JP2011007972A - 光導波路デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】支持部材と基板との熱膨張差に起因した応力により生じる光導波路の動作点変動を抑制する。
【解決手段】導波部２２の伸延方向Ｄ１に交差する交差方向Ｄ２において、支持部材１３による応力の応力分布中心に近い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎと、応力分布中心から遠い方にある接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔとが、異なる形状で形成されている、光導波路デバイス１０とする。接地電極２５の構造を工夫することにより、支持部材１３から基板１１にかかる応力で生じる、複数の導波部２２間の応力特性の相異を打ち消すような応力を、接地電極２５から基板１１へかける。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学効果を利用した光導波路デバイスに関する。

ＬｉＴａＯ_２やＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）などの電気光学結晶を基板として光導波路を形成し、この光導波路に電界を作用させて屈折率を変化させることを可能とした光導波路デバイスが、近年の光通信システムにおける光変調器として使用される。当該光導波路デバイスにおいて電気光学結晶の基板中に形成される光導波路を用いた干渉構成として、例えば、マッハツェンダ（Mach-Zehnder：ＭＺ）型の構成が知られる。光導波路を用いたマッハツェンダ型光干渉構成は、入力導波部と、入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、該導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を含んで構成される。そして、導波部の並行する導波路に対して電界を作用させる電極が、ＳｉＯ_２などのバッファ層を介して基板の上に形成される。

光導波路を用いたマッハツェンダ型光干渉構成において、光導波路デバイスの電極は、導波部上に信号電極及び接地電極として設けられるコプレーナ電極とすることができ、電気光学結晶の基板がＺカット基板である場合、信号電極及び接地電極は、導波部の並行する導波路にそれぞれ重なる（オーバーラップする）部分をもつように形成される。そして、変調する信号光の高周波化に対応して、信号電極及び接地電極は、信号電極の一端を抵抗を介して接地し終端した進行波電極とされ、信号電極の他端に、例えばマイクロ波の高周波電気信号が印加される。

光導波路を用いたマッハツェンダ型光変調器は、光変調方式の多様化、例えば、ＲＺ（Return-to-Zero）変調、多値変調、偏波多重変調など、に応じて、多数の導波部を単一の基板に集積する構成が用いられる。一例として図１０は、４つの導波部を基板に形成した光導波路デバイスである。

図１０において、光導波路デバイス１は、ＺカットのＬＮ基板２に、Ｔｉなどの金属膜をパターニングして熱拡散させる、あるいは、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換するなどの工程により、ＬＮ基板２の長さ方向に伸延した光導波路３が形成される。光導波路３は、光を入力するための入力導波部３ａと、入力導波部３ａに入力された光を分岐して伝搬する４つの導波部３ｂと、導波部３ｂを伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部３ｃと、の３つの部分を含んでいる。すなわち、ＬＮ基板２の一方の端部に形成された入力導波部３ａとＬＮ基板２の他方の端部に形成された出力導波部３ｃとの間に、４つの導波部３ｂが並列接続される。

４つ設けられた導波部３ｂは、それぞれの導波部３ｂが、並行する２本の導波路により形成される。そして、導波部３ｂのそれぞれに対し、電界を作用させるための信号電極４と接地電極５とが、バッファ層２ａ（図１１参照）を介在させて設けられる。図１０に示すように接地電極５は、良好な高周波特性を得るために、導波部３ｂの伸延方向Ｄ１に交差する交差方向Ｄ２において、信号電極４に比べて幅広に形成される。

図１０に示す接地電極５は、交差方向Ｄ２において、電極幅の狭い幅狭部５aと、電極幅の広い幅広部５ｂと、に分割された部分を有し、幅狭部５aが導波部３ｂの一方の導波路に重なっている。幅狭部５aと幅広部５ｂとの間は、伸延方向Ｄ１に所定のピッチで設けられた架橋部５ｃで連結される。図１０に示すように接地電極５を交差方向Ｄ２において分割する理由は、接地電極５とＬＮ基板２の熱膨張差によって接地電極５下の導波部３ｂにかかる応力を、抑制するためである。

熱膨張差によって導波部３ｂに応力がかかると、当該部分の光導波路の屈折率に影響し、出力導波部３ｃから出力される出力光がＯＦＦになる電圧に変動が生じる。この電圧変動に対しては、バイアス電圧（ＤＣ）を電極に別途印加し、出力光をモニタしながら前記バイアス電圧を調整することで光変調器の動作点を最適化する制御が有効であるが、この場合は駆動電圧が上昇してしまう。この問題を解決するために、幅広の接地電極５を分割し、導波部３ｂ上に位置する部分を幅狭部５ａとすることで、光導波路にかかる応力を弱くし、温度変動による動作点変動をできるだけ抑止する。この一方で、電極の高周波特性ついては、架橋部５ｃを形成して幅狭部５ａと幅広部５ｂとを連結し、十分な接地状態を確保することにより、維持される。接地電極を分割する構成は、特許文献１に開示されている。

特開２００６−０８４５３７号公報

特許文献１に開示された接地電極分割構造は、幅広の接地電極から光導波路にかかる応力を減らして、細い信号電極による応力と同程度にし、導波部の伸延方向に交差する交差方向において、電極による応力の均一化を図る構成である。しかし、図１０に示すように、光導波路デバイス１のＬＮ基板２は、光導波路デバイス１を実装した筐体内で支持部材６に支持されるので、接地電極５からＬＮ基板２の上面にかかる応力の他に、支持部材６からＬＮ基板２の下面にかかる応力も存在する。支持部材６は、筐体の一部か又は筐体とは別部品であってＳＵＳ等の金属製であり、ＬＮ基板２と支持部材６との間には熱膨張差がある。ＬＮ基板２は支持部材６に接着剤などを用いて固定されるので、ＬＮ基板２と支持部材６との熱膨張差によって、基板下面からも応力がかかる。支持部材６によりＬＮ基板２の下面からかかる応力は、交差方向Ｄ２において大きさが変化する。図１０においてＬＮ基板２の幅方向に４つ並んだ導波路３ｂに対し、支持部材６によりかかる応力について、図１１を参照して説明する。

