JP5439838B2 - 光変調器 - Google Patents

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Description

本発明は、光通信に利用される光導波路デバイスであって、一つの基板上に複数のマッハツェンダ(Mach-Zehnder:MZ)型光変調部を並列に配置して構成される光変調器に関する。
ニオブ酸リチウム(LiNbO)やタンタル酸リチウム(LiTaO)などの電気光学結晶を用いた光導波路デバイスは、結晶基板上の一部にチタン(Ti)等の金属膜を形成して熱拡散させるか、或いは、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換するなどして光導波路を形成した後、その光導波路の近傍に電極を設けることで形成される。このような電気光学結晶を用いた光導波路デバイスとして、例えば、図1に示すような光変調器が知られている。
図1において、基板100上に形成された光導波路は、入力導波路121、光分岐部122、一対の分岐導波路123,124、光合波部125および出力導波路126からなり、一対の分岐導波路123,124上に信号電極131、接地電極132が設けられてコプレーナ電極を形成する。Zカット基板を用いる場合には、Z方向の電界による屈折率変化を利用するため、光導波路の真上に信号電極131、接地電極132を配置する。具体的には、分岐導波路123上に信号電極131を、分岐導波路124の上に接地電極132をパターニングする。ここで、分岐導波路123,124中を伝搬する光が、信号電極131および接地電極132によって吸収されるのを防ぐために、基板100と信号電極131および接地電極132との間には図示しないバッファ層が設けられる。バッファ層としては、厚さ0.2〜2μmの酸化シリコン(SiO)等が用いられる。
このような光変調器を高速で駆動する場合には、信号電極131の出力端P4を図示しない抵抗を介して接地電極132に接続することで進行波電極とし、信号電極131の入力端P3からマイクロ波電気信号RFを印加する。このとき、信号電極131と接地電極132との間で発生する電界によって、分岐導波路123,124の屈折率がそれぞれ+na,−nbのように変化し、分岐導波路123,124を伝搬する光の位相差が変化する。このため、入力ポートP1に入力される光Linがマッハツェンダ(MZ)干渉によって強度変調され、該変調光Loutが出力ポートP2から出力される。図中の矢印で示した範囲INTは、光と電界が互いに作用する部分を表しており、以下の説明では「相互作用部」と呼ぶことにする。また、基板10の長手方向(相互作用部INTにおける光の伝搬方向)をx方向とし、該x方向に垂直な方向をy方向とする。なお、信号電極131の断面形状を変化させることでマイクロ波電気信号RFの実効屈折率を制御し、光とマイクロ波電気信号との速度を整合させることによって高速の光応答特性を得ることができる。
また、近年の光変調方式の多様化(例えば、多値変調方式、偏波多重方式など)により、上記図1に示したような従来の光変調器を複数台組み合わせることで所望の光変調方式に対応した信号光を生成する場合が多くなっている(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−122786号公報
上記のような複数台の光変調器を組み合わせた構成においては、光変調器全体のサイズを小さくするために、各光変調器を一つのチップ(基板)に集積するのが有効である。なお、以下の説明では、一つのチップ上に集積化された個々の光変調器のことを「光変調部」と呼ぶことにする。
具体的に、図2に示す光変調器は、一つの基板100上に2つの光変調部120A,120Bを並列に配置した構成例である。各光変調部120A,120Bは、上記図1に示した構成と同様に、MZ型光導波路、信号電極および接地電極をそれぞれ有している。また、各光変調部120A,120Bに光を入力するための光導波路として、基板100の一端面にある一つの入力ポートP1に接続する入力導波路111が、光分岐部112により二本の曲線導波路113A,113Bに分岐され、該各曲線導波路113A,113Bが各光変調部の入力導波路121A,121Bに接続されている。
上記のような構成において、各光変調部120A,120Bの信号電極131A,131Bに対し外部より電気信号RF,RFを印加することを考えると、基板100を収容する図示しないパッケージに具備される、各光変調部120A,120Bにそれぞれ対応した電極入力端子が、該パッケージの片方の側面に並んでいると、基板100の実装が容易になり、かつ、実装面積も小さくて済む。この場合、基板100上の各信号電極131A,131Bについては、各々の入力端P3,P3付近に形成する電極パッドが、基板100の対向側面の一方(図で下側面)に並べて配置されることになる。
上記各入力端P3,P3付近の電極パッドは、ワイヤボンディングなどによる外部(パッケージの電極入力端子)との接続のために、ある程度の間隔をあける必要がある。このため、図2の上段に示すように、各光変調部120A,120Bにおける相互作用部INT,INTの始点の位置が、各信号電極131A,131Bの入力端P3,P3の間隔dxだけずれることになる。これにより、一方の光変調部20Aの相互作用部INTの長さよりも、他方の光変調部20Bの相互作用部INTの長さが短くなるため、光変調部20B側の駆動電圧が上昇してしまう。
光変調部20Bの相互作用部INTを短くする代わりに、図2の中段に示すように、基板100のサイズを長手方向(x方向)に伸ばし、各信号電極131A,131Bの入力端P3,P3の間隔dxに応じて、各光変調部20A,20Bの相互作用部INT,INTの配置をx方向にずらすことで、各相互作用部INT,INTの長さを同じにすることができる。なお、ここでは各信号電極131A,131Bの出力端P4,P4が基板100の対向側面の他方(図で上側面)に並ぶようにしている。しかし、このような構成では、パッケージのサイズが長くなって光変調器の大型化を招く。また、一つのウェハから切り出すことのできるチップ(基板100)の数が少なくなり、製造コストが上昇してしまう。
