JP2011004318A - 撮像素子、電荷読み出し方法、撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Gr画素とGb画素を横方向に隣接して配置し、縦方向におけるこれらGr画素とGb画素の寸法が、横方向の寸法の2倍に配置する。緑カラーフィルタはこれらGr画素とGb画素に共通に用いる。電荷取出配線は、これらGr画素とGb画素の開口を塞がない位置に形成する。
【選択図】図8
Description
さらに、本発明は、かかる撮像素子についてのデ・モザイク処理を行う方法と装置に関する。
さらに本発明は、上述した撮像素子を有する撮像装置に関する。
撮像素子における画素のサイズが、たとえば、2μm以下に微細化が進むと、希望する画素特性を確保することが困難になりつつある。特に、感度と蓄積電荷量(Qs)は、相反する条件である、画素のサイズの縮小という物理的な(空間的な)制約を大きく受ける。すなわち、画素のサイズが縮小すれば、短時間に画素に入射する光量は少なくなるから、感度とQsとが低下する。とりわけ、感度低下が厳しい状況にある。その理由は後述する。
つまり、この方式は、画素内に占める配線の面積の低減や、同一画素サイズの画素間共有という方式であり、画素内のデータ取出用配線の本数や、使用するトランジスタの個数を減少させている。
図1(A)は、従来のBayer配列のRGB(赤、緑、青)画素の配置の概要を示す図である。
Bayer方式の配列においては、赤R画素と緑Gr画素とを交互に配置したRG行と、緑Gb画素と青B画素とを交互に配置したGB行とが隣接して配置されている。
ここで、図1(A)の画素構成から、横方向におけるGr画素とGb画素との相関がないことが理解される。
図1(C)〜(E)はそれぞれ、緑成分、赤成分、青成分の空間周波数特性を図解した図である。赤成分と青成分との空間周波数が、緑成分の空間周波数より劣る。
図2(A)は、部分平面図を示し、図2(B)は図2(A)の一部の拡大図を示す。
白く丸い点線は、オンチップレンズ(OCL)または集光構造を表している。
R画素、B画素、Gr画素、Gb画素を囲む四角は、Bayer方式の配列のRGB色のカラーフィルタ(CF)をそれぞれ示している。
各画素の上部にCFや、OCLあるいは集光構造が形成してある。
B画素、R画素、Gr画素、Gb画素の中心に、4分割されている四角で示した浮遊拡散部(FD:Floating Diffusion)が配置されている。すなわち、隣接する画素間を繋ぐための縦方向配線と横方向の配線を用いて画素間共有方式、たとえば、浮遊拡散部(FD)を用いた共有方式により、画素内の配線の本数を減少させている。
このように、この共有方式はFDを共有する画素共有方式である。
図2(C)は、画素を共有するため隣接する4個の画素を用いる様子を示す。
特に、微細化が進んで画素のサイズが光、たとえば、可視光の波長領域の近傍まで小さくなると、OCLまたは集光構造を用いても光の集光能力が低下する。
また、そのような撮像素子を効率よく動作可能な、動作方法とその装置を提供することが望まれている。
(1)同じ画素サイズの画素間共有方式において、オンチップレンズ(OCL)や集光構造を見直すことにより、フォトダイオード(PD)受光面での光スポットサイズを小さくし、かつ、その光スポットをフォトダイオード内に全部取り込む。
(2)まず、PD受光面での光スポットサイズを小さくするためには、OCLや集光構造の集光の能力を上げる必要がある。そのため、画素サイズよりも口径の大きなOCLや集光構造をPD受光面の上部に作り、これら集光能力を最大限に向上させる。
(3)また、PD受光面での光スポットサイズが大きくなってもPD受光面でその光スポットを全部取り込める構造とする。そのため、画素間共有方式において同じOCLや集光構造を有する画素間を繋ぐことにより、実効的なフォトダイオードの面積(PD受光面の面積)を拡大させ、光の損失を低減させ、微細画素においても光の損失を無くす。その結果、感度を向上させることができることが期待される。
本発明は上記技術思想と構想に基づいて発明された。
