JP2013238785A - 光変調器 - Google Patents
光変調器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013238785A JP2013238785A JP2012112676A JP2012112676A JP2013238785A JP 2013238785 A JP2013238785 A JP 2013238785A JP 2012112676 A JP2012112676 A JP 2012112676A JP 2012112676 A JP2012112676 A JP 2012112676A JP 2013238785 A JP2013238785 A JP 2013238785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- bias electrode
- electrode
- optical waveguide
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
【課題】光変調器の歩留まりについて改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板1に形成され光を導波するための複数の光導波路3と、基板1の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極4と、光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、外部から印加されるバイアス電圧を基板1内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部とを具備し、複数の第1バイアス電極枝部のうちの1つが、バイアス用相互作用部を構成する2本の光導波路の一方3b´の上方に形成され、少なくとも2つの第1バイアス電極枝部が、第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続される。
【選択図】図1
【解決手段】基板1に形成され光を導波するための複数の光導波路3と、基板1の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極4と、光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、外部から印加されるバイアス電圧を基板1内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部とを具備し、複数の第1バイアス電極枝部のうちの1つが、バイアス用相互作用部を構成する2本の光導波路の一方3b´の上方に形成され、少なくとも2つの第1バイアス電極枝部が、第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続される。
【選択図】図1
Description
本発明は高速で駆動電圧が低く、かつバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器の分野に属する。
リチウムナイオベート(LiNbO3)のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板(以下、リチウムナイオベート基板をLN基板と略す)に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器(以下、LN光変調器と略す)は、その優れたチャーピング特性から2.5Gbit/s、10Gbit/sの大容量光伝送システムに適用されている。最近はさらに40Gbit/s、あるいは100Gbit/sの超大容量光伝送システムにも適用が検討されており、キーデバイスとして期待されている。
(第1の従来技術)
このLN光変調器にはz−カット基板を使用するタイプとx−カット基板(あるいはy−カット基板)を使用するタイプがある。ここでは、第1の従来技術として特許文献1の考え方をz−カットLN基板と2電極型コプレーナウェーブガイド(CPW)進行波電極に適用したLN光変調器をとり上げ、その概略上面図を図11に示す。
このLN光変調器にはz−カット基板を使用するタイプとx−カット基板(あるいはy−カット基板)を使用するタイプがある。ここでは、第1の従来技術として特許文献1の考え方をz−カットLN基板と2電極型コプレーナウェーブガイド(CPW)進行波電極に適用したLN光変調器をとり上げ、その概略上面図を図11に示す。
図中、1はz−カットLN基板、2は1.3μm、あるいは1.55μmなど光通信において使用する波長領域で透明な厚みDのSiO2バッファ層(なお、厚みDは200nmから1μm程度である)、3はz−カットLN基板1にTiを蒸着後、1050℃で約10時間熱拡散して形成した光導波路であり、マッハツェンダ干渉系(あるいは、マッハツェンダ光導波路)を構成している。
なお、電界が印加されて屈折率が変化する相互作用光導波路は、高周波電気信号によって生じる電気力線と光が相互作用する高周波電気信号用相互作用部5と、バイアス電圧によって生じる電気力線と光が相互作用するバイアス用相互作用部6と、からなっている。つまり、高周波電気信号用相互作用部5とバイアス用相互作用部6はマッハツェンダ光導波路の2本のアームを構成する光導波路から構成されている。なお、高周波電気信号用相互作用部の2本のアーム(高周波電気信号用相互作用光導波路)を3a、3b、バイアス用相互作用部の2本のアーム(バイアス用相互作用光導波路)を3a´、3b´とする。
この2電極型のLN光変調器では、高周波電気信号用相互作用光導波路3aと3bの上方に各々中心導体(中心電極)4aと4bが形成されている。4c、4d、及び4eは接地導体(接地電極)である。高周波電気信号用相互作用部5におけるCPW型の進行波電極4は中心導体4a、4b、接地導体4c、4d、4eから構成されている。
なお、バイアス用相互作用光導波路3a´の上方にあるバイアス電極7aはバイアス用相互作用部6における中心導体(中心電極)、その並んだ近傍にあるバイアス電極7bは側置導体(側置電極)であり、バイアス用相互作用光導波路3b´の上方にあるバイアス電極7bはバイアス用相互作用部6における中心導体(中心電極)、その並んだ近傍にあるバイアス電極7aは側置導体(側置電極)である。
図12は図11のA−A´における断面図である。バイアス用相互作用部6ではバイアス電極7aと7bが各々バイアス用相互作用光導波路3a´、3b´の上方に形成されている。8aと8bはバイアスの電気力線である。
