JP2011013479A - 光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
(Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基。R’はH又はトリフルオロメチル基。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数。)
【効果】本発明の光酸発生剤より生ずる酸は、スルホネートに嵩高い環式構造で酸拡散を抑制しつつ、直鎖状炭化水素基の存在によって適度な機動性も有していることから、適度な酸拡散挙動を示す。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程に問題なく使用でき、解像性能、LWR、露光余裕度といった問題も解決できる。
【選択図】なし
Description
更に、従来の光酸発生剤を用いたレジスト材料では、解像性の劣化を伴わず、LWR、露光余裕度の問題を解決できない。
請求項1:
高エネルギー線又は熱に感応し、下記一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。)
請求項2:
下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)
請求項3:
下記一般式(3)で示されるスルホニウム塩。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。R8は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。pは0(零)又は1、qは1〜5の整数を示す。)
請求項4:
下記一般式(4)で示されるヨードニウム塩。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。R8は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。pは0(零)又は1、qは1〜5の整数を示す。)
請求項5:
ベース樹脂、酸発生剤、クエンチャー及び有機溶剤を含有してなるレジスト材料において、前記酸発生剤が、請求項1記載の一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤であることを特徴とするレジスト材料。
請求項6:
ベース樹脂、請求項1記載の一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、クエンチャー及び有機溶剤を含有し、上記ベース樹脂が現像液に不溶あるいは難溶であって、酸の作用によって現像液に可溶となる化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項7:
ベース樹脂が、下記一般式(11)〜(15)で示される繰り返し単位のいずれか1種以上を含有することを特徴とする請求項5記載のレジスト材料。
(式中、R11は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。Xは酸不安定基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。Zは水素原子、炭素数1〜15のフルオロアルキル基、又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。Nは0〜2の整数を示す。R7は水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基を示す。Bは単結合あるいは酸素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10の二価の有機基を示す。aは0〜3の整数、bは1〜3の整数を示す。)
請求項8:
請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項9:
請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成工程において、前記露光を屈折率1.0以上の高屈折率液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とするパターン形成方法。
請求項10:
請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成工程において、レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、露光を屈折率1.0以上の高屈折率液体を該保護膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とするパターン形成方法。
本発明の光酸発生剤は、スルホニウム塩、ヨードニウム塩等に代表される化合物であり、これは紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1)で示されるスルホン酸を発生し、化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤として有効である。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。)
本発明に係るスルホニウム塩は、下記一般式(2)で示されるものである。
(式中、R、A1、n、R’は上記と同様である。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)
(式中、R、A1、n、R’は上記と同様である。R8は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。pは0(零)又は1、qは1〜5の整数を示す。)
2−ブロモ−2,2−ジフルオロエタノールとカルボン酸クロリドとの反応で2−ブロモ−2,2−ジフルオロエチルアルカンカルボキシレート、あるいは2−ブロモ−2,2−ジフルオロエチルアレーンカルボキシレートを得て、次いで亜二チアン酸ナトリウムなどの硫黄化合物によりブロモ基をスルフィン酸ナトリウムとし、次いで過酸化水素などの酸化剤によりスルフィン酸をスルホン酸に変換する。
(上記式中、R9はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)
得られたスルホン酸ナトリウムとスルホニウム塩化合物のイオン交換反応により目的のスルホニウム塩を得ることができる。イオン交換反応は特開2007−145797号公報などに詳しい。
(上記式中、R2〜R4、R9は上記と同意である。X-は対アニオンであり、I-、Br-、Cl-等のハライド、硫酸アニオン、メチル硫酸アニオン等の硫酸又はアルキル硫酸アニオン、アセテート、ベンゾエート等のカルボン酸アニオン、メタルスルホネート、プロパンスルホネート等のアルカンスルホネート、ベンゼンスルホネート、p−トルエンスルホネート等のアレーンスルホネート、ヒドロキシドなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。)
(上記式中、R2〜R4、R9は上記と同意であり、Meはメチル基を示す。)
また、一般式(3)で示されるスルホニウム塩、一般式(4)で示されるヨードニウム塩も同様に合成することができる。
R−A1−(CH2)n−COCX1 (5)
(式中、R、A1、nは上記と同様である。X1はハロゲン原子を示す。)
R−(CO)mOM (6)
(式中、Rは上記と同様である。Mはリチウム、ナトリウム又はカリウムを示す。mは0又は1を示す。)
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化するベース樹脂、
(B)有機溶剤
必要により、更に
(C)本発明に係る光酸発生剤以外の酸発生剤、
(D)クエンチャー、
(E)界面活性剤
を含有するものが好ましい。
(A’)アルカリ現像液に可溶なベース樹脂、
(B)有機溶剤、
必要により、更に
(C)本発明に係る光酸発生剤以外の酸発生剤、
(D)クエンチャー、
(E)界面活性剤
(F)酸によって架橋する架橋剤
を含有するものが好ましい。
まず、本発明に係る光酸発生剤は、上記(A)成分又は(A’)成分100質量部に対し0.1〜80質量部、特に1〜40質量部の割合で配合することが好ましい。配合量が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時に異物の問題が起きる可能性がある。
(式中、R11は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。Xは酸不安定基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。Zは水素原子、炭素数1〜15のフルオロアルキル基、又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。Nは0〜2の整数を示す。R7は水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基を示す。Bは単結合あるいは酸素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10の二価のアルキレン基等の有機基を示す。aは0〜3の整数、bは1〜3の整数を示す。)