また好ましくは、前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素に共通に使用する寸法の緑カラーフィルタが形成されている。
1.撮像装置の構成
2.第1実施の形態
3.第2実施の形態
4.第3実施の形態
5.第4実施の形態
6.第5実施の形態
7.信号処理方法
[撮像装置]
図3を参照して、本発明の撮像素子の実施の形態が適用される1例としての撮像装置の実施の形態を述べる。
本実施の形態の撮像装置10は、たとえば、ディジタルカメラ、ビデオカメラなどとして用いられる。
撮像装置10は、鏡筒に収容されている結像光学系12と、撮像素子14と、信号処理部16と、液晶表示器などの画像表示部18とを有する。
結像光学系12は、複数のレンズと、これらレンズを移動させるモータを含む駆動系、シャッタなどにより構成され、信号処理部16の制御により、ズーム処理などが行われ、被写体の映像を撮像素子14に収束させる。
撮像素子14は、下記に述べる本実施の形態の種々の撮像素子に相当し、結像光学系12からの映像を示す光を光電変換して電気信号に変化する。具体的には、各画素に対応して設けられた各フォトダイオード(PD)に入射した光に相当する電荷を蓄積する。
信号処理部16は、その詳細は後述するが、各画素に対応するPDに電荷を蓄積させる処理、PDに蓄積された電荷を取り出す処理を行う。信号処理部16はさらに、撮像素子14から取り出した電荷を撮像信号として、記憶し、信号処理して画像表示部18に出力し、結像光学系12で捕捉した被写体の画像として表示させる。
PDが、本発明の電荷蓄積手段に対応する。
撮像装置10において撮像素子14として適用される本発明の撮像素子として、CMOSイメージセンサ(CIS)を例示して、その実施の形態を述べる。
図4を参照してCIS140の断面構造を述べる。
CIS140は、半導体基板142に形成されたフォトダイオード(PD)受光部144と、遮光膜146と、カラーフィルタ(CF)と平坦化膜148と、オンチップレンズ(OCL)150とを有する。
以下、撮像素子14の種々の実施の形態を述べる。
[固体撮像素子の構成]
図5(A)は、本発明の第1実施の形態の撮像素子14Aの概要を示す図である。
図6は、図5(A)に図解した画素の一部を拡大して図解した図である。
図5(A)、図6において、隣接する画素間を繋ぐための縦方向配線と横方向の配線を用いて画素間共有方式、たとえば、浮遊拡散部(FD:Floating Diffusion) を用いた共有方式により、画素内の配線の本数を減少させている。すなわち、B画素、R画素、Gr画素、Gb画素の中心に、4分割されている四角で示した浮遊拡散部(FD)が配置されている。この共有方式はFDを共有する画素共有方式である。
白く丸い点線は、オンチップレンズ(OCL)または集光構造を表している。
R画素、B画素、Gr画素、Gb画素を囲む四角は、Bayer方式の配列のRGB色のカラーフィルタ(CF)をそれぞれ示している。
各画素の上部にCFや、OCLあるいは集光構造が形成してある。
換言すると、横方向において隣接するGr画素(たとえば、第1の緑画素)と、Gb画素(たとえば、第2の緑画素)とのサイズについて述べると、縦方向のサイズが、横方向のサイズの2倍になっている。
また、この画素配列は、フォトダイオード(PD)を共有した画素の上下、あるいは、左右に読み出しを行うため、Gr画素同士の相関が強い構成となっている。たとえば、補間処理時にこの相関を用いることにより、輪郭補正などを有利に行うことが可能な画素配列の構成となっている。
フォトダイオード(PD)や、オンチップレンズ(OCL)あるいは集光構造には影響を及ぼさない。
図5(C)は赤および青の空間周波数を示す図である。赤および青の空間周波数は、図5(B)に図解した緑画素の空間周波数と同じであり、図1(D)、(E)に図解した空間周波数より優れている。
2画素分の緑CFの上にOCLあるいは集光構造(以下、OCLについてのみ記す)を1つ設けることにより、OCLの集光能力を向上させることができる。
