JP2011003680A - 電子回路封入装置 - Google Patents

電子回路封入装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011003680A
JP2011003680A JP2009144850A JP2009144850A JP2011003680A JP 2011003680 A JP2011003680 A JP 2011003680A JP 2009144850 A JP2009144850 A JP 2009144850A JP 2009144850 A JP2009144850 A JP 2009144850A JP 2011003680 A JP2011003680 A JP 2011003680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
multilayer wiring
base member
electronic circuit
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009144850A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5256128B2 (ja
Inventor
Toshikazu Shigyo
俊和 執行
Enjo Tsuyuno
円丈 露野
Shiro Yamashita
志郎 山下
Kaoru Uchiyama
薫 内山
Hiroshi Kameyama
博史 亀山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority to JP2009144850A priority Critical patent/JP5256128B2/ja
Publication of JP2011003680A publication Critical patent/JP2011003680A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5256128B2 publication Critical patent/JP5256128B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

【課題】本発明の目的は、電子回路封入装置において、ヒートシンクによる別部材を設けることなく、一枚のベース部材のみで封止樹脂によるフルモールド構造を達成し、放熱性の向上,気密性の向上,小型化を提供することである。
【解決手段】ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くした特徴とする。
【選択図】 図3

Description

本発明は、電子部品と基板を封止樹脂により封入した電子回路封入装置に係り、特には、車載用の電子回路装置のように外形サイズが比較的大きく、発熱が大きいとともに、高温,油中,振動環境下で使用される電子回路封入装置に関する。
従来、外形サイズが比較的小さく、発熱が小さいモールドパッケージ型ハイブリッドICでは、リードフレーム本体の中央部に実装されるべき回路基板の回路形成部を避けるように任意の幅を有する台座枠と、台座枠の周囲四辺のうち少なくとも一辺を一部又は全周に渡って適度な角度に立ち上げて曲げてなる屈曲部と、台座枠の外周部に複数個の支持部によりリードフレーム本体に接続してなるリードフレームとを設け、回路部品を両面に搭載した回路基板を台座枠に搭載し、回路基板とリードフレーム電極部とをワイヤボンドで接続し、モールド樹脂で封止するようにした構造として、特許文献1が知られている。
また、集積回路基板の配線とそのリード端子とを接続して表面実装型の樹脂シールパッケージで封止して成る半導体装置では、集積回路基板に接続するリード端子とは別体であって、集積回路基板の絶部裏面にて固着された幅広部を有するリードフレームを1又は2以上用い、その幅広部に電子部品等を固着し、集積回路基板及びリードフレームを樹脂封止してなる構造として、特許文献2が知られている。
さらに、配線基板と配線基板の一面側に搭載された電子部品と、電子部品および配線基板の一面側を封止するモールド樹脂を備える電子装置では、配線基板における一面とは反対側の他面側には、ヒートシンクがその一面を対向させて設けられており、ヒートシンクにおける一面とは反対側の他面が露出するように、モールド樹脂により封止されており、ヒートシンクにおいては他面から一面に貫通する貫通穴が形成された構造として、特許文献3が知られている。
外形サイズが比較的大きく、発熱が大きいとともに、高温,油中,振動環境下で使用される自動車用電子回路装置では、電子回路素子を載置した回路基板からなる電子回路と、電子回路を搭載するリードフレームと、リードフレームの一部に設けられたフランジ部と、リードとを備え、電子回路とリードとが電気的に接続され、このリード及びフランジの一部を除いて回路基板,リードフレーム,リード,フランジが一括してモールド樹脂に埋設され、かつリードフレームの中央付近の上面に回路基板より小面積で回路基板の中央部を支持する突起と回路基板の隅部を支える突起が形成されて、基板の裏面が接着される基板支持構造として、特許文献4が知られている。
特開平4−49650号公報 特開平8−130283号公報 特開2006−303217号公報 特許3553513号公報
解決しようとする問題点は、特許文献1の従来構造において、回路部品を両面に搭載した回路基板を、リードフレーム本体の中央部に実装されるべき回路基板の回路形成部を避けるように任意の幅を備える台座枠に搭載した構造であるため、電子部品の発熱を放熱する経路が設けられていない。特に、車載用の電子回路装置や高温環境下で使用される場合、基板に搭載された発熱の大きい電子部品を熱伝導率の高い部位に放熱する経路を設ける必要があった。さらに、熱伝導率の高い配線基板を採用する必要があった。