図１１は、支持部材６に固定した光導波路デバイス１の、図１０中のＡ−Ａ線における断面図である。
ＬＮ基板２に比べて支持部材６の熱膨張率は小さく、これに起因した熱膨張差により支持部材６からＬＮ基板２にかかる応力は、ＬＮ基板２の側面に近づくほど強い。したがって、図１０及び図１１に示すように、４つの導波部３ｂがＬＮ基板２において基板幅方向にほぼ対称配置されていて、電極４，５による応力の均一化が基板幅方向において図られている場合、図１１に示すように、支持部材６からＬＮ基板２にかかる応力の交差方向Ｄ２における分布は、分布中心がほぼ基板幅方向中心と一致し、応力分布中心から基板側面へ向かって次第に強くなる特性を示す。

図１１に示した支持部材６の応力によって、４つの導波部３ｂのうち、応力分布中心に近い方の２つの導波部３ｂ−ｉｎに関しては、各２本の導波路間に生じる応力差Ｘが小さく、一方、応力分布中心から遠い方の２つの導波部３ｂ−ｏｕｔに関しては、各２本の導波路間に生じる応力差Ｙが大きくなる。すなわち、交差方向Ｄ２において複数の導波部３ｂ間に応力特性の相異が発生する。１つの導波部３ｂにおいて２本の導波路間に生じる応力差が大きくなると、温度変動による動作点変動が大きくなるので、導波部３ｂの基板内形成位置に応じて動作点変動に違いが生じることになる。

図１２は、図１１に示す導波部３ｂの基板内位置による動作点変動を示す図である。図１２において、縦軸は、正常時の動作点電圧を“１”としたときの温度変動に伴う動作点の電圧変動量（Ｖ）を示す。また、横軸は、基板幅方向の中心からの距離（μｍ）を示す。なお、図１１の場合、上述のように基板幅方向中心と応力分布中心とがほぼ一致するので、図１２における横軸の基板幅方向中心は応力分布中心である。

図１２中の各点は、温度を変動させたときの、４つの導波部３ｂの動作点電圧の変動量を、横軸の距離に応じてプロットした点である。図１２に示すように、交差方向Ｄ２において応力分布中心に近い方の導波部３ｂ−ｉｎでは、温度が変動することにより、絶対値で１Ｖ程度しか動作点電圧が変動しない一方、交差方向Ｄ２において応力分布中心から遠い方の導波部３ｂ−ｏｕｔでは、温度が変動することにより、絶対値で３Ｖほども動作点電圧が変動する。なお、左右の位置で動作点変動の符号（±）が異なるのは、１つの導波部３ｂにおいて、接地電極５が、２本の導波路のうちの内側の導波路に対し設けられるか、外側の導波路に対し設けられるか、の違いによる。

このような導波部の基板内位置に応じた動作点変動の差を防ぐためには、ＬＮ基板２の幅を広くする、あるいは、導波部３ｂの相互間隔を狭くする、といった手法が考えられる。しかし、基板幅を広げるとウエハから切り出せる基板数が減る、相互間隔を狭めるとクロストークが増える、という課題が生じるため、満足のいく解決策がないのが現状である。

上記課題に対して提案する光導波路デバイスは、接地電極の構造を工夫することにより、支持部材から基板にかかる応力で生じる複数の導波部間の応力特性の相異を打ち消すような応力を、接地電極から基板へかけることができる光導波路デバイスである。

本提案に係る光導波路デバイスは、
支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に対し電界を作用させる電極と、を含んで構成され、
前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
前記電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつ信号電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、光導波路デバイスである。

あるいは、本提案に係る光デバイスは、
支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、前記基板上に形成され、高周波電気信号による電界を前記光導波路に対し作用させる進行波電極と、前記基板上に形成され、前記光導波路の動作点を調整するバイアス電圧が印加される動作点調整電極と、を含んで構成され、
前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
前記動作点調整電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつバイアス電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、光導波路デバイスである。

上記提案の光導波路デバイスは、導波部の導波路上に重なる接地電極の形状を変えることにより、接地電極から導波部にかかる応力を、基板における位置に応じて変化させる。

前述のように、支持部材から基板にかかる応力により複数の導波部間に生じる応力特性の相異が、動作点変動の差を発生させる原因である。本提案に係る光導波路デバイスによると、支持部材による応力の応力分布中心からの距離に応じて接地電極の架橋部の形状を変えることが可能になるので、接地電極から基板へ、導波部間の応力特性の相異を打ち消すような応力をかけ、導波部の基板内位置に応じた動作点変動の差を防ぐことができる。これにより、基板の幅を広くしたり、あるいは、導波部の相互間隔を狭くするといった対策を講じずとも、動作点変動の抑制が図られる。

光導波路デバイスの第１実施形態を示した平面図。 図１中のＢ−Ｂ線における断面図。 架橋部形状と動作点変動との関係を示したグラフ。 光導波路デバイスの第２実施形態を示した断面図。 光導波路デバイスの第３実施形態を示した平面図。 光導波路デバイスの第４実施形態を示した平面図。 光導波路デバイスの第５実施形態を示した平面図。 図７中のＣ−Ｃ線における断面図。 光導波路デバイスを用いた光変調器の構成例を示すブロック図。 背景技術に係る光導波路デバイスの平面図。 図８中のＡ−Ａ線における断面図。 応力分布中心からの距離に応じた動作点変動を説明した図。

図１は、光導波路デバイスの第１実施形態を示す平面図である。図２は、図１中のＢ−Ｂ線における断面図である。
図１及び図２において、光導波路デバイス１０は、電気光学効果を有する基板としてＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）を用いたＺカットの基板１１を含み、ＬＮ基板１１に、ＬＮ基板１１の長さ方向（長手方向）へ伸延する光導波路２０が形成される。光導波路２０は、Ｔｉなどの金属膜をパターニングして熱拡散させる、あるいは、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換するなどの工程により、形成される。

光導波路２０は、伸延方向Ｄ１に沿って順に、光を入力するための入力導波部２１と、入力導波部２１に入力された光を分岐して伝搬する、一例として４つの導波部２２と、導波部２２を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部２３と、の３つの部分を含む。図１に示すように、ＬＮ基板１１の一方の端部に形成された入力導波部２１とＬＮ基板１１の他方の端部に形成された出力導波部２２との間に、４つの導波部２２が並列接続される。

