JP2011023273A - 走査荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いたパターン寸法の計測方法 - Google Patents
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Abstract
半導体パターンの広範囲の撮像領域(EP)を複数の撮像領域(SEP)に分割し,SEPをSEMを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において,繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるSEPを決定すること,およびそのようなSEPを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを決定することである。
【解決手段】
一部のSEP間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し,SEP配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるSEPを決定できるケースが増える。また,そのようなSEPを決定できなくても,複数のSEP配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・SEPを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを容易に決定できる。
【選択図】図14
Description
EPとしては,ユーザからの指定点や,EDA(Electronic Design Automation)ツール等から出力されるホットスポットと呼ばれるデバイス不良が発生しやすい危険箇所等が挙げられ,これらEPにおけるパターン寸法値を基にマスクパターンの形状補正や半導体製造プロセス条件の変更等のフィードバックを行い,高い歩留まりを実現する。近年の半導体デバイスの高速化・高集積化のニーズに対応して,配線パターンの微細化・高密度化が進んでおり,光近接効果補正(Optical Proximity Correction:OPC)に代表される超解像度露光技術が導入されている。これに伴うマスクパターンの複雑化によりウェーハ上に転写されるパターン形状のシミュレーション予測や,実際に転写されたパターン形状の検査がより重要となっている。
光近接効果を加味してウェーハ上に転写されるパターン形状のシミュレーション予測を行うために必要な,マスク上のある程度広範囲な領域のパターン形状を比較的高い倍率で撮像して入力する方法、および 必要があるが,光近接効果を加味したシミュレーションを行うためにはある程度広範囲のパターン形状を入力する必要がある
本発明の目的は、上記した従来技術の課題を解決して、複数の高倍率のSEM画像を繋ぎ合わせることにより比較的広い範囲に亘る高倍率のSEM画像を合成し、この比較的広い範囲の高倍率のSEM画像を処理してパターンの寸法を計測することが可能なSEM装置を提供することにある。
画像処理手段は、走査型電子顕微鏡手段で撮像して得た各領域の高倍率の画像を各画像間の重なり領域に存在するパターンのエッジ情報を用いて繋ぎ合わせた高倍率のパノラマ画像を作成する機能を有し、寸法情報抽出手段は、画像処理手段で作成した高倍率のパノラマ画像からパターンの寸法を抽出する機能を有するように構成した。
そこで本発明は,そのような場合であってもなるべくユーザの要求を満たすSEP配置を準最適解として決定するために,SEPの撮像位置あるいは撮像倍率の異なるSEP配置の候補(以後,SEP候補と呼ぶ)を複数算出することを特徴とする。更にこれらの候補から適切な準最適解を決定するための手段として,これらの候補をGUI上に表示すると共に,判断基準として,隣接リンク情報あるいは任意リンク情報を表示させることを特徴とする。SEP選択時にはSEP配置とSEP候補の選択の手掛かりとなる情報を併せてユーザに表示することで,ユーザは各SEP候補がユーザの要求項目を満たすか否かを容易に判別することができ,適切なSEP候補を選択することが可能となる。
・複数のSEPをSEM撮像したSEP画群を画像処理により繋ぎ合せた広範囲のパノラマ画像を得て,前記パノラマ画像から広範囲のパターン輪郭線を抽出する。
・複数のSEPをSEM撮像してSEP画像群を得,前記SEP画像群の画像毎にパターン輪郭線を抽出してパターン輪郭線群を得,前記パターン輪郭線群を繋ぎ合せて広範囲のパターン輪郭線を得る。