また、特許文献2の従来構造において、集積回路基板の絶部裏面にて固着された幅広部を有するリードフレームを1又は2以上用い、その幅広部に電子部品等を固着した構造であるため、リードフレームに搭載された電子部品の発熱は、熱伝導率の高いリードフレームに放熱できるが、基板に搭載された電子部品の発熱は、熱伝導率の高い部位に放熱する経路が設けられていない。さらに、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品については、ワイヤボンディングと多層配線基板のパターン設計の制約により、基板の中央部に搭載が必要であり、リードフレームの幅広部に搭載することが困難であった。よって、基板の中央に搭載された電子部品と、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品の発熱を熱伝導率の高い部位に放熱する必要があった。
特許文献3の従来構造において、電子部品の発熱を垂直方向に放熱するために、配線部材とは別のヒートシンクを備えた構造であるため、部品個数が多くなり、コストが高くなる問題があった。また、ヒートシンクを露出させてモールド樹脂により封止する片面モールド構造であるため、部品点数が多いと、異種材料の組合せによる線膨張係数差も大きくなり、モールド樹脂との界面剥離,クラック等が発生する問題があった。特に、外形サイズが比較的大きく、高温,油中環境下で使用される自動車用電子回路装置では、片面モールド構造は、配線基板とヒートシンクの反りが目立ち、異種材料による界面の面積が多いほど、ヒートシンクとモールド樹脂との界面剥離,クラック等が発生する問題があった。放熱性において、上記の界面剥離,クラック等の信頼性を損なうことで、ヒートシンクのサイズを大きくできないため、垂直方向にしか放熱できない問題があった。さらに、ヒートシンクに貫通穴を設けた構造であるが、貫通穴にモールド樹脂を充填する方向が一方向しかないため、成形性が悪く、ボイド等を発生させ、モールド樹脂による気密性を損なう問題があった。
特許文献4の従来構造において、リードフレームの中央付近と隅部の上面には、回路基板より小面積で回路基板の中央部と隅部を支持する突起がプレス加工により形成され、突起に回路基板の裏面が接着される基板支持構造をなしている。具体的仕様によれば、突起の外径は5mm、高さ1.44mmで、封止樹脂が充分に流入可能な空間を確保しているが、円形で囲まれたプレス成形のため、一方向しか開口されていないため、押出し部に封止樹脂の回り込みによる流れ難さがあり、微小ボイドとなる問題があった。また、上記のプレス成形は、絞り加工または張出し加工のため、リードフレームの材料特性(硬度,伸び率等)に制限があり、コストが高くなる問題があった。
さらに、自動車用のエンジンや変速機の電子回路封入装置は、車室内の居住スペースの増加や、エンジンルームのクラッシャブルゾーンの増加に伴い、エンジンや変速機が小型化されているため、電子回路封入装置の搭載できる場所も減り、ますます小型化する必要があった。
特許文献4の従来構造において、多層配線基板の両面に電子部品を搭載できない突起の高さであり、両面に電子部品を搭載できなくなる。よって、多層配線基板のサイズを小型化できない問題があった。
本発明は、チップ部品とパッケージ部品を混載した電子部品を両面に搭載した多層配線基板と、多層配線基板との接着部と複数のターミナル部を備えたベース部材と、接着部は電子部品と干渉しない窓部を設け、多層配線基板の上にベース部材を接着し、多層配線基板とターミナル部は細線ワイヤで電気的に接続され、ターミナル部の一部を露出させるよう封止材で覆った電子回路封入装置において、多層配線基板に搭載された発熱の大きい電子部品を熱伝導率の高い部位に放熱する経路を設けるため、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くした特徴とする。さらに、多層配線基板に搭載された発熱の大きい電子部品を熱伝導率の高い部位に放熱するため、ベース部材の橋渡し部と接着する多層配線基板に、サーマルビアを配置し、橋渡し部の真裏面側に発熱する電子部品を搭載する特徴とする。
さらに、反り面と橋渡し部の接着層を薄くするために、多層配線基板の片面側に橋渡し部と接着する反り面は導体を配置した特徴とする。また、多層配線基板の片面側に細線ワイヤと接続する導体のパッドを配置した特徴とする。
導体パターンの引き回しにより、基板の中央に搭載されるべき電子部品と、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品の発熱を熱伝導率の高い部位に速やかに放熱する経路を設けるため、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載し、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品の発熱を放熱する特徴とする。
部品個数において、ベース部材と別部材のヒートシンクを備えることなく、また、異種材料の組合せによる線膨張係数差も大きくさせることなく、さらに、ヒートシンクによる反りを発生させることなく、垂直方向の放熱経路のみではなく、水平方向に一枚のベース部材のみで、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くすることで、電子部品の発熱を放熱する特徴とする。
