JP2010194856A - Recording head and recording apparatus equipped with the same - Google Patents

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JP2010194856A
JP2010194856A JP2009041990A JP2009041990A JP2010194856A JP 2010194856 A JP2010194856 A JP 2010194856A JP 2009041990 A JP2009041990 A JP 2009041990A JP 2009041990 A JP2009041990 A JP 2009041990A JP 2010194856 A JP2010194856 A JP 2010194856A
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Yosuke Iwamoto
陽介 岩本
Takahiro Shimozono
貴広 下園
Shinji Hirata
伸二 平田
Etsuo Iwanami
悦生 岩波
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a recording head high in reliability, and a recording apparatus. <P>SOLUTION: A thermal head 10 includes a head base body 20 which has heating parts 23a arranged along main scan directions D1 and D2, drive ICs 26, and conductive layers 24 connected with the heating parts or the drive ICs and prepared at both sides of each drive IC; and a wiring base body 30 which has a first wiring substrate, a second wiring substrate 32, and a wiring layer 33 set between the first and second wiring substrates and connected with the conductive layers. The second wiring substrate has a main extension 321 which extends along an end of the heating part side of the first wiring substrate, and a projecting part 322 which projects from the end of the first wiring substrate to the heating part side. The projecting part has an end of the heating part side along the main scan directions D1 and D2. The wiring layer has a first extension and a second extension which extend to the projecting part. The first extension and the second extension are connected with the conductive layers along the main scan directions D1 and D2. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の発熱部を有しているヘッド基体と、前記複数の発熱部に通電するために前記ヘッド基体と電気的に接続されている配線基体とを備えている記録ヘッドおよび記録装置に関する。   The present invention relates to a recording head and a recording apparatus including a head substrate having a plurality of heat generating portions, and a wiring substrate electrically connected to the head substrate to energize the plurality of heat generating portions. About.

ファクシミリやレジスターなどのプリンタとしては、サーマルヘッドおよびプラテンローラを備えるサーマルプリンタが用いられている。このようなサーマルプリンタに搭載されているサーマルヘッドとしては、基板表面上に配列されている複数の発熱部を有しているヘッド基体と、該ヘッド基体に対して主走査方向に沿って機械的に接続され、かつ複数の発熱部に対して電気的に接続されている配線基体とを備えているものがある。プラテンローラは、例えば感熱紙などの記録媒体を発熱部上に対して押し当てる機能を有するものである。このような構成のサーマルプリンタでは、所望の画像に応じて発熱部を発熱させるともに、発熱部上に記録媒体をプラテンローラで略均等に押圧することにより発熱部の発する熱を記録媒体に対して良好に伝達させている。記録媒体に対する所望の印画は、この処理を繰り返すことにより行われている。   As a printer such as a facsimile or a register, a thermal printer including a thermal head and a platen roller is used. As a thermal head mounted on such a thermal printer, a head base having a plurality of heat generating portions arranged on a substrate surface, and a mechanical structure along the main scanning direction with respect to the head base. And a wiring substrate that is electrically connected to a plurality of heat generating portions. The platen roller has a function of pressing a recording medium such as thermal paper against the heat generating portion. In the thermal printer having such a configuration, the heat generating portion generates heat according to a desired image, and the recording medium is pressed evenly on the heat generating portion with a platen roller, thereby generating heat generated by the heat generating portion with respect to the recording medium. Good transmission. Desired printing on the recording medium is performed by repeating this process.

上述のようなサーマルヘッドには、ヘッド基体と配線基体とが主走査方向に渡って機械的および電気的に接続されているものがあり、例えば特許文献1に記載されている。このようなサーマルヘッドでは、発熱部を発熱させた際に熱膨張が生じている。   Some of the thermal heads as described above have a head base and a wiring base that are mechanically and electrically connected in the main scanning direction. In such a thermal head, thermal expansion occurs when the heat generating portion generates heat.

特開平6−262790号公報JP-A-6-262790

このようなサーマルヘッドでは、発熱部を発熱させた際に熱膨張が生じている。この熱膨張の際に、ヘッド基体と配線基体との熱膨張係数が異なので、この熱膨張に起因する熱応力が主走査方向における端部に集中する。その結果、サーマルヘッドを繰り返し駆動して、発熱と放熱との熱サイクルが繰り返されると、配線基体がヘッド基体から剥がれてしまう場合があった。特に、この配線基体とヘッド基体との剥がれは、配線基体とヘッド基体との熱膨張係数の差が大きくなったり、配線基体中の導電材料が薄くなったりすると顕著に生じやすくなる。 In such a thermal head, thermal expansion occurs when the heat generating portion generates heat. At the time of this thermal expansion, since the thermal expansion coefficients of the head substrate and the wiring substrate are different, the thermal stress resulting from this thermal expansion is concentrated at the end in the main scanning direction. As a result, when the thermal head is repeatedly driven and the heat cycle of heat generation and heat dissipation is repeated, the wiring substrate may be peeled off from the head substrate. In particular, the peeling between the wiring substrate and the head substrate is likely to occur significantly when the difference in thermal expansion coefficient between the wiring substrate and the head substrate becomes large or the conductive material in the wiring substrate becomes thin.

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、熱に対して信頼性の高い記録ヘッドおよびそれを備えている記録装置を提供することを目的とする。   The present invention has been conceived under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a recording head having high reliability against heat and a recording apparatus including the recording head.

本発明の記録ヘッドは、ヘッド基板と、該ヘッド基板上に主走査方向に沿って配列されている複数の発熱素子と、前記主走査方向に沿って配列されている、前記複数の発熱素子の駆動を制御する複数の駆動素子と、前記複数の発熱素子または前記複数の駆動素子に接続されている、前記複数の駆動素子の各々の主走査方向における両側に設けられている複数の導電層とを有しているヘッド基体、および第1支持基板と、該第1支持基板に重ねて設けられている第2支持基板と、前記第1支持基板および前記第2支持基板の間に設けられている、前記複数の導電層に接続されている複数の配線を有している配線基体とを備えており、前記第2支持基板は、前記第1支持基板の前記端に沿って延びている主延部と、前記第1支持基板の前記発熱素子側の端より前記副走査方向における前記発熱素子側に突出している複数の突出部とを有しており、前記複数の突出部は、前記副走査方向における前記発熱素子側の端が前記主走査方向に沿っており、前記複数の配線は、前記複数の突出部に延出している複数の延出部を有しており、該複数の延出部は、前記複数の導電層に前記主走査方向に沿って接続されていることを特徴とする。   The recording head of the present invention includes a head substrate, a plurality of heating elements arranged along the main scanning direction on the head substrate, and the plurality of heating elements arranged along the main scanning direction. A plurality of driving elements for controlling driving; and a plurality of conductive layers provided on both sides in the main scanning direction of each of the plurality of driving elements connected to the plurality of heating elements or the plurality of driving elements; A head base, a first support substrate, a second support substrate provided to overlap the first support substrate, and the first support substrate and the second support substrate. A wiring base having a plurality of wirings connected to the plurality of conductive layers, and the second support substrate extends along the end of the first support substrate. And the heating element of the first support substrate A plurality of projecting portions projecting toward the heat generating element in the sub-scanning direction from the end on the side, and the plurality of projecting portions are arranged such that the end on the heat generating element side in the sub-scanning direction is the main scanning. The plurality of wirings have a plurality of extending portions extending to the plurality of projecting portions, and the plurality of extending portions are formed on the plurality of conductive layers in the main scanning. It is connected along the direction.

本発明の記録ヘッドにおいて、前記複数の導電層は、前記配線基体側の端が前記主走査方向に沿って延びていることが好ましい。   In the recording head according to the aspect of the invention, it is preferable that the ends of the plurality of conductive layers on the wiring substrate side extend along the main scanning direction.

本発明の記録ヘッドにおいて、前記複数の突出部は、前記発熱素子側に突出するにつれて主走査方向に沿った幅が狭くなっていることが好ましい。   In the recording head according to the aspect of the invention, it is preferable that the plurality of projecting portions have a narrower width along the main scanning direction as projecting toward the heating element.

本発明の記録ヘッドにおいて、前記複数の配線は、第1配線パターンを含んでおり、該第1配線パターンは、前記第2支持基板の前記主延部および前記突出部における前記発熱素子側の端に沿って設けられていることが好ましい。この記録ヘッドにおいて、前記複数の配線は、第2配線パターンを含んでおり、該第2配線パターンは、前記発熱素子側の端が前記第1配線パターンに沿って設けられていることがより好ましい。   In the recording head according to the aspect of the invention, the plurality of wirings include a first wiring pattern, and the first wiring pattern is an end on the heat generating element side in the main extending portion and the protruding portion of the second support substrate. It is preferable that it is provided along. In the recording head, it is preferable that the plurality of wirings include a second wiring pattern, and the second wiring pattern is provided with an end on the heating element side along the first wiring pattern. .

本発明の記録ヘッドにおいて、前記ヘッド基体は、前記複数の導電層の一部を覆う保護層を有しており、該保護層は、前記配線基体側の端が前記第2支持基板の前記発熱素子側の端に沿って延びていることが好ましい。   In the recording head of the present invention, the head substrate has a protective layer that covers a part of the plurality of conductive layers, and the protective layer has an end on the wiring substrate side that is the heat generation of the second support substrate. It is preferable to extend along the end on the element side.

本発明の記録ヘッドにおいて、前記複数の配線は、前記複数の駆動素子間に比べて前記複数の駆動素子の前記主走査方向における両端において、複数の導電層に対する接続面積が小さくなっていることが好ましい。   In the recording head according to the aspect of the invention, the plurality of wirings may have a smaller connection area to the plurality of conductive layers at both ends of the plurality of driving elements in the main scanning direction than between the plurality of driving elements. preferable.

本発明の記録装置は、本発明の記録ヘッドと、記録媒体を搬送する搬送部とを備えていることを特徴とする。   A recording apparatus of the present invention includes the recording head of the present invention and a transport unit that transports a recording medium.

本発明の記録ヘッドは、ヘッド基板と、該ヘッド基板上に主走査方向に沿って配列されている複数の発熱素子と、主走査方向に沿って配列されている、複数の発熱素子の駆動を制御する複数の駆動素子と、複数の発熱素子または複数の駆動素子に接続されている、複数の駆動素子の各々の主走査方向における両側に設けられている複数の導電層とを有しているヘッド基体、および第1支持基板と、該第1支持基板に重ねて設けられている第2支持基板と、第1支持基板および第2支持基板の間に設けられている、複数の導電層に接続されている複数の配線を有している配線基体とを備えており、第2支持基板は、第1支持基板の発熱素子側の端に沿って延びている主延部と、第1支持基板の端より副走査方向における発熱素子側に突出している複数の突出部とを有しており、複数の突出部は、副走査方向における発熱素子側の端が主走査方向に沿っており、複数の配線は、複数の突出部に延出している複数の延出部を有しており、該複数の延出部は、複数の導電層に主走査方向に沿って接続されている。そのため、本発明の記録ヘッドでは、配線基体に加わる熱応力が当該第2支持基板の発熱素子側の端と配線との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、この記録ヘッドでは、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   The recording head of the present invention drives a head substrate, a plurality of heating elements arranged on the head substrate along the main scanning direction, and a plurality of heating elements arranged along the main scanning direction. A plurality of drive elements to be controlled, and a plurality of heat generating elements or a plurality of conductive layers provided on both sides in the main scanning direction of each of the plurality of drive elements connected to the plurality of drive elements. A plurality of conductive layers provided between the first support substrate and the second support substrate; a head base; a first support substrate; a second support substrate provided to overlap the first support substrate; A wiring base having a plurality of connected wirings, the second support substrate having a main extension extending along an end of the first support substrate on the side of the heating element, and a first support Projecting from the edge of the substrate toward the heating element in the sub-scanning direction A plurality of protrusions, and the plurality of protrusions have heat generating element side ends in the sub-scanning direction along the main scanning direction, and the plurality of wirings extend to the plurality of protrusions. The plurality of extending portions are connected to the plurality of conductive layers along the main scanning direction. Therefore, in the recording head of the present invention, it is possible to reduce the occurrence of variations in the thermal stress applied to the wiring substrate between the end of the second support substrate on the heating element side and the wiring. Therefore, in this recording head, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

本発明の記録ヘッドにおいて、複数の導電層は、配線基体側の端が主走査方向に沿って延びている場合、当該第2支持基板の発熱素子側の端と、突出部との熱応力のバラツキを低減することができる。したがって、この記録ヘッドでは、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   In the recording head of the present invention, when the plurality of conductive layers extend along the main scanning direction at the end of the wiring substrate side, the heat stress between the end of the second support substrate on the side of the heating element and the protruding portion is increased. Variations can be reduced. Therefore, in this recording head, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

本発明の記録ヘッドにおいて、複数の突出部は、発熱素子側に向かうにつれて主走査方向に沿った幅が狭くなっている場合、主延部と突出部との交差角度を小さくすることができ、局所に熱応力が集中するのを低減することができる。したがって、本発明の記録ヘッドでは、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   In the recording head of the present invention, when the width of the plurality of protruding portions along the main scanning direction becomes narrower toward the heating element side, the crossing angle between the main extending portion and the protruding portion can be reduced. Concentration of thermal stress locally can be reduced. Therefore, in the recording head of the present invention, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

本発明の記録ヘッドにおいて、複数の配線は、第1配線パターンを含んでおり、該第1配線パターンは、第2支持基板の主延部および突出部における発熱素子側の端に沿って設けられている場合、突出部に加わる熱応力が第2支持基板の発熱素子側の端と第1配線パターンとの間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、この記録ヘッドでは、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。また、この記録ヘッドにおいて、複数の配線は、第2配線パターンを含んでおり、該第2配線パターンは、発熱素子側の端が第1配線パターンに沿って設けられている場合、突出部に加わる熱応力が第1配線パターンと第2配線パターンとの間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、この記録ヘッドでは、熱膨張による電気的な断線をさらに低減することができ、信頼性をさらに高めることができる。   In the recording head of the present invention, the plurality of wirings include a first wiring pattern, and the first wiring pattern is provided along the end on the heat generating element side in the main extending portion and the protruding portion of the second support substrate. In this case, it is possible to reduce the variation in thermal stress applied to the protruding portion between the end of the second support substrate on the heat generating element side and the first wiring pattern. Therefore, in this recording head, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved. Further, in this recording head, the plurality of wirings include the second wiring pattern, and the second wiring pattern is formed on the protruding portion when the end on the heating element side is provided along the first wiring pattern. It is possible to reduce the variation of the applied thermal stress between the first wiring pattern and the second wiring pattern. Therefore, in this recording head, electrical disconnection due to thermal expansion can be further reduced, and reliability can be further improved.