たとえば、1画素のサイズが、縦2μm×横2μmの大きさの画素の上のOCLと比べて、本実施の形態では、縦4μm×横2μmのOCLを形成させることが可能となる。その結果、集光量が増大し、感度が向上し、Qsも向上する。
その電荷の読み出しには、たとえば、図3に図解した信号処理部16において行う。その詳細は後述する。
(1)カラーフィルタ(CF)を2画素分設けることにより、たとえば、緑画素のCFの上のOCLを2画素分大きくすることが可能になる。その結果、OCLの集光能力が向上する。
(2)同色のCFの下に位置するPDを、図5(A)、図6に図解の画素配列における上下の画素間で共有することにより、実効的なPDの面積が2倍となり、感度も2倍となる。
(3)さらに、図5(A)、図6に図解の画素配列における上下に位置する浮遊拡散部(FD)を介してPDに蓄積された電荷をそれぞれ読みだすことにより、Qsも2倍になる。
(4)かりに上述した(1)の方法で形成したOCLでは集光能力が十分ではない場合には、PD受光面における光スポットのサイズが大きくなる。しかしながら、上述した構造により、PDの受光面積が2倍になっているので、集光能力の低下を補うことができる。
また、信号処理部16の処理によって、周囲の画素のデータを用いることにより、解像度の低下を実質的に補うことができる。
[固体撮像素子の構成]
図7を参照して本発明の第2実施の形態の撮像素子を述べる。
図7において、第1実施の形態と同様、Gr画素とGb画素を構成することはもとより、B画素とR画素も、G画素と同様に、縦方向に2倍のサイズに拡大する。
その結果、第2実施の形態の撮像素子は、第1実施の形態の構成で得られた上述した効果を、B画素とR画素にも適用される。すなわち、全ての画素から、第1実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、信号処理部16の処理によって、周囲の画素のデータを用いることにより、解像度の低下を実質的に補うことができる。
[固体撮像素子の構成]
図8(A)、(B)を参照して本発明の撮像素子の第3実施の形態を述べる。
図8(A)は、複数の画素の配列を示す図であり、図8(B)はその一部の拡大図である。
素子分離を介して横方向に隣接している、Gr画素とGb画素とは、1つの大きなカラーフィルタ(CF)を用いて形成することができる。
第3実施の形態は、画素共有方式の利点である配線の自由度を駆使した実施の形態を示しており、G(GrとGb)画素の上に配線が通らないという構造を用いることが可能となる。
その様子を、図8(A)における縦・横に走る配線として図解している。この場合、配線によってGr画素とGb画素との開口部分が塞がれないので、Gr画素とGb画素の開口面積を最大にすることが可能となる。
したがって、第3実施の形態の撮像素子は、感度とQsとがさらに向上する。
[固体撮像素子の構成]
図9を参照して本発明の第4実施の形態の撮像素子を述べる。
図9は、図1(A)、図2(A)に図解したBayer配列から、図5(A)、図6に図解したように、縦方向における上下の画素を反転した構成した撮像素子の実施の形態を示す。
第4実施の形態は、1個のR画素と1個のB画素に対して、6個のGr、Gb画素を配列した構成を持つ。
このように、Gr、Gbの画素の個数を、図1(A)に図解したBayer配列よりも多くすることにより、感度の向上を図ることができる。
[固体撮像素子の構成]
図10を参照して本発明の第5実施の形態の撮像素子を述べる。
図10は、第4実施の形態として述べた図9に図解の構造において、第2実施の形態として述べた図8に図解のように、Gr画素とGb画素の上を配線が通らない構造を採用した実施の形態の撮像素子の構成を図解する。
第5実施の形態の効果は、基本的に、図8に例示した第3実施の形態と同様である。
すなわち、同色のカラーフィルタ(CF)を4倍まで拡大させることが可能となる。その結果、CF上部におけるOCLを4画素分とることが可能となる。そうすることによって、OCLの集光能力を最大限にいかすことができるので、PD受光面での光スポットのサイズはさらに小さくなり、OCLで集光させて光をPD受光面まで全て集中させることができ、光の損失が生じない。その結果、感度とQsとが向上する。
