えばアルミニウム、金、銀、および銅のいずれか一種の金属、またはこれらの合金が挙げられる。   The circuit wiring layer 223 contributes to supplying power to the heat generating part 60a. The circuit wiring layer 223 is provided between the first support substrate 221 and the second support substrate 222 in the thickness directions D5 and D6. The circuit wiring layer 223 is electrically connected to the second conductive portion 52 and the third conductive portion 53 via the solder layer 23. By adopting such a configuration, the circuit wiring layer 223, for example, supplies the driving power of the driving IC 21, the clock signal for controlling the timing, the image signal corresponding to the image to be printed, and the power supplied to the heating unit 60a to the head. It is supplied to the substrate 20. As a material for forming the circuit wiring layer 223, for example, any one of aluminum, gold, silver, and copper, or an alloy thereof can be used.

外部接続部材２２４は、回路配線層２２３を介してヘッド基体２０に電気信号を供給するのに寄与するものである。この外部接続部材２２４は、回路配線層２２３の各々に電気的に接続されている。この外部接続部材２２４を構成するものとしては、例えばコネクタが挙げられる。   The external connection member 224 contributes to supplying an electric signal to the head substrate 20 via the circuit wiring layer 223. The external connection member 224 is electrically connected to each circuit wiring layer 223. An example of what constitutes the external connection member 224 is a connector.

半田層２３は、ヘッド基体２０の電気パターン層５０と、駆動ＩＣ２１および回路配線層２２３とを電気的に接続するものである。より具体的には、ヘッド基体２０の電気パターン層５０の上に設けられている電気パッド７０と、回路配線層２２３とに電気的かつ機械的に接続されている。この半田層２３には、鉛を含有するもの、鉛を含有しないものがある。この「鉛を含有するもの」には、鉛を添加物として含有するものが含まれる。この半田層２３は、図５に示した半田バンプの上に、駆動ＩＣ２１を載置した後に、当該半田バンプ２３を溶融し、硬化させることで形成することができる。   The solder layer 23 is for electrically connecting the electric pattern layer 50 of the head substrate 20 to the driving IC 21 and the circuit wiring layer 223. More specifically, the electric pads 70 provided on the electric pattern layer 50 of the head substrate 20 and the circuit wiring layer 223 are electrically and mechanically connected. Some of the solder layers 23 contain lead and some do not contain lead. The “containing lead” includes those containing lead as an additive. The solder layer 23 can be formed by placing the driving IC 21 on the solder bump shown in FIG. 5 and then melting and curing the solder bump 23.

ヘッド基体２０は、ベース基板３０と、ベース基板３０の上に設けられている第１〜第３導電部５１，５２，５３と、第１〜第３導電部５１，５２，５３の上に設けられている電気パッド７０と、第１〜第３導電部５１，５２，５３の電気パッド７０が設けられている部位の周囲に設けられている絶縁部５４とを有しており、絶縁部５４は、第１〜第３導電部５１，５２，５３を構成する金属を酸化して形成される金属酸化物を含むとともに、第１〜第３導電部５１，５２，５３に比べて厚み方向Ｄ５，Ｄ６におけるＤ６方向側に突出している。そのため、ヘッド基体２０では、電気パッド７０と他の素子とを半田を介して接続する場合でも、隣接する電気パッド７０の間に溶融した半田がたまるのを低減して、当該隣接する電気パッド７０が短絡するのを低減することができる。したがって、ヘッド基体２０では、電気的な信頼性を高めることができる。   The head base 20 is provided on the base substrate 30, the first to third conductive portions 51, 52, 53 provided on the base substrate 30, and the first to third conductive portions 51, 52, 53. And the insulating portion 54 provided around the portion where the electric pads 70 of the first to third conductive portions 51, 52, 53 are provided. Includes a metal oxide formed by oxidizing the metal constituting the first to third conductive portions 51, 52, 53, and has a thickness direction D 5 as compared with the first to third conductive portions 51, 52, 53. , D6 protrudes in the direction D6. Therefore, in the head base 20, even when the electrical pad 70 and another element are connected via solder, the accumulation of molten solder between the adjacent electrical pads 70 is reduced, and the adjacent electrical pads 70 are reduced. Can be reduced. Therefore, in the head base 20, electrical reliability can be improved.