酸不安定基Xとしては、種々用いることができるが、具体的には下記一般式(L1)〜(L4)及び(L2−2)で示される基、炭素数4〜20、好ましくは4〜15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基等を挙げることができる。
また、式(L1)において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
9−(tert−ブチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(tert−アミルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(2−(アダマンタン−1−イル)プロパン−2−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(1−ブチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(1−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(1−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(2−エチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
9−(4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル基、
2−(9−(tert−ブチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(tert−アミルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(2−(アダマンタン−1−イル)プロパン−2−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(1−ブチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(1−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(1−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
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2−(9−(2−エチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
2−(9−(4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチル基、
4−(9−(tert−ブチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(tert−アミルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(2−(アダマンタン−1−イル)プロパン−2−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(1−エチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(1−ブチルシクロペンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(1−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(1−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(2−エチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基、
4−(9−(4−エチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン−4−イルオキシカルボニル)−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−4−オキソブチル基
等が例示できる。
前記一般式(L4−1)〜(L4−4)は、エナンチオ異性体(enantiomer)やジアステレオ異性体(diastereomer)が存在し得るが、前記一般式(L4−1)〜(L4−4)は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
なお、(L4−1)〜(L4−4)、(L4−3−1)、(L4−3−2)及び(L4−4−1)〜(L4−4−4)の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される(特開2000−336121号公報参照)。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する3級exo−アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式(L4−1−endo)〜(L4−4−endo)で示されるendo−アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル%以上であることが好ましく、exo比率が80モル%以上であることが更に好ましい。
(式中、R11、Xは上記と同様である。Gは酸素原子又はカルボニルオキシ基(−C(=O)O−)を示す。)
(I)上記式(11)〜(15)、及び/又は(21)〜(25)で示される構成単位の1種又は2種以上を0モル%を超え100モル%以下、好ましくは70〜100モル%、より好ましくは80〜100モル%含有し、必要に応じ、(II)その他の単量体に基づく構成単位の1種又は2種以上を0〜100モル%未満、好ましくは0〜30モル%、より好ましくは0〜20モル%含有することができる。
本発明の高分子化合物を製造する共重合反応は種々例示することができるが、好ましくはラジカル重合、アニオン重合又は配位重合である。
なお、上記高分子化合物は1種に限らず2種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物を用いることにより、レジスト材料の性能を調整することができる。
ここで強酸を発生する光酸発生剤がオニウム塩である場合には上記のように高エネルギー線照射により生じた強酸が弱酸に交換することはできるが、高エネルギー線照射により生じた弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いという現象に起因する。
クエンチャーとは、本技術分野において広く一般的に用いられる用語であり、酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物を言う。クエンチャーの配合により、レジスト感度の調整が容易となることに加え、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。
ここで、R、Rf、A’’、B’’、C’’、m’’、n’’は、上述の界面活性剤以外の記載に拘わらず、上記式(surf−1)のみに適用される。Rは2〜4価の炭素数2〜5の脂肪族基を示し、具体的には2価のものとしてエチレン、1,4−ブチレン、1,2−プロピレン、2,2−ジメチル−1,3−プロピレン、1,5−ペンチレンが挙げられ、3又は4価のものとしては、下記のものが挙げられる。
(式中、破線は結合手を示し、それぞれグリセロール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールから派生した部分構造である。)
これらの中で好ましく用いられるのは、1,4−ブチレン又は2,2−ジメチル−1,3−プロピレンである。
例えば、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、ポリ(m−ヒドロキシスチレン)、ポリ(4−ヒドロキシ−2−メチルスチレン)、ポリ(4−ヒドロキシ−3−メチルスチレン)、ポリ(α−メチル−p−ヒドロキシスチレン)、部分水素加(p−ヒドロキシスチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−α−メチル−p−ヒドロキシスチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−スチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−m−ヒドロキシスチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−スチレン)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、(アクリル酸−メチルアクリレート)コポリマー、(メタクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、(アクリル酸−マレイミド)コポリマー、(メタクリル酸−マレイミド)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−マレイミド)コポリマー、(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−マレイミド)コポリマー等が挙げられるがこれらの組み合わせに限定されるものではない。