図1に試料の二次電子像(Secondary Electron:SE像)あるいは反射電子像(Backscattered Electron:BSE像)を取得するSEMの構成概要のブロック図を示す。また,SE像とBSE像を総称してSEM画像と呼ぶ。また,ここで取得される画像は測定対象を垂直方向から電子ビームを照射して得られたトップダウン画像の一部または全てを含む。
電子光学系102は内部に電子銃103を備え,電子線104を発生する。電子銃103から発射された電子線はコンデンサレンズ105で細く絞られた後,ステージ121上におかれた試料である半導体ウェーハ101上の任意の位置において電子線が焦点を結んで照射されるように,偏向器106および対物レンズ108により電子線の照射位置と絞りとが制御される。電子線を照射された半導体ウェーハ101からは,2次電子と反射電子が放出され,ExB偏向器107によって照射電子線の軌道と分離された2次電子は2次電子検出器109により検出される。一方,反射電子は反射電子検出器110および111により検出される。反射電子検出器110と111とは互いに異なる方向に設置されている。2次電子検出器109および反射電子検出器110および111で検出された2次電子および反射電子はA/D変換機112,113,114でデジタル信号に変換され,処理・制御部115に入力されて,画像メモリ117に格納され,CPU116で目的に応じた画像処理が行われる。
撮像レシピ作成装置122においては,後述する方法によりSEPの決定およびSEPを撮像するための撮像レシピを生成し,前記レシピに基づきSEM装置を制御することにより画像撮像を行う。前記撮像レシピには,SEPのサイズ・座標,撮像条件,ならびにSEPを撮像するための撮像シーケンス(撮像ポイントの座標や撮像順。広く,前記撮像ポイントのサイズ,撮像条件や調整方法も含む),ならびにAP、AF,AST,ABCC等の登録テンプレートの情報が書き込まれている。
画像処理装置123で行う広域画像であるパノラマ画像合成処理は,入力した広域の撮像領域(EP)をSEMの比較的高い撮像倍率で撮像可能な局所撮像領域(SEP)に分割し,前記SEPをSEMの比較的高い倍率で撮像し,これらの高倍率SEP画像群を画像処理により繋ぎ合せることで一枚の広範囲かつ高倍率(高分解能)なSEM画像(パノラマ画像)を生成する処理である。
隣接する二つのSEP間の繋ぎ合せ可否あるいは繋ぎ合せ易さは前記二つのSEP間の重複領域に繋ぎ合せ可能あるいは繋ぎ合せ易いパターンが含まれるか否かによって判定できる。二つのSEP間の重複領域に含まれるパターンを基に前記任意の隣接する(重複領域を共有する)二つのSEP間の繋ぎ合わせ可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値を以後「隣接リンク情報」と呼ぶ。具体的に前記隣接リンク情報は入力された回路パターンあるいはマスクパターンの設計情報を基に算出することができる。
そこで本発明は,前記隣接リンク情報を基に任意の二つのSEP間の繋ぎ合わせ可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値(以後「任意リンク情報」と呼ぶ)を算出することを特徴とする。具体的に,図5A乃至図5Eに隣接リンク情報を用いて任意リンク情報を算出した例を示す。
前述のSEP配置の決定に加え,SEPの撮像倍率(視野)も同時に決定可能なことを特徴とする。SEPの撮像倍率は任意の値を指定したり(この場合,撮像倍率は固定),あるいは撮像倍率の設定範囲を指定することもできる(例えば,Pmin〜Pmax。この場合,撮像倍率はPmin〜Pmaxの範囲内で決定される)。SEPの撮像倍率を決定する方法として例えば,入力したSEPの撮像倍率の設定可能範囲で,全SEPが繋がるSEP配置が可能なSEP撮像倍率のうち,最大の撮像倍率をSEPの撮像倍率として自動で設定することもできる。
前記任意リンク情報には,図7の説明で述べたようなSEP全体をお互いに繋ぎ合せ可能なSEPの集合(繋ぎ合せ可能SEP集合)に分割した結果(図7の707,708,709に相当)や,繋ぎ合せ易さが同程度のSEPの集合(繋ぎ合せ容易SEP集合)に分割した結果を含むことを特徴とする。図8に全SEPを繋ぎ合せ容易SEP集合に分割した例を示す。同図の801−1〜801−9はSEP配置を示し,802−1〜802−10は隣接リンク情報(隣接SEP間の繋ぎ合せ易さ)を示す。803〜807は分割された繋ぎ合せ容易集合を示す。繋ぎ合せ容易SEP集合とは繋ぎ合せ易さが同程度のSEPを集合としてまとめたものであり,803〜807の枠は太いもの程,繋ぎ合せが容易であることを示す。繋ぎ合せ容易SEP集合804,807は繋ぎ合せ易さの指標値が0.2以下(小さい程繋ぎ合せ難い)の集合,繋ぎ合せ容易SEP集合803は繋ぎ合せ易さの指標値が0.2より大きく0.5以下の集合であり,繋ぎ合せ容易SEP集合805,806は繋ぎ合せ易さの指標値が0.5より大きく0.8以下の集合である。繋ぎ合せ容易SEP集合の情報を任意リンク情報に含ませることによって,同情報をSEPの自動決定における評価値とすることができる。繋ぎ合せ容易SEP集合の情報はGUI表示することができる。GUI表示の実施例については後述する。
