CN106972095A - 一种led晶片结构 - Google Patents

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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract

本发明提供了一种LED晶片结构，属于LED领域，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚，所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道，通道内壁还设有绝缘层，通道内设有导电柱，导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。与现有技术相比，该LED晶片结构在本体中设有通道，通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱，P极导电金属层直接连接P极引脚，这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接，减少制造工序，降低制造成本。

Description

一种LED晶片结构
技术领域
本发明涉及LED领域，特别是一种LED晶片结构。
背景技术
现有的LED晶片结构一般包括依次层叠的P极导电金属层01、P极结晶基板02、N极结晶基板03和N极导电金属层04，P极导电金属层01直接连接有P极引脚05，N极导电金属层04通过金线07连接有N极引脚06，金线07与N极导电金属层04之间需要通过焊盘08进行连接，然而由于晶片结构特别小，在N极导电金属层04上设置焊盘08非常麻烦，造成整个LED晶片制造工序繁琐，并且金线极细，制造困难，造成制造成本增加。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种LED晶片结构，无需利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接，解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，减少制造工序，降低制造成本。
本发明采用的技术方案为：
一种LED晶片结构，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚，所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道，通道内壁还设有绝缘层，通道内设有导电柱，导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。
优选地，绝缘层延伸至通道外且处于N极引脚与P极导电金属层之间。
优选地，N极引脚与P极引脚的底面保持平齐。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提供一种LED晶片结构，在本体中设有通道，通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱，P极导电金属层直接连接P极引脚，这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接，解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，减少制造工序，降低制造成本。
附图说明
图1为现有技术中的LED晶片结构的剖视图；
图2为本发明提供的一种LED晶片结构的剖视图。
具体实施方式
根据附图对本发明提供的优选实施方式做具体说明。
图2，为本发明提供的一种LED晶片结构的优选实施方式。如图2所示，该LED晶片结构包括由依次层叠的P极导电金属层101、P极结晶基板102、N极结晶基板103和N极导电金属层104构成的本体10，N极导电金属层104连接有N极引脚20，所述P极导电金属层101连接有至少一个P极引脚30。值得注意的是，P极导电金属层101、P极结晶基板102、N极结晶基板103和N极导电金属层104是按照依次下至上的顺序叠放。
所述本体10内设有贯穿N极结晶基板103、P极结晶基板102和P极导电金属层101的通道11，通道11内壁还设有绝缘层12，通道11内设有导电柱13，导电柱13的两端分别连接有N极导电金属层104和与N极引脚30，避免利用金线将N极金属层103和P极金属层101分别与N极引脚20和P极引脚30连接，解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题，减少制造工序，降低制造成本。作为一种优选实施方式，P极导电金属层101的底部边缘位置连接有两个P极引脚30，N极引脚20在P极导电金属层101下方，且处于两个P极引脚30之间，这样增加导电性。
绝缘层12延伸至通道外且处于N极引脚20与P极导电金属层101之间，这样防止P极引脚30与N极引脚20之间出现短路。同时，N极引脚20与P极引脚30的底面保持平齐，这样便于进行粘贴在LED灯中。
综上所述，本发明的技术方案可以充分有效的实现上述发明目的，且本发明的结构及功能原理都已经在实施例中得到充分的验证，能达到预期的功效及目的，在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对发明的实施例做出多种变更或修改。因此，本发明包括一切在专利申请范围中所提到范围内的所有替换内容，任何在本发明申请专利范围内所作的等效变化，皆属本案申请的专利范围之内。

Claims (3)

1.一种LED晶片结构，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚，其特征在于，所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道，通道内壁还设有绝缘层，通道内设有导电柱，导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。
2.根据权利要求1所述的LED晶片结构，其特征在于：绝缘层延伸至通道外且处于N极引脚与P极导电金属层之间。
3.根据权利要求1所述的LED晶片结构，其特征在于：N极引脚与P极引脚的底面保持平齐。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6273651A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路モジユ−ル
US20100032705A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
CN101859865A (zh) * 2010-05-26 2010-10-13 上海嘉利莱实业有限公司 一种大功率白光led器件的无金线封装方法及白光led器件
CN101924175A (zh) * 2010-07-12 2010-12-22 深圳大学 一种发光二极管封装装置及封装方法
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
CN201904368U (zh) * 2010-07-30 2011-07-20 晶科电子（广州）有限公司 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构
US20120025241A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Apt Electronics Ltd. Surface mounted led packaging structure and method based on a silicon substrate
CN203568841U (zh) * 2013-11-15 2014-04-30 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 单片超小型mems芯片
CN104167482A (zh) * 2014-07-29 2014-11-26 晶科电子（广州）有限公司 一种白光led芯片及其制作方法
CN105428471A (zh) * 2015-11-12 2016-03-23 晶能光电（江西）有限公司 薄膜倒装led芯片及其制备方法以及白光led芯片
WO2017041280A1 (zh) * 2015-09-11 2017-03-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种具有过渡基板的led器件及其封装方法
CN206878035U (zh) * 2017-05-26 2018-01-12 厦门市东太耀光电子有限公司 一种led晶片结构

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6273651A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路モジユ−ル
US20100032705A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
CN101859865A (zh) * 2010-05-26 2010-10-13 上海嘉利莱实业有限公司 一种大功率白光led器件的无金线封装方法及白光led器件
CN101924175A (zh) * 2010-07-12 2010-12-22 深圳大学 一种发光二极管封装装置及封装方法
CN201904368U (zh) * 2010-07-30 2011-07-20 晶科电子（广州）有限公司 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构
US20120025241A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Apt Electronics Ltd. Surface mounted led packaging structure and method based on a silicon substrate
CN203568841U (zh) * 2013-11-15 2014-04-30 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 单片超小型mems芯片
CN104167482A (zh) * 2014-07-29 2014-11-26 晶科电子（广州）有限公司 一种白光led芯片及其制作方法
WO2017041280A1 (zh) * 2015-09-11 2017-03-16 佛山市国星光电股份有限公司 一种具有过渡基板的led器件及其封装方法
CN105428471A (zh) * 2015-11-12 2016-03-23 晶能光电（江西）有限公司 薄膜倒装led芯片及其制备方法以及白光led芯片
CN206878035U (zh) * 2017-05-26 2018-01-12 厦门市东太耀光电子有限公司 一种led晶片结构

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