[データの読み出し方法]
本発明の実施の形態における上下の画素を反転させた構造の撮像素子のデータの読み出し方法を述べる。
図11(A)はBayer配列の固体撮像素子におけるデータの読み出し方法を示したものである。図11(A)に図解したデータ読み出し方法は、コラムの順に、順次、画素のデータが読みだされる、ノン・インターレース方式と同じ方法を採用している。
コラム順に読みだされる画素のデータは、マルチプレクサを介して、データの読み出しの順番を制御することができる。
Gr、Gb画素が浮遊拡散部(FD)を共有しているため、従来のノン・インターレース方式では上下に共有されたフォトダイオードに蓄積された電荷を読みだすことができない。
本発明の実施の形態においては、たとえば、図3に図解した撮像装置10における信号処理部16に設けたマルチプレクサ(MUX)における処理を、図11(B)に示したように、図11(A)の従来のノン・インターレース方式の処理とは異なる処理を行う。
すなわち、本実施の形態においては、上下に共有されたフォトダイオードに蓄積された電荷を読みだすためには、インターレース方式の処理を適用することになる。
なお、最終のデータの出力は、図11(A)に図解した従来方法と同じになる。
(1)まず、偶数フィールド、たとえば、nと(n+2)のコラムに位置する画素の電荷を読みだす。
(2)次いで、奇数フィールド、たとえば、(n+1)と(n+3)のコラムに位置する画素に蓄積された電荷を読みだす。
以上の読み出しを反復する。
なお、上述した読み出し処理は、逆に行うこともできる。
信号処理部16において、このような方法でフォトダイオードに蓄積された電荷を読みだすことにより、偶数フィールドの(n+2)のコラムの画素の電荷が読みだされた後、空になったフォトダイオードに、残りの7.5fpsで電荷を蓄積することが可能となる。この期間にフォトダイオードに蓄積された電荷が次の7.5fpsの期間で読みだされる。
なお、上述した読み出し処理は、逆に行うこともできる。
このような1枚の画像データは、たとえば、撮像装置10の信号処理部16において、フレームメモリに記憶され、画像表示部18において撮像装置10によって撮像した画像として表示される。
次に、デ・モザイク処理方法について述べる。
デ・モザイク処理方法には種々の方法が知られているが、基本的な方法は、周囲の画素が持っている情報からGr画素が持っていると思われる青や赤の信号を生成することである。
図12(A)に従来のデ・モザイク処理方法を図解し、図12(B)に本実施の形態のデ・モザイク処理方法を図解する。
図12(A)に図解のように、たとえば、3×3画素の処理の場合には真ん中のGr画素は、周辺に位置するGb画素、B画素およびR画素から、Gr画素のRとBを生成している。
また図12(B)に図解した本実施の形態の処理方法は、図12(A)に図解した処理に比べて、上下画素が同じ信号量を持つであろうと推察できる隣接画素の特性よりも比較的良好な情報を得ることが可能である。
また、図12(B)において、黒線で囲んだGr画素とGb画素は同じ情報を持つ場合と持たない場合とがある。本実施の形態においては、そのGr画素とGb画素の信号量に基づいて輪郭補正を行うことが容易になる。つまり、図12(A)に図解した処理よりも、本実施の形態の図12(B)に図解した処理は、上述したように、Gr画素とGb画素とが強い相関を持っていることから、デ・モザイク処理も比較的簡単に行うことができる。
(1)同色画素間のカラーフィルタ(CF)を1個にすることにより、CFの占める面積が画素のサイズの2倍になる。従来の固体撮像素子と比較すると、CFの上に形成するOCLまたは集光構造よりも、その大きさが2倍になったことにより、CFの上に形成するOCLあるいは集光構造の集光能力を向上させることができる。
(2)上述した構成において、上下画素間のフォトダイオード(PD)を繋ぐことにより、実効的なPDの面積が2倍になる。PDの面積が2倍になることにより、CFの上のOCLあるいは集光構造の集光能力が十分でもない場合ても、PD受光面で受光する光スポット(入射光量)が多くなる。