ユーザの指定するパターンを「(重複領域の)禁止領域」とし,前記禁止領域がSEP間の重複領域あるいはその近傍に含まれないようにSEP配置を決定することを特徴とする。前記ユーザの指定するパターンには,複雑なOPCパターン等,形状の最適化のため特に検証したいパターンが含まれることを特徴とする。このようなパターンを重複領域(SEP間の繋ぎ目)あるいはその近傍にしないことによって,SEP間の繋ぎ合せ誤差によるパノラマ画像における形状誤差や,画像周辺に発生する場合がある像歪みの影響を避けることができる。また,前記禁止領域の指定は前述のようにユーザが指定することも可能であるし,設計情報を基にパターンの形状の複雑さを評価した指標値やEDAツール等から出力されたデバイス不良の発生し易い危険箇所等を基に自動で指定することも可能である。具体的に,禁止領域の指定および禁止領域を加味してSEPを決定した例を図10A乃至図10Dで説明する。図10Aは入力した設計情報(1001)およびEP(1002)およびユーザが禁止領域を矩形領域(斜線でハッチング)で指定した領域(1003)を示している。図10Bは図10Aで指定した禁止領域がSEP間の重複領域近傍に含まれないようにSEP配置(1004−1〜1004―9)を決定した結果である。
決定したSEPの撮像画像を画像処理により繋ぎ合せるには,各SEP間の重複領域に含まれるパターンの重なり度合い(相関値)が高くなるように位置合せする必要がある。しかしながら,重複領域は複数存在するため,重複領域における相関値を全て最大にすることはできない(ある重複領域の相関値を最大にすると,他の重複領域における相関値が下がることがある)。そのため,SEPの撮像画像を画像処理により繋ぎ合せる際,前記隣接リンク情報あるいは任意リンク情報におけるSEP間の繋ぎ合せ易さ可否あるいは繋ぎ合せ易さの情報を基に,重複領域毎に相関値を考慮する度合いを重みとして設定することを特徴とする。傾向として大きな重みが設定された重複領域の相関値がなるべく高くなるように繋ぎ合せが行われる。
前述のように決定したSEPを撮像したSEM画像群を繋ぎ合せることにより広範囲・高分解能のパノラマSEM画像が取得できる。
また,広範囲・高分解能なパターン輪郭線の抽出方法としては,図12A乃至図12Eに示すように以下の2通りあることを特徴とする。
・図12Aに示すように、複数のSEPをSEM撮像したSEP画群を画像処理により繋ぎ合せた広範囲のパノラマ画像を得て(1201),図12Bに示した前記パノラマ画像から広範囲のパターン輪郭線を抽出する(1202)。
・複数のSEPをSEM撮像して図12Cに示すSEP画像群を得(1203−1〜1203−4),前記SEP画像群の画像毎にパターン輪郭線を抽出して図12Dのパターン輪郭線群を得(1204−1〜1204−4),前記パターン輪郭線群を繋ぎ合せて図12Eの広範囲のパターン輪郭線を得る(1205)。
以上をまとめてパノラマ画像合成処理及び合成したパノラマ画像を用いたパターンの寸法計測の全体フローを図13Aを用いて説明する。まず,EPの領域と半導体回路あるいはマスクパターンの設計情報を入力する(それぞれステップ1301,1302)。EPは取得したいパノラマ画像の撮像範囲であり,EPの座標は,例えばEDA(Electronic Design Automation)ツールで実行される露光シミュレーション等の結果を基に検出されたデバイス不良が発生しやすいホットスポット(危険ポイント)の座標が入力されたり,あるいはユーザが自身の判断により(必要に応じて前記EDAツールの情報も参考にしながら)入力される場合もある。
まず図13Bのステップ1311-1において試料である半導体ウェーハまたはマスク(以降、これらを合わせて試料と記載する)をSEM装置のステージ121上に取り付ける。ステップ1311-2において光学顕微鏡等(図1のSEMシステムにおいては記載を省略)でウェーハ上のグローバルアライメントマークを観察することにより,ウェーハの原点ずれやウェーハの回転を補正する。