後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。
上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶媒に溶解させた材料とすることもできる。
また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンス(ポストソーク)を行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンス(ポストソーク)を行ってもよい。
ジフェニルスルホキシド40g(0.2モル)をジクロロメタン400gに溶解させ、氷冷下撹拌した。トリメチルシリルクロリド65g(0.6モル)を、20℃を超えない温度で滴下し、更にこの温度で30分間熟成を行った。次いで、金属マグネシウム14.6g(0.6モル)とクロロベンゼン67.5g(0.6モル)、テトラヒドロフラン(THF)168gから別途調製したGrignard試薬を、20℃を超えない温度で滴下した。反応の熟成を1時間行った後、20℃を超えない温度で水50gを加えて反応を停止し、更に水150gと12規定塩酸10gとジエチルエーテル200gを加えた。
水層を分取し、ジエチルエーテル100gで洗浄し、トリフェニルスルホニウムクロリド水溶液を得た。これは、これ以上の単離操作をせず水溶液のまま次の反応に用いた。
合成例1−1のクロロベンゼンの代わりに4−tert−ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際に水の量を増やす以外は合成例1−1と同様にして目的物を得た。
合成例1−1のクロロベンゼンの代わりに4−tert−ブトキシクロロベンゼンを、溶剤にトリエチルアミンを5質量%含むジクロロメタン溶剤を用い、抽出の際に水の量を増やす以外は合成例1−1と同様にして目的物を得た。
合成例1−1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス(4−メチルフェニル)スルホキシドを用い、クロロベンゼンの代わりに4−クロロトルエンを用い、抽出の際に水の量を増やす以外は合成例1−1と同様にして目的物を得た。
合成例1−1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス(4−tert−ブチルフェニル)スルホキシドを、クロロベンゼンの代わりに4−tert−ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際に水の量を増やす以外は合成例1−1と同様にして目的物を得た。
tert−ブチルベンゼン84g(0.5モル)、ヨウ素酸カリウム53g(0.25モル)、無水酢酸50gの混合物を氷冷下撹拌し、無水酢酸35gと濃硫酸95gの混合物を、30℃を超えない温度で滴下した。次いで室温で3時間熟成を行い、再度氷冷して水250gを滴下し、反応を停止した。この反応液を、ジクロロメタン400gを用いて抽出し、有機層に亜硫酸水素ナトリウム6gを加えて脱色した。更にこの有機層を水250gで洗浄することを3回繰り返した。洗浄した有機層を減圧濃縮することで、目的の粗生成物を得た。これ以上の精製はせずこのまま次の反応に用いた。
チオアニソール6.2g(0.05モル)とジメチル硫酸6.9g(0.055モル)を室温で12時間撹拌した。反応液に水100gとジエチルエーテル50mlを加えて水層を分取し、目的のジメチルフェニルスルホニウム硫酸塩水溶液を得た。
フェナシルブロミド88.2g(0.44モル)、テトラヒドロチオフェン39.1g(0.44モル)をニトロメタン220gに溶解し、室温で4時間撹拌を行った。反応液に水800gとジエチルエーテル400gを加え、分離した水層を分取し、目的のフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミド水溶液を得た。
ピバル酸クロリドと2−ブロモ−2,2−ジフルオロエタノールをTHF中で混合、氷冷した。トリエチルアミンを加え、通常の分液操作と溶剤留去を行い、ピバル酸=2−ブロモ−2,2−ジフルオロエチルを得た。次いで亜二チアン酸ナトリウムによりスルフィン酸ナトリウム化、過酸化水素による酸化を行い、目的の2−(ピバロイルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホン酸ナトリウムを得た。
カルボン酸エステルの合成は公知であり、またアルキルハライドからのスルフィン酸、スルホン酸の合成は公知である。後者は例えば特開2004−2252号公報などに記載されている。
2−(ピバロイルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホン酸ナトリウム(純度63%)159g(0.37モル)とトリフェニルスルホニウム=ヨージド132g(0.34モル)をジクロロメタン700gと水400gに溶解させた。分離した有機層を水200gで3回洗浄し、有機層を濃縮した。残渣にジエチルエーテルを加えて再結晶を行い、目的物を白色結晶として得た。収量164g(収率95%)
2−(ピバロイルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホン酸ナトリウム(純度70%)20g(0.052モル)と4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ブロミド水溶液217g(0.052モル)をジクロロメタン150gに溶解させた。分離した有機層を水50gで3回洗浄し、有機層を濃縮した。残渣にジエチルエーテルを加えて再結晶を行い、目的物を白色結晶として得た。収量26g(収率79%)
トリフェニルスルホニウム−2−(ピバロイルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート243.5g(0.48モル)をメタノール760gに溶解し、氷冷した。水酸化ナトリウム水溶液〔水酸化ナトリウム40gを水120gに溶解したもの〕を、5℃を超えない温度で滴下した。室温で8時間熟成を行い、10℃を超えない温度で希塩酸(12規定塩酸99.8gと水200g)を加えて反応を停止し、メタノールを減圧除去した。ジクロロメタン1,000gを加え、飽和食塩水30gで3回有機層を洗浄した後、有機層を濃縮し、残渣にジイソプロピルエーテル1Lを加えて結晶化させた。その結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た。収量187g(純度78%、換算収率78%)
得られた目的物(PAG1)の構造を下記に示す。
トリフェニルスルホニウム−2−(ピバロイルオキシ)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート50.9g(0.1モル)をメタノール200gに溶解し、氷冷した。28質量%ナトリウムメトキシド・メタノール溶液2.0gを加えて、室温で24時間熟成を行い、10℃を超えない温度で12規定塩酸1.0gを加えて反応を停止し、メタノールを減圧除去した。ジクロロメタン250gを加え、無機塩を濾過後、濾液を濃縮し、残渣にジイソプロピルエーテル150gを加えて結晶化させた。その結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た。収量42g(純度99%、換算収率99%)
合成例1−2〜1−8で調製したスルホニウム塩あるいはヨードニウム塩を用いる以外は合成例1−10及び合成例1−12と同様にして目的物を合成した。これらのオニウム塩(PAG2〜PAG8)を下記に示す。
常法により合成した1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−プロパン−2−イル ベンゾエート10.0gを水72gに分散させ、亜硫酸水素ナトリウム12.0gを加えて100℃で14時間反応を行った。反応液を放冷後、トルエンを加えて分液操作を行い、分取した水層に飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて析出した白色結晶を濾別した。この結晶を少量の飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧乾燥を行うことで目的の2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホン酸ナトリウムを得た[白色結晶5.85g(収率43%)]。