４つ設けられた導波部２２は、それぞれの導波部２２が、並行する２本の導波路２２ａ，２２ｂを有する。そして、導波路２２ａ，２２ｂに対して電界を作用させるための信号電極２４と接地電極２５とが、導波部２２ごとにそれぞれ、バッファ層１２（図２参照）を介在させてＬＮ基板１１上に設けられる。図１に示すように接地電極２５は、良好な高周波特性を得るために、導波部２２の伸延方向Ｄ１に交差する交差方向Ｄ２において、信号電極２４に比べて幅広く形成される。

第１実施形態の接地電極２５は、交差方向Ｄ２において、電極幅の狭い幅狭部２５aと、電極幅の広い幅広部２５ｂと、に分割された部分を有する。そして、幅狭部２５aが、導波部２２における２本の導波路２２ａ，２２ｂのうち、図２に示す応力分布中心に近い側の導波路２２ａに重なっている。接地電極２５を幅方向において分割するのは、接地電極２５とＬＮ基板１１の熱膨張差によって、接地電極２５下の導波部２２に対し応力が過度にかかるのを抑制するためである。分割された幅狭部２５aと幅広部２５ｂとの間は、伸延方向Ｄ１に所定のピッチで設けられた架橋部２５ｃで連結され、十分な接地状態を確保することにより、高周波応答特性が低下しないようにしてある。

幅狭部２５ａと幅広部２５ｂとの間を架橋部２５ｃで連結した接地電極２５は、導波部２２ごとに、信号電極２４よりも応力分布中心に近い側に設けられる。すなわち、いずれの導波部２２においても、応力分布中心に近い側の導波路２２ａに対して接地電極２５が形成され、応力分布中心から遠い側の導波路２２ｂに対して信号電極２４が形成される。また特に、第１実施形態の場合、応力分布中心に近い（つまり内側の）導波部２２−ｉｎに対する接地電極２５は、２つの導波部２２−ｉｎに共通の１つとして、ＬＮ基板１１の幅方向中心部分に形成される。

図１及び図２に示す光導波路デバイス１０において、応力分布中心に近い方の導波部２２−ｉｎに対する接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎと、応力分布中心から遠い方の導波部２２−ｏｕｔに対する接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔとは、互いに異なる形状に形成される。つまり、応力分布中心からの距離に応じて、接地電極２５間で架橋部２５ｃの形状が異なっている。図１及び図２に示す第１実施形態では特に、応力分布中心に近い方（以下、「近い方」とも略す）の接地電極２５における架橋部２５ｃ−ｉｎの太さ（幅や厚み）に比べて、応力分布中心から遠い方（以下、「遠い方」とも略す）の接地電極２５における架橋部２５ｃ−ｏｕｔの太さが太い。遠い方の架橋部２５ｃ−ｏｕｔが、近い方の架橋部２５ｃ−ｉｎに比べて太いことにより、遠い方の接地電極２５においてＬＮ基板１１との熱膨張差が大きくなっている。

具体的に、第１実施形態において遠い方の架橋部２５ｃ−ｏｕｔは、近い方の架橋部２５ｃ−ｉｎに比べて、幅Ｗ（この場合は伸延方向Ｄ１の距離になる）が広く形成される。これにより、近い方の接地電極２５に比べて遠い方の接地電極２５が、温度が変動したときの熱膨張差によって、より強い応力を導波路２２ａに加えることができる。

図２は図１中のＢ−Ｂ線における断面図で、図２に示す通り、光導波路デバイス１０は支持部材１３に下面を固定して載置される。
支持部材１３は、光導波路デバイス１０を実装した筐体の一部又は筐体とは別部品であってステンレス鋼（ＳＵＳ）製等の金属製であり、ＬＮ基板１１に比べて熱膨張率が小さい。このため、熱膨張率に起因した熱膨張差が、温度変動に応じてＬＮ基板１１と支持部材１３との間に発生する。熱膨張差により支持部材１３からＬＮ基板１１にかかる応力は、ＬＮ基板１１の側面に近づくほど強い。したがって、図１及び図２に示すように、４つの導波部２２がＬＮ基板１１において基板幅方向にほぼ対称配置されていて、これに対応して電極２４，２５も基板幅方向においてほぼ対称に配置される場合、図２に示すように、支持部材１３からＬＮ基板１１にかかる応力の交差方向Ｄ２における分布は、分布中心がほぼ基板幅方向中心と一致し、応力分布中心から基板側面へ向かって次第に強くなる特性を示す。

交差方向Ｄ２における支持部材１３による応力分布特性に起因して、交差方向Ｄ２において複数の導波部２２間に応力特性の相異が発生する。すなわち、図２に示した支持部材１３の応力によって、４つの導波部２２のうち、応力分布中心に近い方の２つの導波部２２−ｉｎに関しては、各２本の導波路２２ａ，２２ｂ間に生じる応力差Ｘ’が小さく、一方、応力分布中心から遠い方の２つの導波部２２−ｏｕｔに関しては、各２本の導波路２２ａ，２２ｂ間に生じる応力差Ｙ’が大きくなる。

導波部２２間の応力特性の相異に関して、第１実施形態の光導波路デバイス１０は、特に遠い方の導波部２２−ｏｕｔにおいて、応力分布中心に近い側に位置する導波路２２ａに対し、幅の広い架橋部２５ｃ−ｏｕｔを有する接地電極２５から、２本の導波路２２ａ，２２ｂの間に生じる応力差Ｙ’を打ち消すような応力がかかる。具体的に説明すると、接地電極２５の熱膨張率はＬＮ基板１１よりも大きいので、温度変動によって接地電極２５とＬＮ基板１１とには熱膨張差が生じる。近い方の導波部２２−ｉｎに対する接地電極２５の場合は、架橋部２５ｃ−ｉｎの幅が狭いので、幅広部２５ｂの熱膨張が幅狭部２５ａに与える影響は少なく、幅狭部２５ａから導波路２２ａにかかる応力は弱い。すなわち、前述の特許文献１にあるように、接地電極２５とＬＮ基板１１の熱膨張差によりＬＮ基板１１へかかる応力は、抑制される。他方、遠い方の導波部２２−ｏｕｔに対する接地電極２５は、架橋部２５ｃ−ｏｕｔの幅Ｗが広くなっているので、幅広部２５ｂ及び架橋部２５ｃ−ｏｕｔの熱膨張が幅狭部２５ａに与える影響が大きい。その結果、幅狭部２５ａから導波路２２ａにかかる応力が強くなる。