ここでAPについて説明する。SEPを観察する場合,直接SEPを観察しようとすると,ステージの位置決め誤差により,撮像ポイントが大きくずれてSEMの視野から外れてしまう可能性がある。そこで,一旦位置決め用として予め座標値とテンプレート(撮像ポイントのパターン)とが与えられたAPを観察する。この撮像ポイントのテンプレートは撮像レシピに登録しておく。以降,これをAP登録テンプレートと呼ぶ。APはSEPの近傍(最大でもビームシフトにより移動可能な範囲)から選択する。また,APはSEPに対して一般に低倍視野であるため,多少の撮像位置のずれに対しても,撮像したいパターンが完全のSEMの視野から外れてしまう可能性は低い。そこで,予め登録されたAP登録テンプレートと,実際に撮像されたAPのSEM像(実撮像テンプレート)とをマッチングすることにより,APにおける撮像ポイントの位置ずれ量を推定することができる。AP,SEPの座標値は既知なので,AP−SEP間の相対変位量を求めることができ,かつAPにおける撮像ポイントの位置ずれ量も前述のマッチングにより推定できるため,前記相対変位量から前記位置ずれ量を差し引くことにより,実際に移動すべきAP撮像位置からSEPまでの相対変位量が分かる。前記相対変位量分だけ,位置決め精度の高いビームシフトによって移動(ステージ121は停止したまま)することにより,高い座標精度でSEPを撮像することが可能となる。
次に、先に説明したステップ1312において、複数枚撮像したSEPのSEM画像を合成する。
2.で述べたSEP決定ステップにおいて全てのユーザ要求を満たすSEP配置が原理的に存在しない場合がある。例えば,SEPを指定した撮像倍率にするためには,どうしても全SEPの繋ぎ合せが困難となり,逆に全SEPが繋ぎ合せ可能とするためには,どうしてもSEPの撮像倍率が指定した値よりも小さくせざるを得ない等である。
そこで第二の実施例として,そのような場合であってもなるべくユーザの要求を満たすSEP配置を準最適解として決定する方式を提供する。本処理のフローを図14を用いて説明する。
すなわち,図15AのSEP配置はSEPの撮像倍率が高いが,全SEPが繋がらない。一方,図15C乃至図15FはSEPの撮像倍率が図15Aより低くなるが全SEPが繋ぎ合せ可能である。また,図15E及び図15Fは図15C及び図15Dの場合に比べてSEP間の重複領域幅が大きくSEPの数も多いが重複領域に含まれる禁止領域(1512)の面積が少ない。
本発明における入力・出力情報の設定あるいは表示を行うGUIの実施例を図16に示す。図16中のウィンドウ1701内に一画面で描画された各種情報は任意の組合せでウィンドウに分割してディスプレイ等に表示することができる。また,図中の**はシステムに入力された,あるいは出力された任意の数値(あるいは文字列)や数値の範囲であることを示す。
ボックス1729〜1731は,それぞれボックス1725〜1727に示すSEP配置に対するリンク情報を表示している。隣接リンク情報をx,yあるいはxyを丸で囲んだ記号とSEP間を結ぶ黒線で表示することができ,それぞれx方向に位置合せ可能(1732),y方向に位置合せ可能(1733)あるいはxy方向に位置合せ可能(1734)であることを示す。また,SEP全体をお互いに繋ぎ合せ可能なSEP集合(繋ぎ合せ可能SEP集合)で分割し,各分割されたSEP集合のSEPの中心位置を太い黒枠で囲んで表示することもできる。
本発明を半導体デバイスの設計・製造ラインおよびプロセスに適用した場合のシステム構成の実施例を図19A及び図19B及び図20を用いて説明する。
図19Aにおいて1601はマスクパターン設計装置,1602はマスク描画装置,1603はマスクパターンのウェーハ上への露光・現像装置,1604はウェーハのエッチング装置,1605および1607はSEM装置,1606および1608はそれぞれ前記SEM装置を制御するSEM制御装置,1609はEDA(Electronic Design Automation)ツールサーバ,1160はデータベースサーバ,1611はデータベースを保存するストレージ,1612は撮像レシピ作成装置,1613は画像処理装置,1614は生成したパターン形状の計測・評価ツールサーバであり,これらはネットワーク1615を介して情報の送受信が可能である。
また,以上の実施例は,走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)を用いたシステムについて説明したが,本発明はこれに限定されるものではなく,走査型イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)又は走査型透過電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope:STEM)等の走査荷電粒子顕微鏡に応用することが可能である。