相互作用部を短くしたり、基板サイズを長手方向に伸ばしたりせずに、各信号電極131A,131Bの電極パッドを基板100の片側に並べるためには、図2の下段に示すように、基板100の入力ポートP1が位置する端面(以下、入力端面と呼ぶ)から各光変調部20A,20Bの光分岐部122A,122Bまでの長さdxを短くする必要がある。しかしながら、このようにした場合、各曲線導波路113A,113Bの曲率半径が小さくなるので、該各曲線導波路113A,113Bにおける曲げ損失(放射損失)が増大し、各光変調部20A,20Bの入力光強度が低下してしまう。
本発明は上記の点に着目してなされたもので、一つの基板上に複数の光変調部を並列に配置し、各光変調部の信号電極の入力端を基板の一側面に所定の間隔をあけて並べるときでも、各光変調部の駆動電圧を上昇させることなく各光変調部に入力光を低損失で与えることができる小型の光変調器を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明はその一態様として、電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ型光導波路を形成し、該マッハツェンダ型光導波路の光分岐部および光合波部の間に位置する一対の分岐導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記マッハツェンダ型光導波路を伝搬する光の変調を行う複数の光変調部が、同一の前記基板上に並列に配置された光変調器を提供する。この光変調器は、前記基板の入力端面に配置された一つの入力ポートから入力される光を複数の光に分岐する入力光分岐部と、前記入力光分岐部で分岐された各光を、前記各光変調部のマッハツェンダ型光導波路の入力端に導く複数の曲線導波路と、を備える。また、前記各光変調部の信号電極は、前記電気信号が印加される各々の入力端が、前記基板の入力端面に交わる対向側面のうちの一方の側面に所定の間隔をあけて並べて配置されている。また、前記各光変調部の光分岐部は、前記基板の対向側面に平行な第1方向について、前記信号電極の入力端の配置に応じて出力側にずらして配置されている。
上記のような構成の光変調器によれば、一つの基板上に複数の光変調部を並列に配置し、各々の信号電極の入力端を基板の一側面に所定の間隔をあけて並べても、各光変調部の光分岐部が、第1方向について出力側にずらして配置されているので、駆動電圧の上昇や基板サイズの大型化を招くことなく、各光変調部に入力光を低損失で与えることができ、小型の光変調器を低コストで提供することが可能になる。
一般的なマッハツェンダ型光変調器の構成例を示す平面図である。 一つの基板上に二つの光変調部を並列に配置した場合の構成例を示す平面図である。 本発明の第1実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。 第1実施形態に関する変形例の構成を示す平面図である。 第1実施形態に関する他の変形例の構成を示す平面図である。 本発明の第2実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。 第2実施形態に関する変形例の構成を示す平面図である。 本発明の第3実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。 本発明の第4実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
図3は、本発明の第1実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。
図3において、本実施形態の光変調器は、例えば、LiNbOやLiTaOなど電気光学効果を有する一つの結晶基板10上に、二つの光変調部20A,20Bが並列に配置されている。基板10は、ここではZ−カットの結晶を用いており、その一端面(図で右端面)には各光変調部20A,20Bに共通な一つの入力ポートP1が配置され、他端面(図で左端面)には各光変調部20A,20Bにそれぞれ対応した二つの出力ポートP2,P2が配置されている。なお、本実施形態においても、各光変調部20A,20Bの相互作用部INT,INTにおける光の伝搬方向(基板10の長手方向)をx方向とし、該x方向に垂直な方向をy方向とする。
上記入力ポートP1には、一本の入力導波路11の一端が接続されている。入力導波路11の他端は、入力光分岐部12の入力端に接続しており、入力光分岐部12の二つ出力端には、曲線導波路13A,13Bを介して、各光変調部20A,20Bの入力端がそれぞれ接続されている。入力光分岐部12は、入力光を所要の強度比で二つに分岐して出力する。各曲線導波路13A,13Bは、緩やかな略S字形状となっており、各光変調部20A,20Bの後述する光分岐部22A,22Bの配置のずれに応じて、それぞれ異なる長さを有している。ただし、各曲線導波路13A,13Bの曲率半径は略同じになっている。
光変調部20Aは、基板10の図で上側に位置する表面部分に形成された、入力導波路21A、光分岐部22A、一対の分岐導波路23A,24A、光合波部25Aおよび出力導波路26Aからなるマッハツェンダ(MZ)型の光導波路と、一対の分岐導波路23A,24Aに沿ってパターニングされた信号電極31Aおよび接地電極32Aとを具備する。
入力導波路21Aは、一端が曲線導波路13Aに接続しており、他端には光分岐部22Aの入力端が接続されている。
光分岐部22Aは、入力導波路21Aを伝搬した光を1:1の強度比で二つに分岐する。光分岐部22Aの二つの出力端には、一対の分岐導波路23A,24Aの各一端がそれぞれ接続されている。この光分岐部22Aの基板10上における配置は、x方向について、基板10の入力端面(入力ポートP1が位置する右端面)との間隔がdxとなり、y方向について、入力光分岐部12の間隔がdyとなっている。なお、本明細書中における光分岐部の位置は、分岐点(Y分岐の交点)を基準としている。
一対の分岐導波路23A,24Aは、図で上側に位置する分岐導波路23Aと、図で下側に位置する分岐導波路24Aとが、x方向に並行している。
光合波部25Aは、二つの入力端が上記各分岐導波路23A,24Aの他端にそれぞれ接続しており、各分岐導波路23A,24Aを伝搬した光を一つに合波する。光合波部25Aの一つの出力端には、出力導波路26Aの一端が接続されている。
出力導波路26Aは、光合波部25Aで合波された光を、他端に接続する出力ポートP2より外部に出力する。
信号電極31Aは、分岐導波路23Aの真上に沿って形成されている。
接地電極32Aは、信号電極31Aから隔離されると共に、分岐導波路24Aの真上に沿う部分を含んで形成されている。なお、ここでは分岐導波路24Aと光変調部20Bの後述する分岐導波路23Bとの間に形成される接地電極32Aが、光変調部20Bの後述する接地電極32Bと共有されている。