遠い方の導波部２２−ｏｕｔにおいて、応力分布中心から遠い側に位置した導波路２２ｂには、支持部材１３による応力が、近い側の導波路２２ａよりも強くかかっている。そこで、この応力差Ｙ’に匹敵する応力を、近い側に位置する導波路２２ａにかけてやれば、両者に同じ程度の応力がかかることになる。同程度の応力がかかっていれば、２本の導波路２２ａ，２２ｂの屈折率変化が同程度になるので、結果として、動作点変動は抑制される。

図３は、架橋部２５ｃの幅に対応した動作点変動の一例を示すグラフである。菱形のポイントが幅の広い架橋部（１００μｍ）に対応し、正方形のポイントが幅の狭い架橋部（１０μｍ）に対応する。図３に示すように、架橋部２５ｃの幅を広くすると、温度変動に対し、幅広部２５ｂ及び架橋部２５ｃの熱膨張による応力に従って動作点電圧の変動が大きくなることが分かる。図３に示す接地電極の温度特性と、図１０に示した基板内形成位置に従う導波部の動作点変動特性を利用すれば、近い方の接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎ及び遠い方の接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔの適切な形状を設計することができる。

以上の第１実施形態は、架橋部２５ｃの幅Ｗが、応力分布中心からの距離に応じて異なる構造であるが、この他にも、同様の作用を得られる構造は各種考えられる。例えば、図１中に示す幅狭部２５ａと幅広部２５ｂとの間の間隔Ｓを、近い方の接地電極２５と遠い方の接地電極２５とで違う間隔としてもよい。すなわち、近い方の接地電極２５における間隔Ｓに比べて、遠い方の接地電極２５における間隔Ｓを狭くすることが可能である。あるいは、場合によっては、遠い方の接地電極２５における間隔Ｓを零として、幅狭部２５ａと幅広部２５ｂとが一体化した構造にすることもできる。

また、別の形態では、図２中に示すように、接地電極２５の厚みＴを、近い方の接地電極２５と遠い方の接地電極２５とで違う厚さとしてもよい。すなわち、近い方の接地電極２５の厚みＴに比べて、遠い方の接地電極２５の厚みＴを厚くすることが可能である。この厚みＴを変更する場合、幅狭部２５ａの厚みを変更すると電極の特性インピーダンスが変化することになるので、厚み変更による特性インピーダンスのずれが懸念される場合には、図２中に二点鎖線で示すように、幅広部２５ｂ及び架橋部２５ｃの厚みＴのみを変更するようにしてもよい。

接地電極２５に対する構造の工夫に加えて、接地電極２５からＬＮ基板１１にかかる応力がさらに強くなるように、ＬＮ基板１１の上面構造を工夫することも可能である。ＬＮ基板１１の上面構造を工夫した第２実施形態を図４に示す。図４は、第２実施形態の光導波路デバイス１０について、基板幅方向中心から左部分を示した断面図である。

基板１１は、第１実施形態と同じくＺカットのＬＮ基板である。また、光導波路２０も第１実施形態同様に、入力導波部２１、一例として４つの導波部２２、出力導波部２３を含んで構成される。図４中には、入力導波部２１と出力導波部２３との間に並列接続された４つの導波部２２のうち、ＬＮ基板１１の幅方向中心から片側にある２つの導波部２２のみ示す。なお、幅方向中心から反対側の図示していない部分は、図４に示す部分と対称構造である。

第２実施形態のＬＮ基板１１においては、導波部２２に含まれた各２本の導波路２２ａ，２２ｂの両脇に、溝３０〜３５が形成される。溝３０〜３５は、導波部２２の伸延方向Ｄ１へ、導波路２２ａ，２２ｂに沿って延設される。したがって、第２実施形態の導波路２２ａ，２２ｂは、溝３０〜３５により形成されたリッジ（稜線）部分中に形成される。

溝３０〜３５を形成したＬＮ基板１１上に、バッファ層１２を介して信号電極２４及び接地電極２５が形成される。応力分布中心（図２参照）に近い方の導波部２２−ｉｎ及び遠い方の導波部２２−ｏｕｔにおいて、信号電極２４は、応力分布中心から遠い側に位置する導波路２２ｂの上に形成され、接地電極２５は、近い側に位置する導波路２２ａの上に形成される。接地電極２５は、交差方向Ｄ２において幅狭部２５ａと幅広部２５ｂとに分割された部分を有し、その幅狭部２５ａが導波路２２ｂ上に位置する。導波路２２ａ，２２ｂの上に位置する信号電極２４及び幅狭部２５ａは、溝３０〜３５の間のリッジ部分の上に形成される。

接地電極２５の幅狭部２５ａ及び幅広部２５ｂは、架橋部２５ｃによって連結される。架橋部２５ｃの平面形状は、第１実施形態の架橋部２５ｃと同じで、近い方の接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｉｎは幅狭く、遠い方の接地電極２５の架橋部２５ｃ−ｏｕｔは幅広く形成される。したがって、第１実施形態と同様に、遠い方の導波部２２−ｏｕｔにおける導波路２２ａに対して、必要な応力をかけられる。

接地電極２５からかかる応力に関し、第２実施形態の場合、導波路２２ａの幅方向内側に形成された溝３３により、応力がかかりやすい構造が提供されている。すなわち、導波部２２−ｏｕｔの導波路２２ａに隣接して溝３３が形成されるので、導波路２２ａに対する接地電極２５は、架橋部２５ｃ−ｏｕｔが溝３３を埋める状態で形成される。その結果、架橋部２５ｃ−ｏｕｔが熱膨張するにあたっては、溝３３を押し広げる方向の力が加わるので、溝３３に隣接するリッジ部分内に形成された導波路２２ａには、より強い応力がかかることになる。なお、導波路２２ａにかける応力だけを目的として溝を形成するのであれば、最低限、溝３３を設けてあればよい。