本発明の記録ヘッドにおいて、ヘッド基体は、複数の導電層の一部を覆う保護層を有しており、該保護層は、配線基体側の端が第2支持基板の発熱素子側の端に沿って延びている場合、保護層と第2支持基板との間で熱応力にバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、本発明の記録ヘッドでは、熱膨張による電気的な断線をより低減することができ、信頼性をより高めることができる。   In the recording head of the present invention, the head substrate has a protective layer that covers a part of the plurality of conductive layers, and the protective layer has an end on the wiring substrate side at an end on the heating element side of the second support substrate. When extending along, the variation in thermal stress between the protective layer and the second support substrate can be reduced. Therefore, in the recording head of the present invention, electrical disconnection due to thermal expansion can be further reduced, and reliability can be further improved.

本発明の記録ヘッドにおいて、複数の配線は、複数の駆動素子間に比べて複数の駆動素子の主走査方向における両端において、複数の導電層に対する接続面積が小さくなっている場合でも、熱膨張による電気的な断線をより低減することができ、信頼性をより高めることができる。   In the recording head of the present invention, the plurality of wirings are caused by thermal expansion even when the connection areas to the plurality of conductive layers are smaller at both ends in the main scanning direction of the plurality of driving elements than between the plurality of driving elements. Electrical disconnection can be further reduced, and reliability can be further increased.

本発明の記録装置は、本発明の記録ヘッドと、記録媒体を搬送する搬送機構とを備える。そのため、本発明の記録装置は、上述した記録ヘッドの有する効果を享受することができる。したがって、本発明の記録装置によれば、信頼性を高めることができる。   The recording apparatus of the present invention includes the recording head of the present invention and a transport mechanism for transporting a recording medium. Therefore, the recording apparatus of the present invention can enjoy the effects of the above-described recording head. Therefore, according to the recording apparatus of the present invention, reliability can be improved.

本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッドの第1の実施形態の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a first embodiment of a thermal head that is an example of an embodiment of a recording head of the present invention. FIG. 図1に示したサーマルヘッドの要部を拡大した平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of the thermal head shown in FIG. 1. 図1に示したサーマルヘッドを構成するヘッド基体の要部を拡大した平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of a head substrate constituting the thermal head shown in FIG. 1. 図3に示したヘッド基体の保護層を省略した平面図である。FIG. 4 is a plan view in which a protective layer of the head base shown in FIG. 3 is omitted. 図3に示したV−V線に沿った断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line VV shown in FIG. 3. 図1に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the wiring base | substrate which comprises the thermal head shown in FIG. 1 was expanded. 本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッドの第2の実施形態の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of 2nd Embodiment of the thermal head which is an example of embodiment of the recording head of this invention. 図7に示したサーマルヘッドの要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the thermal head shown in FIG. 7 was expanded. 図7に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the wiring base | substrate which comprises the thermal head shown in FIG. 7 was expanded. 本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッドの第3の実施形態の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of 3rd Embodiment of the thermal head which is an example of embodiment of the recording head of this invention. 図10に示したサーマルヘッドの要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the thermal head shown in FIG. 10 was expanded. 図10に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the wiring base | substrate which comprises the thermal head shown in FIG. 10 was expanded. 本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッドの第4の実施形態の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of 4th Embodiment of the thermal head which is an example of embodiment of the recording head of this invention. 図13に示したサーマルヘッドの要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the thermal head shown in FIG. 13 was expanded. 図13に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の要部を拡大した平面図である。It is the top view to which the principal part of the wiring base | substrate which comprises the thermal head shown in FIG. 13 was expanded. 本発明の記録装置の実施形態の一例であるサーマルプリンタの概略構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a thermal printer which is an example of an embodiment of a recording apparatus of the present invention. 図6に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の変形例を示した平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a modification of the wiring substrate constituting the thermal head shown in FIG. 6. 図6に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の変形例を示した平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a modification of the wiring substrate constituting the thermal head shown in FIG. 6. 図6に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の変形例を示した平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a modification of the wiring substrate constituting the thermal head shown in FIG. 6. 図12に示したサーマルヘッドを構成する配線基体の変形例を示した平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a modification of the wiring substrate constituting the thermal head shown in FIG. 12.

<記録ヘッドの第1実施形態>
図1〜6に示した本発明の記録ヘッドの実施形態の一例であるサーマルヘッド10は、ヘッド基体20と、配線基体30と、載置基板40とを含んで構成されている。
<First Embodiment of Recording Head>
A thermal head 10 which is an example of an embodiment of the recording head of the present invention shown in FIGS. 1 to 6 includes a head substrate 20, a wiring substrate 30, and a mounting substrate 40.

ヘッド基体20は、ヘッド基板21と、蓄熱層22と、電気抵抗層23と、導電層24と、保護層25と、制御素子としての制御IC26とを含んで構成されている。   The head base 20 includes a head substrate 21, a heat storage layer 22, an electric resistance layer 23, a conductive layer 24, a protective layer 25, and a control IC 26 as a control element.

ヘッド基板21は、蓄熱層22と、電気抵抗層23と、導電層24と、保護層25と、制御IC26とを支持する機能を有するものである。このヘッド基板21は、平面視において主走査方向D1,D2に延びる矩形状に構成されている。ここで、「平面視」とは、厚み方向D5,D6におけるD6方向視のことをいう。このヘッド基板21を形成する材料としては、例えばアルミナセラミックスなどのセラミックスと、エポキシ系樹脂およびシリコン系樹脂などの樹脂材料と、シリコン材料と、ガラス材料などの絶縁材料とが挙げられる。本実施形態においてヘッド基板21は、アルミナセラミックスにより形成されており、その熱膨張係数は、約7.3×10−6−1である。なお、本実施形態のヘッド基体20の熱膨張係数は、基材であるヘッド基板21の構成材料の熱膨張係数に略等しくなっている。また、このヘッド基板21の厚み方向D5,D6におけるD5方向側の上面には、蓄熱層22が全体に渡って設けられている。 The head substrate 21 has a function of supporting the heat storage layer 22, the electric resistance layer 23, the conductive layer 24, the protective layer 25, and the control IC 26. The head substrate 21 is configured in a rectangular shape extending in the main scanning directions D1 and D2 in plan view. Here, the “plan view” means a view in the D6 direction in the thickness directions D5 and D6. Examples of a material for forming the head substrate 21 include ceramics such as alumina ceramics, resin materials such as epoxy resins and silicon resins, silicon materials, and insulating materials such as glass materials. In this embodiment, the head substrate 21 is made of alumina ceramics, and its thermal expansion coefficient is about 7.3 × 10 −6 K −1 . It should be noted that the thermal expansion coefficient of the head base 20 of the present embodiment is substantially equal to the thermal expansion coefficient of the constituent material of the head substrate 21 that is a base material. Further, a heat storage layer 22 is provided over the entire upper surface of the head substrate 21 in the thickness direction D5, D6 on the D5 direction side.

蓄熱層22は、電気抵抗層23の後述する発熱部23aにおいて発生する熱の一部を一時的に蓄積する機能を有するものである。すなわち、蓄熱層22は、発熱部23aの温度を上昇させるのに要する時間を短くして、サーマルヘッド10の熱応答特性を高める役割を担うものである。この蓄熱層22を形成する材料としては、例えば石英ガラスが挙げられる。この蓄熱層22は、基部22aと、突出部22bとを有している。   The heat storage layer 22 has a function of temporarily storing a part of heat generated in a heat generating portion 23a described later of the electric resistance layer 23. That is, the heat storage layer 22 plays a role of improving the thermal response characteristics of the thermal head 10 by shortening the time required to raise the temperature of the heat generating portion 23a. An example of a material for forming the heat storage layer 22 is quartz glass. The heat storage layer 22 has a base portion 22a and a protruding portion 22b.

基部22aは、ヘッド基板21の上面全体に渡って略平坦状に設けられている。   The base portion 22 a is provided in a substantially flat shape over the entire top surface of the head substrate 21.

突出部22bは、記録媒体を発熱部23a上に位置する保護層25に対して良好に押し当てるのに寄与する部位である。この突出部22bは、基部22aより厚み方向D5,D6におけるD5方向に突出している。また、この突出部22bは、主走査方向D1,D2に延びる帯状に構成されている。この突出部22bは、主走査方向D1,D2に直交する副走査方向D3,D4における断面形状が略半楕円状に構成されている。   The protrusion 22b is a part that contributes to pressing the recording medium favorably against the protective layer 25 located on the heat generating part 23a. The protrusion 22b protrudes in the direction D5 in the thickness directions D5 and D6 from the base 22a. Further, the protruding portion 22b is formed in a strip shape extending in the main scanning directions D1 and D2. The protrusion 22b has a substantially semi-elliptical cross section in the sub-scanning directions D3 and D4 orthogonal to the main scanning directions D1 and D2.

電気抵抗層23は、電力供給によって発熱する発熱素子として機能する発熱部23aを有している。この電気抵抗層23は、単位長さ当たりの電気抵抗値が導電層24の単位長さ当たりの電気抵抗値に比べて大きくなるように構成されている。この電気抵抗層23を形成する材料としては、例えばTaN系材料と、TaSiO系材料と、TaSiNO系材料と、TiSiO系材料と、TiSiCO系材料と、NbSiO系材料とが挙げられる。ここで「〜を主とする材料」とは、主とする材料が全体に対して50質量%以上であるものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。この電気抵抗層23は、蓄熱層22上に設けられており、一部が突出部22b上に設けられている。本実施形態では、導電層24から電圧が印加される電気抵抗層23のうち導電層24が上に形成されていない部位が発熱部23aとして機能している。   The electrical resistance layer 23 has a heat generating portion 23a that functions as a heat generating element that generates heat when power is supplied. The electrical resistance layer 23 is configured such that the electrical resistance value per unit length is larger than the electrical resistance value per unit length of the conductive layer 24. Examples of the material for forming the electric resistance layer 23 include TaN-based materials, TaSiO-based materials, TaSiNO-based materials, TiSiO-based materials, TiSiCO-based materials, and NbSiO-based materials. Here, the “material mainly comprising” means that the principal material is 50% by mass or more based on the whole, and may contain, for example, an additive. The electrical resistance layer 23 is provided on the heat storage layer 22, and a part thereof is provided on the protrusion 22b. In the present embodiment, a portion of the electrical resistance layer 23 to which a voltage is applied from the conductive layer 24 where the conductive layer 24 is not formed functions as the heat generating portion 23a.

発熱部23aは、電力供給により発熱する発熱素子として機能する部位である。この発熱部23aは、導電層24からの電力供給による発熱温度が例えば200℃以上550℃以下の範囲となるように構成されている。この発熱部23aは、蓄熱層22の突出部22b上に位置しており、主走査方向D1,D2に沿って略同一の離間距離で配列されている。また、この発熱部23aは、平面視において、各々が矩形状に構成されている。さらに、発熱部23aは、各々の主走査方向D1,D2に沿う幅が略同一の長さに構成されている。また、発熱部23aは、各々の副走査方向D3,D4に沿う長さも略同一の長さに構成されている。ここで、「略同一」とは、一般的な製造誤差範囲内のものが含まれ、例えば各部位の長さの平均値に対する誤差が10%以内の範囲が挙げられる。ここで、一つの発熱部23aの中心と該発熱部23aに隣接する他の発熱部23aの中心との離間距離としては、例えば5.2μm以上84.7μm以下の範囲が挙げられる。   The heat generating part 23a is a part that functions as a heat generating element that generates heat by supplying power. The heat generating portion 23a is configured such that the heat generation temperature due to power supply from the conductive layer 24 is in the range of 200 ° C. or higher and 550 ° C. or lower, for example. The heat generating portion 23a is located on the protruding portion 22b of the heat storage layer 22, and is arranged at substantially the same distance along the main scanning directions D1 and D2. In addition, each of the heat generating portions 23a is configured in a rectangular shape in plan view. Further, the heat generating portion 23a is configured to have substantially the same width along the main scanning directions D1 and D2. Further, the heat generating portion 23a is configured to have substantially the same length along the sub-scanning directions D3 and D4. Here, “substantially the same” includes those within a general manufacturing error range, for example, a range in which an error with respect to the average value of the length of each part is within 10%. Here, examples of the distance between the center of one heat generating portion 23a and the center of another heat generating portion 23a adjacent to the heat generating portion 23a include a range of 5.2 μm or more and 84.7 μm or less.

導電層24は、電気抵抗層23上に設けられている。また、この導電層24は、第1導電層241と、第2導電層242と、第3導電層243を含んで構成されている。導電層24を主として形成する材料としては、例えばアルミニウム、金、銀、および銅のいずれか一種の金属、またはこれらの合金が挙げられる。   The conductive layer 24 is provided on the electric resistance layer 23. The conductive layer 24 includes a first conductive layer 241, a second conductive layer 242, and a third conductive layer 243. As a material for mainly forming the conductive layer 24, for example, any one metal of aluminum, gold, silver, and copper, or an alloy thereof can be given.

第1導電層241は、各々の一端部が個々の発熱部23aの一端部側に電気的に独立に接続されている。この第1導電層241は、発熱部23aへの電力を供給するのに寄与している。   One end of each first conductive layer 241 is electrically connected independently to one end of each heat generating portion 23a. The first conductive layer 241 contributes to supplying power to the heat generating portion 23a.

第2導電層242は、端部が複数の発熱部23aの他端部側および配線基体30に接続されている。この第2導電層242は、第1導電層241と対となって発熱部23aに対して電力を供給するのに寄与している。   The second conductive layer 242 has an end connected to the other end of the plurality of heat generating portions 23 a and the wiring substrate 30. The second conductive layer 242 is paired with the first conductive layer 241 and contributes to supplying power to the heat generating portion 23a.

第3導電層243は、第1導電層241と離間して配置されている。この第3導電層243は、複数の駆動IC26間、および複数の駆動IC26の主走査方向D1,D2における両端の領域に設けられている。つまり、この第3導電層243は、駆動IC26の主走査方向D1,D2における両側に設けられている。また、この第3導電層243は、制御IC26および配線基体30に接続されている。本実施形態の第3導電層243は、第1制御部243aと、第2制御部243bと、第3制御部243cとを含んで構成されている。   The third conductive layer 243 is disposed away from the first conductive layer 241. The third conductive layer 243 is provided between the plurality of drive ICs 26 and in regions at both ends of the plurality of drive ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2. That is, the third conductive layer 243 is provided on both sides of the drive IC 26 in the main scanning directions D1 and D2. The third conductive layer 243 is connected to the control IC 26 and the wiring substrate 30. The third conductive layer 243 of the present embodiment includes a first control unit 243a, a second control unit 243b, and a third control unit 243c.