上記信号電極31Aは、基板10の長手方向に平行な対向側面のうちの一方の側面(図で上側の側面)に引き出した出力端P4が図示しない抵抗を介して接地電極32Aに接続されることで進行波電極を構成し、基板10の他方の側面(図で下側の側面)に引き出した入力端P3からマイクロ波電気信号(変調データに対応した電気信号)RFが印加されるようになっている。
なお、信号電極31Aおよび接地電極32Aについては、図示されていないSiO等を用いたバッファ層を介して基板10(光導波路)の上に形成するのがよい。バッファ層を設けることにより、各分岐導波路23A,24A中を伝搬する光が、信号電極31Aおよび接地電極32Aによって吸収されるのを防ぐことができる。
光変調部20Bは、基板10の図で下側に位置する表面部分に形成された、入力導波路21B、光分岐部22B、一対の分岐導波路23B,24B、光合波部25Bおよび出力導波路26Bからなるマッハツェンダ(MZ)型の光導波路と、一対の分岐導波路23B,24Bに沿ってパターニングされた信号電極31Bおよび接地電極32Bとを具備する。
入力導波路21Bは、一端が曲線導波路13Bに接続しており、他端には光分岐部22Bの入力端が接続されている。
光分岐部22Bは、入力導波路21Bを伝搬した光を1:1の強度比で二つに分岐する。光分岐部22Bの二つの出力端には、一対の分岐導波路23B,24Bの各一端がそれぞれ接続されている。
上記光分岐部22Bの基板10上における配置は、x方向について、基板10の入力端面との間隔がdx+dxとなり、y方向について、入力光分岐部12との間隔がdyとなっている。これを光変調部20Aの光分岐部22Aとの相対的な配置で言い換えると、光変調部20Bの光分岐部22Bの位置は、x方向について、光分岐部22Aよりも基板10の出力端面(出力ポートP2A,P2Bが位置する左端面)側にdxだけずれていると共に、y方向について、入力光分岐部12を基準として光分岐部22Aとは反対側にdyだけずれており、該dyはdyよりも長くなっている。つまり、各光変調部20A,20Bの光分岐部22A,22Bは、x方向についての間隔がdxとなり、y方向についての間隔がdy+dy(ただし、dy<dy )となっている。x方向についての間隔dxは、各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔dxに応じて設定することができ、ここではdxがdxと等しくなるようにしている。
一対の分岐導波路23B,24Bは、図で上側に位置する分岐導波路23Bと、図で下側に位置する分岐導波路24Bとがx方向に並行している。
光合波部25Bは、二つの入力端が上記各分岐導波路23B,24Bの他端にそれぞれ接続しており、各分岐導波路23B,24Bを伝搬した光を一つに合波する。光合波部25Bの一つの出力端には、出力導波路26Bの一端が接続されている。
出力導波路26Bは、光合波部25Bで合波された光を、他端に接続する出力ポートP2より外部に出力する。
信号電極31Bは、分岐導波路23Bの真上に沿って形成されている。
接地電極32Bは、信号電極31Bから隔離されると共に、分岐導波路24Bの真上に沿う部分を含んで形成されている。なお、ここでは分岐導波路23Bと光変調部20Aの分岐導波路24Aとの間に形成される接地電極32Bが、光変調部20Aの接地電極32Aと共有されている。
上記信号電極31Bは、基板10の長手方向に平行な対向側面のうちの一方の側面(図で上側の側面)に引き出した出力端P4が図示しない抵抗を介して接地電極32Bに接続されることで進行波電極を構成し、基板10の他方の側面(図で下側の側面)に引き出した入力端P3からマイクロ波電気信号(変調データに対応した電気信号)RFが印加されるようになっている。なお、信号電極31Bおよび接地電極32Bについても、前述した場合と同様にしてバッファ層を介して基板10(光導波路)の上に形成するのがよい。
上記のように本光変調器における各光変調部20A,20Bの信号電極31A,31Bは、各々の入力端P3,P3が基板10の対向側面のうちの一方の側面に並べて設けられている。該各入力端P3,P3付近には電極パッドがそれぞれ形成されるので、該各電極パッド間にはワイヤボンディングなどによる外部との接続のための所定の間隔dxが確保されている。また、各信号電極31A,31Bの出力端P4,P4についても、上記入力端P3,P3と同様にして、基板10の対向側面のうちの他方の側面に並べて設けられ、終端用の電極パッドが間隔dxで形成されるようにするのがよい。このように各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3および出力端P4,P4を配置することで、基板10の試験および実装が容易になる。
上記のように構成された光変調器では、各光変調部20A,20BのMZ型光導波路における光分岐部22A,22Bが、x方向についてdxだけずらして配置されると共に、y方向については入力光分岐部12との間隔が互いに異なり該入力光分岐部12を挟んで非対称に配置されるようにしたことで、入力光分岐部12と各光分岐部22A,22Bとの間が曲率半径の大きな曲線導波路13A,13Bによってそれぞれ接続されるようになる。このとき、基板10のサイズが前述した図2上段の場合と同様であるとすると、基板10の入力端面と光変調部20Aの光分岐部22Aとの間隔dxは、図2上段の場合よりも短くなり、基板10の入力端面と光変調部20Bの光分岐部22Bとの間隔dx+dxは、図2上段の場合と同様、若しくはそれよりも長くなる。また、光変調部20Bの相互作用部INTの長さは、光変調部20の相互作用部INT の長さに揃えられているので、各光変調部20A,20Bの駆動電圧は基本的に同様なレベルとなる。
各曲線導波路13A,13Bの曲率半径は、各光分岐部22A,22Bの位置に依存しており、各光分岐部22A,22Bのx方向についての間隔dxが各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔dxに等しい場合に、各々の曲率半径が最大となる。曲線導波路13Aの曲率半径と、曲線導波路13Bの曲率半径とは、互いに等しくなるように設定するのが好ましい。
次に、第1実施形態による光変調器の動作について説明する。