合成例1−1のトリフェニルスルホニウムクロリド水溶液0.011モル相当の水溶液と合成例1−9で合成した2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホン酸ナトリウム3.6g(0.01モル)をジクロロメタン50g中で撹拌した。有機層を分取し、水50gで3回有機層を洗浄した。有機層を濃縮し、残渣にジエチルエーテル25gを加えて結晶化させた。結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た[白色結晶4.5g(収率75%)]。
合成例1−10のトリフェニルスルホニウム−2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート34.4gをメタノール72gに溶解させ、氷冷下撹拌した。そこへ5%水酸化ナトリウム水溶液54.0gを10℃を超えない温度で滴下した。この温度で4時間熟成した後、10℃を超えない温度で12規定塩酸6.8gを加えて反応停止し、メタノールを減圧除去した。ジクロロメタン270gを加え、水40gで3回有機層を洗浄した後、有機層を濃縮し、残渣にジエチルエーテル60gを加えて結晶化させた。その結晶を濾過、乾燥することで目的物を得た[白色結晶24.3g(収率85%)]。目的物(PAG9)の構造を下記に示す。
合成例1−2〜1−8で調製したスルホニウム塩あるいはヨードニウム塩を用いる以外は合成例1−22及び合成例1−23と同様にして目的物を合成した。これらのオニウム塩(PAG10〜PAG16)を下記に示す。
1−アダマンタンカルボン酸とクロロ酢酸t−ブチルエステルにより、2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸t−ブチルエステルを調製し、酸による脱保護とオキザリルクロリドにより2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリドを合成した。
合成例1−23のトリフェニルスルホニウム−2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート9.8g(0.02モル)、トリエチルアミン2.2g(0.022モル)、N,N−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)をジクロロメタン40gに溶解し氷冷した。上述した2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリド5.6g(0.022モル)を、5℃を超えない温度で添加し、室温で1時間撹拌した。12規定塩酸3gと水10gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、メチルイソブチルケトン80gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水50gで2回洗浄し、溶剤を減圧留去した。残渣にジイソプロピルエーテルを加えて結晶化を行い、目的物を得た[白色結晶12.0g(収率84%)]。融点110〜111℃。目的物の構造を下記に示す。
赤外吸収スペクトル(IR(KBr);cm-1)
2933、2908、2854、1787、1735、1476、1448、1373、1324、1266、1249、1216、1177、1105、1094、1071、995、938、835、751、684、642、578、552、535、505
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-449((C11H15O2‐CH2CO2)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
4−オキソ−1−アダマンタンカルボン酸とクロロ酢酸t−ブチルエステルにより、2−(4−オキソ−アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸t−ブチルエステルを調製し、酸による脱保護とオキザリルクロリドにより2−(4−オキソ−アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリドを合成した。
この酸クロライド3.1g(0.01モル)とトリフェニルスルホニウム−2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート4.9g(0.01モル)、塩化メチレン20gの混合溶液に、トリエチルアミン1.1g(0.01モル)、4−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)、塩化メチレン5.0gの混合溶液を滴下し、室温で3時間撹拌した。その後、5%塩酸11gを加えて反応を停止した。反応液の有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。残渣にメチルイソブチルケトン30g、希アンモニア水15gを加え、有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、メチルイソブチルケトンを減圧留去した。得られた残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、その後減圧乾燥を行うことで目的物を得た[無色オイル6.8g(収率94%)]。目的物の構造を下記に示す。
赤外吸収スペクトル(IR(KBr);cm-1)
2936、2862、1788、1738、1721、1476、1447、1373、1251、1217、1176、1102、1070、995、750、685、642。
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-463((C11H13O3‐CH2CO2)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
合成例1−32と同様にして2−(4−オキソ−アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリドを合成した。
この酸クロライド3.1g(0.01モル)とトリフェニルスルホニウム−1,1−ジフルオロ−2−ヒドロキシエタンスルホネート4.3g(0.01モル)、塩化メチレン20gの混合溶液に、トリエチルアミン1.1g(0.01モル)、4−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)、塩化メチレン5.0gの混合溶液を滴下し、室温で6時間撹拌した。その後、5%塩酸11gを加えて反応を停止した。反応液の有機層を分取し、次いでこの有機層を水20g、更に希アンモニア水で洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。残渣にメチルイソブチルケトン30gを加え、残存している水をメチルイソブチルケトンと共に共沸除去した。得られた残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、その後減圧乾燥を行うことで目的物を得た[無色オイル5.1g(収率77%)]。目的物の構造を下記に示す。
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-395((C11H13O3‐CH2CO2)CH2CF2SO3 -相当)
トリフェニルスルホニウム 1,1−ジフルオロ2−ヒドロキシエタンスルホネート6.34g(0.015モル)、クロロ酪酸クロリド1.9g(0.013モル)、アセトニトリル32gの混合溶液に、ピリジン1.42g(0.018モル)を滴下し、室温で4時間撹拌した。その後、12規定塩酸3gと水30gから調製した希塩酸水溶液を加えて反応溶液を濃縮した。濃縮後ジクロロメタン30gを加え有機層を分取し、次いでこの有機層を水20gで洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。残渣にメチルイソブチルケトン20gを加え、メチルイソブチルケトンを減圧留去した。得られた残渣にエーテルを加えることでデカンテーションを行い、真空乾燥して目的物を得た[褐色オイル6.52g(収率87%)]。目的物の構造を下記に示す。
赤外吸収スペクトル(IR(KBr);cm-1)
3436、3062、1745、1477、1448、1255、1178、1132、1105、997、946、750、684、642、551、524、503
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-265(CH2(OCO−C3H6Cl)CF2SO3 -相当)
合成例1−34で得られたトリフェニルスルホニウム 2−(2−クロロブチルオキシ)−1,1−ジフルオロスルホエタンスルホネート9.7g(0.02モル)、アダマンタン−1−カルボン酸ナトリウム4.5g(0.02モル)、ヨウ化ナトリウム0.6g(0.004モル)、ジメチルホルムアミド60gを加え、90℃で15時間加熱撹拌した。反応液を室温に戻した後、水150gとジクロロメタン300gを加えて有機層を分取し、水洗を行い、次いで希塩酸で洗浄した後、再び水洗を行った。洗浄後の有機層を減圧留去し、残渣にメチルイソブチルケトン30gを加え、残存している水をメチルイソブチルケトンと共に共沸除去した。得られた残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、その後減圧乾燥を行うことで目的物を得た[褐色オイル11.9g(収率96%)]。目的物の構造を下記に示す。