ヘッド基体２０において、絶縁部５４は、内部に空孔を有しているので、電気パッド７０と他の素子とを半田を介して接続する場合に、加えた熱を良好に蓄熱することができる。そのため、このヘッド基体２０では、製造効率を高めることができる。   In the head base 20, since the insulating portion 54 has a hole inside, when the electric pad 70 and another element are connected via solder, the applied heat can be stored well. . Therefore, with this head substrate 20, the production efficiency can be increased.

ヘッド基体２０において、絶縁部５４は、第１〜第３導電部５１，５２，５３に比べて半田に対する濡れ性が小さいので、電気パッド７０と他の素子とを半田を介して接続する場合でも、隣接する電気パッド７０の間に溶融した半田がたまるのを低減して、当該隣接する電気パッド７０が短絡するのをより低減することができる。したがって、このヘッド基体２０では、電気的な信頼性を高めることができる。   In the head base 20, the insulating portion 54 has less wettability with respect to the solder than the first to third conductive portions 51, 52, and 53, so even when the electrical pad 70 and other elements are connected via solder. It is possible to reduce the accumulation of molten solder between the adjacent electric pads 70 and to further reduce the short circuit between the adjacent electric pads 70. Therefore, the electrical reliability of the head substrate 20 can be improved.

ヘッド基体２０において、絶縁部５４を第１〜第３導電部５１，５１，５３と一体的に設けているので、例えば絶縁部と導電部との間に隙間が生じて、当該隙間に半田が流れ込むことで、半田の量にバラツキが生じるのを低減することができる。そのため、半田の量の均一性を高めて、機械的な接合強度にバラツキが生じるのを低減することができる。また、絶縁部５４を第１〜第３導電部５１，５１，５３と一体的に設けているので、例えば微細な導電部を形成する場合であっても、絶縁部および導電部の一方が他方に重なってしまうのを低減することもできる。   In the head base 20, since the insulating portion 54 is provided integrally with the first to third conductive portions 51, 51, 53, for example, a gap is generated between the insulating portion and the conductive portion, and solder is provided in the gap. By flowing in, it is possible to reduce the variation in the amount of solder. Therefore, the uniformity of the amount of solder can be improved, and the occurrence of variations in mechanical joint strength can be reduced. Moreover, since the insulating part 54 is provided integrally with the first to third conductive parts 51, 51, 53, for example, even when a fine conductive part is formed, one of the insulating part and the conductive part is the other. It is also possible to reduce the overlap.

サーマルヘッド１０は、ヘッド基体２０と、ベース基板３０の上に主走査方向に沿って複数の発熱部６０ａが設けられている。そのため、サーマルヘッド１０は、ヘッド基体２０の有する効果を享受することができる。したがって、サーマルヘッド１０では、電気的な信頼性を高めることができる。   In the thermal head 10, a plurality of heat generating portions 60 a are provided on the head base 20 and the base substrate 30 along the main scanning direction. Therefore, the thermal head 10 can enjoy the effects of the head substrate 20. Therefore, in the thermal head 10, electrical reliability can be improved.

サーマルヘッド１０において、複数の発熱部６０ａは、第１〜第３導電部５１，５２，５３に電気的に接続されている場合でも、溶融した半田が広がるのを低減することができるので、当該発熱部６０ａへ電力を供給する第１〜第３導電部５１，５２，５３間の離間距離を短くすることができる。そのため、このサーマルヘッド１０では、複数の発熱部６０ａの間の密度を高めることができ、発熱部６０ａの高密度化を図ることができる。   In the thermal head 10, even when the plurality of heat generating portions 60a are electrically connected to the first to third conductive portions 51, 52, 53, it is possible to reduce the spread of the molten solder. The separation distance between the first to third conductive parts 51, 52, 53 for supplying power to the heat generating part 60a can be shortened. Therefore, in the thermal head 10, the density between the plurality of heat generating portions 60a can be increased, and the heat generating portions 60a can be increased in density.

＜配線基板および記録ヘッドの製造方法＞
次に、本発明の配線基板の製造方法を配線基板および記録ヘッドの一例である上述のヘッド基体２０およびサーマルヘッド１０を例に挙げて示す。 <Manufacturing method of wiring board and recording head>
Next, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described using the above-described head substrate 20 and thermal head 10 as examples of the wiring board and the recording head.

