JP2011017087A - ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スパッタカソード室11と成膜室12とを有し、スパッタカソード室で生成された原子及び超微粒子の集合体を成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、成膜室にレンズ効果により超微粒子を収束、発散をさせる静電レンズが設けられる。
【選択図】図1
Description
スパッタカソードの組立体4における夕一ゲット4aとしてSiターゲットを接合する。このスパッタカソード組立体4をスパッタカソード室1に取付け、そしてスパッタカソード室1及び成膜室2はそれぞれ組合さった真空ポンプで排気される。
図1に示すように、超微粒子薄膜形成装置は、それぞれ円筒形を成したスパッタカソード室11及びスパッタカソード室11に連接して設けられた成膜室12を備えており、スパッタカソード室11及び成膜室12はそれぞれ排気ポート11a、12aを介して図示していない排気系に接続され、それぞれ真空に保持できるように構成されている。
ターゲット14aとしてはSi基板を使用する。スパッタカソード組立体14におけるArガス導入パイプ14cを介してスパッタカソード組立体14の先端部からArガスをスパッタカソード室11内に導入してプラズマを点火させる。同時に高周波電源20からコイル19に高周波電力を投入してプラズマの電離効率を高めさせる。
さらにプラズマ密度を上げることにより電離効率を上げることができる。
12:成膜室
13:液体窒素シュラウド
14:スパッタカソード組立体
15:アパチャ
16:オリフィス
17:基板ホルダ
18:直流電源
19:高周波誘導コイル
20:高周波電源
21:コンデンサコイル
22:直流高電圧電源
Claims (3)
- スパッタカソード室と成膜室とを有し、スパッタカソード室にマグネトロンスパッタカソード部の回りに冷媒を貯蔵することが可能なシュラウドを設け、シュラウドで仕切られた閉空間に放電用ガスを導入して発生したプラズマによってマグネトロンスパッタカソード部に取付けられたターゲットからスパッタされた原子及び超微粒子をシュラウドで仕切られた閉空間に導入されるHeガスと衝突させて原子及び超微粒子の集合体を生成し、これを成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、
シュラウドで発生したプラズマの流出する方向において成膜室内の基板ヘ向う経路に沿って、基板への超微粒子の吸着面積を制御する静電レンズを設けたことを特徴とするヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置。 - 静電レンズが、スパッタカソード室と成膜室と間に設けられたオリフィスと、成膜室内の基板との間に位置決めされている請求項1に記載のへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置。
- 静電レンズが、金属製の円筒体から成り、直流高電圧電源に接続されている請求項1に記載のへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000364723A Division JP4621347B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011017087A true JP2011017087A (ja) | 2011-01-27 |
JP5325186B2 JP5325186B2 (ja) | 2013-10-23 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP5325186B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH07176481A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Ulvac Japan Ltd | 多層膜作成装置 |
JPH07291790A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-11-07 | Nippon Steel Corp | 分子線エピタキシー装置 |
JP3080945B1 (ja) * | 1999-05-28 | 2000-08-28 | 科学技術振興事業団 | 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置 |
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2010
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Patent Citations (4)
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JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH07176481A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Ulvac Japan Ltd | 多層膜作成装置 |
JPH07291790A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-11-07 | Nippon Steel Corp | 分子線エピタキシー装置 |
JP3080945B1 (ja) * | 1999-05-28 | 2000-08-28 | 科学技術振興事業団 | 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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