封止樹脂の成形性において、封止樹脂の充填を回り込み易くするには、封止樹脂を充填する方向が、一方向のみ開口されているヒートシンクの貫通穴ではなく、また、一方向のみ開口されている円形で囲まれたプレス成形(絞り加工または張出し加工)とすることなく、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設けた特徴とする。
ベース部材の材料において、絞り加工または張出し加工としないため、材料特性(硬度,伸び率等)に制限を設けることなく、安価な部材で、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設けた特徴とする。
小型化において、電子回路封入装置のサイズを小型化にするには、基板の両面に搭載する電子部品の領域を増やす必要があり、表面の面積を増やすために、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載する特徴とする。
本発明によれば、チップ部品とパッケージ部品を混載した電子部品を両面に搭載した多層配線基板と、多層配線基板との接着部と複数のターミナル部を備えたベース部材と、接着部は電子部品と干渉しない窓部を設け、多層配線基板の上にベース部材を接着し、多層配線基板とターミナル部は細線ワイヤで電気的に接続され、ターミナル部の一部を露出させるよう封止材で覆った電子回路封入装置において、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くすることで、速やかに電子部品の発熱を熱伝導率の高いベース部材に放熱することができる利点がある。さらに、ベース部材の橋渡し部と接着する多層配線基板に、サーマルビアを配置し、橋渡し部の真裏面側に発熱する電子部品を搭載することで、多層配線基板上に搭載される電子部品の放熱性を高めることができる利点がある。
また、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載することで、導体パターンの引き回しにより、基板の中央に搭載されるべき電子部品と、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品の発熱を熱伝導率の高い部位に速やかに放熱することができる利点がある。
ヒートシンクによる垂直方向のみの放熱経路ではなく、橋渡し部を介して、水平方向でベース部材全体に広げ、電子部品の発熱を放熱することができる利点がある。
一枚のベース部材のみで成形し、ベース部材と別部材のヒートシンクを備える必要がなくなり、部品点数を減らすことができる利点がある。また、部品点数を減らすことで、異種材料の組合せによる線膨張係数差を発生させない利点がある。さらに、外形サイズが比較的大きく、高温,油中環境下で使用される場合でも、露出する断面積と異種材料による界面の面積を少なくして、剥離,クラックを防止でき、気密性を向上できる利点がある。
封止樹脂の成形性において、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設けることで、封止樹脂を充填する方向に段差や曲げ加工等の突起がないため、封止樹脂の充填を回り込み易くできる利点がある。
ベース部材の材料において、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設けることで、曲げ加工,絞り加工,張出し加工より、材料特性(硬度,伸び率等)に制限を設けることなく、安価な部材で成形できる利点がある。
小型化において、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載することで、多層配線基板の表面に搭載する電子部品の領域を増やすことができ、電子回路封入装置のサイズを小型化できる利点がある。
本発明に係る電子回路封入装置の斜視図である。 本発明に係る電子回路封入装置の展開図である。 本発明に係る電子回路封入装置の要部断面図である。 本発明に係る電子回路封入装置の要部断面図である。 本発明に係る電子回路封入装置の要部断面図である。 本発明に係る電子回路封入装置の要部断面図である。
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例によって具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
図1は、本発明に係る電子回路封入装置を示す斜視図である。図2は、本発明に係る電子回路封入装置を示す展開図(トランスファーモールド成形前)である。図3は、本発明に係る電子回路封入装置を示す要部断面図である。
図1から図3に示すように、電子回路封入装置1は、電子部品5,多層配線基板4,ベース部材2,接着剤6,封止樹脂3を主な部材として構成されている。
電子部品5を搭載した多層配線基板4に、ターミナル部22とフランジ部21を有するベース部材2を、接着剤6を介して接着し、多層配線基板4とターミナル部22を電気的な接続をし、ターミナル部22とフランジ部21の一部を露出するように、封止樹脂3で覆った構成としている。
電子部品5は、チップ部品51やパッケージ部品52の混載であり、多層配線基板4の両面に搭載されている。チップ部品51は、CPUや電源ICなどで、多層配線基板4に半田あるいは導電性接着剤により固着されている。チップ部品51の電極部分と多層配線基板4の電気的な接続は細線ワイヤ53、例えば金ボンディングワイヤを用いて行われるが、半田ボールや金バンプ,導電接着剤等を用いたフリップチップ接続も用いることができる。パッケージ部品52は、抵抗,コンデンサ,ダイオードなどで、多層配線基板4に半田により固着されているが、導電性接着剤を用いた固定も可能である。特に、車載用のエンジンや変速機等を制御する電子回路封入装置1においては、電子部品5の数は、100個を超えるような比較的大きい規模の回路を形成され、比較的サイズや回路の小さい半導体装置や集積回路装置のようなサイズとは異なる。例えば、ヒートシンクを備えた半導体装置で、異種材料の線膨張係数差による歪を吸収できるような比較的小さいものとは異なる。