＜ベース基板素体の準備工程＞
まず、図７（ａ）に示すように、分割溝３０Ｘ１を有しているベース基板素体３０Ｘを準備する。この分割溝３０Ｘ１は、当該分割溝３０Ｘ１に沿ってベース基板素体３０Ｘを分割することで、分割したベース基板素体３０Ｘの主要部がベース基板３０となるように設けられている。つまり、このベース基板素体３０Ｘは、分割溝３０Ｘ１で区分けされているベース基板３０となる領域を有している。 <Preparation process of base substrate body>
First, as shown in FIG. 7 (a), preparing a base substrate body 30X has a split groove 30X 1. The dividing groove 30X 1, by dividing the base substrate body 30X along the dividing groove 30X 1, the main portion of the divided base substrate body 30X is provided so that the base substrate 30. That is, the base substrate element 30X has an area serving as a base substrate 30 that is divided by the dividing groove 30X 1.

＜グレーズ層の形成工程＞
次に、ベース基板素体３０Ｘの上に、グレーズ層４０となるグレーズ層４０Ｘを形成する。具体的には、印刷法およびスパッタリングなどの成膜技術によって、ベース基板素体３０Ｘの厚み方向Ｄ５，Ｄ６のうちＤ５方向側の上面の全体に略平坦状のグレーズ膜を成膜する。次に、印刷法およびスパッタリングなどの成膜技術によって、グレーズ膜をエッチングして、突出部４０ｂとなる部位を有するグレーズ層４０Ｘを形成する。 <Glaze layer forming process>
Next, the glaze layer 40X to be the glaze layer 40 is formed on the base substrate body 30X. Specifically, a substantially flat glaze film is formed on the entire upper surface on the D5 direction side of the thickness direction D5, D6 of the base substrate body 30X by a film forming technique such as printing and sputtering. Next, the glaze film is etched by a film forming technique such as a printing method and sputtering to form a glaze layer 40X having a portion that becomes the protruding portion 40b.

＜導電膜の形成工程＞
次に、グレーズ層４０Ｘの厚み方向Ｄ５，Ｄ６のうちＤ５方向側の上面の全体に導電膜５０Ｘを形成する。具体的には、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、グレーズ層４０Ｘの上に略平坦状の膜を成膜することによって、導電膜５０Ｘを形成する。本例では、導電膜４０Ｘを形成する材料としてアルミニウムを採用する。 <Formation process of conductive film>
Next, the conductive film 50X is formed on the entire upper surface on the D5 direction side in the thickness directions D5 and D6 of the glaze layer 40X. Specifically, the conductive film 50X is formed by forming a substantially flat film on the glaze layer 40X by a film formation technique such as sputtering and vapor deposition. In this example, aluminum is adopted as a material for forming the conductive film 40X.

＜配線パターン層の形成工程＞
次に、図７（ｂ）に示すように、グレーズ層４０Ｘの上に電気パターン層５０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜５０Ｘの上にマスクを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該マスクから絶縁部５４を形成する領域の上に位置する導電膜５０Ｘの一部を露出させるように加工する。次に、この露出した導電膜５０Ｘの一部を陽極酸化し、絶縁部５４を形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜５０Ｘの他の部分が第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３として機能する電気パターン層５０を形成することができる。この陽極酸化は、溶液中に導電膜５０Ｘを浸すとともに、導電膜５０Ｘに正の電圧を、溶液に負の電圧を印加することによって行う。この溶液としては、例えばリン酸、ホウ酸、シュウ酸、酒石酸、および硫酸などの電解液が挙げられる。 <Process for forming wiring pattern layer>
Next, as shown in FIG. 7B, the electric pattern layer 50 is formed on the glaze layer 40X. Specifically, first, a mask is formed over the conductive film 50X by a fine processing technique such as photolithography. Next, processing is performed by using a fine processing technique such as photolithography so that a part of the conductive film 50X located on the region where the insulating portion 54 is formed is exposed from the mask. Next, a part of the exposed conductive film 50X is anodized to form an insulating portion 54. As a result, it is possible to form the electrical pattern layer 50 in which the other portions of the conductive film 50X remaining without being anodized function as the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53. This anodic oxidation is performed by immersing the conductive film 50X in the solution and applying a positive voltage to the conductive film 50X and a negative voltage to the solution. Examples of this solution include electrolytes such as phosphoric acid, boric acid, oxalic acid, tartaric acid, and sulfuric acid.