第1制御部243aは、制御IC26の電源電力を供給するのに寄与するものである。この第1制御部243aは、複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って並んでいる。また、この第1制御部243aは、主走査方向D1,D2における駆動IC26間、および配列している駆動IC26の両側に設けられている。さらに、第1制御部243aは、副走査方向D3,D4におけるD4方向側の端が主走査方向D1,D2に沿って延びている。   The first control unit 243a contributes to supply power source power for the control IC 26. A plurality of the first control units 243a are provided and are arranged along the main scanning directions D1 and D2. The first control unit 243a is provided between the drive ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2 and on both sides of the arranged drive ICs 26. Further, in the first control unit 243a, the end on the D4 direction side in the sub scanning directions D3 and D4 extends along the main scanning directions D1 and D2.

第2制御部243bは、制御IC26を介して第1導電層241に接続されるものである。この第2制御部243bは、複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って並んでいる。また、この第2制御部243bは、主走査方向D1,D2における駆動IC26間、および配列している駆動IC26の両側に設けられている。さらに、第2制御部243bは、副走査方向D3,D4におけるD4方向側の端が主走査方向D1,D2に沿って延びている。   The second control unit 243b is connected to the first conductive layer 241 via the control IC 26. A plurality of second control units 243b are provided and are arranged along the main scanning directions D1 and D2. The second control unit 243b is provided between the drive ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2 and on both sides of the arranged drive ICs 26. Further, in the second control unit 243b, the end on the D4 direction side in the sub scanning directions D3 and D4 extends along the main scanning directions D1 and D2.

第3制御部243cは、制御IC26の駆動信号を伝送するのに寄与するものである。このような駆動信号としては、例えば駆動させる発熱部23aを選択する選択駆動信号と、発熱部23aを駆動させるタイミングを制御するタイミング信号とが挙げられる。この第3制御部243c、複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って配列している駆動IC26の両端側に設けられている。   The third control unit 243c contributes to transmitting the drive signal of the control IC 26. Examples of such a drive signal include a selection drive signal for selecting the heat generating unit 23a to be driven and a timing signal for controlling the timing for driving the heat generating unit 23a. A plurality of third control units 243c are provided, and are provided at both ends of the drive ICs 26 arranged along the main scanning directions D1 and D2.

保護層25は、第1保護層251と、第2保護層252とを含んで構成されている。なお、図4においては、保護層25を省略している。   The protective layer 25 includes a first protective layer 251 and a second protective layer 252. In FIG. 4, the protective layer 25 is omitted.

第1保護層251は、発熱部23aと、導電層24の一部とを保護する機能を有するものである。第1保護層251は、発熱部23aと、導電層24の第1導電層241の一部および第2導電層242の一部とを覆っている。第1保護層251を主として形成する材料としては、例えばダイヤモンドライクカーボン材料と、SiC系材料と、SiN系材料と、SiCN系材料と、SiON系材料と、SiONC系材料と、SiAlON系材料と、SiO系材料と、Ta系材料と、TaSiO系材料と、TiC系材料と、TiN系材料と、TiO系材料と、TiB系材料と、AlC系材料と、AlN系材料と、Al系材料と、ZnO系材料と、BC系材料と、BN系材料とが挙げられる。ここで「ダイヤモンドライクカーボン材料」とは、sp混成軌道をとる炭素原子(C原子)の割合が1原子%以上100原子%未満の範囲である膜をいう。また、ここで「〜を主とする材料」とは、主とする材料が全体に対して50質量%以上であるものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。 The first protective layer 251 has a function of protecting the heat generating portion 23 a and a part of the conductive layer 24. The first protective layer 251 covers the heat generating portion 23 a and part of the first conductive layer 241 and part of the second conductive layer 242 of the conductive layer 24. As a material mainly forming the first protective layer 251, for example, diamond-like carbon material, SiC-based material, SiN-based material, SiCN-based material, SiON-based material, SiONC-based material, SiAlON-based material, SiO 2 -based material, Ta 2 O 5 -based material, TaSiO-based material, TiC-based material, TiN-based material, TiO 2 -based material, TiB 2 -based material, AlC-based material, and AlN-based material Al 2 O 3 -based material, ZnO-based material, B 4 C-based material, and BN-based material. Here, “diamond-like carbon material” refers to a film in which the proportion of carbon atoms (C atoms) taking sp 3 hybrid orbits is in the range of 1 atomic% to less than 100 atomic%. In addition, the “material mainly composed of” herein means that the principal material is 50% by mass or more based on the whole, and for example, an additive may be included.

第2保護層252は、導電層24の第1導電層241の一部、第2導電層242の一部、および第3導電層243の一部を保護する機能を有するものであり、第1導電層241の一部、第2導電層242の一部、および第3導電層243の一部を覆っている。第2保護層252を形成する材料としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、およびフッ素系樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型などの樹脂が挙げられる。本実施形態における第2保護層252は、第1保護層251の形成後に、第1導電層241、第2導電層242、および第3導電層243の各々の上に流動性を有する第2保護層252の前駆体を塗布し、当該前駆体を硬化することによって形成されている。この前駆体としては、例えば有機溶媒を用いて上述の樹脂材料を希釈したものが挙げられる。この第2保護層252は、第1導電層241および第2導電層242の副走査方向D3,D4におけるD4方向側の端部を含む領域を覆っておらず、第1導電層241および第2導電層242の当該端部は、第2保護層252から露出している。また、この第2保護層252は、第3導電層243の両端部を含む領域を覆っておらず、第3導電層243の当該両端部は、第2保護層252から露出している。本実施形態の第2保護層252は、副走査方向D3,D4におけるD4方向側の端が後述の配線基体30の副走査方向D3,D4におけるD3方向側の端に沿って延びている。   The second protective layer 252 has a function of protecting a part of the first conductive layer 241, a part of the second conductive layer 242, and a part of the third conductive layer 243 of the conductive layer 24. Part of the conductive layer 241, part of the second conductive layer 242, and part of the third conductive layer 243 are covered. Examples of the material for forming the second protective layer 252 include thermosetting or ultraviolet curable resins such as epoxy resins, silicone resins, and fluorine resins. In the present embodiment, the second protective layer 252 is a second protective layer having fluidity on each of the first conductive layer 241, the second conductive layer 242, and the third conductive layer 243 after the first protective layer 251 is formed. It is formed by applying the precursor of the layer 252 and curing the precursor. As this precursor, what diluted the above-mentioned resin material using the organic solvent is mentioned, for example. The second protective layer 252 does not cover the region including the end of the first conductive layer 241 and the second conductive layer 242 on the D4 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4, and does not cover the first conductive layer 241 and the second conductive layer 252. The end portion of the conductive layer 242 is exposed from the second protective layer 252. Further, the second protective layer 252 does not cover a region including both ends of the third conductive layer 243, and both ends of the third conductive layer 243 are exposed from the second protective layer 252. In the second protective layer 252 of this embodiment, the end on the D4 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4 extends along the end on the D3 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4 of the wiring substrate 30 described later.

制御IC26は、複数の発熱部23aの発熱を制御する機能を有するものである。この制御IC26は、副走査方向D3,D4において発熱部23aと離間して配されている。また、この制御IC26は、主走査方向D1,D2に沿って配列されている。この制御IC26は、複数の第1導電層241の他端部と、第3導電層243の一端部とに接続されている。このような構成とすることにより、制御IC26は、第3導電層243の第3制御部243cを介して入力される駆動信号に基づいて、第1導電層241と第2制御部243bとの電気的な接続を制御することで、発熱部23aに供給される電力を選択的に制御して、発熱を制御することができる。   The control IC 26 has a function of controlling the heat generation of the plurality of heat generating portions 23a. The control IC 26 is disposed away from the heat generating portion 23a in the sub-scanning directions D3 and D4. The control ICs 26 are arranged along the main scanning directions D1 and D2. The control IC 26 is connected to the other ends of the plurality of first conductive layers 241 and one end of the third conductive layer 243. By adopting such a configuration, the control IC 26 performs electrical connection between the first conductive layer 241 and the second control unit 243b based on the drive signal input via the third control unit 243c of the third conductive layer 243. By controlling the general connection, the power supplied to the heat generating portion 23a can be selectively controlled to control the heat generation.

配線基体30は、第1支持基板31と、第2支持基板32と、配線層33と、外部接続部材34とを備えている。   The wiring substrate 30 includes a first support substrate 31, a second support substrate 32, a wiring layer 33, and an external connection member 34.

第1支持基板31および第2支持基板32は、配線層33を支持する機能を有するものである。この第1支持基板31を形成する材料としては、例えばセラミックス、樹脂、およびセラミックスと樹脂との複合材が挙げられる。このセラミックスとしては、例えばアルミナセラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、窒化珪素セラミックス、ガラスセラミックス、およびムライトセラミックスが挙げられる。また、この樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリエステル樹脂などの熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂が挙げられる。これらの形成材料の中でも、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、およびアクリル系樹脂などの可撓性を有する樹脂を採用することがより好ましい。ここで、「可撓性」とは、JIS規格K7171:1994に規定される曲げ弾性率が例えば2.5×10N/mm以上4.5×10N/mm以下であることをいう。本実施形態の第1支持基板31は、ポリイミド系樹脂により形成されている。このポリイミド系樹脂を採用した第1支持基板31の熱膨張係数は、約10×10−6−1である。また、本実施形態の第1支持基板31は、平面視において主走査方向D1,D2に延びる矩形状に構成されている。また、この第1支持基板31は、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の一端31aが主走査方向D1,D2に沿って延びている。 The first support substrate 31 and the second support substrate 32 have a function of supporting the wiring layer 33. Examples of the material for forming the first support substrate 31 include ceramics, resins, and composite materials of ceramics and resins. Examples of this ceramic include alumina ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon nitride ceramics, glass ceramics, and mullite ceramics. Examples of this resin include thermosetting or ultraviolet curable resins such as epoxy resins, polyimide resins, acrylic resins, phenol resins, and polyester resins. Among these forming materials, it is more preferable to employ a flexible resin such as a polyimide resin, an epoxy resin, and an acrylic resin. Here, “flexibility” means that the flexural modulus defined by JIS standard K7171: 1994 is, for example, 2.5 × 10 3 N / mm 2 or more and 4.5 × 10 3 N / mm 2 or less. Say. The first support substrate 31 of this embodiment is formed of a polyimide resin. The first support substrate 31 employing this polyimide resin has a thermal expansion coefficient of about 10 × 10 −6 K −1 . Further, the first support substrate 31 of the present embodiment is configured in a rectangular shape extending in the main scanning directions D1 and D2 in plan view. Further, the first support substrate 31 has one end 31a on the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub-scanning directions D3 and D4 extending along the main scanning directions D1 and D2.

第2支持基板32は、第1支持基板31と対となって配線層33の電気的な絶縁性を確保する機能を担っている。ここで「絶縁」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいい、例えば電気抵抗率が1.0×1012Ω・cm以上であることをいう。この第2支持基板32を形成する材料としては、例えば例セラミックス、樹脂、およびセラミックスと樹脂との複合材などの第1支持基板31で挙げた材料が挙げられる。本実施形態の第2支持基板32は、第1支持基板31と同じポリイミド系樹脂により形成されている。本実施形態の第2支持基板32は、主延部321と、突出部322とを含んで構成されている。 The second support substrate 32 functions as a pair with the first support substrate 31 to ensure electrical insulation of the wiring layer 33. Here, “insulation” refers to the extent to which current does not substantially flow. For example, the electrical resistivity is 1.0 × 10 12 Ω · cm or more. Examples of the material forming the second support substrate 32 include the materials mentioned in the first support substrate 31 such as ceramics, resin, and a composite material of ceramics and resin. The second support substrate 32 of this embodiment is formed of the same polyimide resin as that of the first support substrate 31. The second support substrate 32 of the present embodiment is configured to include a main extending portion 321 and a protruding portion 322.

主延部321は、平面視において主走査方向D1,D2に延びる矩形状に構成されている。また、この主延部321は、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の一端321aが主走査方向D1,D2に沿って延びている。つまり、この主延部321の一端321aは、第1支持基板31の一端31aと重なって延びている。   The main extension 321 is configured in a rectangular shape extending in the main scanning directions D1 and D2 in plan view. Further, the main extending portion 321 has one end 321a on the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub scanning directions D3 and D4 extending along the main scanning directions D1 and D2. That is, one end 321 a of the main extending portion 321 extends so as to overlap the one end 31 a of the first support substrate 31.

突出部322は、主延部321の一端321aより副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)に突出している。この突出部322は、複数の駆動IC26間、および複数の駆動IC26の主走査方向D1,D2における両端の領域に位置するように設けられている。つまり、この突出部322は、駆動IC26の主走査方向D1,D2における両側に位置するように設けられている。また、この突出部322は、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)に向かうにつれて、主走査方向D1,D2に沿った幅が狭くなるように構成されている。つまり、この突出部322は、発熱部23a側に突出するにつれて、主走査方向D1,D2に沿った幅が狭くなるように構成されている。また、この突出部322は、主走査方向D1,D2における両端322aと、主延部321の一端321aに対する交差角度が鋭角となっている。ここで、「交差角度」とは、突出部322の主走査方向D1,D2における端322aが延びる方向が、主延部321の一端321aが延びる方向に対して交差する角度をいう。さらに、この突出部322は、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の一端322bが主走査方向D1,D2に沿って延びている。またさらに、主走査方向D1,D2に配列している突出部322のうち両端に位置する突出部322は、他の突出部322に比べて主走査方向D1,D2に沿った幅が広くなっている。   The protruding portion 322 protrudes from the one end 321a of the main extending portion 321 to the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub-scanning directions D3 and D4. The protrusions 322 are provided so as to be located between the plurality of drive ICs 26 and in the regions at both ends of the plurality of drive ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2. That is, the protrusions 322 are provided so as to be located on both sides of the drive IC 26 in the main scanning directions D1 and D2. Further, the protruding portion 322 is configured such that the width along the main scanning directions D1 and D2 becomes narrower toward the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub-scanning directions D3 and D4. That is, the protrusion 322 is configured such that the width along the main scanning directions D1 and D2 becomes narrower as it protrudes toward the heat generating part 23a. In addition, the protruding portion 322 has an acute angle with respect to both ends 322a in the main scanning directions D1 and D2 and one end 321a of the main extending portion 321. Here, the “intersection angle” refers to an angle at which the direction in which the end 322a in the main scanning directions D1 and D2 of the protrusion 322 extends intersects the direction in which the one end 321a of the main extension 321 extends. Further, the protruding portion 322 has one end 322b on the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub scanning directions D3 and D4 extending along the main scanning directions D1 and D2. Furthermore, the protrusions 322 located at both ends of the protrusions 322 arranged in the main scanning directions D1 and D2 have a wider width along the main scanning directions D1 and D2 than the other protrusions 322. Yes.

