JP2011013077A - 欠陥検査方法およびその装置 - Google Patents
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Abstract
検査対象の偏光特性を有効に利用し、より高い検査感度を得るには、照明の偏光を同じ方向と仰角、波長において、偏光のみが異なる光を照射し、偏光による検査対象からの反射、回折、散乱光の違いを見なければいけない。これを従来技術にて行うと、偏光を切り替えた複数回の測定が必要となり、検査装置の重要なスペックである検査時間の低下を招く。
【解決手段】
照明ビーム断面の微小面積内に複数の偏光状態を変調し、各微小面積からの散乱光をセンサの各画素に、個別かつ同時に結像させて複数偏光照明条件の画像を一括で取得することで、スループットを低下させること無く検査感度向上、分類・サイジング精度を向上させた。
【選択図】図1
Description
次に各部位の動作を説明する。先ずビームを線状に整形し(S100)、ウェハ100に照射する(S101)工程において、光源111より発振された直線偏光の光は、ビームエキスパンダおよびシリンドリカルレンズ等からなるビーム整形装置112により光軸に対して垂直な面における断面形状が楕円状になるように整形され、偏光制御素子113および偏光制御素子アレイ114により楕円短軸方向に2種の異なる偏光状態を持つビームを生成し(詳細後述)、例えばシリンドリカルレンズ115a、115bを備えるレンズ群115にて縮小結像することでx方向に2種の異なる偏光状態を持つ線状ビーム101(y方向が長手方向)がウェハ100上に照射される。
本発明の第3の実施例の光学系を図11に示す。第1の実施例とは、照明光が2本になったことが異なる。装置は、光源1111、光源1111から発射されたレーザビームをミラー1117で光路を2系統の照明光学系1110と1120とに分岐し、2本の照明光1121aと1121bとにより半導体ウェハ100を射方照明し、照明された半導体ウェハ100からの反射、回折、散乱光を検出光学系1180の対物レンズ120と結像レンズ140とで照明光1121aによる像はラインセンサ1150xの検出面上に、また照明光1121bによる像はラインセンサ1150yの検出面上にそれぞれ結像する。
検出した信号は画像処理部200、装置を操作する操作部220、装置の各部位を制御する制御部230、自動焦点検出系160を備えた信号処理・制御系1250で処理される。試料100は、xステージ170a、yステージ170b、zステージ170c、θステージ170dを備えるステージ部170に載置されて位置を制御される。照明光学系1120は、ビーム整形装置112a、偏光板や波長板からなる偏光制御素子113a、ビーム断面内に偏光分布を持たせる偏光制御素子アレイ114x、ビーム断面内の偏光分布を検査対象(半導体ウェハ)に結像するレンズ115aを備え、同様に照明光学系1110は、ビーム整形装置112b、偏光板や波長板からなる偏光制御素子113b、ビーム断面内に偏光分布を持たせる偏光制御素子アレイ114y、ビーム断面内の偏光分布を検査対象(半導体ウェハ)に結像するレンズ115bを備えている。照明光学系が1110と1120の2系統になっているが、各部位の動作は実施例1と同様であるため説明を省略する。
図13に第5の実施例の光学系を示す。第3の実施例の光学系を示す図11に、ウェハ100からの散乱光をz軸に対して斜めから検出する斜方検出系300sを加えたものである。斜方検出系300sは、ウェハ100上からの反射、回折、散乱光を結像する対物レンズ120sと結像レンズ140s、対物レンズ120sと結像レンズ140sにて結像されるウェハからの2本照明光101xと101yそれぞれによる反射、回折、散乱光を検出するラインセンサ150sxと150sy、半導体パターンからの回折光を除去する空間フィルタ130sからなり、ラインセンサ150sxと150syにより得られた画像は、ラインセンサ150xと150yで得られた画像と同様に処理される。
まず、図16を用いて試料の概略同一領域を複数回照明する方法について説明を行う。図16は、照野20の長さが送りピッチ26の4倍以上で5倍以下の長さであり、欠陥25に対し4回照明を行った場合の説明図である。時刻t1に欠陥25に対し一回目の照明を行うと、時刻t2ではウエハが概略一回転し、照野は概略送りピッチ26の距離だけ半径方向に進み、欠陥25を再度照明する。以後時刻t3、時刻t4において各々ウエハが概略一回転し、欠陥25に対し照明を行う。つまり図16の場合では、欠陥25が照明領域を4回通過することになり、毎回検出された光はアナログ回路または信号処理部で加算処理が行われる。このとき、照明光は図15Aの320で示したように照明領域の長手方向で偏光の条件が異なるために、4回通過するうちの前半の2回と後半の2回とは返上条件の異なる照明光による検出信号が得られる。このように試料の概略同一領域を複数回照明して異なる偏光条件による検出信号が得られることで、1回照射の場合に比べて比較的小さいパワー密度で照射することが可能になり、被照射部の温度上昇による試料へのダメージを与えることなく、試料表面に存在する微小な欠陥を高感度で検査することができる。なお、照明回数は4回である必要はなく、複数回照明であれば何回でも構わない。