＜電気抵抗層の形成工程＞
電気パターン層５０の上に電気抵抗層６０を形成する。具体的には、まず、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、抵抗体膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該抵抗体膜が第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３、ならびに絶縁部５４の一部領域を覆うようなパターンに加工し、電気抵抗層６０を形成する。この際に、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３の電気パッド７０を設ける部位を、電気抵抗層６０から露出させるように設けることが重要である。なお、この電気抵抗層の形成工程は、図７，８に示した断面と異なる部位に設けられるので、図７，８に示されていない。 <Formation process of electric resistance layer>
An electric resistance layer 60 is formed on the electric pattern layer 50. Specifically, first, a resistor film is formed by a film formation technique such as sputtering and vapor deposition. Next, the resistor film is formed into a pattern that covers a part of the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, the third conductive portion 53, and the insulating portion 54 by a fine processing technique such as photolithography. The electrical resistance layer 60 is formed by processing. At this time, it is important to provide portions of the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53 where the electric pads 70 are provided so as to be exposed from the electric resistance layer 60. In addition, since the formation process of this electrical resistance layer is provided in the site | part different from the cross section shown to FIG. 7, 8, it is not shown by FIG.

＜電気パッドの形成工程＞
電気パターン層５０の上に電気パッド７０を形成する。 <Electric pad formation process>
An electric pad 70 is formed on the electric pattern layer 50.

まず、図７（ｃ）に示すように、ベース基板素体３０Ｘの上面の全体に、電気パターン層５０および電気抵抗層６０を覆うレジスト膜９０Ｘを形成する。このレジスト膜９０Ｘの形成の際に、形成する電極パッド７０の厚みよりも、レジスト膜９０Ｘの厚みが厚くなるように形成することが重要となる。   First, as shown in FIG. 7C, a resist film 90X that covers the electrical pattern layer 50 and the electrical resistance layer 60 is formed on the entire top surface of the base substrate body 30X. When forming the resist film 90X, it is important to form the resist film 90X so as to be thicker than the electrode pad 70 to be formed.

次に、図８（ａ）に示すように、露光用マスクを用いてレジスト膜９０Ｘを露光、現像し、レジストマスク９０を形成する。この露光の際に、レジストマスク９０から電気パッド７０を形成する部分に、当該レジストマスク９０を上面から電気パターン層５０の上面に向かって貫通する貫通孔９１を設ける。   Next, as illustrated in FIG. 8A, the resist film 90 </ b> X is exposed and developed using an exposure mask to form a resist mask 90. At the time of this exposure, a through hole 91 that penetrates the resist mask 90 from the upper surface toward the upper surface of the electric pattern layer 50 is provided in a portion where the electric pad 70 is formed from the resist mask 90.

次に、レジストマスク９０が形成されたベース基板素体３０Ｘをエッチング液を用いてエッチングし、電気パターン層５０の貫通孔９１を通じて露出している部分の上の表面酸化膜を除去する。   Next, the base substrate body 30X on which the resist mask 90 is formed is etched using an etching solution, and the surface oxide film on the portion exposed through the through hole 91 of the electrical pattern layer 50 is removed.

次に、図８（ｂ）に示すように、レジストマスク９０が形成されたベース基板素体３０Ｘをジンケート処理液を用いてジンケート処理を行い、電気パターン層５０の貫通孔９１を通じて露出している部分に、当該電気パターン層５０を形成しているアルミニウムと、亜鉛とを置換して、亜鉛膜７０Ｘを形成する。   Next, as shown in FIG. 8B, the base substrate body 30 </ b> X on which the resist mask 90 is formed is subjected to a zincate process using a zincate process liquid, and is exposed through the through holes 91 of the electrical pattern layer 50. The zinc film 70 </ b> X is formed by replacing aluminum forming the electric pattern layer 50 and zinc in the portion.

次に、図８（ｃ）に示すように、レジストマスク９０が形成されたベース基板素体３０Ｘをメッキ液を用いて、無電解メッキ処理を行い、亜鉛膜７０Ｘとニッケルとを置換するとともに、ニッケルによって形成される電気パッド７０を形成する。   Next, as shown in FIG. 8C, the base substrate body 30X on which the resist mask 90 is formed is subjected to an electroless plating process using a plating solution to replace the zinc film 70X and nickel, An electric pad 70 made of nickel is formed.