まず、図示しない単一の光源等からの出力光が本光変調器の入力ポートP1から入力導波路11に入力される。該入力光Linは入力導波路11を通って入力光分岐部12に入力され、所要の強度比に従って二分岐される。入力光分岐部12から出力される一方の分岐光は曲線導波路13Aを通って光変調部20Aの入力導波路21Aに入力され、他方の分岐光は曲線導波路13Bを通って光変調部20Bの入力導波路21Bに入力される。
このとき、各光変調部20A,20Bに入力される光は、各曲線導波路13A,13Bでの曲げ損失により減衰することになる。しかし、本光変調器の構成では、基板10上における入力光分岐部12および各光分岐部22A,22Bの相対的な配置が各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔dxに応じて工夫されており、各曲線導波路13A,13Bの曲率半径は比較的大きな値になっているので、曲げ損失による入力光の減衰は僅か、若しくは殆ど生じない。
光変調部20A(20B)では、入力導波路21A(21B)に入力された光が光分岐部22A(22B)で1:1の強度比に従って二分岐されて分岐導波路23A,24A(23B,24B)にそれぞれ送られる。ここで、信号電極31A(31B)の入力端P3(P3)からマイクロ波電気信号RF(RF)が印加されることにより、該マイクロ波電気信号RF(RF)のレベルに応じて変調された光が出力導波路26A(26B)を通って出力ポートP2(P2)から外部に出力される。
上記のように第1実施形態の光変調器によれば、一つの基板10上に2つの光変調部20A,20Bを並列に配置し、各々の信号電極31A,31Bの入力端P3,P3を基板10の一側面に間隔dxをあけて並べるようにしても、駆動電圧の上昇や基板サイズの大型化を招くことなく、各光変調部20A,20Bに入力光を低損失で与えることができる。これにより、パッケージへの基板10の実装が容易になり、かつ、実装面積も小さくなるので、光変調器のコスト削減および小型化を図ることが可能になる。
なお、上記第1実施形態では、各光変調部20A,20Bの光分岐部22A,22Bのx方向についての間隔dxが、各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔dxに等しくなるように、各光分岐部22A,22Bを配置する一例を示したが、本発明はこれに限らない。例えば、各光分岐部22A,22Bの間隔dxが各入力端P3,P3の間隔dxより狭くなっても、曲線導波路13A,13Bの曲率半径を十分に大きく取ることができる場合、曲線導波路13A,13Bでの曲げ損失を所要値以下に抑えることが可能な曲率半径の値に合わせて各光分岐部22A,22Bの間隔dxを決定してもよい。この場合には、図4に例示するように、光変調部20Aの信号電極31Aについて、入力端P3から分岐導波路23A上(相互作用部INTの始点)に至るまでの入力引出線部分を、y方向に対し角度を付けて斜めに配線するのが好ましい。これにより、各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔をdx(>dx)に保ちながら、基板10のx方向の長さを短くすることができ、より小型の光変調器を実現することが可能になる。
また、上記第1実施形態では、各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3から分岐導波路23A,23B上に至るまでの入力引出線部分の長さが異なっているため、各入力端P3,P3に対して電気信号RF,RFを同時に印加しても、各光変調部20A,20Bから出力される変調光の同期をとることはできない。同期をとるためには、各信号電極31A,31Bの入力引出線部分の長さの差に応じて、各電気信号RF,RFのタイミングを遅延させるか、または、図5に例示するように、信号電極31Bの入力引出線部分を屈曲させて、当該部分の長さが信号電極31Aの入力引出線部分の長さと等しくなるようにすればよい。この図5の例では、各信号電極31A,31Bの入力端P3,P3の間隔は、外部との接続に必要なdxが確保されており、信号電極31Bの入力引出線部分を屈曲させたことで、各相互作用部INT,INTの始点のx方向の間隔はdxよりも狭いdx’となる。この場合、各光変調部20A,20Bの光分岐部22A,22Bのx方向の間隔dxはdx’と等しくなるようにするのがよい。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図6は、第2実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。なお、前述の図3に示した第1実施形態の構成と同一若しくは対応する部分には同じ符号を付して説明を省略するものとし、以降の他の実施形態についても同様とする。
図6において、本実施形態の光変調器の構成が前述した第1実施形態の場合と異なる点は、Y分岐導波路を用いて構成していた光分岐部22A,22Bおよび光合波部25A,25Bに代えて、二つの光入力端および二つの光出力端を有する2×2光カプラを用いた光分岐部27A,27Bおよび光合波部28A,28Bを設けている点である。
具体的に、光変調部20Aの光分岐部27Aは、二つの光入力端のうちの入力光分岐部12に近い方の光入力端に入力導波路21Aが接続されており、入力光分岐部12で二分岐された入力光Linが曲線導波路13Aおよび入力導波路21Aを通って上記光入力端に与えられる。光分岐部27Aの二つの光出力端には、各分岐導波路23A,24Aの一端がそれぞれ接続されており、上記光入力端への入力光を1:1の強度比で二分岐した光が、各光出力端より分岐導波路23A,24Aに出力される。なお、光分岐部27Aの残りの光入力端は未使用となっている。
光変調部20Aの光合波部28Aは、二つの光入力端に各分岐導波路23A,24Aの他端がそれぞれ接続されており、各分岐導波路23A,24Aを伝搬した光を一つに合波した後、該合波光を二分岐して出力する。光合波部28Aの一方の光出力端には、出力導波路26Aが接続されており、光変調部20Aの変調光が出力導波路26Aを通って出力ポートP2から外部に出力される。なお、光合波部28Aの他方の光出力端は開放となっている。
また、光変調部20Bの光分岐部27Bは、二つの光入力端のうちの入力光分岐部12に近い方の光入力端に入力導波路21Bが接続されており、入力光分岐部12で二分岐された入力光Linが曲線導波路13Bおよび入力導波路21Bを通って上記光入力端に与えられる。光分岐部27Bの二つの光出力端には、各分岐導波路23B,24Bの一端がそれぞれ接続されており、上記光入力端への入力光を1:1の強度比で二分岐した光が、各光出力端より分岐導波路23B,24Bに出力される。なお、光分岐部27Bの残りの光入力端は未使用となっている。