配線層33は、発熱部23aを駆動するのに寄与する電気信号をヘッド基体20に供給するのに寄与するものである。この配線層33は、厚み方向D5,D6において、第1支持基板31と第2支持基板32との間に設けられている。この配線層33を形成する材料としては、例えばアルミニウム、金、銀、および銅のいずれか一種の金属、またはこれらの合金が挙げられる。本実施形態の配線層33は、銅により形成されている。この銅を採用した配線層33の熱膨張係数は、約17×10−6−1である。つまり、配線層33の熱膨張係数は、第1支持基板31および第2支持基板32の熱膨張係数と異なっている。そのため、本実施形態の配線基体30は、配線層33の引き回しに起因して熱膨張係数が局所的に異なっている。この熱膨張係数が局所的に異なっている領域では、比較的大きな熱応力が加わることとなる。この配線層33は、導電性接合材を介して導電層24に機械的かつ電気的に接続されている。この「導電性接合材」としては、例えば種々のハンダ材料と、樹脂中に導電材料を混入した異方性導電材料とが挙げられる。本実施形態の配線層33は、第1配線層331と、第2配線層332と、第3配線層333と、第4配線層334とを含んで構成されている。 The wiring layer 33 contributes to supplying an electric signal that contributes to driving the heat generating portion 23 a to the head substrate 20. The wiring layer 33 is provided between the first support substrate 31 and the second support substrate 32 in the thickness directions D5 and D6. As a material for forming the wiring layer 33, for example, any one metal of aluminum, gold, silver, and copper, or an alloy thereof can be used. The wiring layer 33 of this embodiment is formed of copper. The thermal expansion coefficient of the wiring layer 33 employing copper is about 17 × 10 −6 K −1 . That is, the thermal expansion coefficient of the wiring layer 33 is different from the thermal expansion coefficients of the first support substrate 31 and the second support substrate 32. Therefore, the wiring base 30 of this embodiment has locally different thermal expansion coefficients due to the routing of the wiring layer 33. In a region where the thermal expansion coefficients are locally different, a relatively large thermal stress is applied. The wiring layer 33 is mechanically and electrically connected to the conductive layer 24 via a conductive bonding material. Examples of the “conductive bonding material” include various solder materials and anisotropic conductive materials in which a conductive material is mixed in a resin. The wiring layer 33 of this embodiment includes a first wiring layer 331, a second wiring layer 332, a third wiring layer 333, and a fourth wiring layer 334.

第1配線層331は、第3導電層243の第1制御部243aに接続されており、一端が外部接続部材34に接続されている。この第1配線層331は、制御IC26の電源電力を外部接続部材34から駆動IC26に伝送するのに寄与するものである。本実施形態の第1配線層331は、第1主延部331aと、第1延出部331bとを含んで構成されている。また、この第1配線層331は、厚み方向D5,D6において第3導電層243の第2制御部243bの一部と重なって設けられている。この第1配線層331と第2制御部243bとの短絡を低減すべく、第1配線層331と第2制御部243bとの間には、第2保護層252の一部が延在している。   The first wiring layer 331 is connected to the first control unit 243 a of the third conductive layer 243, and one end thereof is connected to the external connection member 34. The first wiring layer 331 contributes to transmitting the power supply power of the control IC 26 from the external connection member 34 to the drive IC 26. The first wiring layer 331 according to the present embodiment includes a first main extension 331a and a first extension 331b. The first wiring layer 331 is provided so as to overlap a part of the second control unit 243b of the third conductive layer 243 in the thickness directions D5 and D6. In order to reduce the short circuit between the first wiring layer 331 and the second control unit 243b, a part of the second protective layer 252 extends between the first wiring layer 331 and the second control unit 243b. Yes.

第1主延部331aは、第1支持基板31と第2支持基板32の主延部321との間に設けられている。この第1主延部331aは、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の端331aが主走査方向D1,D2に沿って延びている。つまり、この第1主延部331aは、主延部321の一端321aにも沿って延びている。この第1主延部331aは、一つの第1配線層331に複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って並んでいる。また、この第1主延部331aは、各々が副走査方向D3,D4における駆動IC26のD4方向側に位置している。 The first main extension 331 a is provided between the first support substrate 31 and the main extension 321 of the second support substrate 32. The first main extending portion 331a, an end 331a 1 in the sub-scanning direction D3, D4 in D3 direction (heating portion 23a side) extends along the main scanning direction D1, D2. That is, the first main extension 331 a extends along the one end 321 a of the main extension 321. A plurality of the first main extending portions 331a are provided in one first wiring layer 331, and are arranged along the main scanning directions D1 and D2. The first main extending portions 331a are positioned on the D4 direction side of the drive IC 26 in the sub-scanning directions D3 and D4.

第1延出部331bは、第2支持基板32の突出部322に設けられている。この第1延出部331bは、一つの第1配線層331に複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って並んでいる。また、この第1延出部331bは、第1主延部331a間に設けられており、各第1主延部331aを電気的に直列に接続している。また、この第1延出部331bは、主走査方向D1,D2における駆動IC26間、および主走査方向D1,D2に沿って配列している駆動IC26の両端側に位置している。本実施形態の第1延出部331bは、第1主幹領域331bと、第1副延領域331bとを含んで構成されている。 The first extending portion 331 b is provided on the protruding portion 322 of the second support substrate 32. A plurality of first extending portions 331b are provided in one first wiring layer 331 and are arranged along the main scanning directions D1 and D2. Further, the first extending portion 331b is provided between the first main extending portions 331a and electrically connects the first main extending portions 331a in series. The first extending portions 331b are located between the driving ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2 and on both ends of the driving ICs 26 arranged along the main scanning directions D1 and D2. The first extending portion 331b of the present embodiment includes a first main trunk region 331b 1, is configured to include a first Fukunobe region 331b 2.

第1主幹領域331bは、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の端が主走査方向D1,D2に沿って延びている。つまり、この第1主幹領域331bは、突出部322の一端322bに沿って延びている。この第1延出部331bにおいて第1配線層331と、第3導電層243の第1制御部243aとが電気的に接続されている。つまり、第1配線層331は、第1主幹領域331bを介して第3導電層243の第1制御部243aに主走査方向D1,D2に渡って電気的に接続されている。この第1主幹領域331bは、副走査方向D3,D4に沿った長さが当該第1主幹領域331bの接続されている第1制御部243aにおける副走査方向D3,D4に沿った長さに比べて短くなるように構成されている。 In the first main trunk region 331b 1 , the end on the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub-scanning directions D3 and D4 extends along the main scanning directions D1 and D2. That is, the first main trunk region 331b 1 extends along the one end 322b of the protruding portion 322. In the first extension part 331b, the first wiring layer 331 and the first control part 243a of the third conductive layer 243 are electrically connected. That is, the first wiring layer 331, the first control unit 243a of the third conductive layer 243 through the first main trunk region 331b 1 is electrically connected across the main scanning direction D1, D2. The first main trunk region 331b 1 has a length along the sub-scanning directions D3 and D4 and a length along the sub-scanning directions D3 and D4 in the first control unit 243a to which the first main trunk region 331b 1 is connected. It is comprised so that it may become short compared with.

第1副延領域331bは、主走査方向D1,D2における両端が突出部322の主走査方向D1,D2における端322aに沿って延びている。この第1副延領域331bは、一端が主走査方向D1,D2における第1主幹領域331bの両端に電気的に直列に接続されている。また、この第1副延領域331bは、他端が主走査方向D1,D2における第1主延部331aの端に電気的に直列に接続されている。 The first sub-extension region 331b 2 has both ends in the main scanning directions D1 and D2 extending along the ends 322a of the protrusions 322 in the main scanning directions D1 and D2. One end of the first sub-extension region 331b 2 is electrically connected in series to both ends of the first main trunk region 331b 1 in the main scanning directions D1 and D2. The other end of the first sub-extension region 331b 2 is electrically connected in series to the end of the first main extension portion 331a in the main scanning directions D1 and D2.

第2配線層332は、一端が第3導電層243の第2制御部243bに接続されており、他端が外部接続部材34に接続されている。この第2配線層332は、発熱部23aの他端を基準電位点に電気的に接続するのに寄与するものである。本実施形態の第2配線層332は、第2主延部332aと、第2延出部332bとを含んで構成されている。   The second wiring layer 332 has one end connected to the second control unit 243 b of the third conductive layer 243 and the other end connected to the external connection member 34. The second wiring layer 332 contributes to electrically connecting the other end of the heat generating portion 23a to the reference potential point. The second wiring layer 332 according to the present embodiment includes a second main extension 332a and a second extension 332b.

第2主延部332aは、第1支持基板31と第2支持基板32の主延部321との間に設けられている。この第2主延部332aは、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の端332aが主走査方向D1,D2に沿って延びている。つまり、この第2主延部332aは、主延部321の一端321aにも沿って延びている。この第2主延部332aは、配列されている駆動IC26の主走査方向D1,D2における一端から他端に渡って延びており、当該駆動IC26の両端より外側に延在するように設けられている。 The second main extension 332 a is provided between the first support substrate 31 and the main extension 321 of the second support substrate 32. The second main extending portion 332a, an end 332a 1 in the sub-scanning direction D3, D4 in D3 direction (heating portion 23a side) extends along the main scanning direction D1, D2. That is, the second main extension 332 a extends along the one end 321 a of the main extension 321. The second main extending portion 332a extends from one end to the other end in the main scanning directions D1 and D2 of the arranged driving ICs 26, and is provided to extend outward from both ends of the driving ICs 26. Yes.

第2延出部332bは、第2支持基板32の突出部322に設けられている。この第2延出部332bは、一つの第2配線層332に複数設けられており、主走査方向D1,D2に沿って並んでいる。この第2延出部332bは、主走査方向D1,D2における駆動IC26間、および主走査方向D1,D2に沿って配列している駆動IC26の両端側に位置している。本実施形態の第2延出部332bは、第2主幹領域332bと、第2副延領域332bと、第2分枝領域332bとを含んで構成されている。 The second extending portion 332 b is provided on the protruding portion 322 of the second support substrate 32. A plurality of second extending portions 332b are provided in one second wiring layer 332, and are arranged along the main scanning directions D1 and D2. The second extending portions 332b are located between the driving ICs 26 in the main scanning directions D1 and D2 and on both ends of the driving ICs 26 arranged along the main scanning directions D1 and D2. Second extending portions 332b of the present embodiment, the second main trunk region 332b 1, and the second Fukunobe region 332b 2, is configured to include a second branch region 332b 3.

第2主幹領域332bは、副走査方向D3,D4におけるD3方向側(発熱部23a側)の端が主走査方向D1,D2に沿って延びている。つまり、この第2主幹領域332bは、突出部322の一端322bに沿って延びている。この第2延出部332bにおいて第1配線層331と、第3導電層243の第2制御部243bとが電気的に接続されている。つまり、第2配線層332は、第2主幹領域332bを介して第3導電層243の第2制御部243bに主走査方向D1,D2に渡って電気的に接続されている。この第2主幹領域332bは、副走査方向D3,D4に沿った長さが当該第2主幹領域332bの接続されている第2制御部243bにおける副走査方向D3,D4に沿った長さに比べて短くなるように構成されている。 In the second main trunk region 332b 1 , the end on the D3 direction side (the heat generating portion 23a side) in the sub-scanning directions D3 and D4 extends along the main scanning directions D1 and D2. That is, the second main trunk region 332b 1 extends along the one end 322b of the protruding portion 322. In the second extension part 332b, the first wiring layer 331 and the second control part 243b of the third conductive layer 243 are electrically connected. That is, the second wiring layer 332, the second control unit of the third conductive layer 243 through the second main trunk region 332b 1 243b is electrically connected across the main scanning direction D1, D2. The second main trunk region 332b 1 has a length along the sub-scanning directions D3 and D4 and a length along the sub-scanning directions D3 and D4 in the second control unit 243b to which the second main trunk region 332b 1 is connected. It is comprised so that it may become short compared with.

第2副延領域332bは、主走査方向D1,D2における両端が突出部322の主走査方向D1,D2における端322aに沿って延びている。この第2副延領域332bは、一端が主走査方向D1,D2における第2主幹領域332bに電気的に接続されている。また、この第1副延領域332bは、他端が主走査方向D1,D2における第2主延部332aの端332aに電気的に接続されている。つまり、一つの第2延出部332bに設けられている第2副延領域332bは、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとを電気的に並列に接続している。 The second sub-extending region 332b 2 has both ends in the main scanning directions D1 and D2 extending along the ends 322a of the protrusions 322 in the main scanning directions D1 and D2. One end of the second sub extension region 332b 2 is electrically connected to the second main trunk region 332b 1 in the main scanning directions D1 and D2. The other end of the first sub extended region 332b 2 is electrically connected to the end 332a 1 of the second main extended portion 332a in the main scanning directions D1 and D2. In other words, the second sub extension region 332b 2 provided in one second extension portion 332b electrically connects the second main trunk region 332b 1 and the second main extension portion 332a in parallel.

第2分枝領域332bは、主走査方向D1,D2における第2副延領域332b間に位置している。この第2分枝領域332bは、第2副延領域332bと併せて、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとを電気的に並列に接続している。つまり、第2分枝領域332bは、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとの電気的な接続を高める機能を有している。本実施形態の第2分枝領域332bは、副走査方向D3,D4に沿って設けられている。 The second branch region 332b 3 is located between the second sub-extension regions 332b 2 in the main scanning directions D1 and D2. The second branch region 332b 3 electrically connects the second main trunk region 332b 1 and the second main extension portion 332a in parallel with the second sub-extension region 332b 2 . In other words, the second branch region 332b 3 has a function of enhancing the electrical connection between the second main trunk region 332b 1 and the second main extension 332a. The second branch region 332b 3 of the present embodiment is provided along the sub-scanning directions D3 and D4.

