JP5271294B2 - リッジ光導波路とそれを用いた光変調器 - Google Patents
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Description
特許文献1にz−カットLN基板に分極反転を適用してゼロチャープ光変調器を実現したいわゆる分極反転ゼロチャープ光変調器が開示されている。また、特許文献2にはz−カットLN基板にプレーナ光導波路を形成したいわゆるプレーナ型LN変調器が開示されている。そしてこのプレーナ型LN変調器を例として用いて構成した分極反転ゼロチャープLN変調器を第1の従来技術として、図6にその上面図を示す。また、図6のA−A´における断面図を図7に、B−B´における断面図を図8に示す。なお、説明をわかりやすくするために図8ではz−カットLN基板についてのみ示している。
特許文献1では分極反転ゼロチャープを実現するための考え方を提案しているだけであり、そこで用いる光導波路としてはプレーナ型でもリッジ型でもよく、光導波路の構造に依存しているわけではない。
本発明の実施形態を図1に示す。本発明では高周波電気信号と光とが相互作用する相互作用部には図10に示したようなリッジ光導波路を使用する。図10の領域Iに相当する箇所の拡大図を図1に示す。
以上は、リッジ構造を有する分極反転ゼロチャープ型の光変調器として、例えば第1の光導波路と第2の光導波路が長手方法に光導波路シフト部(曲がり部)を各々1つ持つ構造について説明したが、2つあるいはそれ以上光導波路シフト部があってもよいことは言うまでもない。本発明はプレーナ光導波路構造とリッジ光導波路構造を有する光デバイスに適用でき、分極反転ゼロチャープ構造が好適な実施形態であるが、その他の光デバイスにも適用可能である。電極としてはCPW構造のほかに非対称コプレーナストリップ(ACPS)などその他の構造でもよい。
1a:非分極反転領域
1b:分極反転領域
2:SiO2バッファ層(バッファ層)
3:マッハツェンダ光導波路(光導波路)
3a:マッハツェンダ光導波路を構成する第1の光導波路
3b:マッハツェンダ光導波路を構成する第2の光導波路
3a´、3b´:曲がり部(ベンド光導波路)
4a:中心導体
4b、4c:接地導体
5a:非分極反転領域の相互作用部
5b:分極反転領域の相互作用部
5c:光導波路シフト部
7a:リッジ部
8a、8b、8c、8d:溝部
9、9a、9b:光導波路の幅方向の中心線
10:中心線9aと中心線9bの交点
11:中心線9aと中心線9bの長手方法の座標についての微係数
Claims (3)
- 基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、
前記曲がり部の曲率の内側において、当該曲がり部に沿って切れ目なく前記溝部が形成され、
前記曲がり部の曲率の外側の一部には前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、
前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きいことを特徴とするリッジ光導波路。 - 前記実質的に溝部が形成されていない領域における前記曲がり部の中心線の微係数と、前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の中心線の微係数とが、各々の中心線の交点において一致することを特徴とする請求項1に記載のリッジ光導波路。
- 電気光学効果を有する前記基板上に、請求項1もしくは請求項2に記載のリッジ光導波路を含むマッハツェンダ光導波路が形成され、
前記基板の一方の面側に、前記マッハツェンダ光導波路を導波する光を変調する高周波電気信号を印加する中心導体及び接地導体からなる電極が形成されていることを特徴とする光変調器。
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