JP7176837B2 - マッハツェンダ変調器、光変調装置 - Google Patents
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Description
基板27:半絶縁性InP基板。
導電性半導体領域13:Siドープのn型InP、厚さ1.0マイクロメートル。
下部半導体領域29c:Siドープのn型InP、厚さ0.5マイクロメートル。
コア層29a:AlGaInAs系半導体の量子井戸構造、厚さ0.5マイクロメートル。
上部半導体層29bのクラッド領域:Znドープのp型InP、厚さ1.0マイクロメートル。
コンタクト層29d:Znドープのp型GaInAs、厚さ0.2マイクロメートル。
埋込領域43:BCB樹脂。
電極(19a~19d、20a~20d、31、35):Au、厚さ5マイクロメートル。
幅W1:250マイクロメートル。
幅W2:125マイクロメートル。
幅W3:10~50マイクロメートル、例えば25マイクロメートル。
幅W4:100マイクロメートル。
幅W5:5マイクロメートル。
第1電極体19a~19d及び第2電極体20a~20dは周期的に配列される。
第1導電体31と第2導電体35との間隔DIは、導電性半導体領域13のストライプ幅WDより大きい。
駆動回路DRV:RF電圧振幅:1~4ボルト。
外部電圧源BIAS(57e):2~20ボルトの範囲の直流電圧、RF電圧の変化に対して大きい光位相変化を示すDCバイアス電圧を印加する。
Claims (8)
- マッハツェンダ変調器であって、
下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第1半導体アームと、
下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第2半導体アームと、
前記第1半導体アームの前記下部半導体領域及び前記第2半導体アームの前記下部半導体領域を互いに接続する導電性半導体領域と、
前記第1半導体アームの前記上部半導体層及び前記第2半導体アームの前記上部半導体層にそれぞれ結合された第1信号伝搬導電体及び第2信号伝搬導電体と、前記導電性半導体領域上において前記第1信号伝搬導電体と前記第2信号伝搬導電体との間を延在する基準電位導電体とからなる差動伝送路と、
を備え、
前記基準電位導電体は前記導電性半導体領域から絶縁されている、マッハツェンダ変調器。 - 前記差動伝送路はS-G-S構造を有する、請求項1に記載されたマッハツェンダ変調器。
- 前記導電性半導体領域に接続された電極を更に備える、請求項1又は2に記載されたマッハツェンダ変調器。
- 前記第1信号伝搬導電体は、前記第1半導体アーム上に位置すると共に前記第1半導体アームに接続され、
前記第2信号伝搬導電体は、前記第2半導体アーム上に位置すると共に前記第2半導体アームに接続される、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたマッハツェンダ変調器。 - 前記第1信号伝搬導電体は、第1導電体と、複数の第1電極とを含み、前記第1導電体は、前記第1電極を介して前記第1半導体アームに接続され、
前記第2信号伝搬導電体は、第2導電体と、複数の第2電極とを含み、前記第2導電体は、前記第2電極を介して前記第2半導体アームに接続され、
前記第1電極は、前記第1半導体アーム上において間隔を置いて配置され、
前記第2電極は、前記第2半導体アーム上において間隔を置いて配置される、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたマッハツェンダ変調器。 - 前記第1半導体アームは、第1軸の方向に交互に配列された第1部分及び第2部分を含み、前記第1半導体アームの前記第1部分は、前記第1電極に接触を成すコンタクト層を含み、前記第1半導体アームの前記第2部分は、前記コンタクト層を含まず、
前記第2半導体アームは、前記第1軸の方向に交互に配列された第1部分及び第2部分を含み、前記第2半導体アームの前記第1部分は、前記第2電極に接触を成すコンタクト層を含み、前記第2半導体アームの前記第2部分は、前記コンタクト層を含まない、請求項5に記載されたマッハツェンダ変調器。 - 光変調装置であって、
請求項1~請求項6のいずれか一項に記載されたマッハツェンダ変調器と、
前記差動伝送路を介して前記第1半導体アーム及び前記第2半導体アームを駆動する差動信号源と、
を備える光変調装置。 - 前記導電性半導体領域にバイアス電位を提供する直流電圧源を更に備える、請求項7に記載された光変調装置。
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