第3配線層333は、一端が第3導電層243の第3制御部243cに接続されており、他端が外部接続部材34に接続されている。この第3配線層333は、制御IC26の駆動信号を外部接続部材34から駆動IC26に伝送するのに寄与するものである。本実施形態の第3配線層333は、一端が主走査方向D1,D2において両端に位置する第2支持基板32の突出部322に延出して設けられている。   The third wiring layer 333 has one end connected to the third control unit 243 c of the third conductive layer 243 and the other end connected to the external connection member 34. The third wiring layer 333 contributes to transmitting the drive signal of the control IC 26 from the external connection member 34 to the drive IC 26. The third wiring layer 333 of this embodiment is provided with one end extending to the protruding portion 322 of the second support substrate 32 positioned at both ends in the main scanning directions D1 and D2.

第4配線層334は、一端が第2導電層242に接続されており、他端が外部接続部材34に接続されている。この第4配線層334は、発熱部23aへ電力を供給するのに寄与するものである。本実施形態の第4配線層334は、一端が主走査方向D1,D2において両端に位置する第2支持基板32の突出部322に延出して設けられている。この第4配線層334は、配線層33の大外に位置している。また、この第4導電層334は、第2支持基板32の突出部322が設けられている一辺を除く他の3辺に沿って設けられている。   The fourth wiring layer 334 has one end connected to the second conductive layer 242 and the other end connected to the external connection member 34. The fourth wiring layer 334 contributes to supplying power to the heat generating portion 23a. The fourth wiring layer 334 of the present embodiment is provided so that one end extends to the protruding portion 322 of the second support substrate 32 located at both ends in the main scanning directions D1 and D2. The fourth wiring layer 334 is located outside the wiring layer 33. The fourth conductive layer 334 is provided along the other three sides excluding the one side where the projecting portion 322 of the second support substrate 32 is provided.

外部接続部材34は、発熱部23aを駆動するのに寄与する電気信号をヘッド基体20に供給するのに寄与するものである。この外部接続部材34は、配線層33の第1配線層331、第2配線層332、第3配線層333、および第4配線層334の各々に電気的に独立して接続されている。   The external connection member 34 contributes to supplying an electric signal contributing to driving the heat generating portion 23 a to the head base 20. The external connection member 34 is electrically and independently connected to each of the first wiring layer 331, the second wiring layer 332, the third wiring layer 333, and the fourth wiring layer 334 of the wiring layer 33.

載置基板40は、ヘッド基体20および配線基板30の載置母材としての機能を有するものである。載置基板40は、ヘッド基体20と、配線基体30とを載置する機能を有するものである。この配線基板40には、ヘッド基体20、および配線基体30が載置されている。この載置基板40を形成する材料としては、例えばアルミニウムと、銅と、鉄と、アルミナセラミックスなどのセラミックス材料とが挙げられる。   The mounting substrate 40 has a function as a mounting base material for the head base 20 and the wiring substrate 30. The mounting substrate 40 has a function of mounting the head substrate 20 and the wiring substrate 30. A head substrate 20 and a wiring substrate 30 are mounted on the wiring substrate 40. Examples of the material for forming the mounting substrate 40 include aluminum, copper, iron, and ceramic materials such as alumina ceramics.

サーマルヘッド10は、ヘッド基板21と、ヘッド基板21上に主走査方向D1,D2に沿って配列されている複数の発熱部23aと、主走査方向D1,D2に沿って配列されている、複数の発熱部23aの駆動を制御する複数の駆動IC26と、複数の発熱部23aまたは複数の駆動IC26に接続されている、複数の駆動IC26の各々の主走査方向D1,D2における両側に設けられている複数の導電層24とを有しているヘッド基体20、および第1配線基板31と、該第1配線基板31に重ねて設けられている第2配線基板32と、第1配線基板31および第2配線基板32の間に設けられている、複数の導電層24に接続されている複数の配線層33を有している配線基体30とを備えており、第2配線基板32は、第1配線基板31の発熱部23a側の端31aに沿って延びている主延部321と、第1配線基板31の端31aより副走査方向D3,D4における発熱部23a側に突出している複数の突出部322とを有しており、複数の突出部322は、副走査方向D3,D4における発熱部23a側の端が主走査方向D1,D2に沿っており、複数の配線層33は、複数の突出部322に延出している複数の第1延出部331bおよび第2延出部332bを有しており、該複数の第1延出部331bおよび第2延出部332bは、複数の導電層24に主走査方向D1,D2に沿って接続されている。そのため、サーマルヘッド10では、配線基体30に加わる熱応力が当該第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322bと第1配線層331との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   The thermal head 10 includes a head substrate 21, a plurality of heat generating portions 23a arranged on the head substrate 21 along the main scanning directions D1 and D2, and a plurality of heating heads 23a arranged along the main scanning directions D1 and D2. Are provided on both sides in the main scanning directions D1 and D2 of each of the plurality of drive ICs 26 connected to the plurality of heat generation units 23a or the plurality of drive ICs 26. A head substrate 20 having a plurality of conductive layers 24, a first wiring substrate 31, a second wiring substrate 32 provided on the first wiring substrate 31, a first wiring substrate 31 and And a wiring substrate 30 having a plurality of wiring layers 33 connected to the plurality of conductive layers 24 provided between the second wiring boards 32. 1 wiring base A main extending portion 321 extending along the end 31a on the heat generating portion 23a side of the plurality 31 and a plurality of protruding portions 322 protruding from the end 31a of the first wiring substrate 31 toward the heat generating portion 23a side in the sub-scanning directions D3 and D4. The plurality of protrusions 322 have heat generating part 23a ends in the sub-scanning directions D3 and D4 along the main scanning directions D1 and D2, and the plurality of wiring layers 33 include a plurality of protrusions. The plurality of first extending portions 331 b and the second extending portions 332 b extending to the 322 include the plurality of first extending portions 331 b and the second extending portions 332 b. Are connected along the main scanning directions D1 and D2. For this reason, in the thermal head 10, the occurrence of variations in thermal stress applied to the wiring substrate 30 between the ends 321 a, 322 a, 322 b of the second support substrate 32 on the heat generating portion 23 a side and the first wiring layer 331 is reduced. be able to. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

サーマルヘッド10において、複数の導電層24は、配線基体30側の端331bおよび332bが主走査方向D1,D2に沿って延びているので、第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322bと突出部322との熱膨張のバラツキを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱膨張による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。 In the thermal head 10, a plurality of conductive layers 24, since the end 331b 1 and 332b 1 of the wiring substrate 30 side extends along the main scanning direction D1, D2, an end of the heat generating portion 23a of the second support substrate 32 Variations in thermal expansion between 321a, 322a, and 322b and the protruding portion 322 can be reduced. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal expansion can be reduced, and reliability can be improved.

サーマルヘッド10において、複数の突出部322は、発熱部23a側に向かうにつれて主走査方向D1,D2に沿った幅が狭くなっているので、主延部321と突出部322との交差角度を小さくすることができ、局所に熱応力が集中するのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性をより高めることができる。   In the thermal head 10, the width of the plurality of protrusions 322 along the main scanning directions D <b> 1 and D <b> 2 becomes narrower toward the heat generating part 23 a side, so that the intersection angle between the main extension part 321 and the protrusion part 322 is reduced. It is possible to reduce the concentration of thermal stress locally. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be further improved.

サーマルヘッド10において、複数の配線層33は、第1配線層331を含んでおり、該第1配線層331は、第2配線基板32の主延部321および突出部322における発熱部23a側の端に沿って設けられているので、突出部322に加わる熱応力が第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322bと第1配線層331との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   In the thermal head 10, the plurality of wiring layers 33 include a first wiring layer 331, and the first wiring layer 331 is located on the heat generating portion 23 a side of the main extending portion 321 and the protruding portion 322 of the second wiring substrate 32. Since the thermal stress applied to the projecting portion 322 is provided along the end, the variation between the ends 321a, 322a, and 322b of the second support substrate 32 on the heat generating portion 23a side and the first wiring layer 331 is caused. Can be reduced. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

また、サーマルヘッド10において、複数の配線層33は、第2配線層332を含んでおり、該第2配線層332は、発熱部23a側の端が第1配線層331に沿って設けられているので、突出部322に加わる熱応力が第1配線層331と第2配線層332との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線をさらに低減することができ、信頼性をさらに高めることができる。   Further, in the thermal head 10, the plurality of wiring layers 33 include the second wiring layer 332, and the second wiring layer 332 is provided along the first wiring layer 331 at the end on the heat generating portion 23 a side. Therefore, variation in thermal stress applied to the protruding portion 322 between the first wiring layer 331 and the second wiring layer 332 can be reduced. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be further reduced, and reliability can be further improved.

サーマルヘッド10において、ヘッド基体20は、複数の導電層24の一部を覆う第2保護層252を有しており、該第2保護層252は、配線基体30側の端が第2配線基板32の発熱部23a側の端322a,322a,322bに沿って延びているので、第2保護層252と第2配線基板32との間で熱応力にバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。   In the thermal head 10, the head substrate 20 has a second protective layer 252 that covers a part of the plurality of conductive layers 24, and the second protective layer 252 has an end on the wiring substrate 30 side at the second wiring substrate. 32 extends along the ends 322 a, 322 a, and 322 b on the side of the heat generating portion 23 a, it is possible to reduce the occurrence of variations in thermal stress between the second protective layer 252 and the second wiring substrate 32. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.

サーマルヘッド10において、複数の配線層33は、複数の駆動IC26間に比べて複数の駆動IC26の主走査方向D1,D2における両端において、複数の導電層24に対する接続面積が小さくなっていても、熱膨張による電気的な断線をより低減することができ、信頼性をより高めることができる。
<記録ヘッドの第2の実施形態>
図7に示したサーマルヘッド10Aは、配線基体30に代えて配線基体30Aとした点において、サーマルヘッド10と異なる。サーマルヘッド10Aの他の構成については、サーマルヘッド10に関して上述したのと同様である。また、本実施形態の記載では、サーマルヘッド10とサーマルヘッド10Aとで重複する内容を省略している。
In the thermal head 10, the plurality of wiring layers 33 have a smaller connection area to the plurality of conductive layers 24 at both ends in the main scanning directions D <b> 1 and D <b> 2 of the plurality of driving ICs 26 than between the plurality of driving ICs 26. Electrical disconnection due to thermal expansion can be further reduced, and reliability can be further increased.
<Second Embodiment of Recording Head>
The thermal head 10A shown in FIG. 7 is different from the thermal head 10 in that the wiring base 30A is used instead of the wiring base 30. Other configurations of the thermal head 10A are the same as those described above with respect to the thermal head 10. Further, in the description of the present embodiment, the overlapping contents between the thermal head 10 and the thermal head 10A are omitted.

配線基体30Aは、配線層33に代えて配線層33Aを備える点において、配線基体30と異なる。配線基体30Aの他の構成については、配線基体30に関して上述したのと同様である。   The wiring substrate 30A is different from the wiring substrate 30 in that a wiring layer 33A is provided instead of the wiring layer 33. Other configurations of the wiring substrate 30A are the same as those described above with respect to the wiring substrate 30.

配線層33Aは、第2配線層332に代えて第2配線層332Aを備える点において、配線層33と異なる。配線層33Aの他の構成については配線層33に関して上述したのと同様である。   The wiring layer 33A is different from the wiring layer 33 in that it includes a second wiring layer 332A instead of the second wiring layer 332. Other configurations of the wiring layer 33A are the same as those described above with respect to the wiring layer 33.

第2配線層332Aは、第2延出部332bに代えて第2延出部332Abを備える点において、第2配線層332と異なる。第2配線層332Aの他の構成については第2配線層332に関して上述したのと同様である。   The second wiring layer 332A is different from the second wiring layer 332 in that the second wiring layer 332A includes a second extending portion 332Ab instead of the second extending portion 332b. Other configurations of the second wiring layer 332A are the same as those described above with respect to the second wiring layer 332.

第2延出部332Abは、第2主幹領域332bと、第2副延領域332bとを含んで構成されている。第2主幹領域332bと、第2副延領域332bとの構成に関しては、上述したのと同様である。 The second extending portion 332Ab includes a second main trunk region 332b 1, is configured to include a second Fukunobe region 332b 2. The configuration of the second main trunk region 332b 1 and the second secondary extension region 332b 2 is the same as described above.

サーマルヘッド10Aは、ヘッド基板21と、ヘッド基板21上に主走査方向D1,D2に沿って配列されている複数の発熱部23aと、主走査方向D1,D2に沿って配列されている、複数の発熱部23aの駆動を制御する複数の駆動IC26と、複数の発熱部23aまたは複数の駆動IC26に接続されている、複数の駆動IC26の各々の主走査方向D1,D2における両側に設けられている複数の導電層24とを有しているヘッド基体20、および第1配線基板31と、該第1配線基板31に重ねて設けられている第2配線基板32と、第1配線基板31および第2配線基板32の間に設けられている、複数の導電層24に接続されている複数の配線層33Aを有している配線基体30Aとを備えており、第2配線基板32は、第1配線基板31の発熱部23a側の端31aに沿って延びている主延部321と、第1配線基板31の端31aより副走査方向D3,D4における発熱部23a側に突出している複数の突出部322とを有しており、複数の突出部322は、副走査方向D3,D4における発熱部23a側の端が主走査方向D1,D2に沿っており、複数の配線層33Aは、複数の突出部322に延出している複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Abを有しており、該複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Abは、複数の導電層24に主走査方向D1,D2に沿って接続されている。そのため、サーマルヘッド10では、配線基体30に加わる熱応力が当該第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322Abと第1配線層331との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。
<記録ヘッドの第3の実施形態>
図10に示したサーマルヘッド10Bは、配線基体30に代えて配線基体30Bとした点において、サーマルヘッド10と異なる。サーマルヘッド10Bの他の構成については、サーマルヘッド10に関して上述したのと同様である。また、本実施形態の記載では、サーマルヘッド10とサーマルヘッド10Bとで重複する内容を省略している。
The thermal head 10A includes a head substrate 21, a plurality of heat generating portions 23a arranged on the head substrate 21 along the main scanning directions D1 and D2, and a plurality of heating units 23a arranged along the main scanning directions D1 and D2. Are provided on both sides in the main scanning directions D1 and D2 of each of the plurality of drive ICs 26 connected to the plurality of heat generation units 23a or the plurality of drive ICs 26. A head substrate 20 having a plurality of conductive layers 24, a first wiring substrate 31, a second wiring substrate 32 provided on the first wiring substrate 31, a first wiring substrate 31 and And a wiring substrate 30A having a plurality of wiring layers 33A connected to the plurality of conductive layers 24 provided between the second wiring boards 32. 1 A main extending portion 321 extending along the end 31a on the heat generating portion 23a side of the line substrate 31 and a plurality of protrusions protruding from the end 31a of the first wiring substrate 31 toward the heat generating portion 23a in the sub-scanning directions D3 and D4. The plurality of projecting portions 322 have heat generating portion 23a ends in the sub-scanning directions D3 and D4 along the main scanning directions D1 and D2, and the plurality of wiring layers 33A include a plurality of wiring layers 33A. The plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Ab extending to the protruding portion 322 have a plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Ab. The layer 24 is connected along the main scanning directions D1 and D2. For this reason, in the thermal head 10, the occurrence of variations in thermal stress applied to the wiring substrate 30 between the ends 321 a, 322 a, 322 Ab on the heat generating portion 23 a side of the second support substrate 32 and the first wiring layer 331 is reduced. be able to. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.
<Third Embodiment of Recording Head>
The thermal head 10B shown in FIG. 10 is different from the thermal head 10 in that the wiring base 30B is used instead of the wiring base 30. Other configurations of the thermal head 10B are the same as those described above with respect to the thermal head 10. Further, in the description of the present embodiment, overlapping contents between the thermal head 10 and the thermal head 10B are omitted.