赤外吸収スペクトル(IR(KBr);cm-1)
2904、2851、1743、1715、1476、1446、1323、1232、1182、1159、1129、1102、1073、994、946、747、682、636
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+263((C6H5)3S+相当)
NEGATIVE M-409((C14H21O2‐CO2)CH2CF2SO3 -相当)
1−アダマンタンカルボン酸とクロロ酢酸t−ブチルエステルにより、2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸t−ブチルエステルを調製し、酸による脱保護とオキザリルクロリドにより2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリドを合成した。
合成例1−24の4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム 2−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート10.9g(0.02モル)、トリエチルアミン2.2g(0.022モル)、N,N−ジメチルアミノピリジン0.24g(0.002モル)をジクロロメタン40gに溶解し氷冷した。上述した2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)酢酸クロリド5.6g(0.022モル)を、5℃を超えない温度で添加し、室温で1時間撹拌した。12規定塩酸3gと水10gから調製した希塩酸水溶液を加えた後に、メチルイソブチルケトン80gと水20gを加えて有機層を分取し、次いでこの有機層を水50gで2回洗浄し、溶剤を減圧留去した。残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、目的物を得た[無色オイル11.9g(収率78%)]。目的物の構造を下記に示す。
赤外吸収スペクトル(IR(KBr);cm-1)
2965、2906、2853、1799、1788、1735、1477、1446、1368、1246、1216、1174、1104、1092、1070、993、834、749、684、640
飛行時間型質量分析(TOFMS;MALDI)
POSITIVE M+319((C4H9)C6H4(C6H5)2S+相当)
NEGATIVE M-449((C11H15O2‐CH2CO2)CH(CF3)CF2SO3 -相当)
[合成例2−1]ポリマー1(P−01)の合成
窒素雰囲気下、メタクリル酸=3−ヒドロキシ−1−アダマンチル7.1gとメタクリル酸3−エチル−3−exo−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル11.0gとメタクリル酸=4,8−ジオキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−5−オン−2−イル6.7gと2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル0.9gをメチルエチルケトン72.8gに溶解させ、溶液を調製した。その溶液を窒素雰囲気下80℃で撹拌したメチルエチルケトン20.7gに4時間かけて滴下した。滴下終了後80℃を保ったまま2時間撹拌し、室温まで冷却した後、重合液を400gのヘキサンに滴下した。析出した固形物を濾別し、メチルエチルケトン45gとヘキサン195gの混合溶媒で二回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して、下記ポリマー1(P−01)で示される白色粉末固体状の高分子化合物が得られた。収量は23.6g、収率は95%であった。なお、Mwはポリスチレン換算でのGPCを用いて測定した重量平均分子量を表す。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、実施例2−1と同様の手順により、下記表1に示した樹脂を製造した。表1中、各単位の構造を表2〜5に示す。なお、表1において、導入比はモル比を示す。
上述した処方により得られたポリマー21〜24をメタノール、THF混合溶剤に溶解し、シュウ酸を加えて40℃で脱保護反応を行った。ピリジンにて中和処理した後に通常の再沈精製を行うことによりヒドロキシスチレン単位を有する高分子化合物を得た。
ポリマー26に酸性条件下でエチルビニルエーテルあるいは塩基性条件下で1−クロロ−1−メトキシ−2−メチルプロパンを反応させて目的のポリマー29を得た。同様の手法でポリマー26よりポリマー31を、ポリマー25よりポリマー30を得た。
レジスト材料の調製
上記で製造したポリマーをベース樹脂として用い、本発明の光酸発生剤、クエンチャー、及び溶剤を下記表6に示す組成で添加し、混合溶解後にそれらをテフロン(登録商標)製フィルター(孔径0.2μm)で濾過し、レジスト材料(R−01〜20)及び比較例用のレジスト材料(R−21〜24)を得た。なお、溶剤はすべて、界面活性剤として後述のオムノバ社製界面活性剤(界面活性剤−1)を0.01質量%含むものを用いた。
PGMEA :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
CyHO :シクロヘキサノン
EL :乳酸エチル
Base−1:ラウリン酸2−モルホリノエチル
Base−2:トリス[2−(メトキシメトキシ)エチル]アミン
PAG−α :トリフェニルスルホニウム パーフルオロ−1−ブタンスルホネート
PAG−β :トリフェニルスルホニウム 2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ
)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート(
特開2007−145797号公報記載化合物)
TMGU :1,3,4,6−テトラメトキシメチルグリコールウリル
界面活性剤−1:3−メチル−3−(2,2,2−トリフルオロエトキシメチル)オキセ
タン・テトラヒドロフラン・2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオー
ル共重合物(オムノバ社製)
解像性、露光余裕度及びラインウィズスラフネス(LWR)の評価:ArF露光
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学工業(株)製、ARC−29A)を塗布し、200℃で60秒間ベークして作製した反射防止膜(78nm膜厚)基板上に、本発明のレジスト材料(R−01〜16)及び比較例用のレジスト材料(R−21〜23)をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて60秒間ベークし、100nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製、NSR−S307E、NA=0.85、4/5輪帯照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光し、60秒間ベーク(PEB:post exposure bake)を施し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。
解像性の評価:EB露光
本発明のレジスト材料(R−17〜20)、及び比較用のレジスト材料(R−24)を、ACT−M(東京エレクトロン(株)製)152mm角の最表面が酸化窒素クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で、100℃で600秒間プリベークして、80nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81ヶ所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
Claims (10)
- 下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩。
(式中、Rは芳香環あるいは炭素数5以上の脂環式炭化水素構造を有する、置換又は非置換の一価の炭化水素基を示す。R’は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。A1はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。nは1〜3の整数を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。) - ベース樹脂、酸発生剤、クエンチャー及び有機溶剤を含有してなるレジスト材料において、前記酸発生剤が、請求項1記載の一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤であることを特徴とするレジスト材料。