1102…EP 1103-1〜1103-5…SEP 1201…パノラマSEM画像 1203-1〜1203-4…各SEPのSEM画像 1501…EP 1503-1〜1503-9…SEP 1506-1〜1506-4…SEP 1509-1〜1509-4…SEP 1601…マスクパターン設計装置 1602…マスク描画装置 1603…露光・現像装置 1604…エッチング装置 1605,1007…SEM装置 1606,1608…SEM制御装置 1609…EDAツールサーバ 1160…データベースサーバ 1611…データベース 1612…撮像レシピ作成装置 1613…画像処理装置 1614…形状計測・評価ツールサーバ 1615…ネットワーク 1615…EDAツール,データベース管理,撮像レシピ作成,画像処理,形状計測・評価ツール SEM制御用統合サーバ&演算装置 1701…GUI画面 1717…SEP候補算出ボタン 1718…SEP候補数設定ボックス 1719〜1721…SEP候補表示ボックス 1725〜1727…SEP配置表示ボックス 1728…SEP 1739〜1741…SEP選択ボタン 1904-1〜1904-6…SEP選択ボタン。
Claims (9)
- 走査型電子顕微鏡手段と、
該走査型電子顕微鏡手段で表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像レシピを作成し、該作成した撮像レシピに基づいて前記走査型電子顕微鏡手段で前記試料を撮像して得た該試料の画像を処理する処理手段と、
該処理手段で処理した前記試料の画像から前記試料上に形成されたパターンの寸法情報を抽出する寸法情報抽出手段と、
前記処理手段と前記寸法情報抽出手段とで処理する情報及び処理した情報並びに前記試料の設計情報を入出力する入出力手段と、
前記顕微鏡手段と前記処理手段と前記寸法情報抽出手段と前記入出力手段とを制御する制御手段とを備えた走査型電子顕微鏡装置であって、
前記処理手段は、前記入出力手段で入力した設計情報に基づいて前記複数の画像のうち隣接する領域の画像間の繋ぎ合せの可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値を算出する指標値算出部と、該指標値算出部で算出した繋ぎ合せ易さを示す指標値に基づいて前記複数の画像のそれぞれの撮像領域と撮像倍率とを含む局所撮像領域群の撮像レシピを作成する局所撮像領域群撮像レシピ作成部と、該局所撮像領域群撮像レシピ作成部で作成した撮像レシピに基づいて前記走査型電子顕微鏡を制御して前記試料上の隣接する複数の領域をそれぞれ一部重ねて順次撮像して得た複数の画像を繋ぎ合せて広域の画像を生成する局所画像群繋ぎ合せ部とを有し、
前記寸法情報抽出手段は前記処理手段で複数の画像を繋ぎ合せて生成した広域の画像から前記パターンの寸法情報を抽出する
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。 - 前記制御手段は、前記入出力手段から入力された撮像領域の情報と前記パターンの設計情報とを用いて前記走査型電子顕微鏡手段で撮像する前記試料上の隣接する複数の領域の画像間の重なり幅を算出し、該算出した重なり幅の情報を用いて前記走査型電子顕微鏡手段を制御して前記走査型電子顕微鏡手段で前記試料を撮像することを特徴とする請求項1記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 走査型電子顕微鏡手段と、
該走査型電子顕微鏡手段で表面にパターンが形成された試料を撮像するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成手段と、
該撮像レシピ作成手段で作成した撮像レシピに基づいて前記走査型電子顕微鏡手段で前記試料を撮像して得た該試料の画像を処理する画像処理手段と、
該画像処理手段で処理した前記試料の画像から前記試料上に形成されたパターンの寸法情報を抽出する寸法情報抽出手段と、
表示画面を備えて前記画像処理手段と前記寸法情報抽出手段とで処理する情報及び処理した情報を入出力する入出力手段と、
前記顕微鏡手段と前記撮像レシピ作成手段と前記画像処理手段と前記寸法情報抽出手段と前記入出力手段とを制御する制御手段とを備えた走査型電子顕微鏡装置であって、