配線基体30Bは、配線層33に代えて配線層33Bを備える点において、配線基体30と異なる。配線基体30Bの他の構成については、配線基体30に関して上述したのと同様である。   The wiring base 30 </ b> B is different from the wiring base 30 in that a wiring layer 33 </ b> B is provided instead of the wiring layer 33. Other configurations of the wiring substrate 30B are the same as those described above with respect to the wiring substrate 30.

配線層33Bは、第2配線層332に代えて第2配線層332Bを備える点において、配線層33と異なる。配線層33Bの他の構成については配線層33に関して上述したのと同様である。   The wiring layer 33B is different from the wiring layer 33 in that a second wiring layer 332B is provided instead of the second wiring layer 332. Other configurations of the wiring layer 33B are the same as those described above with respect to the wiring layer 33.

第2配線層332Bは、第2延出部332bに代えて第2延出部332Bbを備える点において、第2配線層332と異なる。第2配線層332Bの他の構成については第2配線層332に関して上述したのと同様である。   The second wiring layer 332B is different from the second wiring layer 332 in that a second extending portion 332Bb is provided instead of the second extending portion 332b. Other configurations of the second wiring layer 332B are the same as those described above with respect to the second wiring layer 332.

第2延出部332Bbは、第2主幹領域332bと、第2副延領域332Bbと、第2分枝領域332Bbとを含んで構成されている。この第2主幹領域332bの構成に関しては、上述したのと同様である。 The second extending portion 332Bb has a second main trunk region 332b 1, and the second Fukunobe region 332Bb 2, is configured to include a second branch region 332Bb 3. The configuration of the second main trunk region 332b 1 is the same as described above.

第2副延領域332Bbは、主走査方向D1,D2における両端が副走査方向に沿って延びている。この第2副延領域332Bbは、一端が主走査方向D1,D2における第2主幹領域332bに電気的に接続されている。また、この第1副延領域332Bbは、他端が主走査方向D1,D2における第2主延部332aの端332aに電気的に接続されている。つまり、一の第2延出部332Bbに設けられている第2副延領域332Bbは、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとを電気的に並列に接続している。 The second sub extended region 332Bb 2 has both ends in the main scanning directions D1 and D2 extending along the sub scanning direction. The second Fukunobe region 332Bb 2 has one end electrically connected to the second main trunk region 332b 1 in the main scanning direction D1, D2. The other end of the first sub extended region 332Bb 2 is electrically connected to the end 332a 1 of the second main extended portion 332a in the main scanning directions D1 and D2. In other words, the second sub extension region 332Bb 2 provided in one second extension portion 332Bb electrically connects the second main trunk region 332b 1 and the second main extension portion 332a in parallel.

第2分枝領域332Bbは、副走査方向D3,D4に沿って設けられている。つまり、第2分枝領域322Bbは、第2副延領域332Bbにも沿って設けられている。この第2分枝領域332bは、主走査方向D1,D2における第2副延領域332b間に位置している。この第2分枝領域332Bbは、第2副延領域332bと併せて、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとを電気的に並列に接続している。つまり、第2分枝領域332Bbは、第2主幹領域332bと、第2主延部332aとの電気的な接続を高める機能を有している。 The second branch region 332Bb 3 is provided along the sub-scanning directions D3 and D4. That is, the second branch region 322Bb 3 is also provided along the second sub-extension region 332Bb 2 . The second branch region 332b 3 is located between the second sub-extension regions 332b 2 in the main scanning directions D1 and D2. The second branch region 332Bb 3 is connected to the second main extension region 332b 1 and the second main extension portion 332a in parallel with the second sub extension region 332b 2 . In other words, the second branch region 332Bb 3 has a function of improving electrical connection between the second main trunk region 332b 1 and the second main extension 332a.

サーマルヘッド10Bは、ヘッド基板21と、ヘッド基板21上に主走査方向D1,D2に沿って配列されている複数の発熱部23aと、主走査方向D1,D2に沿って配列されている、複数の発熱部23aの駆動を制御する複数の駆動IC26と、複数の発熱部23aまたは複数の駆動IC26に接続されている、複数の駆動IC26の各々の主走査方向D1,D2における両側に設けられている複数の導電層24とを有しているヘッド基体20、および第1配線基板31と、該第1配線基板31に重ねて設けられている第2配線基板32と、第1配線基板31および第2配線基板32の間に設けられている、複数の導電層24に接続されている複数の配線層33Bを有している配線基体30Bとを備えており、第2配線基板32は、第1配線基板31の発熱部23a側の端31aに沿って延びている主延部321と、第1配線基板31の端31aより副走査方向D3,D4における発熱部23a側に突出している複数の突出部322とを有しており、複数の突出部322は、副走査方向D3,D4における発熱部23a側の端が主走査方向D1,D2に沿っており、複数の配線層33Bは、複数の突出部322に延出している複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Bbを有しており、該複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Bbは、複数の導電層24に主走査方向D1,D2に沿って接続されている。そのため、サーマルヘッド10では、配線基体30に加わる熱応力が当該第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322Bbと第1配線層331との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。
<記録ヘッドの第4の実施形態>
図13に示したサーマルヘッド10Cは、配線基体30Bに代えて配線基体30Cとした点において、サーマルヘッド10Bと異なる。サーマルヘッド10Cの他の構成については、サーマルヘッド10Bに関して上述したのと同様である。また、本実施形態の記載では、サーマルヘッド10Bとサーマルヘッド10Cとで重複する内容を省略している。
The thermal head 10B includes a head substrate 21, a plurality of heat generating portions 23a arranged on the head substrate 21 along the main scanning directions D1 and D2, and a plurality of heat generating units 23a arranged along the main scanning directions D1 and D2. Are provided on both sides in the main scanning directions D1 and D2 of each of the plurality of drive ICs 26 connected to the plurality of heat generation units 23a or the plurality of drive ICs 26. A head substrate 20 having a plurality of conductive layers 24, a first wiring substrate 31, a second wiring substrate 32 provided on the first wiring substrate 31, a first wiring substrate 31 and And a wiring substrate 30B having a plurality of wiring layers 33B connected to the plurality of conductive layers 24 provided between the second wiring boards 32. 1 A main extending portion 321 extending along the end 31a on the heat generating portion 23a side of the line substrate 31 and a plurality of protrusions protruding from the end 31a of the first wiring substrate 31 toward the heat generating portion 23a in the sub-scanning directions D3 and D4. The plurality of protrusions 322 have heat generating portion 23a ends in the sub-scanning directions D3 and D4 along the main scanning directions D1 and D2, and the plurality of wiring layers 33B include a plurality of wiring layers 33B. The plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Bb extending to the protruding portion 322 have a plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Bb. The layer 24 is connected along the main scanning directions D1 and D2. Therefore, in the thermal head 10, the occurrence of variations in thermal stress applied to the wiring substrate 30 between the ends 321 a, 322 a, 322 Bb of the second support substrate 32 on the heat generating portion 23 a side and the first wiring layer 331 is reduced. be able to. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.
<Fourth Embodiment of Recording Head>
The thermal head 10C shown in FIG. 13 is different from the thermal head 10B in that a wiring base 30C is used instead of the wiring base 30B. Other configurations of the thermal head 10C are the same as those described above with respect to the thermal head 10B. Further, in the description of the present embodiment, overlapping contents between the thermal head 10B and the thermal head 10C are omitted.

配線基体30Cは、配線層33Bに代えて配線層33Cを備える点において、配線基体30Bと異なる。配線基体30Cの他の構成については、配線基体30Bに関して上述したのと同様である。   The wiring substrate 30C is different from the wiring substrate 30B in that a wiring layer 33C is provided instead of the wiring layer 33B. Other configurations of the wiring substrate 30C are the same as those described above with respect to the wiring substrate 30B.

配線層33Cは、第2配線層332Bに代えて第2配線層332Cを備える点において、配線層33Bと異なる。配線層33Cの他の構成については配線層33Bに関して上述したのと同様である。   The wiring layer 33C is different from the wiring layer 33B in that the second wiring layer 332C is provided instead of the second wiring layer 332B. The other configuration of the wiring layer 33C is the same as that described above with respect to the wiring layer 33B.

第2配線層332Cは、第2延出部332Bbに代えて第2延出部332Cbを備える点において、第2配線層332Bと異なる。第2配線層332Cの他の構成については第2配線層332Bに関して上述したのと同様である。   The second wiring layer 332C is different from the second wiring layer 332B in that a second extending portion 332Cb is provided instead of the second extending portion 332Bb. Other configurations of the second wiring layer 332C are the same as those described above with respect to the second wiring layer 332B.

第2延出部332Cbは、第2主幹領域332bと、第2副延領域332Bbとを含んで構成されている。この第2主幹領域332bと、第2副延領域332Bbとの構成に関しては、上述したのと同様である。 The second extending portion 332Cb includes a second main trunk region 332b 1, is configured to include a second Fukunobe region 332Bb 2. The configurations of the second main trunk region 332b 1 and the second secondary extension region 332Bb 2 are the same as described above.

サーマルヘッド10Cは、ヘッド基板21と、ヘッド基板21上に主走査方向D1,D2に沿って配列されている複数の発熱部23aと、主走査方向D1,D2に沿って配列されている、複数の発熱部23aの駆動を制御する複数の駆動IC26と、複数の発熱部23aまたは複数の駆動IC26に接続されている、複数の駆動IC26の各々の主走査方向D1,D2における両側に設けられている複数の導電層24とを有しているヘッド基体20、および第1配線基板31と、該第1配線基板31に重ねて設けられている第2配線基板32と、第1配線基板31および第2配線基板32の間に設けられている、複数の導電層24に接続されている複数の配線層33Cを有している配線基体30Cとを備えており、第2配線基板32は、第1配線基板31の発熱部23a側の端31aに沿って延びている主延部321と、第1配線基板31の端31aより副走査方向D3,D4における発熱部23a側に突出している複数の突出部322とを有しており、複数の突出部322は、副走査方向D3,D4における発熱部23a側の端が主走査方向D1,D2に沿っており、複数の配線層33Cは、複数の突出部322に延出している複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Cbを有しており、該複数の第1延出部331bおよび第2延出部332Cbは、複数の導電層24に主走査方向D1,D2に沿って接続されている。そのため、サーマルヘッド10では、配線基体30に加わる熱応力が当該第2支持基板32の発熱部23a側の端321a,322a,322Cbと第1配線層331との間でバラツキが生じるのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド10では、熱応力による電気的な断線を低減することができ、信頼性を高めることができる。
<記録装置>
図16は、本発明の記録媒体の実施形態の一例であるサーマルプリンタ1の概略構成を示す図である。
The thermal head 10C includes a head substrate 21, a plurality of heat generating portions 23a arranged on the head substrate 21 along the main scanning directions D1 and D2, and a plurality of heat generating units 23a arranged along the main scanning directions D1 and D2. Are provided on both sides in the main scanning directions D1 and D2 of each of the plurality of drive ICs 26 connected to the plurality of heat generation units 23a or the plurality of drive ICs 26. A head substrate 20 having a plurality of conductive layers 24, a first wiring substrate 31, a second wiring substrate 32 provided on the first wiring substrate 31, a first wiring substrate 31 and And a wiring substrate 30C having a plurality of wiring layers 33C connected to the plurality of conductive layers 24 provided between the second wiring boards 32. 1 A main extending portion 321 extending along the end 31a on the heat generating portion 23a side of the line substrate 31 and a plurality of protrusions protruding from the end 31a of the first wiring substrate 31 toward the heat generating portion 23a in the sub-scanning directions D3 and D4. The plurality of projecting portions 322 have heat generating portion 23a ends in the sub-scanning directions D3 and D4 along the main scanning directions D1 and D2, and the plurality of wiring layers 33C include a plurality of wiring layers 33C. The plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Cb extending to the protruding portion 322 have a plurality of first extending portions 331b and second extending portions 332Cb. The layer 24 is connected along the main scanning directions D1 and D2. Therefore, in the thermal head 10, the occurrence of variations in thermal stress applied to the wiring substrate 30 between the ends 321 a, 322 a, 322 Cb of the second support substrate 32 on the heat generating portion 23 a side and the first wiring layer 331 is reduced. be able to. Therefore, in the thermal head 10, electrical disconnection due to thermal stress can be reduced, and reliability can be improved.
<Recording device>
FIG. 16 is a diagram showing a schematic configuration of a thermal printer 1 which is an example of an embodiment of a recording medium of the present invention.

サーマルプリンタ1は、サーマルヘッド10と、搬送機構11と、制御機構12とを有している。   The thermal printer 1 includes a thermal head 10, a transport mechanism 11, and a control mechanism 12.

搬送機構11は、副走査方向D3,D4におけるD3方向に記録媒体Pを搬送しつつ、該記録媒体Pをサーマルヘッド10の発熱部23a上に位置する保護層25に接触させる機能を有するものである。この搬送機構11は、プラテンローラ111と、搬送ローラ112,113,114,115とを含んで構成されている。   The transport mechanism 11 has a function of bringing the recording medium P into contact with the protective layer 25 located on the heat generating portion 23a of the thermal head 10 while transporting the recording medium P in the D3 direction in the sub-scanning directions D3 and D4. is there. The transport mechanism 11 includes a platen roller 111 and transport rollers 112, 113, 114, and 115.