図12からわかるように、バイアス用相互作用光導波路3a´に関しては、バイアス電極7aからバイアス電極7bへ電気力線8aが向かっており、バイアス用相互作用光導波路3a´には下向きの電気力線8aが印加されている。一方、バイアス用相互作用光導波路3b´に関しては、バイアス電極7aからバイアス電極7bへ電気力線8bが向かっているので、バイアス用相互作用光導波路3b´には上向きの電気力線8bが印加されている。その結果、バイアス用相互作用光導波路3a´と3b´において生じる屈折率変化の符号は互いに逆となる。なお、図11に示したこの第1の従来技術におけるバイアス電極7a、7bは非対称コプレーナストリップ(ACPS)構造と呼ばれている。
バイアス用相互作用光導波路3a´を伝搬する光の波動関数ψa´と、高周波電気信号用相互作用光導波路3aの上方に形成されているバイアス電極7aから発せられてバイアス電極7bに向かう電気力線8aからなる電界Eaとの相互作用の結果生じる高周波電気信号用相互作用光導波路3aの屈折率変化Δnaは、
Δn∝∬ψa´ 2(x、y)Ea(x、y)dxdy (1)
と表される。
Δn∝∬ψa´ 2(x、y)Ea(x、y)dxdy (1)
と表される。
図13に図11のバイアス電極7aと7bの拡大図を示す。バイアス電極7aはバイアス電極基部400とバイアス電極枝部500及び501からなり、バイアス電極7bはバイアス電極基部401とバイアス電極枝部502及び503から成っている。
図14を用いて図11に示した第1の従来技術の問題点を説明する。図14ではバイアス電極7aと7bにバイアス電極破断部300と301が後述する製造工程の問題により各々に発生してしまっている。このバイアス電極破断部300と301は、図13を参照するとバイアス電極基部400とバイアス電極枝部501の接続部と、バイアス電極基部401とバイアス電極枝部502との接続部にあることがわかる。なお、図14は模式図であってバイアス電極破断部の寸法を大きめに強調したものとなっている。
図14のようにバイアス電極7aと7bにバイアス電極破断部300、301があると、バイアス用相互作用光導波路3a´と3b´に電気力線8aと8bが印加されず、バイアス用相互作用光導波路3a´と3b´に屈折率変化を生じさせることができない。
なお、図14においてバイアス電極破断部300と301の内、どちらか一方のみが存在する場合にはバイアス電圧がバイアス用相互作用光導波路3a´、もしくは3b´のどちらかのみに印加されるというアンバランスな状態となる。
そして、こうしたバイアス電極破断部300や301は電極プロセスの際にレジストの中にある微小なゴミなどにより発生することが多い。そしてバイアス電極破断部は、非常に微細な大きさであるので、検査工程において発見することは容易ではない。バイアス電極の厚みは高周波変調部の電極の厚みに比べて薄いので、こうした問題が発生することが多く、バイアス電極破断部が光変調器の歩留まりを著しく劣化させることになる。
(第2の従来技術)
図15には特許文献2に開示されたLN光変調器の概略上面図を示す。バイアス用相互作用部6´における9aと9bはバイアス電極である。図16のB−B´における断面図を図16に示す。10a、10bは印加されたバイアス電圧により発生した電気力線である。
図15には特許文献2に開示されたLN光変調器の概略上面図を示す。バイアス用相互作用部6´における9aと9bはバイアス電極である。図16のB−B´における断面図を図16に示す。10a、10bは印加されたバイアス電圧により発生した電気力線である。
この第2の従来技術においてはバイアス用相互作用光導波路3a´の上方にあるバイアス電極9aの左右両側にバイアス電極9bが存在し、バイアス用相互作用光導波路3b´の上方にあるバイアス電極9bの左右両側にバイアス電極9aが存在する。バイアス用相互作用光導波路3b´についても同様であり、いわばバイアス電極がCPW構造となっている。その結果、ACPS構造の第1の従来技術と比較して(1)式で与えられる屈折率変化の効率が高い。
なお、バイアス用相互作用光導波路3a´の上方にあるバイアス電極9aはバイアス用相互作用部6における中心導体(中心電極)、その並んだ両側近傍にあるバイアス電極9bは側置導体(側置電極)であり、バイアス用相互作用光導波路3b´の上方にあるバイアス電極9bはバイアス用相互作用部6における中心導体(中心電極)、その並んだ両側近傍にあるバイアス電極9aは側置導体(側置電極)である。
この第2の従来技術においても第1の従来技術と同様の問題がある。つまり、図17に示すように、バイアス電極9aと9bにバイアス電極破断部302や303がある場合には図16に示したような電気力線10aや10bが存在しなくなり、バイアス用相互作用光導波路3a´や3b´に屈折率変化を生じさせることができない。
なお、第1の従来技術と同じく、図17においてバイアス電極破断部302と303のどちらか一方のみが存在する場合には、バイアス電圧がバイアス用相互作用光導波路3a´、もしくは3b´のどちらかのみに印加されるというアンバランスな状態となり、この場合にも光変調器としての正常な動作を得ることはできない。
以上のように、従来技術には、バイアス電極に破断部があると光導波路にバイアス電界が印加されない、あるいはマッハツェンダ光導波路を構成する2本の光導波路にバイアス電圧がアンバランスに印加されるなど、光変調器として正常に動作しなくなってしまうという問題があった。そのため製作上の歩留まりに問題が生じていた。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成され、光を導波するための複数本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、を有し、前記複数本の光導波路のうちの2本の光導波路を含んで構成され、前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための少なくとも1つの高周波電気信号用相互作用部と、前記複数本の光導波路のうち、前記高周波電気信号用相互作用部に連続して形成された2本の光導波路を含んで構成され、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するための少なくとも1つのバイアス用相互作用部と、を具備する光変調器において、前記バイアス電極は、前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の一方の上方に形成された部分を有する第1バイアス電極と、前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の他方の上方に形成された部分を有する第2バイアス電極と、を含んでなり、前記第1バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部と、を具備し、前記複数の第1バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