(3)データの読み出し方法、あるいは、デ・モザイク処理を工夫することにより、Bayer配列のRGB(赤、緑、青)と同様な処理が可能である。さらに、上下に繋がったフォトダイオードにより、これらの相関関係も適用することにより、比較的容易な信号処理が可能となる。
(4)画素共有方式において、配線の引回しを工夫することにより、OCLあるいは集光構造を画素サイズの4倍まで拡大することが可能となる。その結果、OCLあるいは集光構造の集光効率を最大限まで向上させることができる。
(5)電荷の読み出し方法は、インターレース方式を適用するが、その結果は、ノン・インターレース方式と代わらない。すなわち、読みだされた電荷の順序は、従来と同じであり、本実施の形態の撮像素子を用いたことによって、たとえば、信号処理部16における信号処理を変更する必要はない。
(1)同じ画素サイズの画素間共有方式において、オンチップレンズ(OCL)や集光構造を見直す。それにより、フォトダイオード(PD)受光面での光スポットサイズを小さくし、かつ、その光スポットをフォトダイオード内に全部取り込む。
(2)まず、PD受光面での光スポットサイズを小さくするためには、OCLや集光構造の集光の能力を上げる必要がある。そのため、画素サイズよりも口径の大きなOCLや集光構造をPD受光面の上部に作り、これら集光能力を最大限に向上させる。
(3)また、PD受光面での光スポットサイズが大きくなってもPD受光面でその光スポットを全部取り込める構造とする。そのため、画素間共有方式において同じOCLや集光構造を有する画素間を繋ぐことにより、実効的なフォトダイオードの面積(PD受光面の面積)を拡大させ、光の損失を低減させ、微細画素においても光の損失を無くす。
を実現した結果、固体撮像素子の感度とQsを向上させることができた。
Claims (15)
- 第1緑画素と第2緑画素とが当該画素に蓄積された電荷を読みだす方向の第1方向に隣接して配置され、
第1方向と直交する第2方向における前記第1緑画素と第2緑画素の寸法を、第1方向における前記第1緑画素と第2緑画素の寸法の2倍に形成した、
撮像素子。 - 第1緑画素と第2緑画素とが第1方向に隣接して配置され、
前記第1方向と直交する第2方向における前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素の一方の側に、画素内の電荷蓄積手段から電荷を取り出す第1電荷取出部を挟んで、第1赤画素と第2青画素が配置され、
前記第1方向と直交する第2方向における前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素の他方側に、画素内の電荷蓄積手段から電荷を取り出す第2電荷取出部を挟んで、第2赤画素と第2青画素が配置され、
前記第2方向における前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素の寸法が、前記第1方向の寸法の少なくとも2倍ある、
ように構成された、複数の赤、青、緑の画素を有する、
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素に共通に使用する寸法の緑カラーフィルタが形成されている、
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記第1赤画素と第2青画素、および、前記第2赤画素と第2青画素の前記第2方向の寸法が、前記第1方向の寸法の2倍ある、
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記隣接する第1緑画素と前記第2緑画素に共通に使用する寸法の緑カラーフィルタが形成されている、
請求項4に記載の撮像素子。 - 入射光から見て、前記カラーフィルタの前段に集光手段が形成されている、
請求項1〜5のいずれかに記載の撮像素子。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の撮像素子において、