113、113a、113b…偏光制御素子 114a、114b、114c、114e、114x、114y…偏光制御素子アレイ 114i、114j、114k、114l、114m、114n…偏光制御素子アレイの画素 115a、115b…レンズ
120…結像レンズ 121a、121b…照明ビーム 130…空間フィルタ
140…対物レンズ 150、150x、150y…ラインセンサ 151a、15
155a、155b、155c、155d…センサ画素の偏光子 156a、156b、156c、156d…センサ画素群 160…ウェハ高さ検出系 170…ステージ200…画像処理部 220…操作部 230…制御部 302…レーザ光源
303…ビームエキスパンダ 304…ホモジナイザ 305、306…ミラー
307…集光レンズ 308、308a〜308f…結像系 309、309a〜309f…フォトダイオードアレイ 310…ステージ 312…結像光学系
313…CCDカメラ 320…照野 321…集光レンズ 322…イメージインテンシファイア 323…結像レンズ 324…検光子 401…照明光学系
402、402a〜402f…検出光学系 403…ウェハステージ 410…回路
411…信号処理部 412…CPU 413…マップ出力部 414…ステージ制御部。
Claims (10)
- 照明手段から発射した照明光を試料に照射し、該照明光が照射された部分から発生する散乱光を複数の検出画素を有する撮像手段で検出し、該散乱光を撮像手段で検出して得た検出信号を信号処理手段で処理することにより前記試料上の欠陥を検出する方法であって、前記照明手段から発射した照明光は該照明光が照射する前記試料の照射領域内における複数の小領域を異なる偏光条件で照明し、前記撮像手段は前記偏光条件の異なる小領域ごとに異なる画素で検出し、前記信号処理手段で前記異なる画素で検出した偏光条件の異なる小領域ごとの検出信号を処理して前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする検査方法。
- 前記撮像手段は前記偏光条件の異なる小領域ごとに異なる複数の画素で検出し、該複数の画素はそれぞれ検出する偏光の条件が異なることを特徴とする請求項1記載の検査方法。
- 前記信号処理手段で前記異なる画素で検出した偏光条件の異なる小領域ごとの検出信号を参照信号と比較して差画像を求め、該求めた差画像から前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする請求項1記載の検査方法。
- 前記照明手段は前記試料上の同一箇所に照明光を偏光の条件を変えて複数回照射し、前記撮像手段は前記試料上の同一箇所を異なる偏光条件のごとに異なる画素で検出することを特徴とする請求項1記載の検査方法。
- 照明光を試料に照射する照明手段と、前記試料上の前記照明手段により照明光が照射された部分から発生する散乱光を検出する複数の検出画素を有する撮像手段と、該撮像手段で散乱光を検出して得られた検出信号を処理して前記試料上の欠陥を検出する信号処理手段とを備えた検査装置であって、前記照明手段は該照明手段から発射した照明光が照射する前記試料上の照射領域内における複数の小領域を異なる偏光条件で照明する偏光条件設定部を備え、前記撮像手段は前記偏光条件の異なる小領域ごとに異なる画素で検出し、前記信号処理手段は前記異なる画素で検出した偏光条件の異なる小領域ごとの検出信号を処理して前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする検査装置。
- 前記撮像手段は前記偏光条件の異なる小領域ごとに異なる複数の画素で検出し、該複数の画素はそれぞれ偏光の条件が異なるフィルタを介して検出することを特徴とする請求項1記載の検査装置。
- 前記信号処理手段は、前記撮像手段の異なる画素で検出した前記偏光条件の異なる小領域ごとの検出信号を参照信号と比較して差画像を抽出する差画像算出部と、該差画像算出部で抽出した差画像から前記試料上の欠陥を検出する欠陥検出部とを備えることを特徴とする請求項1記載の検査装置。
