JP2011018763A - 面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層した下部反射鏡と、下部反射鏡上に、半導体材料により構成される活性層と、活性層上に、半導体材料の一部の領域を酸化することにより電流狭窄構造が形成される選択酸化層と、選択酸化層上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層した上部反射鏡とを有し、半導体基板には下部電極が、上部反射鏡には上部電極が接続され、電極間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、活性層と選択酸化層との間に、DBR層が設けられており、DBR層は高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層により形成されており、高屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度は、低屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度よりも低い値である。
【選択図】図1
Description
本発明に係る第1の実施の形態について説明する。本実施の形態は、面発光型半導体レーザー(VCSEL)である。図2に基づき、本実施の形態における面発光型半導体レーザーについて説明する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における第1のDBR層16の低屈折率層16aであるp型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなる層には、Mgを不純物として1.5×1018cm−3ドープされており、高屈折率層16bであるにはp型(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pからなる層には、1×1017cm−3〜1×1018cm−3のMgがドープされている。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における第1のDBR層16を低屈折率層であるp型Al0.9Ga0.1Asと、高屈折率層であるp型Al0.3Ga0.7Asとの2層の積層膜により形成したものであり、第2のDBR層17と同じAlGaAsにより形成したものである。
次に、第4の実施の形態について説明する。第1の実施の形態においては、DBR層として第1のDBR層16と第2のDBR層17とを2つ形成したものであるが、本実施の形態におけるDBR層は、1つ形成された構成のものである。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、本発明に係る面発光型レーザーアレイ素子を光源として用いた画像形成装置である。本実施の形態について、図6に基づいて説明する。
次に、図7に基づき光走査装置100について説明する。
次に、図9に基づきカラー画像を形成するための画像形成装置について説明する。
12 下部反射鏡
13 下部スペーサ層
14 多重量子井戸層
15 上部スペーサ層
16 第1のDBR層
16a 低屈折率層
16b 高屈折率層
17 第2のDBR層
17a 低屈折率層
17b 高屈折率層
18 選択酸化層
18a 酸化領域
18b 電流狭窄領域
19 上部反射鏡
20 GaAsキャップ層
21 保護膜
22 ポリイミド膜
23 p電極
24 n電極
30 共振器
Claims (13)
- 半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、
前記下部反射鏡上において、半導体材料により構成される活性層と、
前記活性層上において、半導体材料の一部の領域を酸化することにより電流狭窄構造が形成される選択酸化層と、
前記選択酸化層上において、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡と、
を有し、前記半導体基板には下部電極が、前記上部反射鏡には上部電極が接続され、前記上部電極と前記下部電極の間に電流を流すことにより、前記半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、
前記活性層と前記選択酸化層との間に、DBR層が設けられており、
前記DBR層は高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層により形成されており、前記高屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度は、前記低屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度よりも低い値であることを特徴とする面発光型半導体レーザー。 - 前記DBR層は第1のDBR層と第2のDBR層からなり、
前記第1のDBR層は高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層により形成されており、前記高屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度は、前記低屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度よりも低い値であって、
前記第2のDBR層は高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層により形成されており、前記高屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度は、前記低屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度よりも低い値であることを特徴とする請求項1に記載の面発光型半導体レーザー。 - 前記DBR層は、AlGaAsを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザー。
- 前記DBR層は、AlGaInPを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザー。
- 前記第1のDBR層はAlGaAsを含む材料により形成されており、
前記第2のDBR層はAlGaInPを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項2に記載の面発光型半導体レーザー。 - 前記不純物は、前記DBR層を構成する材料がAlGaAsを含む材料である場合には、Cであり、また、前記DBR層を構成する材料がAlGaInPを含む材料である場合には、MgまたはZnであることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の面発光型半導体レーザー。
- 前記高屈折率材料からなる層における不純物のドーピング濃度は、5×1016cm−3以上、1×1018cm−3以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の面発光型半導体レーザー。
- 前記面発光型半導体レーザーの発光波長をλとした場合に、
前記低屈折率材料からなる層の膜厚は、前記低屈折率材料からなる層を構成する材料の屈折率をn1とした場合に、λ/(4×n1)または、3×λ/(4×n1)であり、
前記高屈折率材料からなる層の膜厚は、前記高屈折率材料からなる層を構成する材料の屈折率をn2とした場合に、λ/(4×n2)または、3×λ/(4×n2)であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の面発光型半導体レーザー。 - 前記面発光型半導体レーザーの発光波長をλとし、前記低屈折率材料からなる層を構成する材料の屈折率をn1とし、前記高屈折率材料からなる層を構成する材料の屈折率をn2とした場合に、
前記低屈折率材料からなる層と前記高屈折率材料からなる層とにより構成されるDBR層の膜厚は、λ/(4×n1)+λ/(4×n2)、3λ/(4×n1)+3λ/(4×n2)、3λ/(4×n1)+λ/(4×n2)、λ/(4×n1)+3λ/(4×n2)のいずれかであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の面発光型半導体レーザー。 - 請求項1から9のいずれかに記載された面発光型半導体レーザーが、同一半導体基板上に複数配列されていることを特徴とする面発光型レーザーアレイ素子。
- 光束によって被走査面上を走査する光走査装置であって、
請求項10に記載の面発光型レーザーアレイ素子を有する光源ユニットと、
前記光源ユニットからの光束を偏向する偏向手段と、
前記偏光手段により偏向された光束を被走査面上に集光する走査光学系と、
を備えたことを特徴とする光走査装置。 - 少なくとも一つの像担持体と、
前記少なくとも一つの像担持体に対して、画像情報が含まれる光束を走査する少なくとも一つの請求項11に記載の光走査装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。 - 前記画像はカラー画像であることを特徴とする請求項12に記載の画像形成装置。
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JP2009162172A JP2011018763A (ja) | 2009-07-08 | 2009-07-08 | 面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
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