JP2011009572A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011009572A5
JP2011009572A5 JP2009152823A JP2009152823A JP2011009572A5 JP 2011009572 A5 JP2011009572 A5 JP 2011009572A5 JP 2009152823 A JP2009152823 A JP 2009152823A JP 2009152823 A JP2009152823 A JP 2009152823A JP 2011009572 A5 JP2011009572 A5 JP 2011009572A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
semiconductor layer
type nitride
flip
side electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009152823A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011009572A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009152823A priority Critical patent/JP2011009572A/ja
Priority claimed from JP2009152823A external-priority patent/JP2011009572A/ja
Publication of JP2011009572A publication Critical patent/JP2011009572A/ja
Publication of JP2011009572A5 publication Critical patent/JP2011009572A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2009152823A 2009-06-26 2009-06-26 フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。 Pending JP2011009572A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009152823A JP2011009572A (ja) 2009-06-26 2009-06-26 フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009152823A JP2011009572A (ja) 2009-06-26 2009-06-26 フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011009572A JP2011009572A (ja) 2011-01-13
JP2011009572A5 true JP2011009572A5 (enExample) 2012-04-05

Family

ID=43565869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009152823A Pending JP2011009572A (ja) 2009-06-26 2009-06-26 フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011009572A (enExample)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142740B2 (en) 2003-07-04 2015-09-22 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US10686106B2 (en) 2003-07-04 2020-06-16 Epistar Corporation Optoelectronic element
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
KR101761834B1 (ko) * 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20140022019A (ko) * 2011-04-20 2014-02-21 가부시키가이샤 에루므 발광장치 및 그 제조방법
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5848562B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。
JP5893888B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-23 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
KR101969334B1 (ko) * 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치
KR20140108546A (ko) * 2011-12-08 2014-09-11 코닌클리케 필립스 엔.브이. 두꺼운 금속 층들을 갖는 반도체 발광 디바이스
JP5809965B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-11 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子
JP6203759B2 (ja) * 2012-02-10 2017-09-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Ｌｅｄチップの製造方法
JP2013197310A (ja) 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
JP2015144147A (ja) 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6094062B2 (ja) * 2012-06-01 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5995579B2 (ja) * 2012-07-24 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP6139071B2 (ja) 2012-07-30 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6107024B2 (ja) * 2012-09-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN105009314B (zh) * 2013-02-27 2019-11-05 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置
CN105378952B (zh) 2013-05-13 2018-01-12 首尔半导体（株） 发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元
KR102135625B1 (ko) * 2013-11-29 2020-07-21 서울반도체 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 차량용 램프 및 백라이트 유닛
JP6394052B2 (ja) 2013-05-13 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6205897B2 (ja) * 2013-06-27 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
EP3796402A1 (en) 2013-07-24 2021-03-24 Epistar Corporation Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP6413460B2 (ja) 2014-08-08 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6511757B2 (ja) * 2014-09-30 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3213354B1 (en) * 2014-10-27 2020-06-17 Lumileds Holding B.V. Directional light emitting arrangement and a method of producing the same
DE102014116134A1 (de) * 2014-11-05 2016-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102015107586B4 (de) 2015-05-13 2023-10-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
CN106972095A (zh) * 2017-05-26 2017-07-21 厦门市东太耀光电子有限公司 一种led晶片结构
JP6555335B2 (ja) * 2017-12-28 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN116404085A (zh) * 2021-07-29 2023-07-07 厦门三安光电有限公司 一种led芯片

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4529319B2 (ja) * 2001-06-27 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体チップとその製造方法
JP4214704B2 (ja) * 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
WO2004077580A2 (en) * 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
JP4337574B2 (ja) * 2003-09-25 2009-09-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその形成方法
CN100487931C (zh) * 2004-09-27 2009-05-13 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5558665B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-23 パナソニック株式会社 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011009572A5 (enExample)
US8492777B2 (en) Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate
CN102769076B (zh) 封装载板的制作方法
TWI569478B (zh) 具有波長轉換層之發光二極體元件
CN102339913B (zh) 高压led器件及其制造方法
CN203038965U (zh) 发光元件
TW200715437A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014515557A5 (enExample)
JP2016181689A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
CN102903813B (zh) 集成图形阵列高压led器件的制备方法
KR101051488B1 (ko) 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
KR20110080474A (ko) 방열기판을 갖는 ｌｅｄ 패키지
US8709840B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
CN102280562A (zh) 发光二极管的封装工艺与其结构
KR20160026604A (ko) 플립칩형 자외선 발광다이오드의 마이크로 솔더링 방법
JP2013055172A (ja) Ｌｅｄ光源装置
CN1851945A (zh) 光二极管的封装基座结构及其制作方法
US20120211792A1 (en) Package Substrate and Method for Forming the Same
CN103579438A (zh) 发光元件及其制作方法
TWI467808B (zh) 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
TWI573296B (zh) 覆晶式led封裝體
US8076675B2 (en) Light-emitting diode chip and method of manufacturing the same
CN202395033U (zh) 发光二极管封装构造
US20150140701A1 (en) Method for manufacturing light emitting diode package
CN105826447A (zh) 封装结构及其制法