- 前記試料を載置して回転と並進が可能なテーブル手段を更に備え、該テーブル手段で前記試料を回転させながら一方向に並進させることにより前記照明手段は前記試料上の同一箇所に照明光を偏光の条件を変えて複数回照射し、前記撮像手段は前記試料上の同一箇所を異なる偏光条件のごとに異なる画素で検出することを特徴とする請求項1記載の検査装置。
- 第1の照明光を試料に第1の仰角方向から照射する低角度照明手段と、第2の照明光を試料に第2の仰角方向から照射する高角度照明手段と、前記試料上の前記低角度照明手段又は前記高角度照明手段により照明光が照射された部分から発生する散乱光のうち第3の仰角方向に散乱した散乱光を検出する複数の検出画素を有する低角度撮像手段と、前記試料上の前記低角度照明手段又は前記高角度照明手段により照明光が照射された部分から発生する散乱光のうち第4の仰角方向に散乱した散乱光を検出する高角度撮像手段と、前記低角度撮像手段と前記高角度撮像手段とで前記散乱光を検出して得られたそれぞれの検出信号を処理して前記試料上の欠陥を検出する信号処理手段とを備えた検査装置であって、前記低角度照明手段と前記高角度照明手段とは、それぞれ発射した照明光が照射する前記試料上の照射領域内における複数の小領域を異なる偏光条件で照明する偏光条件設定部を備え、前記低角度撮像手段は前記偏光条件の異なる小領域ごとに異なる画素で検出し、前記信号処理手段は前記異なる画素で検出した偏光条件の異なる小領域ごとの検出信号と前記高角度撮像手段で検出した信号とを処理して前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする検査装置。
- 前記試料を載置して回転と並進が可能なテーブル手段を更に備え、該テーブル手段で前記試料を回転させながら一方向に並進させることにより前記低角度照明手段及び前記高角度照明手段は前記試料上の同一箇所に照明光を偏光の条件を変えて複数回照射し、前記低角度撮像手段は前記試料上の同一箇所を異なる偏光条件のごとに異なる画素で検出することを特徴とする請求項9記載の検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009156975A JP5171744B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 欠陥検査方法およびその装置 |
PCT/JP2010/004336 WO2011001687A1 (ja) | 2009-07-01 | 2010-07-01 | 欠陥検査方法およびその装置 |
US13/375,239 US8885037B2 (en) | 2009-07-01 | 2010-07-01 | Defect inspection method and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009156975A JP5171744B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 欠陥検査方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011013077A true JP2011013077A (ja) | 2011-01-20 |
JP5171744B2 JP5171744B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=43410773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009156975A Expired - Fee Related JP5171744B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 欠陥検査方法およびその装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8885037B2 (ja) |
JP (1) | JP5171744B2 (ja) |
WO (1) | WO2011001687A1 (ja) |
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WO2011001687A1 (ja) | 2011-01-06 |
JP5171744B2 (ja) | 2013-03-27 |
US8885037B2 (en) | 2014-11-11 |
US20120092484A1 (en) | 2012-04-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111219 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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