このようにして、多数個取りのベース基板素体３０Ｘを製造することができる。   In this way, a large number of base substrate bodies 30X can be manufactured.

＜ベース基体素体の分割工程＞
分割溝３０Ｘ１に沿って多数個取りベース基板素体３０Ｘを分割し、グレーズ層４０と、電気パターン層５０と、電気抵抗層６０と、電気パッド７０とが上面に設けられているベース基板３０を得る。 <Step of dividing base substrate body>
Along the dividing groove 30X 1 divides the multi-piece base substrate body 30X, the glaze layer 40, the electrical pattern layer 50, and the electrical resistance layer 60, the base substrate 30 and the electric pad 70 is provided on the upper surface Get.

＜保護層の形成工程＞
電気パターン層５０および電気抵抗層６０を覆う保護層８０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、保護層８０で保護する部位の上を露出させるようにマスクを形成する。次に、スパッタリング、蒸着などの成膜技術によって保護層８０を形成する。 <Protective layer formation process>
A protective layer 80 covering the electric pattern layer 50 and the electric resistance layer 60 is formed. Specifically, first, a mask is formed so as to expose a portion to be protected by the protective layer 80 by a fine processing technique such as photolithography. Next, the protective layer 80 is formed by a film formation technique such as sputtering or vapor deposition.

以上のようにして本例のヘッド基体２０を製造する。   The head substrate 20 of this example is manufactured as described above.

＜駆動ＩＣの配置工程＞
次に、ヘッド基体２０の電気パターン層５０と駆動ＩＣ２１とを半田層２３を介して電気的に接続する。具体的には、まず、電気パッド７０の上に半田バンプ、ひいては半田層２３となる半田ペーストを被着する。本例では、この半田ペーストの被着を、印刷マスクを用いた印刷によって行う。次に、半田ペーストを加熱して、電気パッド７０の上に、図５に示すような半田バンプを形成する。次に、半田バンプと、駆動ＩＣ２１とを対向させる。次に、半田バンプを加熱して、電気パッド７０と駆動ＩＣ２１とを半田層２３を介して電気的に接続する。なお、この電気的な接続をする際に加える熱によって、半田バンプが半田層２３となる。 <Drive IC placement process>
Next, the electrical pattern layer 50 of the head substrate 20 and the drive IC 21 are electrically connected via the solder layer 23. Specifically, first, solder bumps to be solder bumps and eventually solder layers 23 are deposited on the electric pads 70. In this example, the solder paste is applied by printing using a printing mask. Next, the solder paste is heated to form solder bumps as shown in FIG. Next, the solder bump and the drive IC 21 are opposed to each other. Next, the solder bump is heated to electrically connect the electric pad 70 and the driving IC 21 via the solder layer 23. Note that the solder bumps become the solder layer 23 by heat applied during the electrical connection.

＜外部配線基板の配置工程＞
次に、ヘッド基体２０の電気パターン層５０の上の電気パッド７０と、外部配線基板２２とを半田層２３を介して電気的に接続する。具体的には、まず、電気パッド７０の上に半田バンプ、ひいては半田層２３となる半田ペーストを被着する。本例では、この半田ペーストの被着を、印刷マスクを用いた印刷によって行う。次に、半田ペーストを加熱して、電気パッド７０の上に、図５に示すような半田バンプを形成する。次に、電気パッド７０と、外部配線基板２２の回路配線層２２３とを対向させる。次に、外部配線基板２２をヘッド基体２０に押し当てながら半田ペーストの加熱を行い、電気パッド７０と外部配線基板２２とを半田層２３を介して電気的に接続する。なお、この電気的な接続をする際に加える熱によって、半田バンプが半田層２３となる。 <External wiring board placement process>
Next, the electrical pads 70 on the electrical pattern layer 50 of the head substrate 20 and the external wiring board 22 are electrically connected via the solder layer 23. Specifically, first, solder bumps to be solder bumps and eventually solder layers 23 are deposited on the electric pads 70. In this example, the solder paste is applied by printing using a printing mask. Next, the solder paste is heated to form solder bumps as shown in FIG. Next, the electric pad 70 and the circuit wiring layer 223 of the external wiring board 22 are opposed to each other. Next, the solder paste is heated while pressing the external wiring board 22 against the head substrate 20, and the electrical pads 70 and the external wiring board 22 are electrically connected via the solder layer 23. Note that the solder bumps become the solder layer 23 by heat applied during the electrical connection.