プラテンローラ111は、記録媒体Pを発熱部23a側に押し付ける機能を有するものである。このプラテンローラ111は、発熱部23a上に位置する保護層25に接触した状態で回転可能に支持されている。このプラテンローラ111は、円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成を有している。この基体は、例えばステンレスなどの金属により形成されており、この弾性部材は、例えば厚みの寸法が3mm以上15mm以下の範囲ブタジエンゴムにより形成されている。   The platen roller 111 has a function of pressing the recording medium P toward the heat generating portion 23a. The platen roller 111 is rotatably supported in contact with the protective layer 25 located on the heat generating portion 23a. The platen roller 111 has a configuration in which an outer surface of a columnar base is covered with an elastic member. This base is made of, for example, a metal such as stainless steel, and this elastic member is made of, for example, butadiene rubber having a thickness dimension in the range of 3 mm to 15 mm.

搬送ローラ112,113,114,115は、記録媒体Pを搬送する機能を有するものである。すなわち、搬送ローラ112,113,114,115は、サーマルヘッド10の発熱部23aとプラテンローラ111との間に記録媒体Pを供給するとともに、サーマルヘッド10の発熱部23aとプラテンローラ111との間から記録媒体Pを引き抜く役割を担うものである。これらの搬送ローラ112,113,114,115は、例えば金属製の円柱状部材により形成してもよいし、例えばプラテンローラ111と同様に円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成であってもよい。   The transport rollers 112, 113, 114, and 115 have a function of transporting the recording medium P. That is, the conveyance rollers 112, 113, 114, and 115 supply the recording medium P between the heat generating part 23 a of the thermal head 10 and the platen roller 111 and between the heat generating part 23 a of the thermal head 10 and the platen roller 111. It plays a role of pulling out the recording medium P from the recording medium. These transport rollers 112, 113, 114, and 115 may be formed of, for example, a metal columnar member. For example, like the platen roller 111, the outer surface of the columnar substrate is covered with an elastic member. There may be.

制御機構12は、配線基体30の外部接続部材34に電気的に接続されている。この制御機構は、発熱部23aおよび駆動IC26に電力を供給するとともに、制御IC26に駆動信号を供給する機能を有するものである。   The control mechanism 12 is electrically connected to the external connection member 34 of the wiring substrate 30. This control mechanism has a function of supplying power to the heat generating part 23a and the drive IC 26 and supplying a drive signal to the control IC 26.

サーマルプリンタ1は、サーマルヘッド10を備える。そのため、サーマルプリンタ1は、サーマルヘッド10の有する効果を享受することができる。したがって、サーマルプリンタ1は、信頼性を高めることができる。   The thermal printer 1 includes a thermal head 10. Therefore, the thermal printer 1 can enjoy the effects of the thermal head 10. Therefore, the thermal printer 1 can improve reliability.

以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。   While specific embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

本実施形態の配線基体30では、第2配線層332の第2延出部332bが主走査方向D1,D2における各端が第2配線基板32の突出部322の主走査方向D1,D2における端322aに沿って設けられているが、このような構成に限るものではない。例えば図17に示したように、主走査方向D1,D2において内側に位置する端が副走査方向D3,D4に沿って設けられていてもよい。   In the wiring substrate 30 of the present embodiment, the second extending portions 332b of the second wiring layer 332 are at the ends in the main scanning directions D1 and D2, and the ends of the protruding portions 322 of the second wiring substrate 32 are in the main scanning directions D1 and D2. Although it is provided along 322a, it is not limited to such a configuration. For example, as shown in FIG. 17, ends positioned on the inner side in the main scanning directions D1 and D2 may be provided along the sub-scanning directions D3 and D4.

本実施形態の配線基体30では、第1配線基板31の副走査方向D3,D4におけるD3方向側の一端31aが主走査方向D1,D2に沿って設けられているが、このような構成に限るものではない。例えば図18に示したように当該一端31Faより副走査方向に窪んでいる窪み部31Fbを含んで構成されていてもよい。また、例えば図19に示したように当該一端31Gaより副走査方向に突出している突出部31Gcを含んで構成されていてもよい。   In the wiring substrate 30 of the present embodiment, one end 31a on the D3 direction side in the sub-scanning directions D3 and D4 of the first wiring board 31 is provided along the main scanning directions D1 and D2. It is not a thing. For example, as shown in FIG. 18, the recess 31 </ b> Fb that is recessed in the sub-scanning direction from the one end 31 </ b> Fa may be included. Further, for example, as illustrated in FIG. 19, the protrusion 31Gc may be configured to protrude from the one end 31Ga in the sub-scanning direction.

本実施形態の配線基体30Bでは、第1配線層331の第1延出部331bが第2配線基板32の突出部322の第2配線基板32の突出部322の主走査方向D1,D2における端322aに沿って設けられているが、このような構成に限るものではない。例えば図20に示したように、主走査方向D1,D2における両端が副走査方向D3,D4に沿って設けられていてもよい。また、同じく図20に示したように、第2配線基板32は、突出部322の主走査方向D1,D2に沿った両端も副走査方向D3,D4に沿って設けられていてもよい。   In the wiring substrate 30B of the present embodiment, the first extending portion 331b of the first wiring layer 331 is the end of the protruding portion 322 of the second wiring substrate 32 in the main scanning direction D1, D2 of the protruding portion 322 of the second wiring substrate 32. Although it is provided along 322a, it is not limited to such a configuration. For example, as shown in FIG. 20, both ends in the main scanning directions D1 and D2 may be provided along the sub-scanning directions D3 and D4. Similarly, as shown in FIG. 20, in the second wiring board 32, both ends of the protrusion 322 along the main scanning directions D1 and D2 may be provided along the sub-scanning directions D3 and D4.

本実施例では、サーマルヘッドの温度サイクルに対するに信頼性ついて実験した。   In the present embodiment, the reliability of the thermal head with respect to the temperature cycle was tested.

まず、本発明の実施例に係るサーマルヘッドA,B,C、および比較例となるサーマルヘッドDを各12個ずつ製造した。具体的には、まず、サーマルヘッドA,B,C,Dに共通のヘッド基体を以下の条件で製造した。なお、本実施例では、配線層に関する記載を除き、主走査方向における長さを単に「幅」とし、副走査方向における長さを単に「長さ」とした。   First, 12 thermal heads A, B, and C according to examples of the present invention and 12 thermal heads D as comparative examples were manufactured. Specifically, first, a head substrate common to the thermal heads A, B, C, and D was manufactured under the following conditions. In this embodiment, the length in the main scanning direction is simply “width” and the length in the sub-scanning direction is simply “length”, except for the description regarding the wiring layer.

<サーマルヘッドA,B,C,D共通のヘッド基体の製造条件>
・ヘッド基板の材料 :アルミナセラミックス
・ヘッド基板の熱膨張係数:約7.3×10−6−1
・ヘッド基板の長さ :約2.9×10mm
・ヘッド基板の幅 :約78mm
・ヘッド基板の厚み :約6.4×10−1mm
・第1制御部の幅 :約11mm
・第2制御部の幅 :約11mm
・駆動ICの実装個数 :9個
・駆動ICの幅 :約11.7mm
・駆動ICの間隔 :約12.3mm
次に、サーマルヘッドA,B,C,Dのそれぞれで構成の異なる配線基体A,B,C,Dを以下の条件で製造した。ここで、サーマルヘッドA,B,C,Dのそれぞれに採用される配線基体A,B,C,Dの構成の違いについて説明する。
<Manufacturing conditions of head substrate common to thermal heads A, B, C, and D>
-Head substrate material: Alumina ceramics-Thermal expansion coefficient of the head substrate: about 7.3 × 10 −6 K −1
-Length of head substrate: about 2.9 × 10 2 mm
-Head substrate width: approx. 78 mm
・ Thickness of the head substrate: about 6.4 × 10 −1 mm
・ Width of the first control unit: about 11 mm
・ Width of the second control unit: about 11 mm
-Number of drive ICs mounted: 9-Drive IC width: about 11.7 mm
・ Drive IC interval: about 12.3 mm
Next, wiring substrates A, B, C, and D having different configurations in the thermal heads A, B, C, and D were manufactured under the following conditions. Here, the difference in the configuration of the wiring bases A, B, C, and D employed in the thermal heads A, B, C, and D will be described.

まず、比較例となるサーマルヘッドDに採用される配線基体Dの構成について詳述する。次に、配線基体A,B,Cと配線基体Dとの構成の違いを詳述する。なお、これらの配線基体A,B,C,Dは、第2支持基板の主延部、および当該主延部上に設けられている配線層として共通の構成を採用した。つまり、配線基体A,B,C,Dでは、第1支持基板の構成、第2支持基板の突出部、および当該突出部に設けられている配線層の構成を異ならせて製造した。   First, the configuration of the wiring substrate D employed in the thermal head D as a comparative example will be described in detail. Next, the difference in configuration between the wiring substrates A, B, and C and the wiring substrate D will be described in detail. The wiring bases A, B, C, and D adopt a common configuration as the main extending portion of the second support substrate and the wiring layer provided on the main extending portion. That is, the wiring bases A, B, C, and D were manufactured by changing the configuration of the first support substrate, the protruding portion of the second support substrate, and the configuration of the wiring layer provided on the protruding portion.

<サーマルヘッドA,B,C,Dに共通の製造条件>
・第1,第2支持基板の材料 :ポリイミド樹脂
・第1,第2支持基板の熱膨張係数 :約10×10−6−1
・第1,第2支持基板の厚み :約5.0×10−2mm
・一方端側の第1,第2支持基板の長さ:約80mm
・他方端側の第1,第2支持基板の長さ:約4.5mm
※主走査方向における中央を境に長さの異なるものを採用した。
<Manufacturing conditions common to thermal heads A, B, C, and D>
-Material of the first and second support substrates: polyimide resin-Thermal expansion coefficient of the first and second support substrates: about 10 × 10 -6 K -1
-Thickness of the first and second support substrates: about 5.0 × 10 −2 mm
-Length of the first and second support substrates on one end side: about 80 mm
-Length of the first and second support substrates on the other end side: about 4.5 mm
* Adopted different lengths from the center in the main scanning direction.

・第1,第2支持基板の幅 :約228.5mm
・突出部の対向する端と端との間の距離:約15.6mm
・突出部の主走査方向に沿った領域の最大幅:約6.0mm
・両端の突出部の主走査方向に沿った領域の最大幅:約10.3mm
・突出部の突出長さ :約2.5mm
・配線層の材料 :銅
・配線層の熱膨張係数 :約17×10−6−1
・配線層の厚み :約35×10−3mm
・第1配線層が延びる方向に対する直交方向における長さ:約0.2mm
・第2配線層が延びる方向に対する直交方向における長さ:約0.5mm
・外部接続部材の位置 :一方端より約4.5mm
・外部接続部材の幅 :約4.5mm
・外部接続部材の長さ :約27.9mm
配線基体Dの第2支持基板は、突出部の主走査方向における両端面と、主延部の副走査方向における発熱素子側の端面との交差角度を90度とした。また、配線基体Dの配線層の構成は、第1配線パターンの第1延出部を第2支持基板の突出部に沿わせて延在させた。つまり、配線基体Dの第1配線パターンは、第1延出部の第1主幹領域と突出部の発熱素子側の端とを、当該第1延出部の第1副延領域と突出部の主走査方向における両端とを沿わせて設けた。加えて、配線基体Dの配線層は、第2配線パターンを第2副延領域と、第2分枝領域とで構成した。つまり、この配線基体Dの第2配線パターンは、第2延出部が第2主幹領域を含んでいない。この配線基体Dの第2配線パターンでは、第2延出部の第2副延領域および第2分枝領域と突出部の主走査方向における両端とを沿わせて設けた。さらに、配線基体Dの第1支持基板は、副走査方向における発熱素子側の端が反対側に窪んでいる窪み部を有している。この窪み部は、第2支持基板の突出部と副走査方向において並んでいる。つまり、配線基体Dでは、窪み部によって配線層の露出面積が大きくなるように設計した。
・ Width of the first and second support substrates: about 228.5 mm
-Distance between the opposite ends of the protrusions: about 15.6 mm
-Maximum width of region along main scanning direction of protrusion: about 6.0 mm
-Maximum width of the region along the main scanning direction of the protruding portions at both ends: about 10.3 mm
-Protruding length of the protruding part: about 2.5mm
-Material of the wiring layer: Copper-Thermal expansion coefficient of the wiring layer: About 17 x 10-6 K- 1
-Wiring layer thickness: about 35 × 10 −3 mm
-Length in the direction orthogonal to the direction in which the first wiring layer extends: about 0.2 mm
-Length in the direction orthogonal to the direction in which the second wiring layer extends: about 0.5 mm
-Position of external connection member: Approximately 4.5 mm from one end
・ Width of external connection member: about 4.5mm
-Length of external connection member: about 27.9 mm
In the second support substrate of the wiring substrate D, the crossing angle between both end surfaces of the protruding portion in the main scanning direction and the end surface of the main extending portion in the sub scanning direction on the heat generating element side was set to 90 degrees. Moreover, the structure of the wiring layer of the wiring substrate D is such that the first extending portion of the first wiring pattern extends along the protruding portion of the second support substrate. That is, the first wiring pattern of the wiring substrate D includes the first main region of the first extending portion and the end of the protruding portion on the heating element side, the first sub extending region of the first extending portion, and the protruding portion. It was provided along both ends in the main scanning direction. In addition, in the wiring layer of the wiring substrate D, the second wiring pattern is composed of the second sub-extension region and the second branch region. That is, in the second wiring pattern of the wiring base D, the second extending portion does not include the second main region. In the second wiring pattern of the wiring substrate D, the second sub-extending region and the second branch region of the second extending portion and the both ends of the protruding portion in the main scanning direction are provided. Further, the first support substrate of the wiring substrate D has a recessed portion in which the end on the heat generating element side in the sub-scanning direction is recessed on the opposite side. The hollow portion is aligned with the protruding portion of the second support substrate in the sub-scanning direction. That is, the wiring substrate D is designed so that the exposed area of the wiring layer is increased by the depression.