近い方の導波部２２−ｉｎにおいても、応力分布中心に近い側の導波路２２ａに隣接して溝３０が形成されるが、溝３０内に形成される架橋部２５ｃ−ｉｎの幅は狭い（第１実施形態参照）。したがって、架橋部２５ｃ−ｉｎから溝３０を通して導波路２２ａにかかる応力は、第１実施形態同様に弱い。

ＬＮ基板１１において導波路２２ａ，２２ｂの脇に沿う溝３０〜３５を形成する場合、各溝３０〜３５は、すべて同じ形状とすることもできるが、近い方の導波部２２−ｉｎと遠い方の導波部２２−ｏｕｔとで違う形状としてもよい。すなわち、交差方向Ｄ２における溝３０〜３５の形成位置に応じて、溝３０〜３５の形状を変えることができる。例えば、溝の幅ＷＧを変える（遠い方を広くする）、溝の深さＤＧを変える（遠い方を深くする）、あるいは、伸延方向Ｄ１における溝の長さを変える（遠い方を長くする）などが可能である。また、溝３０〜３５を形成した場合のリッジ部分の幅ＷＲについても、近い方の導波部２２−ｉｎと遠い方の導波部２２−ｏｕｔとで違う形状とすることができる（遠い方を狭くする）。

さらに、接地電極２５（架橋部２５ｃ−ｉｎ，２５ｃ−ｏｕｔ）の形状について、上記の第１実施形態で言及した例のように、近い方の導波部２２−ｉｎと遠い方の導波部２２−ｏｕｔとで違う形状とする以外に、近い方及び遠い方の両接地電極を同じ形状とすることもできる。すなわち、応力をかける必要のない導波部２２−ｉｎの導波路２２ａに対しては溝３０を形成せずにおいて、応力をかける必要のある導波部２２−ｏｕｔの導波路２２ａに対してのみ溝３３を形成すれば、近い方の導波部２２−ｉｎと遠い方の導波部２２−ｏｕｔとで異なる応力をかけることができる。

また、図４中に二点鎖線で示すように、電極の対称性を考慮して、遠い方の導波部２２−ｏｕｔに対する信号電極２４に関し、接地電極２５が対称配置されるように、追加の溝３６を形成することもできる。すなわち、信号電極２４の内側に２つの溝３４，３３が形成されるのであれば、信号電極２４を対称軸として対称となるように、信号電極２４の外側にも２つの溝３５，３６を形成する。そして、最も外側の溝３６上にも接地電極２５を形成し、信号電極２４を挟んで接地電極２５が対称に配置される構造とする。

図５は、第３実施形態の光導波路デバイス５０を示す平面図である。
第３実施形態は、動作点変動補償用のバイアス電圧を導波部２２に供給するために、動作点調整電極（ＤＣ電極）を進行波電極（ＲＦ電極）とは別に設けた実施形態である。進行波電極は、第１実施形態と同様に、抵抗で終端する信号電極２４及び接地電極２５を含んで構成されるので、同じ符号を付して重複説明は省略する。また、ＬＮ基板１１及びＬＮ基板１１に形成される光導波路２０も第１実施形態と同様なので、同じ符号を付して重複説明は省略する。

第３実施形態においてＬＮ基板１１上に追加されている動作点調整電極は、バイアス電極５１と接地電極５２とを含んで構成され、進行波電極２４，２５（信号電極及び接地電極）同様に、バッファ層１２を介して形成される。また、図５の第３実施形態において、動作点調整電極を構成するバイアス電極５１及び接地電極５２は、進行波電極２４，２５よりも出力導波部２３側において、導波部２２上に設けられる。

バイアス電極５１は、第１実施形態の信号電極２４と同様に、各導波部２２において、応力分布中心から遠い側の導波路２２ｂの上に重なるように形成される。一方、接地電極５２も、第１実施形態の接地電極２５と同様に、各導波部２２において、応力分布中心に近い側の導波路２２ａの上に重なる部分をもつように形成される。

接地電極５２は、交差方向Ｄ２において、電極幅の狭い幅狭部５２aと、電極幅の広い幅広部５２ｂと、に分割された部分を有する。そして、幅狭部５２aが導波路２２ａに重なっている。分割された幅狭部５２aと幅広部５２ｂとの間は、伸延方向Ｄ１に所定のピッチで設けられた架橋部５２ｃで連結される。また特に、近い方の導波部２２−ｉｎに対する接地電極５２は、２つの導波部２２−ｉｎに共通の１つとして、ＬＮ基板１１の幅方向中心部分に形成される。

近い方の導波部２２−ｉｎに対する接地電極５２の架橋部５２ｃ−ｉｎと、遠い方の導波部２２−ｏｕｔに対する接地電極５２の架橋部５２ｃ−ｏｕｔとは、互いに異なる形状に形成される。第３実施形態の場合、架橋部５２ｃの太さが応力分布中心からの距離に応じて違っており、近い方の接地電極５２における架橋部５２ｃ−ｉｎに比べて、遠い方の接地電極５２における架橋部５２ｃ−ｏｕｔが太い。遠い方の接地電極５２における架橋部５２ｃ−ｏｕｔが、近い方の接地電極５２における架橋部５２ｃ−ｉｎに比べて太いことにより、遠い方の接地電極５２においてＬＮ基板１１との熱膨張差が大きくなる。したがって、接地電極５２は、第１実施形態における接地電極２５と同様の働きをもち、導波路２２ａに対し所定の応力をかけることができる。

図５は、接地電極５２の架橋部５２ｃの幅Ｗを変える例を示すが、第１実施形態の接地電極２５と同様、幅狭部５２ａと幅広部５２ｂとの間の間隔Ｓについて、間隔Ｓを零とする場合も含めて、近い方の接地電極５２と遠い方の接地電極５２とで違う間隔とすることもできる。また、別の形態として、第１実施形態の接地電極２５と同様に、接地電極５２の厚みを、近い方の接地電極５２と遠い方の接地電極５２とで違う厚さとする、あるいは、幅広部５２ｂ及び架橋部５２ｃの厚みのみを変更してもよい。