以上のようにして本例のサーマルヘッド１０を製造することができる。   As described above, the thermal head 10 of this example can be manufactured.

本例のヘッド基体２０の製造方法では、ベース基板素体３０Ｘを準備する準備工程と、ベース基板３０の上に導電膜５０Ｘを成膜する形成工程と、導電膜５０Ｘの一部を酸化して絶縁部５４を形成するとともに、当該導電膜５０Ｘの酸化しなかった部位を第１〜第３導電部５１，５２，５３とする形成工程と、第１〜第３導電部５１，５２，５３の上に電極パッド７０を形成する形成工程とを備えている。そのため、ヘッド基体２０の製造方法では、ヘッド基体２０を良好に製造することができる。   In the method of manufacturing the head substrate 20 of this example, a preparation process for preparing the base substrate body 30X, a formation process for forming the conductive film 50X on the base substrate 30, and a part of the conductive film 50X are oxidized. A step of forming the insulating portion 54 and forming the non-oxidized portions of the conductive film 50X as the first to third conductive portions 51, 52, 53, and the first to third conductive portions 51, 52, 53 And a forming step of forming the electrode pad 70 thereon. Therefore, in the method for manufacturing the head base 20, the head base 20 can be manufactured satisfactorily.

本例のヘッド基体２０の製造方法では、配線パターン層５０の形成工程の後に、電気パッド７０の形成工程を行っているが、電気パッド７０の形成工程を配線パターン層５０の形成工程の先に行ってもよい。具体的な工程としては、まず、導電膜５０Ｘをグレーズ層４０Ｘの上に形成する。次に、導電膜５０Ｘの上に電気パッド７０を形成する。このとき、第１〜第３導電部５１，５２，５３となる部位の上に電気パッド７０を形成する。次に、電気パッド７０の周囲の導電膜５０Ｘの一部を陽極酸化し、絶縁部５４を形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜５０Ｘの他の部分が第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３として機能する電気パターン層５０を形成することができる。なお、各工程における具体的な方法は、上述の方法と同様にして行うことができる。
＜記録装置＞
図９に示した本発明の記録装置の実施形態の一例であるサーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０と、搬送機構１１と、制御機構１２とを有している。 In the manufacturing method of the head substrate 20 of this example, the formation process of the electric pad 70 is performed after the formation process of the wiring pattern layer 50. However, the formation process of the electric pad 70 is performed before the formation process of the wiring pattern layer 50. You may go. As a specific process, first, the conductive film 50X is formed on the glaze layer 40X. Next, the electric pad 70 is formed on the conductive film 50X. At this time, the electric pad 70 is formed on the portions to be the first to third conductive portions 51, 52, 53. Next, a part of the conductive film 50 </ b> X around the electric pad 70 is anodized to form the insulating portion 54. As a result, it is possible to form the electrical pattern layer 50 in which the other portions of the conductive film 50X remaining without being anodized function as the first conductive portion 51, the second conductive portion 52, and the third conductive portion 53. In addition, the specific method in each process can be performed similarly to the above-mentioned method.
<Recording device>
A thermal printer 1 as an example of an embodiment of the recording apparatus of the present invention shown in FIG. 9 has a thermal head 10, a transport mechanism 11, and a control mechanism 12.

搬送機構１１は、記録媒体Ｐを副走査方向Ｄ３，Ｄ４におけるＤ３方向に搬送しつつ、該記録媒体Ｐをサーマルヘッド１０の発熱部６０ａ上に位置する保護層８０に接触させる機能を有するものである。この搬送機構１１は、プラテンローラ１１１と、搬送ローラ１１２，１１３，１１４，１１５とを含んで構成されている。   The transport mechanism 11 has a function of bringing the recording medium P into contact with the protective layer 80 located on the heat generating portion 60a of the thermal head 10 while transporting the recording medium P in the D3 direction in the sub-scanning directions D3 and D4. is there. The transport mechanism 11 includes a platen roller 111 and transport rollers 112, 113, 114, and 115.

