JP2018036412A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、特許文献1には、FPC上に複数のDCピン(A)と該DCピン(A)よりも電極側に配置された複数のDCピン(B)とを有し、複数のDCピン(B)からRFピンの反対側を通って電極に達する複数の配線を設ける構造が開示されている。
例えば、特許文献2には、第1の光変調器が備える第1の信号電極を基板の入力側に配置し、第2の光変調器が備える第2の信号電極を基板の出力側に配置する構造が開示されている。
(1)電気光学効果を有する基板に、第1の波長の光を変調する第1の光変調領域と、第2の波長の光を変調する第2の光変調領域とが該基板の幅方向に並列に形成された光変調器において、前記光変調領域の各々は変調電極及びバイアス電極を有し、前記基板の長さ方向に対して、前記変調電極及び前記バイアス電極の順番を、前記波長毎に入れ替えたことを特徴とする。
本発明に係る光変調器では、例えば図2に示すように、電気光学効果を有する基板1に、波長λ1の光を変調する光変調領域M1と、波長λ2の光を変調する光変調領域M2とが該基板の幅方向に並列に形成される。光変調領域M1,M2の各々は変調電極3及びバイアス電極4a,4bを有し、基板1の長さ方向に対して、変調電極3及びバイアス電極4a,4bの順番を、波長λ1,λ2毎に入れ替えてある。
以下、実施例を参照して具体的に説明する。
第1実施例に係る光変調器は、波長λ1の光を変調する光変調領域M1では、光波進行方向について、変調電極3、バイアス電極4a、バイアス電極4bの順に配置してある。一方、波長λ2の光を変調する光変調領域M2では、光波進行方向について、バイアス電極4b、バイアス電極4a、変調電極3の順に配置してある。すなわち、基板1の長さ方向に対して、変調電極3及びバイアス電極4a,4bの順番を、波長λ1,λ2毎に入れ替えてある。換言すれば、光変調領域M1では変調電極3の後段にバイアス電極4a,4bを配置し、光変調領域M2では変調電極3の前段にバイアス電極4a,4bを配置してある。全体として見た場合、バイアス電極4a,4bを変調電極3の前段と後段に分散して配置した構成となる。これに対応するように、基板1の一辺には、DC信号入力用の接続パッド23、RF信号入力用の接続パッド21、DC信号入力用の接続パッド23の順に配置してある。また、筐体8の一側面(基板1の一辺に対向する側面)には、DCインタフェース32、RFインタフェース31、DCインタフェース32の順に配置してある。
第2実施例に係る光変調器は、波長λ1の光を変調する光変調領域M1では、光波進行方向について、変調電極3、バイアス電極4a、バイアス電極4bの順に配置してある。一方、波長λ2の光を変調する光変調領域M2では、光波進行方向について、バイアス電極4b、変調電極3、バイアス電極4aの順に配置してある。すなわち、光変調領域M2において、バイアス電極4a,4bの全てを変調電極3の前段に配置するのではなく、上位階層側(メインのマッハツェンダー型導波路部)のバイアス電極4bだけを変調電極3の前段に配置している。バイアス電極4aを第1のバイアス電極とし、バイアス電極4bを第2のバイアス電極とすると、第2実施例は、基板の長さ方向に対し、変調電極、第1のバイアス電極、第2のバイアス電極を、波長毎に入れ替えた構成となっている。
第1,第2実施例では、波長λ1,波長λ2の各光は、光変調器の基準方向上流側(図面右側)に接続された光ファイバ41から入力され、光変調領域M1,M2による変調後に、光変調器の基準方向下流側(図面左側)に接続された光ファイバ42へ出力される。
これに対し、第3実施例では、波長λ1の光は、光変調器の基準方向上流側に接続された光ファイバ41から入力され、光変調領域M1による変調後に、光変調器の基準方向下流側に接続された光ファイバ42へ出力される。一方、波長λ2の光は、光変調器の基準方向下流側に接続された光ファイバ41から入力され、光変調領域M2による変調後に、光変調器の基準方向上流側に接続された光ファイバ42へ出力される。
このような構成でも、変調電極を波長毎に基板長さ方向にずらして配置できるので、基板上における変調電極の配線の取り回しが容易となる。したがって、変調電極及びバイアス電極の配置順を揃える構成に比べ、基板上の配線を簡素化して短縮できるため、変調器のサイズの大型化を抑制することができる。また、損失の大きい基板上における変調電極の配線を短縮できるため、高周波特性の劣化を抑制することができる。
第4実施例に係る光変調器は、基板1上の変調電極3やバイアス電極4a,4bの配置順を第3実施例と同じにしてある。但し、波長λ1の光は、第3実施例では光変調器の基準方向上流側に接続された光ファイバ41から入力されるが、第4実施例では光変調器の基準方向下流側に接続された光ファイバ41から入力される。この光ファイバ41は、光変調器の筐体8内で逆方向に折り返されて、基準方向上流側から基板1に光を入力する。変調後の波長λ1の光は、基板1の基準方向下流側にある光ファイバ42へと出力される。この光ファイバ42は、光変調器内部で逆方向に折り返されて、基準方向上流側から光変調器の外部へと引き出される。光ファイバ41,42は、基板1を搭載する変調器基板上で折り返してもよく、外部に接続した導波路基板上で折り返してもよく、空間光学系で折り返してもよい。
このような構成でも、変調電極を波長毎に基板長さ方向にずらして配置できるので、基板上における変調電極の配線の取り回しが容易となる。したがって、変調電極及びバイアス電極の配置順を揃える構成に比べ、基板上の配線を簡素化して短縮できるため、変調器のサイズの大型化を抑制することができる。また、損失の大きい基板上における変調電極の配線を短縮できるため、高周波特性の劣化を抑制することができる。
例えば、バイアス電極の1つを変調電極の前段に配置して残りは全て後段に配置してもよく、これとは逆に、バイアス電極の1つを変調電極の後段に配置して残りは全て前段に配置してもよい。
2 光導波路
3 変調電極
4a,4b バイアス電極
5 受光素子
6 偏波合成部
7 終端基板
8 筐体
11,12,13,14 配線
15 バイアス電極跨ぎ部
21,22,23,24 接続パッド
31 RFインタフェース
32 DCインタフェース
33 モニタPDインタフェース
41,42 光ファイバ
M1,M2 光変調領域
Claims (4)
- 電気光学効果を有する基板に、第1の波長の光を変調する第1の光変調領域と、第2の波長の光を変調する第2の光変調領域とが該基板の幅方向に並列に形成された光変調器において、
前記光変調領域の各々は変調電極及びバイアス電極を有し、
前記基板の長さ方向に対して、前記変調電極及び前記バイアス電極の順番を、前記波長毎に入れ替えたことを特徴とする光変調器。 - 請求項1に記載の光変調器において、
前記第1の波長の光が前記第1の光変調領域を進行する方向と、前記第2の波長の光が前記第2の光変調領域を進行する方向とを逆にしたことを特徴とする光変調器。 - 請求項1又は請求項2に記載の光変調器において、
前記基板は筐体に収められており、
前記筐体には、前記変調電極用のRFインタフェース、及び、前記バイアス電極用のDCインタフェースが設置され、
前記筐体の一側面に、前記DCインタフェース、前記RFインタフェース、前記DCインタフェースの順番に設置されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光変調器において、
前記バイアス電極として、第1のバイアス電極及び第2のバイアス電極を有し、
前記基板の長さ方向に対して、前記変調電極、前記第1のバイアス電極、前記第2のバイアス電極の順番を、前記波長毎に入れ替えたことを特徴とする光変調器。
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