光変調部20Bの光合波部28Bは、二つの光入力端に各分岐導波路23B,24Bの他端がそれぞれ接続されており、各分岐導波路23B,24Bを伝搬した光を一つに合波した後、該合波光を二分岐して出力する。光合波部28Bの一方の光出力端には、出力導波路26Bが接続されており、光変調部20Bの変調光が出力導波路26Bを通って出力ポートP2から外部に出力される。なお、光合波部28Bの他方の光出力端は開放となっている。
上記のように構成された光変調器でも、上述した第1実施形態の場合と同様な作用効果を得ることができる。また、2×2光カプラを用いた光分岐部27A,27Bについて、二つの光入力端のうちの入力光分岐部12に近い方の光入力端が、入力導波路21A,21Bを介して曲線導波路13A,13Bに接続されるようにしているので、各曲線導波路13A,13Bの曲率半径を大きくすることができ、各光変調部20A,20Bに入力光をより低損失で与えることが可能になる。また、各曲線導波路13A,13Bの曲率半径を大きくする代わりに、基板10の入力端面から光分岐部22Aまでの間隔dxを短くすることもできるので、光変調器さらなる小型化が可能になる。
なお、上記第2実施形態では、光変調部20Aにおける光分岐部27Aへの光入力と光合波部28Aからの光出力との関係がクロスポートの状態にあるのに対して、光変調部20Bにおける光分岐部27Bへの光入力と光合波部28Bからの光出力との関係がスルーポートの状態にあるので、各光変調部20A,20Bの変調光の消光比が異なる可能性がある。これを回避するためには、例えば図7に示すように、光変調部20Bの光分岐部27Bについて、二つの光入力端のうちの入力光分岐部12に遠い方の光入力端に、入力導波路21Bを介して曲線導波路13Bが接続されるようにして、各光変調部20A,20Bを同じクロスポートの状態にすればよい。つまり、各光分岐部27A,27Bについて、二つの光入力端のうちの同じ側に位置する光入力端に光が与えられると共に、各光合波部28A,28Bについて、二つの光出力端のうちの同じ側に位置する光出力端から光が取り出されるようにすることで、各光変調部20A,20Bの変調光の消光比を同じにすることができる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図8は、第3実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。
図8において、本実施形態の光変調器は、例えば上述の図3に示した第1実施形態について、各光変調部20A,20Bの信号電極31A,31Bとは別にDC電極33A,33Bを設け、該DC電極33A,33Bに印加するバイアス電圧を調整することで、各光変調部20A,20Bの光出力をオフにする電圧が一定に保たれるようにしている。
また、ここでは、各光変調部20A,20Bの出力導波路26A,26Bから出力される変調光を一つに合波して出力するための光導波路として、曲線導波路14A,14B、出力光合波部15および出力導波路16が形成されている。このような光変調器の構成は、入力ポートP1および出力ポートP2の間に形成される親MZ干渉計の中に、二つの子MZ干渉計を含む形であり、例えばDPQSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying)等の光変調方式に対応した構成となっている。ここでは親MZ干渉計についてもバイアス電圧を調整するためのDC電極34A,34Bが設けられている。
具体的に、各光変調部20A,20Bの分岐導波路23A,24A,23B,24Bは、各相互作用部INT,INTの終点と光合波部25A,25Bとの間に上記各DC電極33A,33Bを配置するために、出力側にそれぞれ伸長されている。また、光変調部20Bの信号電極31Bは、入力端P3と同じ側の側面に出力端P4Bが引き出されるようにパターンを変更している。さらに、各光変調部20A,20Bの出力導波路26A,26Bは、親MZ干渉計用のDC電極34A,34Bを配置するために、出力側にそれぞれ伸長されている。
DC電極33Aは、例えば分岐導波路24Aの伸長部分の真上に沿って形成され、一端が基板10の一方の側面(図で上側の側面)まで引き出されている。また、DC電極33Bは、例えば分岐導波路23Bの伸長部分の真上に沿って形成され、一端が基板10の他方の側面(図で下側の側面)まで引き出されている。各DC電極33A,33Bのx方向についての相対的な配置は、各光分岐部22A,22Bの配置と同様にして、DC電極33BがDC電極33Aよりも出力側にdxだけずれている。各DC電極33A,33Bのx方向の長さ(分岐導波路24A,23Bと重なる部分の長さ)は、略等しくなるようにするのが好ましい。
DC電極34Aは、出力導波路26Aの伸長部分の真上に沿って形成され、一端が基板10の一方の側面(図で上側の側面)まで引き出されている。また、DC電極34Bは、出力導波路26Bの伸長部分の真上に沿って形成され、一端が基板10の他方の側面(図で下側の側面)まで引き出されている。各DC電極34A,34Bのx方向についての相対的な配置は、上記各DC電極33A,33Bの配置と同様に、DC電極34BがDC電極34Aよりも出力側にdxだけずれている。各DC電極34A,34Bのx方向の長さ(出力導波路26A,26Bと重なる部分の長さ)も、略等しくなるようにするのが好ましい。
各光変調部20A,20Bの接地電極32A,32Bは、上記DC電極33A,33B,34A,34Bに対応して出力側に伸長されており、各DC電極33A,33B,34A,34Bからそれぞれ隔離されている。
曲線導波路14Aは、光変調部20Aの出力導波路26Aと出力光合波部15の一方の入力端との間を接続している。また、曲線導波路14Bは、光変調部20Bの出力導波路26Bと出力光合波部15の他方の入力端との間を接続している。各曲線導波路14A,14Bは、緩やかな略S字形状となっており、後述する出力光合波部15の配置に応じてそれぞれ異なる長さを有している。ただし、各曲線導波路14A,14Bの曲率半径は略同じになっている。
出力光合波部15は、各曲線導波路14A,14Bを通って各入力端に与えられる変調光を一つに合波して出力する。出力光合波部15の一つの出力端には、出力導波路16の一端が接続されている。出力導波路16は、出力光合波部15で合波された光を、他端に接続する出力ポートP2より外部に出力する。