プラテンローラ１１１は、発熱部６０ａの上に位置する保護層８０に記録媒体Ｐを押し付ける機能を有するものである。このプラテンローラ１１１は、発熱部６０ａの上に位置する保護層８０に接触した状態で回転可能に支持されている。本例のプラテンローラ１１１は、円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成を有している。この基体は、例えばステンレスなどの金属により形成されており、この弾性部材は、例えば厚みの寸法が３ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲のブタジエンゴムにより形成されている。つまり、本実施形態のサーマルプリンタ１では、プラテンローラを構成する弾性部材の弾性的な圧力によって、記録媒体Ｐをサーマルヘッド１０に摺接させている。   The platen roller 111 has a function of pressing the recording medium P against the protective layer 80 located on the heat generating portion 60a. The platen roller 111 is rotatably supported in contact with the protective layer 80 located on the heat generating portion 60a. The platen roller 111 of this example has a configuration in which the outer surface of a columnar base is covered with an elastic member. The base is made of, for example, a metal such as stainless steel, and the elastic member is made of, for example, butadiene rubber having a thickness dimension in the range of 3 mm to 15 mm. That is, in the thermal printer 1 according to the present embodiment, the recording medium P is brought into sliding contact with the thermal head 10 by the elastic pressure of the elastic member constituting the platen roller.

搬送ローラ１１２，１１３，１１４，１１５は、記録媒体Ｐを搬送する機能を有するものである。すなわち、搬送ローラ１１２，１１３，１１４，１１５は、サーマルヘッド１０の発熱部６０ａとプラテンローラ１１１との間に記録媒体Ｐを供給するとともに、サーマルヘッド１０の発熱部６０ａとプラテンローラ１１１との間から記録媒体Ｐを引き抜く役割を担うものである。これらの搬送ローラ１１２，１１３，１１４，１１５は、例えば金属製の円柱状部材により形成してもよいし、例えばプラテンローラ１１１と同様に円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成であってもよい。   The transport rollers 112, 113, 114, and 115 have a function of transporting the recording medium P. That is, the transport rollers 112, 113, 114, and 115 supply the recording medium P between the heat generating portion 60 a of the thermal head 10 and the platen roller 111, and between the heat generating portion 60 a of the thermal head 10 and the platen roller 111. It plays a role of pulling out the recording medium P from the recording medium. These transport rollers 112, 113, 114, and 115 may be formed of, for example, a metal columnar member. For example, like the platen roller 111, the outer surface of the columnar substrate is covered with an elastic member. There may be.

制御機構１２は、駆動ＩＣ２１に画像情報を供給する機能を有するものである。つまり、制御機構１２は、発熱部６０ａを選択的に駆動する画像情報を駆動ＩＣ２１に供給する役割を担うものである。   The control mechanism 12 has a function of supplying image information to the drive IC 21. That is, the control mechanism 12 plays a role of supplying image information for selectively driving the heat generating portion 60a to the drive IC 21.

サーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０を備えることを特徴としている。そのため、サーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０の有する効果を享受することができる。したがって、サーマルプリンタ１は、電気的な信頼を高めることができる。   The thermal printer 1 includes a thermal head 10. Therefore, the thermal printer 1 can enjoy the effects of the thermal head 10. Therefore, the thermal printer 1 can increase electrical reliability.

以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。   While specific embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

本実施形態では、記録ヘッドの一例としてサーマルヘッド１０を記載したが、本発明はサーマルヘッドに限るものでない。本発明の構成を例えばインクジェットヘッドまたはＬＥＤヘッドなどの発熱する素子に採用した場合でも、同様の効果を奏することができる。   In the present embodiment, the thermal head 10 is described as an example of the recording head, but the present invention is not limited to the thermal head. Even when the configuration of the present invention is employed in a heat-generating element such as an ink jet head or an LED head, the same effect can be obtained.

本実施形態の第２導電部５２では、３つ以上の発熱部６０ａに接続されているが、このような構造に限るものでなく、例えば第１導電層が２つの発熱部に接続されるように構成されていてもよい。   In the second conductive portion 52 of the present embodiment, it is connected to three or more heat generating portions 60a, but is not limited to such a structure, for example, the first conductive layer is connected to two heat generating portions. It may be configured.