さらに、図５に示す第３実施形態においても、図４を参照して上述したようなＬＮ基板１１の溝及びリッジ構造を適用することができる。
なお、図５に示す光導波路デバイス５０において、進行波電極２４，２５も、第１実施形態相当の形状として示されている。しかしながら、動作点調整電極を構成するバイアス電極５１及び接地電極５２が第１実施形態相当の応力構造になっていれば、進行波電極の信号電極２４及び接地電極２５を同様の構造とする必要はない。

図６は、第４実施形態の光導波路デバイス６０を示す平面図である。
図６において、基板６１は、第１実施形態同様に、ＺカットのＬＮ基板であり、ＬＮ基板６１の長さ方向に伸延する光導波路７０が、基板幅方向中心から片側に片寄って形成される。

光導波路７０は、伸延方向Ｄ１に沿って順に、入力導波部７１、２つの導波部７２、出力導波部７３を含んで構成され、２つの導波部７２が、入力導波部７１と出力導波部７３との間に並列接続される。２つの導波部７２は、一方の導波部７２−ｉｎがＬＮ基板６１の幅方向中心寄りに、他方の導波部７２−ｏｕｔがＬＮ基板６１の幅方向外寄りに形成される。

各導波部７２は、それぞれ２つの並行する導波路７２ａ，７２ｂを備え、そのうちの一方の導波路７２ｂに対して信号電極７４、他方の導波路７２ａに対して接地電極７５が形成される。信号電極７４及び接地電極７５の両方とも、ＬＮ基板６１の上にバッファ層（図２のバッファ層１２参照）を介して形成される。接地電極７５は、良好な高周波特性を得るために、交差方向Ｄ２において、信号電極７４に比べ幅広く形成される。

第４実施形態において、導波路７２ａに対する接地電極７５は、２つの導波部７２に対して共通に１つ設けられる。したがって、図６に示す接地電極７５は、２つの幅狭部７５ａと、２つの幅狭部７５ａの間に挟まれた幅広部７５ｂと、に分割された部分を有し、２つの幅狭部７５ａが、２つの導波部７２における導波路７２ａにそれぞれ重なっている。分割された幅狭部７５aと幅広部７５ｂとの間は、伸延方向Ｄ１に所定のピッチで設けられた架橋部７５ｃで連結され、高周波応答特性が低下しないようにしてある。

図７は、第４実施形態同様に、ＬＮ基板８１の長さ方向に伸延する光導波路９０が、基板幅方向中心から片側に片寄って形成される、第５実施形態の光導波路デバイス８０を示す平面図である。

図７において、光導波路９０は、伸延方向Ｄ１に沿って順に、入力導波部９１、２つの導波部９２、出力導波部９３を含んで構成され、入力導波部９１と出力導波部９３との間に、２つの導波部９２が並列接続される。入力導波部９１は、ＬＮ基板８１の端面から延設された２本の導波路９１ａ，９１ｂを有し、いずれか一方が光入力路として使用される。出力導波部９３は、端面にミラー９３ａを有し、一方の導波部９２を伝搬してきた分岐光を結合してミラー９３ａで反射し、他方の導波部９２へ折り返す。例えば、入力導波部９１において一方の導波路９１ａに光が入力されるとした場合、導波路９１ａに入力された光は、導波部９２−ｏｕｔを伝搬して出力導波部９３に至り、ミラー９３ａで反射される。ミラー９３ａで反射された光は、導波部９２−ｉｎを伝搬して入力導波路９２の他方の導波路９１ｂから出射される。

２つの導波部９２は、一方の導波部９２−ｉｎがＬＮ基板８１の幅方向中心寄りに、他方の導波部７２−ｏｕｔが幅方向外寄りに形成される。各導波部７２は、それぞれ２つの並行する導波路９２ａ，９２ｂを備え、そのうちの一方の導波路９２ｂに対して信号電極９４、他方の導波路９２ａに対して接地電極９５が形成される。信号電極９４及び接地電極９５の両方とも、ＬＮ基板８１の上にバッファ層（図２のバッファ層１２参照）を介して形成される。接地電極９５は、良好な高周波特性を得るために、交差方向Ｄ２において、信号電極９４に比べ幅広く形成される。

第５実施形態においても、導波路９２ａに対する接地電極９５は、２つの導波部９２に対して共通に１つ設けられる。したがって、図７に示す接地電極９５は、２つの幅狭部９５ａと、２つの幅狭部９５ａの間に挟まれた幅広部９５ｂと、に分割された部分を有し、２つの幅狭部９５ａが、２つの導波部９２における導波路９２ａにそれぞれ重なっている。分割された幅狭部９５aと幅広部９５ｂとの間は、伸延方向Ｄ１に所定のピッチで設けられた架橋部９５ｃで連結され、高周波応答特性が低下しないようにしてある。

図８は、図７中に示すＣ−Ｃ線における光導波路デバイス８０の断面図である。なお、図６に示した第４実施形態の光導波路デバイス６０も、同様の形状及び応力分布となる。
第５実施形態の光導波路９０は、基板幅方向中心から片側に片寄って形成され、これに伴って電極９４，９５もＬＮ基板８１の片側に片寄って形成されるので、支持部材１３による応力の分布中心が基板幅方向中心と一致しない。この場合でも、応力分布中心からの距離に応じて架橋部９５ｃの形状を変えることにより、第１実施形態同様の効果を得ることができる。

温度変動に応じてＬＮ基板８１と支持部材１３との間に発生する熱膨張差により支持部材１３からＬＮ基板８１にかかる応力は、ＬＮ基板８１の側面に近づくほど強い。したがって、支持部材１３による応力は、基板側面へ向かって次第に強くなる特性を示すが、導波部９２及び電極９４，９５がＬＮ基板８１の片側に片寄って形成されるので、応力分布中心は、電極９４，９５が形成されている側に基板幅方向中心からずれる。この場合であっても、交差方向Ｄ２における支持部材１３による応力分布特性に起因して、交差方向Ｄ２において２の導波部２２間に応力特性の相異が発生する。すなわち、図８に示した支持部材１３の応力によって、２つの導波部９２のうち、応力分布中心に近い方の導波部９２−ｉｎに関しては、２本の導波路９２ａ，９２ｂ間に生じる応力差が小さく、一方、応力分布中心から遠い方の導波部２２−ｏｕｔに関しては、２本の導波路２２ａ，２２ｂ間に生じる応力差が大きくなる。