上記出力光合波部15の基板10上における配置は、y方向について、光変調部20Aの光合波部25Aとの間隔がdyとなっており、光変調部20Bの光合波部25Bとの間隔がdyとなっている。つまり、入力側の各入力光分岐部12,22A,22Bの相対的な配置と、出力側の各出力光合波部15,25A,25Bの相対的な配置とは、親MZ干渉計の中心点に関して対称の関係にある。これにより、親MZ干渉計における入力光分岐部12および出力光合波部15の間に位置する一対の分岐アームの光路長が互いに等しくなっている。なお、光合波部の位置は、合波点(Y字形導波路の交点)を基準としている。
上記のような構成の光変調器では、例えば、各光変調部20A,20Bにおける変調光の強度が図示しない出力モニタ等を用いてモニタされ、該モニタ結果に応じて各DC電極33A,33Bに印加するバイアス電圧がフィードバック制御されることにより、各光変調部20A,20Bの光出力をオフにする電圧が一定に保たれる。また、各DC電極34A,34Bに印加するバイアス電圧を調整することにより、出力光合波部15で合波する各変調光の位相差を所望の状態とすることができる。さらに、親MZ干渉計における一対の分岐アームの光路長を互いに等しくしているので、出力光合波部15で合波された信号光についての特性の波長依存性を小さくすることもできる。よって、本光変調器は、DQPSK等の光変調方式に対応した信号光を安定して出力することが可能である。
なお、上記第3実施形態では、第1実施形態の構成についてDC電極等を付加する応用例を示したが、第2実施形態の構成についても同様の応用が可能である。また、各光変調部20A,20Bにおける変調光を出力光合波部15で一つに合波して出力するようにしたが、第1および第2実施形態の場合と同様に、各光変調部20A,20Bの変調光を別々に出力することも勿論可能である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
上述した第1〜第3実施形態では、一つの基板上に二つの光変調部が並列に配置される光変調器について説明してきたが、本発明は、三つ以上の光変調部の並列配置にも応用可能である。そこで、第4実施形態では、例えば四つの光変調部を同一基板上に並列配置した応用例を説明する。
図9は、第4実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。
図9において、本実施形態の光変調器は、電気光学効果を有する一つの結晶基板10上に、四つの光変調部20A,20B,20C,20Dが並列に配置されている。この光変調器は、一つの入力ポートP1および一つの出力ポートP2を備えており、入力ポートP1には一本の入力導波路11の一端が接続されている。入力導波路11の他端は、入力光分岐部12の入力端に接続しており、入力光分岐部12の二つ出力端には、曲線導波路13AB,13CDを介して、各入力光分岐部12AB,12CDの入力端がそれぞれ接続されている。入力光分岐部12ABの二つ出力端には、曲線導波路13A,13Bを介して、各光変調部20A,20Bの入力端がそれぞれ接続されている。入力光分岐部12CDの二つ出力端には、曲線導波路13C,13Dを介して、各光変調部20C,20Dの入力端がそれぞれ接続されている。
各光変調部20A,20Bおよび各光変調部20C,20Dは、上述した第1実施形態における各光変調部20A,20Bと同様の構成となっている。また、光変調部20Bと光変調部20Cとの相対的な配置関係は、第1実施形態における光変調部20Aと光変調部20Bとの相対的な配置関係と同様になっている。
つまり、各光変調部20A〜20Dは、各々の信号電極31A〜31Dの入力端P3〜P3が基板10の対向側面のうちの一方の側面に間隔dxをあけて並べて配置されていると共に、出力端P4〜P4が基板10の他方の側面に並べて配置されている。また、各光分岐部22A〜22Dの基板10上における相対的な配置は、x方向について、各信号電極31A〜31Dの入力端の配置間隔dxに応じて、光分岐部22Bが光分岐部22Aよりも出力側にdxだけずれ、光分岐部22Cが光分岐部22Bよりも出力側にdxだけずれ、光分岐部22Dが光分岐部22Cよりも出力側にdxだけずれている。y方向については、各光分岐部22A,22Bの位置が、入力光分岐部12ABを挟んでdy,dyだけずれており(dy<dy)、各光分岐部22C,22Dの位置が、入力光分岐部12CDを挟んでdy,dyだけずれており(dy<dy)、さらに、各光分岐12AB,12Dの位置が、入力光分岐部12を挟んでdyAB,dyCDだけずれている(dyAB<dyCD)。
また、本光変調器では、各光変調部20A〜20Dの出力導波路26A〜26Dから出力される各変調光を一つに合波して出力するための光導波路として、曲線導波路14A〜14D,14AB,14CD、出力光合波部15AB,15CD,15および出力導波路16が形成されている。
各曲線導波路14A,14Bは、各光変調部20A,20Bの出力導波路26A,26Bと出力光合波部15ABの各入力端との間を接続している。各曲線導波路14C,14Dは、各光変調部20C,20Dの出力導波路26C,26Dと出力光合波部15CDの各入力端との間を接続している。各曲線導波路14AB,14CDは、各出力光合波部15AB,15CDの出力端と出力光合波部15の各入力端との間を接続している。各々の曲線導波路14A〜14D,14AB,14CDは、緩やかな略S字形状となっており、各出力光合波部15AB,15CD,15の配置に応じてそれぞれ異なる長さを有している。ただし、各曲線導波路14A〜14Dの曲率半径および各曲線導波路14AB,14CDの曲率半径はそれぞれ略同じになっている。
出力光合波部15ABは、各曲線導波路14A,14Bを通って各入力端に与えられる変調光を一つに合波して曲線導波路14ABに出力する。出力光合波部15CDは、各曲線導波路14C,14Dを通って各入力端に与えられる変調光を一つに合波して曲線導波路14CDに出力する。出力光合波部15は、各曲線導波路14AB,14CDを通って各入力端に与えられる合波光をさらに一つに合波して出力導波路16に出力する。出力導波路16は、出力光合波部15で合波された光を、他端に接続する出力ポートP2より外部に出力する。
上記各出力光合波部15,15AB,15CDの相対的な配置は、入力側の各入力光分岐部12,12AB,12CDの相対的な配置と対称な関係になっている。これにより、入力光分岐部12および出力光合波部15の間に位置する二対(四本)の分岐アームの光路長が互いに等しくなっている。