<配線基体Dの構造>
・窪み部の窪み長さ:約0.9mm
配線基体Aの第2支持基板は、突出部の主走査方向における両端面と、主延部の副走査方向における発熱素子側の端面との交差角度を60度とした点が配線基体Dと異なるように設計した。また、配線基体Aの第1支持基板は、副走査方向における発熱素子側の端が主走査方向に沿わせて延びるように設計した。つまり、配線基体Aの第1支持基板は、窪み部を有していない。なお、配線基体Aの配線層は、配線基体Dの配線層と同じ設計を基に製造した。
<Structure of wiring substrate D>
-The length of the dent: about 0.9mm
The second support substrate of the wiring substrate A is different from the wiring substrate D in that the crossing angle between both end surfaces of the protruding portion in the main scanning direction and the end surface of the main extending portion in the sub scanning direction is 60 degrees. Designed as follows. In addition, the first support substrate of the wiring substrate A was designed such that the end on the heat generating element side in the sub-scanning direction extends along the main scanning direction. That is, the first support substrate of the wiring substrate A does not have a recess. The wiring layer of the wiring substrate A was manufactured based on the same design as the wiring layer of the wiring substrate D.

配線基体Bの第2支持基板は、突出部の主走査方向における両端面と、主延部の副走査方向における発熱素子側の端面との交差角度を60度とした点が配線基体Dと異なるように設計した。また、配線基体Bの導電層は、第1配線パターンの第1延出部を第2支持基板の突出部に沿わせて延在させた。つまり、配線基体Bの第1配線パターンは、第1延出部の第1主幹領域と突出部の発熱素子側の端とを、当該第1延出部の第1副延領域と突出部の主走査方向における両端とを沿わせて設けた。よって、この第1副延領域は、主走査方向に対して約60度で交わっている。なお、配線基体Bの第2配線パターンは、配線基体Dの第2配線パターンと同じ設計を基に製造した。また、配線基体Bの第1支持基板は、配線基体Dの第1支持基板と同じ設計を基に製造した。   The second support substrate of the wiring substrate B is different from the wiring substrate D in that the crossing angle between both end surfaces of the protruding portion in the main scanning direction and the end surface of the main extending portion in the sub scanning direction is 60 degrees. Designed. In addition, the conductive layer of the wiring base B was extended along the first extending portion of the first wiring pattern along the protruding portion of the second support substrate. That is, the first wiring pattern of the wiring base B includes the first main region of the first extending portion and the end of the protruding portion on the heating element side, the first sub extending region of the first extending portion, and the protruding portion. It was provided along both ends in the main scanning direction. Therefore, the first sub extended region intersects at about 60 degrees with respect to the main scanning direction. The second wiring pattern of the wiring substrate B was manufactured based on the same design as the second wiring pattern of the wiring substrate D. The first support substrate of the wiring base B was manufactured based on the same design as the first support substrate of the wiring base D.

配線基体Cは、導電層の第2配線パターンを除き、配線基体Bと同じ設計である。この配線基体Cの第2配線パターンは、第2延出部が第2主幹領域と、第2副延領域とを含んで構成されている。また、この配線基体Cの第2配線パターンは、第1配線パターンに沿わせて設けた。つまり、配線基体Cの第2配線パターンは、第2延出部の第2主幹領域と第1延出部の第1主幹領域とを、当該第2延出部の第2副延領域と第1延出部の第1副延領域とを沿わせて設けた。   The wiring substrate C has the same design as the wiring substrate B except for the second wiring pattern of the conductive layer. In the second wiring pattern of the wiring substrate C, the second extending portion includes a second main trunk region and a second sub-extending region. Further, the second wiring pattern of the wiring substrate C was provided along the first wiring pattern. That is, the second wiring pattern of the wiring substrate C includes the second main region of the second extension portion and the first main region of the first extension portion, the second sub extension region of the second extension portion, and the second main extension region. It provided along with the 1st sub extension area | region of 1 extension part.

次に、ヘッド基体と、配線基体A,B,C,Dとをハンダを用いて溶着した。また、溶着したヘッド基体と配線基体とを放熱板に接着し、サーマルヘッドA,B,C,Dを製造した。   Next, the head base and wiring bases A, B, C, and D were welded using solder. Further, the welded head substrate and wiring substrate were bonded to a heat radiating plate to manufacture thermal heads A, B, C, and D.

<ハンダの条件>
・接合方法 :ハンダ溶着
・接合材の材質:無鉛ハンダ
<放熱板の条件>
・放熱板の材料 :アルミニウム
・放熱板の厚み :約50mm
・放熱板の長さ :約80mm
・放熱板の幅 :約2.3×10mm
次に、冷熱衝撃装置(エスペック株式会社製TSA−100S)を用いて社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)による日本電子機械工業会規格(EIAJ)のET−7407「CSP・BGAパッケージの実装状態での環境及び耐久性試験方法」に基づきハンダ接合部温度サイクル試験を行った。このハンダ接合部温度サイクル試験の試験条件として、ET−7407の付属書1に規定されている試験条件Bを採用した。具体的には、最低保存温度(Tstgmin)として−40℃±2℃、および最高保存温度(Tstgmax)として125℃±2℃を採用した。また、保持時間として30分、サイクル数として100サイクル、ならびに昇温および降温に要する時間として5分を採用した。このハンダ接合部温度サイクル試験の試験結果を表1に示す。この試験では、9個ある駆動IC間の領域と、両端の領域とに設けられている第2配線パターンの破損率を評価している。なお、駆動IC間の領域は主走査方向における一方端を基準にして、数字を付与して区別した。
<Solder conditions>
-Joining method: Solder welding-Bonding material: Lead-free solder <Conditions for heat sink>
・ Material of heat sink: Aluminum ・ Thickness of heat sink: Approximately 50 mm
・ Heat sink length: approx. 80mm
・ Width of heat sink: About 2.3 × 10 2 mm
Next, using the thermal shock device (TSA-100S manufactured by Espec Co., Ltd.), ET-7407 “CSP / BGA package mounting state of the Japan Electronic Machinery Manufacturers Association (EIAJ) standard by the Japan Electronics and Information Technology Industries Association (JEITA) Solder joint temperature cycle test was performed based on “Environment and durability test method”. As test conditions for this solder joint temperature cycle test, test condition B defined in Appendix 1 of ET-7407 was adopted. Specifically, −40 ° C. ± 2 ° C. was adopted as the minimum storage temperature (Tstg min ), and 125 ° C. ± 2 ° C. was adopted as the maximum storage temperature (Tstg max ). Further, a holding time of 30 minutes, a cycle number of 100 cycles, and a time required for temperature increase and decrease of 5 minutes were adopted. Table 1 shows the results of the solder joint temperature cycle test. In this test, the breakage rate of the second wiring pattern provided in the region between the nine drive ICs and the regions at both ends is evaluated. The regions between the drive ICs are distinguished by assigning numbers with reference to one end in the main scanning direction.

Figure 2010194856
Figure 2010194856

表1に示した試験結果から、サーマルヘッドCは、サーマルヘッドDに比べて溶着部の剥がれを低減できることが分かった。そのため、サーマルヘッドCは、信頼性を高めることができることが分かった。   From the test results shown in Table 1, it was found that the thermal head C can reduce the peeling of the welded part as compared with the thermal head D. Therefore, it was found that the thermal head C can improve the reliability.

また、表1に示した試験結果から、サーマルヘッドA,Bは、サーマルヘッドDに比べて溶着部の剥がれを低減できることが分かった。そのため、サーマルヘッドA,Bは、信頼性を高めることができることが分かった。このサーマルヘッドA,Bの特徴的な構成は、サーマルヘッドCに採用することができるので、サーマルヘッドCの信頼性をより高めることができる。   Further, from the test results shown in Table 1, it was found that the thermal heads A and B can reduce the peeling of the welded portion as compared with the thermal head D. Therefore, it was found that the thermal heads A and B can improve the reliability. Since the characteristic configuration of the thermal heads A and B can be adopted in the thermal head C, the reliability of the thermal head C can be further improved.

1 サーマルプリンタ(記録装置)
10 サーマルヘッド(記録ヘッド)
11 搬送機構
111 プラテンローラ
112,113,114,115 搬送ローラ
12 制御機構
20 ヘッド基体
21 ヘッド基板
22 蓄熱層
22a 基部
22b 突出部
23 電気抵抗層
23a 発熱部(発熱素子)
24 導電層
241 第1導電層
242 第2導電層
243 第3導電層(導電層)
243a 第1制御部
243b 第2制御部
243c 第3制御部
25 保護層
251 第1保護層
252 第2保護層
26 制御IC(制御素子)
30 配線基体
31 第1支持基板
32 第2支持基板
321 主延部
322 突出部
33 配線層(配線)
331 第1配線層(第1配線パターン)
331a 第1主延部
331b 第1延出部
331b 第1主幹領域
331b 第1副延領域
332 第2配線層(第2配線パターン)
332a 第2主延部
332b 第2延出部
332b 第2主幹領域
332b 第2副延領域
332b 第2分枝領域
333 第3配線層
334 第4配線層
34 外部接続部材
40 載置基板
P 記録媒体
D1,D2 主走査方向
D3,D4 副走査方向
D5,D6 厚み方向
1 Thermal printer (recording device)
10 Thermal head (recording head)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Conveyance mechanism 111 Platen roller 112,113,114,115 Conveyance roller 12 Control mechanism 20 Head base | substrate 21 Head board | substrate 22 Thermal storage layer 22a Base part 22b Protrusion part 23 Electrical resistance layer 23a
24 conductive layer 241 first conductive layer 242 second conductive layer 243 third conductive layer (conductive layer)
243a 1st control part 243b 2nd control part 243c 3rd control part 25 Protective layer 251 1st protective layer 252 2nd protective layer 26 Control IC (control element)
30 Wiring Base 31 First Support Substrate 32 Second Support Substrate 321 Main Extension 322 Projection 33 Wiring Layer (Wiring)
331 First wiring layer (first wiring pattern)
331a First main extending portion 331b First extending portion 331b 1 First main trunk region 331b 2 First sub extended region 332 Second wiring layer (second wiring pattern)
332a Second main extension portion 332b Second extension portion 332b 1 Second main trunk region 332b 2 Second sub extension region 332b 3 Second branch region 333 Third wiring layer 334 Fourth wiring layer 34 External connection member 40 Mounting substrate P Recording medium D1, D2 Main scanning direction D3, D4 Sub scanning direction D5, D6 Thickness direction

Claims (8)

ヘッド基板と、該ヘッド基板上に主走査方向に沿って配列されている複数の発熱素子と、前記主走査方向に沿って配列されている、前記複数の発熱素子の駆動を制御する複数の駆動素子と、前記複数の発熱素子または前記複数の駆動素子に接続されている、前記複数の駆動素子の各々の主走査方向における両側に設けられている複数の導電層とを有しているヘッド基体、および
第1支持基板と、該第1支持基板に重ねて設けられている第2支持基板と、前記第1支持基板および前記第2支持基板の間に設けられている、前記複数の導電層に接続されている複数の配線を有している配線基体とを備えており、
前記第2支持基板は、前記第1支持基板の前記発熱素子側の端に沿って延びている主延部と、前記第1支持基板の前記端より前記副走査方向における前記発熱素子側に突出している複数の突出部とを有しており、
前記複数の突出部は、前記副走査方向における前記発熱素子側の端が前記主走査方向に沿っており、
前記複数の配線は、前記複数の突出部に延出している複数の延出部を有しており、
該複数の延出部は、前記複数の導電層に前記主走査方向に沿って接続されていることを特徴とする記録ヘッド。
A head substrate, a plurality of heating elements arranged along the main scanning direction on the head substrate, and a plurality of drives for controlling driving of the plurality of heating elements arranged along the main scanning direction A head base having an element and a plurality of conductive layers provided on both sides in the main scanning direction of each of the plurality of driving elements connected to the plurality of heating elements or the plurality of driving elements , And a first support substrate, a second support substrate provided so as to overlap the first support substrate, and the plurality of conductive layers provided between the first support substrate and the second support substrate. A wiring substrate having a plurality of wirings connected to
The second support substrate protrudes from the end of the first support substrate along the heat generating element side to the heat generating element side in the sub-scanning direction from the end of the first support substrate. A plurality of protrusions, and
The plurality of protrusions have an end on the heating element side in the sub-scanning direction along the main scanning direction,
The plurality of wirings have a plurality of extending portions extending to the plurality of protruding portions,
The plurality of extending portions are connected to the plurality of conductive layers along the main scanning direction.
前記複数の導電層は、前記配線基体側の端が前記主走査方向に沿って延びていることを特徴とする請求項1に記載の記録ヘッド。   2. The recording head according to claim 1, wherein the plurality of conductive layers have ends on the wiring substrate side extending along the main scanning direction. 前記複数の突出部は、前記発熱素子側に向かうにつれて主走査方向に沿った幅が狭くなっていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の記録ヘッド。   3. The recording head according to claim 1, wherein a width of the plurality of protrusions along the main scanning direction becomes narrower toward the heating element side. 4. 前記複数の配線は、第1配線パターンを含んでおり、
該第1配線パターンは、前記第2支持基板の前記主延部および前記突出部における前記発熱素子側の端に沿って設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の記録ヘッド。
The plurality of wirings include a first wiring pattern;
4. The device according to claim 1, wherein the first wiring pattern is provided along an end of the main extending portion and the protruding portion of the second support substrate on the side of the heating element. The recording head described in 1.
前記複数の配線は、第2配線パターンを含んでおり、
該第2配線パターンは、前記発熱素子側の端が前記第1配線パターンに沿って設けられていることを特徴とする請求項4に記載の記録ヘッド。
The plurality of wirings include a second wiring pattern;
The recording head according to claim 4, wherein the second wiring pattern is provided with an end on the heat generating element side along the first wiring pattern.
前記ヘッド基体は、前記複数の導電層の一部を覆う保護層を有しており、
該保護層は、前記配線基体側の端が前記第2支持基板の前記発熱素子側の端に沿って延びていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の記録ヘッド。
The head base has a protective layer covering a part of the plurality of conductive layers,
6. The recording head according to claim 1, wherein the protective layer has an end on the wiring substrate side extending along an end on the heat generating element side of the second support substrate. .
前記複数の配線は、前記複数の駆動素子間に比べて前記複数の駆動素子の前記主走査方向における両端において、複数の導電層に対する接続面積が小さくなっていることを特徴とする請求項1から請求項6に記載の記録ヘッド。   2. The connection areas of the plurality of wirings with respect to the plurality of conductive layers are smaller at both ends of the plurality of driving elements in the main scanning direction than between the plurality of driving elements. The recording head according to claim 6. 請求項1から請求項7のいずれかに記載の記録ヘッドと、記録媒体を搬送する搬送部とを備えていることを特徴とする記録装置。   A recording apparatus comprising: the recording head according to claim 1; and a transport unit that transports a recording medium.
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