第４実施形態及び第５実施形態の架橋部７５ｃ，９５ｃは、近い方の導波部７２−ｉｎ，９２−ｉｎに対する幅狭部７５ａ，９５ａを連結する架橋部７５ｃ−ｉｎ，９５ｃ−ｉｎと、遠い方の導波部７２−ｏｕｔ，９２−ｏｕｔに対する幅狭部７５ａ，９５ａを連結する架橋部７５ｃ−ｏｕｔ，９５ｃ−ｏｕｔとで、形状が異なっている。すなわち、近い方の架橋部７５ｃ−ｉｎ，９５ｃ−ｉｎに比べて、遠い方の架橋部７５ｃ−ｏｕｔ，９５ｃ−ｉｎが幅を広く形成してあり、第１実施形態の接地電極２５同様に、遠い方の導波部７２−ｏｕｔ，９２−ｏｕｔの導波路７２ａ，９２ａに対して、より強い応力をかけることができる。したがって、２つの導波部７２，９２間の応力特性の相異に関して、第４実施形態及び第５実施形態の光導波路デバイス６０，８０は、特に遠い方の導波部７２−ｏｕｔ，９２−ｏｕｔにおいて、応力分布中心に近い側に位置する導波路７２ａ，９２ａに対し、幅の広い架橋部７５ｃ−ｏｕｔ，９５ｃ−ｏｕｔを有する接地電極７５，９５から、２本の導波路７２ａ，７２ｂ，９２ａ，９２ｂの間に生じる応力差を打ち消すような応力がかかる。

第４実施形態及び第５実施形態の場合も、上述した各種変形例が可能で、例えば幅狭部７５ａ，９５ａと幅広部７５ｂ，９５ｂとの間の間隔について、当該間隔を零とする場合も含めて、応力分布中心からの距離に応じて違う間隔とすることもできる。また、図４を参照して上述したようなＬＮ基板６１，８１の溝及びリッジ構造を適用することができる。

以上の各実施形態の光導波路デバイスは、一例として、光通信システムの送信機におけるマッハツェンダ型光変調器として利用することができる。図９は、その組込例を示すブロック図である。

図９の送信機では、波長及び出力レベルを可変とした光源１００から出力される連続光ＣＷが、マッハツェンダ型光変調器として使用する光導波路デバイス１０，５０，６０，８０の入力導波部２１，７１，９１に入力される。多重化回路（ＭＵＸ）１０１は、外部から与えられる複数のデータ信号を多重化して高ビットレートのデータ信号ＤＡＴＡを生成すると共に、データ信号ＤＡＴＡのビットレートに対応した周波数を有するクロック信号ＣＬＫを生成する。プリコーダ１０２は、多重化回路１０１からのデータ信号ＤＡＴＡを用いて、所要の光変調方式に対応した符号化処理を行い、データに対応した変調信号Ｑ及びその反転信号Ｑ’を生成してドライバ回路１０３に提供する。

光導波路デバイス１０，５０，６０，８０の信号電極２４，７４，９４及び接地電極２５，７５，９５は、抵抗で終端して進行波電極とされている。ドライバ回路１０３から出力される、データに対応した高周波電気信号である駆動信号が、光導波路デバイス１０，５０，６０，８０の信号電極２４，７４，９４に印加されると、光導波路デバイス１０，５０，６０，８０において、データに従った光変調が実行される。

光導波路デバイス１０，５０，６０，８０から出力される光信号は、光カプラ１０４において一部がモニタ光として分岐され、分岐されたモニタ光が光検出器１０５で検出される。光検出器１０５による検出結果の電気信号がバイアス制御回路１０６に入力されて、バイアス制御回路１０６が、モニタ光の検出結果に基づきバイアス電圧を調整して光導波路デバイス１０，５０，６０，８０の動作点を最適化する。

以上の実施形態に関する付記を以下に開示する。

（付記１）
支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、
前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、
前記基板上に形成され、前記光導波路に対し電界を作用させる電極と、
を含んで構成され、
前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
前記電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつ信号電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、光導波路デバイス。

（付記２）
付記１記載の光導波路デバイスであって、
前記接地電極の架橋部の形状が、前記支持部材から前記基板にかかる応力の前記交差方向における応力分布中心からの距離に応じて異なる、光導波路デバイス。

（付記３）
付記２記載の光導波路デバイスであって、
前記接地電極は、前記応力分布中心に近い側の前記導波路に前記幅狭部が重なる、光導波路デバイス。

（付記４）
付記３記載の光導波路デバイスであって、
前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極の架橋部が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極の架橋部に比べて太く形成される、光導波路デバイス。

（付記５）
付記４記載の光導波路デバイスであって、
前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極の架橋部の幅が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極の架橋部に比べて広く形成される、光導波路デバイス。

（付記６）
付記３記載の光導波路デバイスであって、
前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極における前記幅狭部と前記幅広部との間の間隔が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極における前記幅狭部と前記幅広部との間の間隔に比べて、狭くなっている、光導波路デバイス。

（付記７）
付記３記載の光導波路デバイスであって、
前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極に比べて厚く形成される、光導波路デバイス。

（付記８）
付記７記載の光導波路デバイスであって、
前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極の架橋部及び幅広部が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極の架橋部及び幅広部に比べて厚く形成される、光導波路デバイス。

（付記９）
付記１〜８のいずれか１項記載の光導波路デバイスであって、
前記導波部の導波路脇に沿う溝が前記基板に形成されており、
前記接地電極が、前記接地電極下に位置する前記溝を埋めるように形成される、光導波路デバイス。

（付記１０）
付記９記載の光導波路デバイスであって、
前記各導波部の各導波路の両脇に前記溝が形成されており、前記交差方向における前記溝の形成位置に応じて、前記溝の形状が異なる、光導波路デバイス。