記一方の光導波路の上方に形成され、少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されていることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項2の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成され、光を導波するための複数本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、を有し、前記複数本の光導波路のうちの2本の光導波路を含んで構成され、前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための少なくとも1つの高周波電気信号用相互作用部と、前記複数本の光導波路のうち、前記高周波電気信号用相互作用部に連続して形成された2本の光導波路を含んで構成され、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するための少なくとも1つのバイアス用相互作用部と、を具備する光変調器において、前記バイアス電極は、前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の一方の上方に形成された部分を有する第1バイアス電極と、前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の他方の上方に形成された部分を有する第2バイアス電極と、を含んでなり、前記第1バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部と、を具備し、前記第2バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第2バイアス電極基部と、該第2バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第2バイアス電極枝部と、を具備し、前記複数の第1バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記一方の光導波路の上方に形成されるとともに、前記複数の第2バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記他方の光導波路の上方に形成され、少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されているとともに、少なくとも2つの前記第2バイアス電極枝部が、前記第2バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されていることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項3の光変調器は、前記複数の第1バイアス電極枝部は、前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部を間に挟んで前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部の反対側に形成された側置電極を含み、前記他方の光導波路上の第2バイアス電極枝部、前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部、及び前記側置電極は、CPW構造を成していることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項4の光変調器は、前記複数の第2バイアス電極枝部は、前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部を間に挟んで前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部の反対側に形成された側置電極を含み、前記一方の光導波路上の第1バイアス電極枝部、前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部、及び前記側置電極は、CPW構造を成していることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項5の光変調器は、前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項6の光変調器は、前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなり、前記高周波電気信号用相互作用部と前記バイアス用相互作用部の少なくとも一部が、前記チャイルドマッハツェンダ光導波路を含んで構成されることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項7の光変調器は、少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されていることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項8の光変調器は、少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されているとともに、少なくとも2つの前記第2バイアス電極枝部が、前記第2バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されていることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項9の光変調器は、前記第1バイアス電極枝部の先端部、及び、前記第2バイアス電極枝部の先端部に、前記ワイヤをボンディングするための電極パッドが形成されていることを特徴としている。
本発明では光導波路の上方にあるバイアス電極枝部に他のバイアス電極枝部が電気的に接続されている。そのためバイアス電極破断部が存在する場合であっても、他のバイアス電極枝部からバイアス電圧が供給されるので、光導波路に確実にバイアス電圧が印加される。その結果、LN光変調器に正常なバイアス動作をさせることが可能となり、光変調器を製作する上で歩留まりを大幅に改善できるという効果がある。
以下、本発明の実施形態について説明するが、図11から図17に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1に本発明における第1の実施形態の概略上面図を示す。本実施形態の光変調器は、電気光学効果を有するz−カットLN基板1と、z−カットLN基板1に形成され、光を導波するための光導波路3と、光導波路3の上面に形成されるSiO2バッファ層2と、z−カットLN基板1の一方の面(SiO2バッファ層2の上面)側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心導体(中心電極)4a、4b及び接地導体(接地電極)4c、4d、4eを有する進行波電極4と、光導波路3にバイアス電圧を印加するバイアス電極11a、11bと、を有する。