上記のような光変調器によれば、一つの基板10上に四つの光変調部20A〜20Dを並列に配置し、各々の信号電極31A〜31Dの入力端P3〜P3を基板10の一側面に間隔dxをあけて並べるようにしても、上述した第1実施形態の場合と同様に、駆動電圧の上昇や基板サイズの大型化を招くことなく、各光変調部20A〜20Dに入力光を低損失で与えることができる。また、入力光分岐部12および出力光合波部15の間に位置する、各光変調部20A〜20Dに対応した分岐アームの光路長を互いに等しくしているので、出力光合波部15で合波された信号光についての特性の波長依存性を小さくすることもできる。
なお、上記第4実施形態では、各光変調部20A〜20Dにおける変調光を出力光合波部15AB,15CD,15で一つに合波して出力するようにしたが、各光変調部20A〜20Dの変調光を別々に出力するか、或いは、各出力光合波部15AB,15CDで合波した信号光を別々に出力することも可能である。
以上の各実施形態に関して、さらに以下の付記を開示する。
(付記1) 電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ型光導波路を形成し、該マッハツェンダ型光導波路の光分岐部および光合波部の間に位置する一対の分岐導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記マッハツェンダ型光導波路を伝搬する光の変調を行う複数の光変調部が、同一の前記基板上に並列に配置された光変調器であって、
前記基板の入力端面に配置された一つの入力ポートから入力される光を複数の光に分岐する入力光分岐部と、
前記入力光分岐部で分岐された各光を、前記各光変調部のマッハツェンダ型光導波路の入力端に導く複数の曲線導波路と、を備え、
前記各光変調部の信号電極は、前記電気信号が印加される各々の入力端が、前記基板の入力端面に交わる対向側面のうちの一方の側面に所定の間隔をあけて並べて配置され、
前記各光変調部の光分岐部は、前記基板の対向側面に平行な第1方向について、前記信号電極の入力端の配置に応じて出力側にずらして配置されることを特徴とする光変調器。
(付記2) 付記1に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部は、前記第1方向に直交する第2方向について、前記入力光分岐部との間隔が互いに異なり該入力光分岐部を挟んで非対称に配置されていることを特徴光変調器。
(付記3) 付記1または2に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部は、前記第1方向について、隣り合う光分岐部との間隔が前記信号電極の入力端の配置間隔と等しいことを特徴とする光変調器。
(付記4) 付記1または2に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部は、前記第1方向について、隣り合う光分岐部との間隔が前記信号電極の入力端の配置間隔よりも狭く、
少なくとも1つの前記光変調部の信号電極は、前記一対の分岐導波路に沿う部分の一端を前記基板の一方の側面まで伸ばして前記入力端とした入力引出線部分が、前記第2方向に対し角度を付けて斜めに配線されていることを特徴とする光変調器。
(付記5) 付記1〜4のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記複数の曲線導波路は、曲率半径が互いに等しいことを特徴とする光変調器。
(付記6) 付記1〜5のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部の信号電極は、前記一対の分岐導波路に沿う部分の一端を前記基板の一方の側面まで伸ばして前記入力端とした入力引出線部分の長さが互いに等しいことを特徴とする光変調器。
(付記7) 付記6に記載の光変調器であって、
少なくとも1つの前記光変調部の信号電極は、前記入力引出線部分が屈曲しており、隣り合う他の信号電極の入力引出線部分との間隔が前記入力端の配置間隔よりも狭くなる部分を含むことを特徴とする光変調器。
(付記8) 付記1〜7のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部は、二つの光入力端および二つの光出力端を有する2×2光カプラを用いて構成され、該2×2光カプラの二つの光入力端のうちで前記入力光分岐部に近い方の光入力端に対して、前記曲線導波路が接続されることを特徴とする光変調器。
(付記9) 付記1〜7のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部および光合波部は、二つの光入力端および二つの光出力端を有する2×2光カプラをそれぞれ用いて構成され、前記各光分岐部の2×2光カプラについて、二つの光入力端のうちの同じ側に位置する光入力端に光が与えられると共に、前記各光合波部の2×2光カプラについて、二つの光出力端のうちの同じ側に位置する光出力端から光が取り出されることを特徴とする光変調器。
(付記10) 付記1〜9のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部の信号電極は、抵抗を介して前記接地電極に接続される各々の出力端が、前記基板の対向側面のうちの他方の側面に並べて配置されていることを特徴とする光変調器。
(付記11) 付記10に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の信号電極は、隣り合う前記出力端の間隔が前記入力端の配置間隔と等しいことを特徴とする光変調器。
(付記12) 付記1〜11のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部は、前記一対の分岐導波路上で前記信号電極が配置されていない部分に、バイアス電圧を印加するDC電極をそれぞれ備え、該各DC電極が、前記第1方向について、前記信号電極の入力端の配置間隔に応じた距離だけ出力側に順次ずらして配置されていることを特徴とする光変調器。
(付記13) 付記1〜12のいずれか1つに記載の光変調器であって、
前記各光変調部から出力される変調光がそれぞれ与えられる複数の曲線導波路と、
前記各曲線導波路を伝搬した変調光を合波し、該合波光を前記基板の入力端面に対向する出力端面に配置された一つの出力ポートに出力する出力光合波部と、を備えたことを特徴とする光変調器。