（付記１１）
付記１０記載の光導波路デバイスであって、
前記交差方向における前記溝の形成位置に応じて、前記溝の幅が異なる、光導波路デバイス。

（付記１２）
付記１０記載の光導波路デバイスであって、
前記交差方向における前記溝の形成位置に応じて、前記溝の深さが異なる、光導波路デバイス。

（付記１３）
付記１０記載の光導波路デバイスであって、
前記交差方向における前記溝の形成位置に応じて、前記溝の長さが異なる、光導波路デバイス。

（付記１４）
付記１０〜１３のいずれか１項記載の光導波路デバイスであって、
前記基板において前記溝に挟まれた部位に形成されるリッジ部分に前記各導波路が形成されており、前記交差方向における前記リッジ部分の形成位置に応じて、前記リッジ部分の幅が異なる、光導波路デバイス。

（付記１５）
付記１０記載の光導波路デバイスであって、
前記交差方向において、前記信号電極を対称軸にして前記溝が対称に配置される、光導波路デバイス。

（付記１６）
付記１〜１５のいずれか１項記載の光導波路デバイスの前記信号電極の一端を抵抗を介して接地し終端してあり、データ信号に従った高周波電気信号を前記信号電極の他端に印加して使用する、マッハツェンダ型光変調器。

（付記１７）
支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、
前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、
前記基板上に形成され、高周波電気信号による電界を前記光導波路に対し作用させる進行波電極と、
前記基板上に形成され、前記光導波路の動作点を調整するバイアス電圧が印加される動作点調整電極と、
を含んで構成され、
前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
前記動作点調整電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつバイアス電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、光導波路デバイス。

（付記１８）
付記１７記載の光導波路デバイスの前記進行波電極に、データ信号に従った高周波電気信号を印加して使用する、マッハツェンダ型光変調器。

１０，５０，６０，８０ 光導波路デバイス
１１，６１，８１ 基板
１２ バッファ層
２０，７０，９０ 光導波路
２１，７１，９１ 入力導波部
２２，７２，９２ 導波部
２２−ｉｎ，７２−ｉｎ，９２−ｉｎ 応力分布中心に近い方の導波部
２２−ｏｕｔ，７２−ｏｕｔ，９２−ｏｕｔ 応力分布中心から遠い方の導波部
２２ａ，７２ａ，９２ａ 応力分布中心に近い側の導波路
２２ｂ，７２ｂ，９２ｂ 応力分布中心から遠い側の導波路
２３，７３，９３ 出力導波部
２４，７４，９４ 信号電極
２５，７５，９５ 接地電極
２５ａ，７５ａ，９５ａ 幅狭部
２５ｂ，７５ｂ，９５ｂ 幅広部
２５ｃ，７５ｃ，９５ｃ 架橋部
２５ｃ−ｉｎ，７５ｃ−ｉｎ，９５ｃ−ｉｎ 応力分布中心に近い方の架橋部
２５ｃ−ｏｕｔ，７５ｃ−ｏｕｔ，９５ｃ−ｏｕｔ 応力分布中心から遠い方の架橋部
５１ バイアス電極
５２ 接地電極
５２ａ 幅狭部
５２ｂ 幅広部
５２ｃ 架橋部
５２ｃ−ｉｎ 応力分布中心に近い方の架橋部
５２ｃ−ｏｕｔ 応力分布中心から遠い方の架橋部

Claims (9)

1. 支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、
   前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、
   前記基板上に形成され、前記光導波路に対し電界を作用させる電極と、
   を含んで構成され、
   前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
   前記電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつ信号電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
   前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
   前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、
   光導波路デバイス。
2. 請求項１記載の光導波路デバイスであって、
   前記接地電極は、前記支持部材から前記基板にかかる応力の前記交差方向における応力分布中心に近い側の前記導波路に前記幅狭部が重なる、光導波路デバイス。
3. 請求項２記載の光導波路デバイスであって、
   前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極の架橋部が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極の架橋部に比べて太く形成される、光導波路デバイス。
4. 請求項２記載の光導波路デバイスであって、
   前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極における前記幅狭部と前記幅広部との間の間隔が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極における前記幅狭部と前記幅広部との間の間隔に比べて、狭くなっている、光導波路デバイス。
5. 請求項２記載の光導波路デバイスであって、
   前記応力分布中心から遠い方の前記接地電極が、前記応力分布中心に近い方の前記接地電極に比べて厚く形成される、光導波路デバイス。
6. 請求項１〜５のいずれか１項記載の光導波路デバイスであって、
   前記導波部の導波路脇に沿う溝が前記基板に形成されており、
   前記接地電極が、前記接地電極下に位置する前記溝を埋めるように形成される、光導波路デバイス。
7. 請求項１〜６のいずれか１項記載の光導波路デバイスの前記信号電極の一端を抵抗を介して接地し終端してあり、データ信号に従った高周波電気信号を前記信号電極の他端に印加して使用する、マッハツェンダ型光変調器。
8. 支持部材に載置された、電気光学効果を有する基板と、
   前記基板に、前記基板の長さ方向へ伸延して形成された光導波路と、
   前記基板上に形成され、高周波電気信号による電界を前記光導波路に対し作用させる進行波電極と、
   前記基板上に形成され、前記光導波路の動作点を調整するバイアス電圧が印加される動作点調整電極と、
   を含んで構成され、
   前記光導波路は、光が入力される入力導波部と、前記入力導波部に入力された光を分岐して伝搬する２つの並行する導波路を備えた導波部と、前記導波部を伝搬してきた分岐光を結合する出力導波部と、を有し、
   前記動作点調整電極は、前記導波部ごとに、一方の前記導波路に重なる部分をもつバイアス電極と、他方の前記導波路に重なる部分をもつ接地電極と、を備え、
   前記接地電極が、前記導波部の伸延方向に交差する交差方向において、前記導波路に重なる幅狭部と、前記幅狭部よりも幅の広い幅広部と、に分割された部分を有し、前記幅狭部と前記幅広部との間を架橋部により連結してあり、
   前記接地電極の架橋部の形状が、複数の前記接地電極間で異なる、
   光導波路デバイス。
9. 請求項８記載の光導波路デバイスの前記進行波電極に、データ信号に従った高周波電気信号を印加して使用する、マッハツェンダ型光変調器。

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