図1に本発明における第1の実施形態の概略上面図を示す。本実施形態の光変調器は、電気光学効果を有するz−カットLN基板1と、z−カットLN基板1に形成され、光を導波するための光導波路3と、光導波路3の上面に形成されるSiO2バッファ層2と、z−カットLN基板1の一方の面(SiO2バッファ層2の上面)側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心導体(中心電極)4a、4b及び接地導体(接地電極)4c、4d、4eを有する進行波電極4と、光導波路3にバイアス電圧を印加するバイアス電極11a、11bと、を有する。
光導波路3は、入力光を2つに分岐する入力光分岐部(符号は不図示)と、入力光分岐部に連続して形成され、中心導体4a、4bと接地導体4c、4d、4eとの間に電圧を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用光導波路3a、3bと、高周波電気信号用相互作用光導波路3a、3bにそれぞれ連続して形成され、バイアス電極11a、11bにバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用光導波路3a´、3b´と、バイアス用相互作用光導波路3a´、3b´を伝搬した光を合波して出力する合波光出力部(符号は不図示)と、を含む。
本実施形態では、高周波電気信号用相互作用光導波路3a、3bは、高周波電気信号用相互作用部5を構成している。また、バイアス用相互作用光導波路3a´、3b´は、バイアス用相互作用部6´´を構成している。
高周波電気信号用相互作用部5は、図11や図15に示した第1の従来技術、及び第2の従来技術と同じく2電極型の進行波電極4を有している。ここで、100、101、102、及び103はワイヤ(あるいは金リボン)200や201をボンディングするために設けたバイアス電極パッド(DC電極パッド)である。なお、図1は模式図であり、バイアス電極パッド100、101、102、及び103の大きさは、後述するバイアス電極枝部の長さに対して実際の寸法よりも極端に大きい寸法で図示している。
図1におけるバイアス用相互作用部6´´のバイアス電極11a、11bの拡大図を図2に示す。但し、説明を簡単にするために、バイアス電極パッド100、101、102、及び103の図示を省略した。
図2に示すように、バイアス電極(第1バイアス電極)11aは、外部から印加されるバイアス電圧をz−カットLN基板1内の所定の位置まで導くバイアス電極基部(第1バイアス電極基部)402と、バイアス電極基部402からバイアス用相互作用光導波路3a´、3b´に沿って、互いに所定距離離れて延伸するバイアス電極枝部(第1バイアス電極枝部)504、505から成っている。
一方、バイアス電極(第2バイアス電極)11bは、外部から印加されるバイアス電圧をz−カットLN基板1内の所定の位置まで導くバイアス電極基部(第2バイアス電極基部)403と、バイアス電極基部403からバイアス用相互作用光導波路3a´、3b´に沿って、互いに所定距離離れて延伸するバイアス電極枝部(第2バイアス電極枝部)506、507から成っている。
ここで、バイアス電極枝部504はバイアス用相互作用光導波路3b´の上方に形成され、一方、バイアス電極枝部507はバイアス用相互作用光導波路3a´の上方に形成されている。
本実施形態では、バイアス電極11aのバイアス電極枝部504及び505は、それぞれの先端部に形成されたバイアス電極パッド100及び101(図1参照)において、ワイヤ200により互いに電気的に接続されている。一方、バイアス電極11bのバイアス電極枝部506及び507は、それぞれの先端部に形成されたバイアス電極パッド102及び103(図1参照)において、ワイヤ201により互いに電気的に接続されている。具体的には、製造工程において、バイアス電極破断部の有無の検査を行わずに、ワイヤ200と201とでそれぞれ2つのバイアス電極枝部を互いに電気的に接続している。
この構成により、バイアス電極11a及び11bに、図3に示すようなバイアス電極破断部304や305が発生していたとしても、図3のC−C´における断面図である図4からわかるように、バイアス用相互作用光導波路3a´や3b´の上方にあるバイアス電極11aや11b(つまり、図2のバイアス電極枝部504や507)には、それぞれワイヤ200と201を介して、バイアス電圧が供給される。
その結果、バイアス電極破断部304や305がない場合と同様に、バイアス電圧による電気力線12a、12b、12cがバイアス用相互作用光導波路3a´や3b´に効果的に印加される。具体的には、バイアス用相互作用光導波路3a´に関しては、バイアス電極11bから両隣のバイアス電極11aへ電気力線12a及び12cが向かっており、バイアス用相互作用光導波路3a´に下向きの電気力線が印加される。一方、バイアス用相互作用光導波路3b´に関しては、両隣のバイアス電極11bからバイアス電極11aへ電気力線12b及び12cが向かっており、バイアス用相互作用光導波路3b´に上向きの電気力線が印加される。
従って、本実施形態の光変調器は、バイアス電極破断部が発生していたとしても、光変調器として問題ない動作を実現することができる。なお勿論、バイアス電極破断部が発生していなかった場合であっても、ワイヤ200と201が光変調器の動作に関し、何らの悪影響を与えるものではないことは言うまでもない。
このように本発明を適用することにより、光変調器の製作過程においてバイアス電極11aや11bが部分的に切断されていても、バイアス用相互作用光導波路3a´や3b´の上方にあるバイアス電極には最終的にバイアス電圧を供給することができるので、光変調器を製作する上での歩留まりを著しく改善することが可能となる。
このように本発明を適用することにより、光変調器の製作過程においてバイアス電極11aや11bが部分的に切断されていても、バイアス用相互作用光導波路3a´や3b´の上方にあるバイアス電極には最終的にバイアス電圧を供給することができるので、光変調器を製作する上での歩留まりを著しく改善することが可能となる。
なお、本実施形態においては、バイアス電極枝部504と505とをワイヤ200で接続し、またバイアス電極枝部506と507とをワイヤ201で電気的に接続すると説明したが、フォトリソグラフィー技術と蒸着やスパッタリングの技術を用いてパターニングすることにより電気的に接続しても良いことは言うまでもない。