多層配線基板4は、特に限定されるものではなく、ガラス繊維とエポキシ樹脂の素材を用いたガラスエポキシ基板,アルミナ等の素材を用いたセラミック基板,ポリイミド等を用いたフレキシブル基板等,通常電子制御装置に用いられる配線基板であればよいが、電子部品5の両面実装,多層配線,コスト,反り易い性質より、ガラスエポキシ基板が好ましい。図示されない配線用の導体40でパターンが形成され、4層から8層程度の層数を備えている。また、金属コア層を用いたメタルコア基板であってもよい。多層配線基板4の構造は、スルーホールで層間の回路を接続する貫通多層板,Interstitial Via Hole(IVH)で層間を接続するIVH多層板,ビルドアップ工法により成形されるビルドアップ多層板等であってもよいが、実装効率とコストにより、IVH多層板が好ましい。板厚は、電子部品5の発熱を熱伝導率の高い部材へ速やかに逃がすため、薄い方が好ましい。また、層間を接続し、放熱するためのサーマルビア41を電子部品5の搭載領域周辺に設けている。
一般的に、配線基板は、片面側に導体40の体積を増やすと、反り易い傾向があるため、ベタパターン等の導体40を片面側に配置し、半円弧状に多層配線基板4を反らせる。反り面42の導体40は、GNDパターンのベタパターンが好適である。その最大の反り面42は、多層配線基板4の中央にあることが望ましい。反り面42は、ベース部材2の橋渡し部24と接着される。
ベース部材2は、フランジ部21,ターミナル部22,開口窓部23,橋渡し部24を主に備えている。ベース部材2の材料は、熱伝導率の良い銅、または銅系の合金材が好適である。
フランジ部21は、外部への取付け固定と熱の伝導パスとを兼用させるために備えている。
ターミナル部22は、ベース部材2の一部を切り離して形成されたターミナル(端子)であってもよいし、また異なった部材でもよい。図2は、封止樹脂3で覆う前の展開図である。ターミナル部22は、樹脂止め用タイバー26と外枠27に固定されている。樹脂止め用タイバー26と外枠27は、封止樹脂3による成形後に切断する。
ターミナル部22と外部の接続対象物(図示せず)を電気的に接続する場合には、ターミナル部22が外部対象物のハーネス・コネクタ、または端子に溶接等で接続される。
開口窓部23は、両面実装された多層配線基板4の裏面の電子部品5を避けるように、打ち抜き加工をしている。また、多層配線基板4をベース部材2に接着できるように、多層配線基板4と接着できる台座部25を残している。電子部品5を直接ベース部材2上に搭載できるようにしてもよい。細線ボンディングワイヤの本数が少ない場合は、直接ベース部材2上に搭載してもよい。
橋渡し部24は、ベース部材2の開口窓部23の一部より有し、橋渡し部24は多層配線基板4の表面と接着される接着面24aを備えている。一枚のベース部材2のみで成形する。図3では、橋渡し部24は、直線状に橋渡しをしているが、電子部品と干渉しなければ、直線でなくてもよい。橋渡し部24の位置は、電子部品5の搭載位置と干渉しない位置に設けるが、多層配線基板4の反りが最大となる中央部にあることが望ましい。
曲げ加工,絞り加工,張出し加工等の加工を用いずに成形でき、材料特性の硬度と伸びについての制約がなく、安価な部材を採用できる。
また、電子部品5の搭載領域を増やすために、橋渡し部24の形状を放熱性とのトレードオフにより幅や長さの形状を決めてもよい。
橋渡し部24は、発熱する電子部品5の数や電子部品5の配置により複数個設けてもよい。
橋渡し部24は、開口窓部23の一部より有していれば、フランジ部21に対して水平方向でも、垂直方向でも、斜め方向でも良い。
接着剤6は、多層配線基板4とベース部材2を固着できるものであれば何を用いても良いが、エポキシ樹脂,アクリル樹脂等の熱硬化性の樹脂組成物が、熱伝導率,応力緩和,作業の面で好適である。電子部品5のリフローと同時に、接着する場合は、半田や導電性接着剤でも可能である。接着剤6の塗布は、ベース部材2の橋渡し部24と台座部25に塗布し、電子部品5が両面に搭載された多層配線基板4を所定の位置に載せ、熱をかけて硬化させる。また、逆に多層配線基板4の所定位置(反り面42)に塗布し、ベース部材2の橋渡し部24と台座部25を載せ、熱をかけて硬化させてもよい。
多層配線基板4に搭載された電子部品5の発熱を熱伝導率の高いベース部材2に放熱する経路が形成される。接着剤の熱抵抗は、金属に比べ抵抗値が高いため、橋渡し部24の接着層が薄いほど、熱抵抗を下げることができる。熱抵抗が下がれば、放熱性を高めることができる。
接着後、多層配線基板4とターミナル部22とは、熱圧着,ワイヤボンディング法等でアルミ細線を介して電気的に接続されている。アルミの細線をワイヤボンディング接続するための表面部分には、表面が酸化されないように、ニッケルメッキ,銀メッキ等が部分的に施される。
封止樹脂3は、トランスファーモールド成形によって製作する。トランスファーモールド成形は、一般に封止樹脂3としてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用する。特に、線膨張係数の低い樹脂とし、内部部品を全体的に包む。また、封止樹脂3は、内部部品との密着力を常に保持するため、または、半田付け部やチップ部品51と多層配線基板4との細線ワイヤボンディング接続部等に熱応力によって剥れ及び断線が生じないようにするため、最適な物性値が選定される。