- ベース樹脂、請求項1記載の一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、クエンチャー及び有機溶剤を含有し、上記ベース樹脂が現像液に不溶あるいは難溶であって、酸の作用によって現像液に可溶となる化学増幅ポジ型レジスト材料。
- ベース樹脂が、下記一般式(11)〜(15)で示される繰り返し単位のいずれか1種以上を含有することを特徴とする請求項5記載のレジスト材料。
(式中、R11は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。Xは酸不安定基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。Zは水素原子、炭素数1〜15のフルオロアルキル基、又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。Nは0〜2の整数を示す。R7は水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基を示す。Bは単結合あるいは酸素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10の二価の有機基を示す。aは0〜3の整数、bは1〜3の整数を示す。) - 請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成工程において、前記露光を屈折率1.0以上の高屈折率液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項5乃至7のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成工程において、レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、露光を屈折率1.0以上の高屈折率液体を該保護膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光にて行うことを特徴とするパターン形成方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012169620A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
JP2013029623A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物 |
JPWO2011093280A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-06-06 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2015117200A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US9223205B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Acid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
WO2020066485A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
JP2020083760A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5598350B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5598351B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5850607B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2016-02-03 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
WO2012056901A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素スルホン酸塩類、光酸発生剤、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5723829B2 (ja) | 2011-11-10 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス及びパターン形成方法 |
US9182662B2 (en) | 2012-02-15 | 2015-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photosensitive copolymer, photoresist comprising the copolymer, and articles formed therefrom |
JP6013218B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-10-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
US9851639B2 (en) * | 2012-03-31 | 2017-12-26 | International Business Machines Corporation | Photoacid generating polymers containing a urethane linkage for lithography |
US9261786B2 (en) | 2012-04-02 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photosensitive material and method of photolithography |
US9213234B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photosensitive material and method of lithography |
JP5836201B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2015-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
US9012132B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Coating material and method for photolithography |
US9146469B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Middle layer composition for trilayer patterning stack |
JP6247858B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-12-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
CN106892847A (zh) * | 2015-12-19 | 2017-06-27 | 西安瑞联新材料股份有限公司 | 一种三(叔丁基苯基)硫溴的合成方法 |
KR101960596B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2019-07-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
JP6743781B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
US10698317B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-06-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Underlayer material for photoresist |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007528511A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | トップコートを用いて深紫外線フォトレジストに像を形成する方法およびそのための材料関連出願の相互参照本出願は、2004年3月9日に出願された米国特許出願シリアルナンバー10/796,376号の一部継続出願である2004年6月24日に出願された米国特許出願シリアルナンバー10/875,596号の一部継続出願である。これらの出願明細書の内容は本明細書に掲載されたものとする。 |