また、バイアス電極11aと11bの両方についてバイアス電極枝部を電気的に接続するとしたが、効果は半減するものの片方のバイアス電極のみに本発明を適用しても良い。そしてこのことは本発明の全ての実施形態について成り立つ。
なお、図4のC−C´断面図に示した4つのバイアス電極は、図の左側から順に、それぞれ図2に示したバイアス電極枝部505、507、504及び506に対応している。ここで、バイアス電極枝部505は、バイアス用相互作用光導波路3a'上のバイアス電極枝部507を間に挟んでバイアス用相互作用光導波路3b'上のバイアス電極枝部504の反対側に形成された側置電極である。このように、バイアス電極枝部507、バイアス電極枝部504、及び側置電極505により、バイアス電極がCPW構造となっていても良い。
一方、バイアス電極枝部506は、バイアス用相互作用光導波路3b'上のバイアス電極枝部504を間に挟んでバイアス用相互作用光導波路3a'上のバイアス電極枝部507の反対側に形成された側置電極である。このように、バイアス電極枝部504、バイアス電極枝部507、及び側置電極506により、バイアス電極がCPW構造となっていても良い。
(第2の実施形態)
本発明に係る光変調器の第2の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第2の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図5に本発明の第2の実施形態を示す。本実施形態はいわば図15に示した第2の従来技術に本発明を適用した例である。ここで、6(3)はバイアス用相互作用部、9a´、9b´はバイアス電極、202、203、204、及び205はバイアス電極9a´と9b´の各々のバイアス電極枝部(符号は不図示)を電気的に接続するワイヤである。
バイアス電極9a´や9b´のバイアス用相互作用光導波路3a´や3b´の上方にある部分(つまり、バイアス電極枝部)に不図示のバイアス電極破断部が発生していても、他のバイアス電極枝部からワイヤ202、203、204、及び205を通じてバイアス電圧が供給されるので、光変調器製作時の歩留まりを著しく改善することができる。
(第3の実施形態)
本発明に係る光変調器の第3の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第3の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図6に本発明の第3の実施形態を示す。この構成は一般に単電極型と呼ばれる。ここで、6(4)はバイアス用相互作用部、11a´´、11b´´はバイアス電極、206と207はバイアス電極11a´´と11b´´の各々のバイアス電極枝部(符号は不図示)を電気的に接続するワイヤである。
この実施形態においてもバイアス電極11a´´や11b´´のバイアス用相互作用光導波路3a´や3b´の上方にある部分(つまり、バイアス電極枝部)に不図示のバイアス電極破断部が発生していても、他のバイアス電極枝部からワイヤ206と207によりバイアス電圧が供給されるので、光変調器製作時の歩留まりを著しく改善することができる。
(第4の実施形態)
本発明に係る光変調器の第4の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第4の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図7に本発明をネスト構成の1つであるDQPSK型のLN光変調器に適用した第4の実施形態についての概略上面図を示す。本実施形態の光変調器は、2つの高周波電気信号用相互作用部(まとめて符号5´´で示す)と2つのバイアス用相互作用部(まとめて第1のバイアス用相互作用部6(5)と記す)、第2のバイアス用相互作用部6(6)とから構成され、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上に2つのチャイルドマッハツェンダ光導波路(符号30aと30a´で示す高周波電気信号用相互作用光導波路、及び、符号30bと30b´で示す高周波電気信号用相互作用光導波路の各組合せ)をそれぞれ有するネスト型光導波路となっている。
ここで、6(5)はチャイルドマッハツェンダ光導波路用のバイアス用相互作用部であり、13a、13b、13c及び13dは高周波電気信号用相互作用光導波路30a、30a´、30b及び30b´の上方に形成されたバイアス電極である。一方、6(6)はペアレントマッハツェンダ光導波路用のバイアス用相互作用部であり、11a(3)と11b(3)はそのバイアス電極である。なお、説明を簡単にするために、単電極型に必要となる分極反転構造や進行波電極の図示を省略している。
言い換えれば、本実施形態では、高周波電気信号用相互作用部5´´、及び、第1のバイアス用相互作用部6(5)が、チャイルドマッハツェンダ光導波路を含んで構成され、第2のバイアス用相互作用部6(6)が、ペアレントマッハツェンダ光導波路を含んで構成されている。
ワイヤ208、209、210及び211はチャイルドマッハツェンダ光導波路用のバイアス電極13a、13b、13c、13dに適用される。また、ワイヤ212と213はペアレントマッハツェンダ光導波路用のバイアス電極である11a(3)と11b(3)に適用される。
この実施形態においては、第2のバイアス用相互作用部6(6)を構成するペアレントマッハツェンダ光導波路における2本のバイアス用相互作用光導波路3a´と3b´との間の距離が、チャイルドマッハツェンダ光導波路の高周波電気信号用相互作用光導波路30a、30a´の中間線と、隣接するチャイルドマッハツェンダ光導波路の高周波電気信号用相互作用光導波路30b、30b´の中間線との間の距離よりも狭く構成されている。勿論、本発明はこの構成に限定されるものではない。
なお、DQPSK型のLN変調器におけるチャイルドマッハツェンダ光導波路に形成する進行波電極が2電極型であっても、本発明は有効に効果を発揮できる。また、他のネスト型光変調器についても、バイアス電極部の歩留まりを大幅に改善する構成として本発明は有効である。本実施形態では本発明の考え方をチャイルドマッハツェンダ光導波路とペアレントマッハツェンダ光導波路の両方に適用したが、どちらか一方の光導波路のみに本発明の考え方を適用しても良いことはいうまでもない。そしてこのことは本発明の全ての実施形態について言うことができる。
(第5の実施形態)
本発明に係る光変調器の第5の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第5の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図8に本発明を他のDQPSK型のLN光変調器に適用した第5の実施形態についての概略上面図を示す。本実施形態の光変調器は、高周波電気信号用相互作用部5´´と、チャイルドマッハツェンダ光導波路用の第1のバイアス用相互作用部6(5)と、ペアレントマッハツェンダ光導波路用の第2のバイアス用相互作用部6(7)とから構成されている。