車載用の電子回路封入装置1では、使用時の熱応力繰り返しにより、封止樹脂3から露出しているベース部材2のターミナル部22あるいはフランジ部21と封止樹脂3の各々の密着界面からの水,油等の浸入が懸念されるため、ベース部材2と封止樹脂3との線膨張係数差を極力小さくし、さらに、フランジ部21とターミナル部22の露出する断面積を少なくし、それら部材間の熱応力を低減し、ベース部材2に粗化等の表面処理を施し、封止樹脂3との境界部分で共有結合させる。例えば、ヒートシンクを用いた片面モールド構造では、回路規模が大きく、外形サイズが比較的大きいエンジンや変速機等の車載用の電子回路封入装置1では、露出する断面積と界面の面積が増えるため、異種材料の線膨張係数差による熱応力より、剥離,クラックが発生し、気密性を損なう。
トランスファーモールド成形後、ベース部材2の樹脂止め用タイバー26と外枠27を切断し、複数の独立したターミナル部22を形成するとともに、電子回路封入装置1が完成する。
放熱経路において、電子部品5の発熱の一部は、多層配線基板4に両面に搭載された電子部品5の表面から封止樹脂3の熱伝導で上部あるいは下部に放熱される。主な放熱経路は、電子部品5の発熱を半田または導電性接着剤を介して多層配線基板4に伝導し、多層配線基板4の配線パターンあるいはサーマルビア41により拡散し、ベース部材2の橋渡し部24あるいは台座部25と封止樹脂3に伝導して、開口窓部23周囲の平面方向にフランジ部21を経由して、フランジ部21と結合される外部の相手材(電子回路封入装置の取付け位置)に放熱する。要するに、垂直方向に伝導するだけでなく、水平方向の周囲に拡散することができる。よって、電子部品5の温度上昇を低減することができる。
本実施例によれば、電子回路封入装置において、ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くすることで、速やかに電子部品の発熱を熱伝導率の高いベース部材に放熱することができる。また、垂直方向に伝導するだけでなく、水平方向の周囲に拡散することができる。さらに、一枚のベース部材のみで成形を達成でき、ベース部材と別部材のヒートシンクを備える必要がなくなり、部品点数を減らすことができる。また、部品点数を減らすことで、異種材料の組合せによる線膨張係数差を発生させないことができる。さらに、外形サイズが比較的大きく、高温,油中環境下で使用される場合でも、露出する断面積と異種材料による界面の面積を少なくして、剥離,クラックを防止できる。
図4は、本発明に係る電子回路封入装置1を示す要部断面図である。
多層配線基板4のベース部材2の橋渡し部24と接着する真裏面側に、発熱する電子部品5を搭載する。その電子部品5の搭載部には、サーマルビア41を設けている。また、その周辺に、電子部品5を複数搭載しても良い。
本実施例によれば、電子回路封入装置において、反り面と橋渡し部の接着層を薄いため、ベース部材の橋渡し部と接着する多層配線基板に、サーマルビアを配置し、橋渡し部の真裏面側に発熱する電子部品を搭載することで、速やかに電子部品の発熱を熱伝導率の高いベース部材に放熱でき、さらに放熱性を向上できる。
図5は、本発明に係る電子回路封入装置1を示す要部断面図である。
ベース部材2の橋渡し部24の上に発熱する電子部品5を搭載する。この電子部品5は、チップ部品51が好適である。橋渡し部24は、多層配線基板4の中央部にあるため、金線等の細線ワイヤ53を四方向に引き回すことができる。また、導体パターンの引き回しにより、多層配線基板4の中央に搭載されるべき電子部品5においても好適である。
本実施例によれば、電子回路封入装置において、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載することで、導体パターンの引き回しにより、多層配線基板の中央に搭載されるべき電子部品と、四方等に多数本のワイヤボンディングが必要な電子部品の発熱を熱伝導率の高い部位に速やかに放熱することができる。小型化において、ベース部材の橋渡し部の上に発熱する電子部品を搭載することで、多層配線基板の表面に搭載する電子部品の領域を増やすことができ、電子回路封入装置のサイズを小型化できる。
図6は、本発明に係る電子回路封入装置1を示す要部断面図である。
多層配線基板4の片面側に、細線ワイヤ53と接続する導体40のパッド43を配置する。パッド43は、ベース部材2のターミナル部22と電気的に接続する導体40である。
本実施例によれば、電子回路封入装置において、反り面と橋渡し部の接着層を薄くするために、多層配線基板の中で、橋渡し部と接着する反り面は導体を配置することで、多層配線基板の反り面がより反ることができ、接着層が薄くなり、より放熱性が向上できる。また、多層配線基板の片面側に細線ワイヤと接続する導体のパッドを配置することで、多層配線基板の反り面がより反ることができ、接着層が薄くなり、より放熱性が向上できる。
1 電子回路封入装置
2 ベース部材
3 封止樹脂
4 多層配線基板
5 電子部品
6 接着剤
21 フランジ部
22 ターミナル部
23 開口窓部
24 橋渡し部
24a 接着面
25 台座部
26 樹脂止め用タイバー
27 外枠
40 導体
41 サーマルビア
42 反り面
43 パッド
51 チップ部品
52 パッケージ部品
53 細線ワイヤ

Claims (4)

  1. チップ部品とパッケージ部品を混載した電子部品を両面に搭載した多層配線基板と、
    前記多層配線基板との接着部と複数のターミナル部を備えたベース部材と、
    前記接着部は前記電子部品と干渉しない窓部を設け、
    前記多層配線基板の上に前記ベース部材を接着し、前記多層配線基板と前記ターミナル部は細線ワイヤで電気的に接続され、前記ターミナル部の一部を露出させるよう封止材で覆った電子回路封入装置において、