JP2009080474A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2010106236A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | 芳香族環を含む酸発生剤 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0473547A1 (de) | 1990-08-27 | 1992-03-04 | Ciba-Geigy Ag | Olefinisch ungesättigte Oniumsalze |
US5807977A (en) * | 1992-07-10 | 1998-09-15 | Aerojet General Corporation | Polymers and prepolymers from mono-substituted fluorinated oxetane monomers |
US5635332A (en) * | 1993-07-14 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same |
JPH0725846A (ja) | 1993-07-14 | 1995-01-27 | Nec Corp | アルキルスルホニウム塩 |
JP3063615B2 (ja) | 1995-03-16 | 2000-07-12 | 信越化学工業株式会社 | トリアリールスルホニウム塩の製造方法 |
JP3399166B2 (ja) | 1995-06-29 | 2003-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
TW513399B (en) * | 1996-03-05 | 2002-12-11 | Shinetsu Chemical Co | Method for preparing triarylsulfonium salts |
US6458096B1 (en) * | 1996-04-01 | 2002-10-01 | Medtronic, Inc. | Catheter with autoinflating, autoregulating balloon |
US6048672A (en) * | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
US7704668B1 (en) * | 1998-08-04 | 2010-04-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
TWI228504B (en) * | 1998-11-02 | 2005-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Novel ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process |
JP2000336121A (ja) | 1998-11-02 | 2000-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4462397B2 (ja) | 1999-08-16 | 2010-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR100538501B1 (ko) * | 1999-08-16 | 2005-12-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법 |
SG98433A1 (en) | 1999-12-21 | 2003-09-19 | Ciba Sc Holding Ag | Iodonium salts as latent acid donors |
US6723483B1 (en) * | 1999-12-27 | 2004-04-20 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Sulfonium salt compounds |
JP4023086B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-12-19 | 和光純薬工業株式会社 | スルホニウム塩化合物 |
US6749987B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-06-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
JP4150509B2 (ja) | 2000-11-20 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
US6849374B2 (en) * | 2000-11-03 | 2005-02-01 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generators and photoresists comprising same |
JP2002193887A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Nippon Soda Co Ltd | ヨードニウム塩化合物の製造方法 |
JP2004519520A (ja) | 2001-04-05 | 2004-07-02 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | フォトレジストのためのパーフルオロアルキルスルフォン酸化合物 |
JP4013044B2 (ja) | 2001-06-15 | 2007-11-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、及びパターン形成方法 |
TW548518B (en) * | 2001-06-15 | 2003-08-21 | Shinetsu Chemical Co | Resist material and patterning process |
JP4110319B2 (ja) | 2001-06-29 | 2008-07-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性酸発生剤および感放射線性樹脂組成物 |
JP3826777B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2006-09-27 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US7105267B2 (en) * | 2001-08-24 | 2006-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist compositions and patterning process |
JP4054978B2 (ja) | 2001-08-24 | 2008-03-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4025162B2 (ja) | 2002-09-25 | 2007-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP4088784B2 (ja) | 2003-06-19 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 |
JP4244755B2 (ja) | 2003-09-09 | 2009-03-25 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US7449573B2 (en) * | 2004-02-16 | 2008-11-11 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition |
JP4491335B2 (ja) | 2004-02-16 | 2010-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7473512B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-01-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
TWI332122B (en) * | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
JP4816921B2 (ja) | 2005-04-06 | 2011-11-16 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