本実施形態では、ペアレントマッハツェンダ光導波路用の第2のバイアス用相互作用部6(7)の構成が、図7に示した第4の実施形態の第2のバイアス用相互作用部6(6)の構成と異なっている。即ち、高周波電気信号用相互作用部5´´、第1のバイアス用相互作用部6(5)、及び第2のバイアス用相互作用部6(7)が、チャイルドマッハツェンダ光導波路を含んで構成されている。
ここで、11a(4)、11b(4)は本実施形態のバイアス電極である。なお、説明を簡単にするために、ゼロチャープを実現する上で必要となる分極反転構造や進行波電極の図示を省略した。ワイヤ214、215、216及び217は、ペアレントマッハツェンダ光導波路用のバイアス電極11a(4)と11b(4)に適用される。
(第6の実施形態)
本発明に係る光変調器の第6の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第6の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図9は図8に示した本発明の第5の実施形態におけるワイヤ215と216をワイヤ218と219に簡素化した構成である。6(8)は、ワイヤの張り方が簡素化されたバイアス用相互作用部である。本実施形態では第5の実施形態と比較すると、バイアス電極の破断に関して若干歩留まり改善の効果が低減するが、ワイヤの張り方が簡単化されるという特徴がある。
(第7の実施形態)
本発明に係る光変調器の第7の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
本発明に係る光変調器の第7の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
図10は本発明の第7の実施形態についての概略上面図である。本実施形態は、高周波電気信号用相互作用部5´とバイアス用相互作用部6(9)から構成される。220と221は、バイアス電極11aと11bに適用されるワイヤである。
本実施形態では、高周波電気信号用相互作用部5´における2本の高周波電気信号用相互作用光導波路3a、3bよりも、バイアス用相互作用部6(9)における2本のバイアス用相互作用光導波路3a´、3b´の間隔を狭くしている。これにより、高周波電気信号用相互作用部5´とバイアス用相互作用部6(9)を独立に設計できるので、バイアス電圧をより低減できるという利点がある。
(各実施形態について)
以上の実施形態ではプレーナ構造の光変調器について説明してきたが、リッジ構造の光変調器にも本発明を適用できることはいうまでもない。
以上の実施形態ではプレーナ構造の光変調器について説明してきたが、リッジ構造の光変調器にも本発明を適用できることはいうまでもない。
また、高周波電気信号用相互作用部における2本の光導波路間の距離と、バイアス用相互作用部における2本の光導波路間の距離とが、同一であっても、相違していても良い。
また、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップ(ACPS)や対称コプレーナストリップ(CPS)などの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。また、マッハツェンダ干渉系が1つ及び2つの場合について説明したが、本発明は、DP−QPSKを含めさらに多くのマッハツェンダ干渉系を有する複雑なネスト構造にも適用可能である。
以上における説明としてはバイアス電極の一部が光導波路の真上にあるz−カットLN基板を用いて説明したが、バイアス電極枝部が光導波路の上方にあり、かつ2つのバイアス電極枝部の間(換言すると、中心電極と側置電極の間)に光導波路が位置するx−カットLN基板の場合についても本発明を適用できることは言うまでもない。
上記においては高周波電気信号用相互作用部に分極反転を含まない図面で説明したが、高周波電気信号用相互作用部に分極反転を含むか含まないかはバイアス用相互作用部についての議論とは本質的に関連しないので、分極反転を含んでいても良いことは明らかである。
また、基板としては、LN基板のみでなく、リチウムタンタレートや半導体などその他の基板でも良いことは言うまでもない。
1:z−カットLN基板
2:SiO2バッファ層
3:光導波路
3a、3b、30a、30a´、30b、30b´:高周波電気信号用相互作用光導波路(光導波路)
3a´、3b´:バイアス用相互作用光導波路(光導波路)
4、4´:進行波電極
4a、4a´、4b:進行波電極の中心導体(中心電極)
4c、4c´、4d、4d´、4e:進行波電極の接地導体(接地電極)
5、5´、5´´、5´´´:高周波電気信号用相互作用部
6、6´、6´´、6(3)、6(4)、6(5)、6(6)、6(7)、6(8)、6(9)、:バイアス用相互作用部
7a、9a、9b´、11a、11a´´、11a(3)、13a、13c:バイアス電極(第1バイアス電極)
7b、9b、9a´、11b、11b´´、11b(3)、13b、13d:バイアス電極(第2バイアス電極)
11a(4)、11b(4):バイアス電極
8a、8b、10a、10b、12a、12b、12c:電気力線
100、101、102、103:バイアス電極パッド(電極パッド)
200、201、202、203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、213、214、215、216、217:ワイヤ
300、301、302、303、304、305:バイアス電極破断部
400、402:バイアス電極基部(第1バイアス電極基部)
401、403:バイアス電極基部(第2バイアス電極基部)
500、501、504、505:バイアス電極枝部(第1バイアス電極枝部)
502、503、506、507:バイアス電極枝部(第2バイアス電極枝部)
500、503、505、506 側置電極
2:SiO2バッファ層
3:光導波路
3a、3b、30a、30a´、30b、30b´:高周波電気信号用相互作用光導波路(光導波路)
3a´、3b´:バイアス用相互作用光導波路(光導波路)
4、4´:進行波電極
4a、4a´、4b:進行波電極の中心導体(中心電極)
4c、4c´、4d、4d´、4e:進行波電極の接地導体(接地電極)
5、5´、5´´、5´´´:高周波電気信号用相互作用部
6、6´、6´´、6(3)、6(4)、6(5)、6(6)、6(7)、6(8)、6(9)、:バイアス用相互作用部
7a、9a、9b´、11a、11a´´、11a(3)、13a、13c:バイアス電極(第1バイアス電極)