１ サーマルプリンタ
１０ サーマルヘッド
１１ 搬送機構
１１１ プラテンローラ
１１２，１１３，１１４，１１５ 搬送ローラ
１２ 駆動機構
２０ ヘッド基体（配線基板）
２１ 駆動ＩＣ
２２ 外部配線基板
２２１ 第１支持基板
２２２ 第２支持基板
２２３ 回路配線層
２２４ 外部接続部材
２３ 半田層
３０ ベース基板
３０Ｘ ベース基板素体
４０ グレーズ層
４０Ｘ グレーズ層
４０ａ 基部
４０ｂ 突出部
５０ 電気パターン層
５０Ｘ 導電膜
５１ 第１導電部（導電層の一部）
５２ 第２導電部（導電層の一部）
５３ 第３導電部（導電層の一部）
５４ 絶縁部（絶縁層の一部）
６０ 電気抵抗層
６０ａ 発熱部（発熱素子）
７０ 電気パッド
７０Ｘ 亜鉛膜
８０ 保護層
９０ レジストマスク
９０Ｘ レジスト膜
９１ 貫通孔
Ｐ 記録媒体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermal printer 10 Thermal head 11 Conveyance mechanism 111 Platen roller 112,113,114,115 Conveyance roller 12 Drive mechanism 20 Head base | substrate (wiring board)
21 Drive IC
22 External wiring board 221 First support board 222 Second support board 223 Circuit wiring layer 224 External connection member 23 Solder layer 30 Base board 30X Base board base body 40 Glaze layer 40X Glaze layer 40a Base 40b Projection 50 Electrical pattern layer 50X Conductivity Film 51 1st conductive part (a part of conductive layer)
52 2nd conductive part (a part of conductive layer)
53 3rd conductive part (part of conductive layer)
54 Insulation part (part of insulation layer)
60 Electric resistance layer 60a Heat generating part (heat generating element)
70 Electric Pad 70X Zinc Film 80 Protective Layer 90 Resist Mask 90X Resist Film 91 Through Hole P Recording Medium

Claims (7)

ベース基板と、該ベース基板の上に設けられている導電層と、該導電層の上に設けられている電気パッドと、前記導電層の前記電気パッドが設けられている部位の周囲に設けられている絶縁層とを有しており、
該絶縁層は、前記導電層を構成する金属を酸化して形成される金属酸化物を含むとともに、前記導電層に比べて厚み方向に突出していることを特徴とする配線基板。 A base substrate; a conductive layer provided on the base substrate; an electrical pad provided on the conductive layer; and a portion of the conductive layer provided around the portion where the electrical pad is provided. And having an insulating layer,
The insulating substrate includes a metal oxide formed by oxidizing a metal constituting the conductive layer, and protrudes in a thickness direction as compared with the conductive layer. 前記絶縁層は、内部に空孔を有していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer has pores therein. 請求項１または請求項２に記載の配線基板の前記ベース基板の上に主走査方向に沿って複数の発熱素子が設けられていることを特徴とする記録ヘッド。   3. A recording head, wherein a plurality of heating elements are provided along the main scanning direction on the base substrate of the wiring board according to claim 1. 前記複数の発熱素子は、前記導電層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の記録ヘッド。   The recording head according to claim 3, wherein the plurality of heating elements are electrically connected to the conductive layer. 請求項３または請求項４に記載の記録ヘッドと、該記録ヘッドに記録媒体を搬送する搬送機構とを備えていることを特徴とする記録装置。   A recording apparatus comprising: the recording head according to claim 3; and a transport mechanism that transports a recording medium to the recording head. ベース基板を準備する第１の工程と、
前記ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、
前記導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第３の工程と、
前記絶縁層の近傍の前記導電層の上に電極パッドを形成する第４の工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。 A first step of preparing a base substrate;
A second step of forming a conductive film on the base substrate;
A third step in which a part of the conductive film is oxidized to form an insulating layer, and a non-oxidized portion of the conductive film is used as a conductive layer;
And a fourth step of forming an electrode pad on the conductive layer in the vicinity of the insulating layer. ベース基板を準備する第１の工程と、
前記ベース基板の上に導電膜を成膜する第２の工程と、
前記導電膜の上に電極パッドを形成する第３の工程と、
前記電気パッドの周囲の前記導電膜の一部を酸化して絶縁層を形成するとともに、当該導電膜の酸化しなかった部位を導電層とする第４の工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。 A first step of preparing a base substrate;
A second step of forming a conductive film on the base substrate;
A third step of forming an electrode pad on the conductive film;
And a fourth step of oxidizing a part of the conductive film around the electric pad to form an insulating layer and using a non-oxidized portion of the conductive film as a conductive layer. A method for manufacturing a substrate.
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