前記第1緑画素、第2緑画素の配列位置を回避して、第1方向配線及び第2方向配線が形成されている、
撮像素子。 - 前記第1方向において、前記隣接する第1の1対の第1緑画素と第2緑画素と、当該隣接する第1の1対の第1緑画素と第2緑画素に隣接する第2の1対の第1緑画素と第2緑画素との間に第1の配線が形成され、
前記第2方向において、前記隣接する第1緑画素と第2緑画素と一方の側で隣接する前記第1赤画素と第2青画素との間、および、前記隣接する第1緑画素と第2緑画素と他方の側で隣接する前記第1赤画素と第2青画素との間に、それぞれ第2の配線が形成されている、
請求項7に記載の撮像素子。 - 第1方向に2個の第1緑画素が隣接して配置され、第1方向と直交する第2方向において当該2個の第1緑画素と隣接して赤画素と第1緑画素が配置され、
前記2個の第1緑画素と隣接し、前記赤画素と第1緑画素と対向する側の前記第1方向に、2個の第2緑画素が隣接して配置され、第2方向において当該2個の第2緑画素と隣接して赤画素と第2緑画素が配置されている、
請求項8に記載の撮像素子。 - 1対の第1緑画素と第2緑画素とが電荷読み出し方向の第1方向に隣接して配置され、かつ、第1の1対の第1緑画素と第2緑画素と隣接させて、第2の1対の第1緑画素と第2緑画素とを隣接させて配置し、
前記第1方向と直交する第2方向において、前記第1の1対の第1緑画素と第2緑画素と隣接させて第2の1対の第1緑画素と第2緑画素とを隣接させた位置の間に相当する位置に、第3の1対の隣接する第1緑画素と第2緑画素を配置させ、
前記第1の方向において、当該第3の隣接する第1緑画素と第2緑画素の両側にそれぞれ、前記第2方向において隣接する赤画素と青画素とを配置し、
前記第1の方向において、前記第2方向において隣接する第1の1対の第1緑画素と第2緑画素と、第3の1対の第1緑画素と第2緑画素との間に第1の配線が形成され、
前記第2方向において、前記隣接する第1緑画素と第2緑画素の周囲に第2の配線が形成されている、
撮像素子。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の撮像素子について、
前記撮像素子における電荷蓄積手段に蓄積された電荷は、電荷読み出し方向と直交する第2方向において、
読み出し期間の第1の半分の期間において、奇数フィールドの電荷蓄積手段に電荷の蓄積が行われ、残りの第2の半分の期間において奇数フィールドの電荷蓄積手段に蓄積された電荷が読みだされ、
読み出し期間の第1の半分の期間において、偶数フィールドの電荷蓄積手段に蓄積された電荷の読み出しが行われ、残りの第2の半分の期間において偶数フィールドの電荷蓄積手段に電荷の蓄積が行われる、
電荷読み出し方法。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の撮像素子に接続され、
前記撮像素子における電荷蓄積手段に蓄積された電荷は、電荷読み出し方向と直交する第2方向において、
読み出し期間の第1の半分の期間において、奇数フィールドの電荷蓄積手段に電荷の蓄積が行われ、残りの第2の半分の期間において奇数フィールドの電荷蓄積手段に蓄積された電荷が読みだされ、
読み出し期間の第1の半分の期間において、偶数フィールドの電荷蓄積手段に蓄積された電荷の読み出しが行われ、残りの第2の半分の期間において偶数フィールドの電荷蓄積手段に電荷の蓄積が行われる、
電荷読み出し装置。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の撮像素子について、
前記第1緑画素及び第2緑画素の周辺に配列された画素の電荷を用いて、デ・モザイク処理を行う方法。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の撮像素子に接続され、
前記第1緑画素及び第2緑画素の周辺に配列された画素の電荷を用いて、デ・モザイク処理を行う装置。 - 請求項1〜10に記載の撮像素子と、
請求項12に記載の電荷読み出し装置と
を有する撮像装置。
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