7b、9b、9a´、11b、11b´´、11b(3)、13b、13d:バイアス電極(第2バイアス電極)
11a(4)、11b(4):バイアス電極
8a、8b、10a、10b、12a、12b、12c:電気力線
100、101、102、103:バイアス電極パッド(電極パッド)
200、201、202、203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、213、214、215、216、217:ワイヤ
300、301、302、303、304、305:バイアス電極破断部
400、402:バイアス電極基部(第1バイアス電極基部)
401、403:バイアス電極基部(第2バイアス電極基部)
500、501、504、505:バイアス電極枝部(第1バイアス電極枝部)
502、503、506、507:バイアス電極枝部(第2バイアス電極枝部)
500、503、505、506 側置電極
Claims (9)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成され、光を導波するための複数本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、を有し、
前記複数本の光導波路のうちの2本の光導波路を含んで構成され、前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための少なくとも1つの高周波電気信号用相互作用部と、
前記複数本の光導波路のうち、前記高周波電気信号用相互作用部に連続して形成された2本の光導波路を含んで構成され、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するための少なくとも1つのバイアス用相互作用部と、を具備する光変調器において、
前記バイアス電極は、
前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の一方の上方に形成された部分を有する第1バイアス電極と、
前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の他方の上方に形成された部分を有する第2バイアス電極と、を含んでなり、
前記第1バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部と、を具備し、
前記複数の第1バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記一方の光導波路の上方に形成され、
少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されていることを特徴とする光変調器。 - 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成され、光を導波するための複数本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光導波路にバイアス電圧を印加するバイアス電極と、を有し、
前記複数本の光導波路のうちの2本の光導波路を含んで構成され、前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための少なくとも1つの高周波電気信号用相互作用部と、
前記複数本の光導波路のうち、前記高周波電気信号用相互作用部に連続して形成された2本の光導波路を含んで構成され、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するための少なくとも1つのバイアス用相互作用部と、を具備する光変調器において、
前記バイアス電極は、
前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の一方の上方に形成された部分を有する第1バイアス電極と、
前記バイアス用相互作用部を構成する前記2本の光導波路の他方の上方に形成された部分を有する第2バイアス電極と、を含んでなり、
前記第1バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第1バイアス電極基部と、該第1バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第1バイアス電極枝部と、を具備し、
前記第2バイアス電極は、外部から印加されるバイアス電圧を前記基板内の所定の位置まで導く第2バイアス電極基部と、該第2バイアス電極基部から前記光導波路に沿って、互いに所定距離離れて延伸する複数の第2バイアス電極枝部と、を具備し、
前記複数の第1バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記一方の光導波路の上方に形成されるとともに、前記複数の第2バイアス電極枝部のうちの少なくとも1つが、前記他方の光導波路の上方に形成され、
少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されているとともに、少なくとも2つの前記第2バイアス電極枝部が、前記第2バイアス電極基部以外の箇所で互いに電気的に接続されていることを特徴とする光変調器。 - 前記複数の第1バイアス電極枝部は、前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部を間に挟んで前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部の反対側に形成された側置電極を含み、
前記他方の光導波路上の第2バイアス電極枝部、前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部、及び前記側置電極は、CPW構造を成していることを特徴とする請求項2に記載の光変調器。 - 前記複数の第2バイアス電極枝部は、前記一方の光導波路上の前記第1バイアス電極枝部を間に挟んで前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部の反対側に形成された側置電極を含み、
前記一方の光導波路上の第1バイアス電極枝部、前記他方の光導波路上の前記第2バイアス電極枝部、及び前記側置電極は、CPW構造を成していることを特徴とする請求項2または3に記載の光変調器。 - 前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなることを特徴とする請求項1乃至請求項4に記載の光変調器。
- 前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなり、