(付記14) 付記13に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光分岐部および前記入力光分岐部の相対的な配置と、前記各光変調部の光合波部および前記出力光合波部の相対的な配置とが、前記入力光分岐部および前記出力光分岐部の間で形成されるマッハツェンダ干渉計の中心点に関して対称の関係にあることを特徴とする光変調器。
(付記15) 付記13または14に記載の光変調器であって、
前記各光変調部の光合波部と前記出力光合波部との間を接続する前記各曲線導波路上に、バイアス電圧を印加するDC電極をそれぞれ備えたことを特徴とする光変調器。
(付記16) 付記15に記載の光変調器であって、
前記出力ポートに出力される光の変調方式がDPQSKであることを特徴とする光変調器。
(付記17) 付記1〜16のいずれか1つに記載の光変調器と、単一の光源と、を備え、該光源の出力光が前記光変調器の入力ポートに入力されることを特徴とする光送信装置。
10…基板
11,21A〜21D…入力導波路
12,12AB,12CD…入力光分岐部
22A〜22D,27A,27B…光分岐部
13A,13B,13AB,13CD,14A,14B,14AB,14CD…曲線導波路
15,15AB,15CD…出力光合波部
25A〜25D,28A,28B…光合波部
16,26A,26B…出力導波路
20A〜20D…光変調部
23A〜23D,24A〜24D…分岐導波路
31A〜31D…信号電極
32A,32B…接地電極
33A,33B,34A,34B…DC電極
INT,INT…相互作用部
Lin…入力光
Lout,Lout,Lout…出力光
P1…入力ポート
P2,P2,P2…出力ポート
P3〜P3…信号電極の入力端
P4〜P4…信号電極の出力端
dx…光分岐部のx方向の間隔
dx…信号電極の入力端の間隔

Claims (9)

  1. 電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ型光導波路を形成し、該マッハツェンダ型光導波路の光分岐部および光合波部の間に位置する一対の分岐導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記マッハツェンダ型光導波路を伝搬する光の変調を行う複数の光変調部が、同一の前記基板上に並列に配置された光変調器であって、
    前記基板の入力端面に配置された一つの入力ポートから入力される光を複数の光に分岐する入力光分岐部と、
    前記入力光分岐部で分岐された各光を、前記各光変調部のマッハツェンダ型光導波路の入力端に導く複数の曲線導波路と、を備え、
    前記各光変調部の信号電極は、前記電気信号が印加される各々の入力端が、前記基板の入力端面に交わる対向側面のうちの一方の側面に所定の間隔をあけて並べて配置され、
    前記各光変調部の光分岐部は、前記基板の対向側面に平行な第1方向について、前記信号電極の入力端の配置に応じて出力側にずらして配置され、かつ、前記第1方向に直交する第2方向について、前記入力光分岐部との間隔が互いに異なり該入力光分岐部を挟んで非対称に配置されていることを特徴とする光変調器
  2. 請求項1に記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の光分岐部は、前記第1方向について、隣り合う光分岐部との間隔が前記信号電極の入力端の配置間隔と等しいことを特徴とする光変調器。
  3. 請求項1に記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の光分岐部は、前記第1方向について、隣り合う光分岐部との間隔が前記信号電極の入力端の配置間隔よりも狭く、
    少なくとも1つの前記光変調部の信号電極は、前記一対の分岐導波路に沿う部分の一端を前記基板の一方の側面まで伸ばして前記入力端とした入力引出線部分が、前記第2方向に対し角度を付けて斜めに配線されていることを特徴とする光変調器。
  4. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の信号電極は、前記一対の分岐導波路に沿う部分の一端を前記基板の一方の側面まで伸ばして前記入力端とした入力引出線部分の長さが互いに等しいことを特徴とする光変調器。
  5. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の光分岐部は、二つの光入力端および二つの光出力端を有する2×2光カプラを用いて構成され、該2×2光カプラの二つの光入力端のうちで前記入力光分岐部に近い方の光入力端に対して、前記曲線導波路が接続されることを特徴とする光変調器。
  6. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の光分岐部および光合波部は、二つの光入力端および二つの光出力端を有する2×2光カプラをそれぞれ用いて構成され、前記各光分岐部の2×2光カプラについて、二つの光入力端のうちの同じ側に位置する光入力端に光が与えられると共に、前記各光合波部の2×2光カプラについて、二つの光出力端のうちの同じ側に位置する光出力端から光が取り出されることを特徴とする光変調器。
  7. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部の信号電極は、抵抗を介して前記接地電極に接続される各々の出力端が、前記基板の対向側面のうちの他方の側面に並べて配置されていることを特徴とする光変調器。
  8. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部は、前記一対の分岐導波路上で前記信号電極が配置されていない部分に、バイアス電圧を印加するDC電極をそれぞれ備え、該各DC電極が、前記第1方向について、前記信号電極の入力端の配置間隔に応じた距離だけ出力側に順次ずらして配置されていることを特徴とする光変調器。
  9. 請求項1〜のいずれか1つに記載の光変調器であって、
    前記各光変調部から出力される変調光がそれぞれ与えられる複数の曲線導波路と、
    前記各曲線導波路を伝搬した変調光を合波し、該合波光を前記基板の入力端面に対向する出力端面に配置された一つの出力ポートに出力する出力光合波部と、を備えたことを特徴とする光変調器。
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