    前記ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、前記反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、前記反り面に前記橋渡し部を接着し、前記反り面と前記橋渡し部の接着層を薄くした特徴とする電子回路封入装置。
  2. 請求項1において、
    前記ベース部材の前記橋渡し部と接着する前記多層配線基板に、サーマルビアを配置し、前記橋渡し部の真裏面側に発熱する電子部品を搭載する特徴とする電子回路封入装置。
  3. 請求項1または2において、
    前記ベース部材の前記橋渡し部の上に、発熱する電子部品を搭載する特徴とする電子回路封入装置。
  4. 請求項1から3のいずれかにおいて、
    前記多層配線基板の片面側に前記細線ワイヤと接続する前記導体のパッドを配置した特徴とする電子回路封入装置。
JP2009144850A 2009-06-18 2009-06-18 電子回路封入装置 Expired - Fee Related JP5256128B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009144850A JP5256128B2 (ja) 2009-06-18 2009-06-18 電子回路封入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009144850A JP5256128B2 (ja) 2009-06-18 2009-06-18 電子回路封入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011003680A true JP2011003680A (ja) 2011-01-06
JP5256128B2 JP5256128B2 (ja) 2013-08-07

Family

ID=43561420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009144850A Expired - Fee Related JP5256128B2 (ja) 2009-06-18 2009-06-18 電子回路封入装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5256128B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800659A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 三菱电机株式会社 树脂密封型电子控制装置及其制造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54158171A (en) * 1978-06-02 1979-12-13 Nec Corp Resin-sealed type semiconductor device
JPH01181450A (ja) * 1988-01-11 1989-07-19 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH03232257A (ja) * 1990-02-07 1991-10-16 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05267488A (ja) * 1992-03-24 1993-10-15 Ngk Insulators Ltd 電子装置用セラミックスパッケージ及び電子装置
JPH0661372A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Toshiba Corp ハイブリッドic
JPH06310633A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002261198A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Hitachi Ltd 自動車用電子回路装置及びそのパッケージ製造方法
JP2006100752A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2007043196A (ja) * 2006-10-10 2007-02-15 Hitachi Ltd 電子回路装置
JP2007266386A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp 電子装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54158171A (en) * 1978-06-02 1979-12-13 Nec Corp Resin-sealed type semiconductor device
JPH01181450A (ja) * 1988-01-11 1989-07-19 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH03232257A (ja) * 1990-02-07 1991-10-16 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05267488A (ja) * 1992-03-24 1993-10-15 Ngk Insulators Ltd 電子装置用セラミックスパッケージ及び電子装置