前記高周波電気信号用相互作用部と前記バイアス用相互作用部の少なくとも一部が、前記チャイルドマッハツェンダ光導波路を含んで構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器。 - 少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光変調器。
- 少なくとも2つの前記第1バイアス電極枝部が、前記第1バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されているとともに、少なくとも2つの前記第2バイアス電極枝部が、前記第2バイアス電極基部以外の箇所でワイヤにより互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一項に記載の光変調器。
- 前記第1バイアス電極枝部の先端部、及び、前記第2バイアス電極枝部の先端部に、前記ワイヤをボンディングするための電極パッドが形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の光変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012112676A JP2013238785A (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012112676A JP2013238785A (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | 光変調器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013238785A true JP2013238785A (ja) | 2013-11-28 |
Family
ID=49763834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012112676A Pending JP2013238785A (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | 光変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013238785A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107132713A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器及使用光调制器的光发送装置 |
CN107636516A (zh) * | 2016-03-29 | 2018-01-26 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光波导元件 |
US12019349B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-06-25 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical device and optical transceiver using the same |
-
2012
- 2012-05-16 JP JP2012112676A patent/JP2013238785A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107132713A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器及使用光调制器的光发送装置 |
CN107636516A (zh) * | 2016-03-29 | 2018-01-26 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光波导元件 |
US12019349B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-06-25 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical device and optical transceiver using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8135242B2 (en) | Optical modulator | |
US7643708B2 (en) | Optical modulator | |
JP4899730B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5067464B2 (ja) | 光制御素子 | |
JP4151798B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5320042B2 (ja) | 光変調器 | |
US8606053B2 (en) | Optical modulator | |
JP5050003B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5271369B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5276681B2 (ja) | 光変調器 | |
JP2014123032A (ja) | 光変調器 | |
JP2013238785A (ja) | 光変調器 | |
JP4926423B2 (ja) | 光変調器 | |
US20230258967A1 (en) | Optical waveguide device, optical modulator, optical modulation module, and optical transmission apparatus | |
JP5421935B2 (ja) | 光変調器 | |
JP2015102686A (ja) | 光変調器 | |
JP4920212B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5075055B2 (ja) | 光変調器 | |
JP5271294B2 (ja) | リッジ光導波路とそれを用いた光変調器 | |
JP2007093742A (ja) | 光変調器 | |
JP2008139554A (ja) | 光変調器 | |
JP2011191346A (ja) | 光変調器 | |
JP6271978B2 (ja) | 半導体マッハツェンダ変調装置 | |
JP5308552B2 (ja) | 光変調器 | |
JP2011133741A (ja) | 光変調器 |