EP1780199B1 (en) * | 2005-10-31 | 2012-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP4905667B2 (ja) | 2005-10-31 | 2012-03-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
CN1971421B (zh) * | 2005-11-21 | 2012-05-30 | 住友化学株式会社 | 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物 |
JP5070814B2 (ja) | 2005-11-21 | 2012-11-14 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩 |
JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP5124805B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4288518B2 (ja) | 2006-07-28 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5266688B2 (ja) | 2006-08-18 | 2013-08-21 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩 |
GB2441032B (en) * | 2006-08-18 | 2008-11-12 | Sumitomo Chemical Co | Salts of perfluorinated sulfoacetic acids |
US7527912B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP5083528B2 (ja) | 2006-09-28 | 2012-11-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
US7569326B2 (en) * | 2006-10-27 | 2009-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process |
JP4893580B2 (ja) | 2006-10-27 | 2012-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5131482B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5245956B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5201363B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US8318404B2 (en) * | 2009-06-12 | 2012-11-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt and photoresist composition containing the same |
-
2009
- 2009-07-02 JP JP2009157856A patent/JP5287552B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-29 KR KR1020100062199A patent/KR101558612B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-30 TW TW099121521A patent/TWI410397B/zh active
- 2010-07-01 US US12/828,557 patent/US8609889B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007528511A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | トップコートを用いて深紫外線フォトレジストに像を形成する方法およびそのための材料関連出願の相互参照本出願は、2004年3月9日に出願された米国特許出願シリアルナンバー10/796,376号の一部継続出願である2004年6月24日に出願された米国特許出願シリアルナンバー10/875,596号の一部継続出願である。これらの出願明細書の内容は本明細書に掲載されたものとする。 |
JP2009080474A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2010106236A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | 芳香族環を含む酸発生剤 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5708500B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-04-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US9104102B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-08-11 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JPWO2011093280A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-06-06 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPWO2012169620A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2015-02-23 | 東京応化工業株式会社 | 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
WO2012169620A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
US9134617B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-09-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solvent developable negative resist composition, resist pattern formation method, and method for forming pattern of layer including block copolymer |
JP2013029623A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物 |
US9223205B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Acid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
JP2015117200A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2020066485A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
KR20210045459A (ko) | 2018-09-26 | 2021-04-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR102576365B1 (ko) * | 2018-09-26 | 2023-09-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP2020083760A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP7056524B2 (ja) | 2018-11-15 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
US11435666B2 (en) | 2018-11-15 | 2022-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Salt compound, chemically amplified resist composition, and patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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