前記撮像レシピ作成手段は、前記走査型電子顕微鏡手段で撮像して得た前記試料の低倍率の画像が表示された前記入出力手段の画面上で指定された高倍率画像取得領域の設計情報を用いて該指定された高倍率画像取得領域を複数の局所撮像領域に分割したときに前記複数の局所撮像領域の画像のうち隣接する局所撮像領域の画像間の繋ぎ合せの可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値として任意の隣接する二つの局所撮像領域間の重複領域に含まれるパターンを基に該任意の隣接する二つの局所撮像領域間の繋ぎ合わせ可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値(隣接リンク情報)と,該繋ぎ合わせ可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値を基に任意の二つの局所撮像領域間の繋ぎ合わせ可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値(任意リンク情報)とを含む指標値を算出し、該算出したする指標値を用いて撮像レシピを作成する機能を有し、
前記制御手段は、前記撮像レシピ作成手段で作成した撮像レシピに基づいて前記走査型電子顕微鏡手段を制御して前記各局所撮像領域を高倍率で撮像させる機能を有し、
前記画像処理手段は、前記走査型電子顕微鏡手段で撮像して得た各局所撮像領域の高倍率の画像を繋ぎ合わせた高倍率の広域画像を作成する機能を有し、
前記寸法情報抽出手段は、前記画像処理手段で作成した高倍率の広域画像から前記パターンの寸法を抽出する機能を有する
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。 - 前記撮像レシピ作成手段の複数の領域に分割する機能は前記高倍率画像取得領域を複数の領域に分割することを複数のケースについて求めることを含み、前記入出力手段は前記撮像レシピ作成手段で求めた複数の分割のケースを前記表示画面上に並べて表示し、前記制御手段は前記並べて表示した画面上で指定された分割のケースに基づいて前記走査型電子顕微鏡手段を制御して前記分割された各領域を撮像させることを特徴とする請求項3記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 前記撮像レシピ作成手段は、前記試料の低倍率の画像が表示された画面上で指定された高倍率画像取得領域の画像情報と該指定された高倍率画像取得領域の設計情報とを用いて該指定された高倍率画像取得領域を隣接する領域同士が互いに前記パターンのエッジの一部を含んで重なり合うようにして複数の領域に分割することを特徴とする請求項3記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 前記試料が露光用マスクであり、前記パターンが光近接効果補正がなされたパターンであることを、特徴とする請求項1または3に記載の走査型電子顕微鏡装置。
- 表面にパターンが形成された試料を走査型電子顕微鏡を用いて低倍率で撮像し、
該撮像して得た前記試料の低倍率の画像を画面上に表示し、
該低倍率の画像が表示された画面上で指定された高倍率画像取得領域の設計情報を用いて該指定された高倍率画像取得領域を複数の局所撮像領域に分割したときに隣接する局所撮像領域の画像間の繋ぎ合せの可否または繋ぎ合せ易さを示す指標値を算出し、該算出した繋ぎ合せ易さを示す指標値に基づいて前記複数の画像のそれぞれの撮像領域と撮像倍率とを含む局所撮像領域群の撮像レシピを作成し、
該作成した撮像レシピに基づいて前記分割した各局所撮像領域を前記走査型電子顕微鏡で撮像して前記各局所撮像領域の高倍率の画像を取得し、
該撮像して得た各局所撮像領域のそれぞれの高倍率の画像を繋ぎ合わせて高倍率の広域画像を作成し、
該作成した高倍率の広域画像から前記パターンの寸法を抽出する
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡装置を用いたパターン寸法計測方法。 - 前記高倍率画像取得領域を複数の領域に分割することを複数のケースについて求め、該求めた複数の分割のケースを前記表示画面上に並べて表示し、該表示した画面上で指定された分割のケースに基づいて前記走査型電子顕微鏡手段で前記分割された各領域を高倍率で撮像することを特徴とする請求項7記載の走査型電子顕微鏡装置を用いたパターン寸法計測方法。
- 前記撮像レシピを作成する工程において、前記試料の低倍率の画像が表示された画面上で指定された高倍率画像取得領域の画像情報と該指定された高倍率画像取得領域の設計情報とを用いて該指定された高倍率画像取得領域を隣接する領域同士が互いに前記パターンのエッジの一部を含んで重なり合うようにして複数の領域に分割することを特徴とする請求項7記載の走査型電子顕微鏡装置を用いたパターン寸法計測方法。
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