JPH0661372A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Toshiba Corp ハイブリッドic
JPH06310633A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002261198A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Hitachi Ltd 自動車用電子回路装置及びそのパッケージ製造方法
JP2006100752A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2007266386A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp 電子装置
JP2007043196A (ja) * 2006-10-10 2007-02-15 Hitachi Ltd 電子回路装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800659A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 三菱电机株式会社 树脂密封型电子控制装置及其制造方法
JP2012248602A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形電子制御装置及びその製造方法
US8717766B2 (en) 2011-05-26 2014-05-06 Mitsubishi Electric Corporation Resin-sealed electronic controller and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5256128B2 (ja) 2013-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11605609B2 (en) Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof
JP3846437B2 (ja) 自動車用コントロールユニット
EP1796163B1 (en) Semiconductor device and electronic control unit using the same
US7440282B2 (en) Heat sink electronic package having compliant pedestal
US7656015B2 (en) Packaging substrate having heat-dissipating structure
US20100013070A1 (en) Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same
US20090244848A1 (en) Power Device Substrates and Power Device Packages Including the Same
JPH0964099A (ja) 半導体装置及びその実装構造
JP2012524987A (ja) 吸収層を備える基板のためのカプセル化された回路装置及び該回路装置を製造する方法
JP2016502279A (ja) プラスチックで被覆された電子回路を備えた電子モジュールおよび該電子モジュールを製造する方法
CN1711639B (zh) 折叠的柔性无接合引线的多芯片功率封装
JP2008543055A (ja) バックサイド・ヒートスプレッダを用いる集積回路ダイ取り付け
WO2004112129A1 (ja) 電子装置
JP2008141140A (ja) 半導体装置
JP5222838B2 (ja) 制御装置
KR20010078059A (ko) 반도체 장치
JP2014154688A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20080073763A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP2058860A2 (en) Fully testable surface mount die package configured for two-sided cooling
JP5256128B2 (ja) 電子回路封入装置
JP5358515B2 (ja) 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置
JP5003730B2 (ja) 電子装置
JP2005332918A (ja) 電子装置
JP2008235492A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201330198A (zh) 半導體裝置及製造半導體裝置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110516

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110516

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120410

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5256128

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees