JP2011001213A - 亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法、及び亜酸化銅ナノ粒子分散溶液 - Google Patents

亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法、及び亜酸化銅ナノ粒子分散溶液 Download PDF

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Abstract

【課題】分散性が良好で結晶性の高いCuOを低コストで容易に得ることのできるCuOナノ粒子分散溶液の製造方法、及びCuOナノ粒子分散溶液を実現する。
【解決手段】酢酸銅(I )等の1価の銅を含有した銅化合物を特定アミン(例えば、ベンジルアミン、N−プロピルアミン)に添加し、溶媒(例えば、エタノール、2−メトキシエタノール、メタノール、ベンジルアルコール)に溶解させて銅原料溶液を作製し、次いで、界面活性剤と水とが疎水性溶媒(例えば、シクロヘキサン、ベンゼン)中に分散したW/O型のマイクロエマルジョン溶液中で、前記銅原料溶液を加水分解反応させ、CuOナノ粒子を生成する。
【選択図】図3

Description

本発明は亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法、及び亜酸化銅ナノ粒子分散溶液に関し、より詳しくはマイクロエマルジョン法を使用して作製された亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法、及び亜酸化銅ナノ粒子分散溶液に関する。
亜酸化銅(以下、「CuO」と表記する。)は、太陽電池、発光素子、非線形光学材料、触媒等、様々な用途での使用が期待されているが、これらの用途に活用するためには、CuO単相で良好な分散性を有し、結晶性の高いナノ粒子の合成が求められる。
この種のCuOの合成法としては、従来より、反応性スパッタリング法、電気化学法、熱分解反応法等、様々の方法が知られている。
反応性スパッタリング法では、放電ガス中、ターゲット物質であるCuと反応性ガスである酸素とを基板上で反応させてCuOを作製することが可能である。しかしながら、この反応性スパッタリング法では、反応系内の酸素分圧を制御することが難しいため、CuOの他にCuやCuO等の異相が形成され易く、高純度のCuOを作製するのは困難である。また、大規模なスパッタ装置を必要とするため、製造コストが高くなるという欠点もある。
また、電気化学法では、電解槽中での電解酸化によりCuOを作製することはできるが、粒子同士が凝集しやすく、粒度分布の制御も困難である。
さらに、熱分解反応法では、酒石酸銅を加熱して熱分解させ、これによりCuOを作製することができるものの、超微粒の10nm以下のCuOナノ粒子を得るのは困難である。
一方、超微粒のナノ粒子を得る方法としては、液相法の一種であるマイクロエマルジョン法が知られている。
このマイクロエマルジョン法は、疎水性溶媒、界面活性剤、及び水を混合させて油中水滴(water in oil;以下、「W/O」という。)型のマイクロエマルジョン溶液を作製し、このマイクロエマルジョン溶液中に原料を注入して加水分解反応を生じさせ、これにより超微粒子を得るようにしたものである。このマイクロエマルジョン法では、界面活性剤で包囲された水滴内での加水分解反応により超微粒子を生成しているので、粒度分布も比較的狭く、高純度の超微粒子材料を得ることができると考えられる。
そして、特許文献1では、界面活性剤−水−無極性有機液体系または界面活性剤−水−アルカノール−無極性有機液体系W/Oマイクロエマルジョン相に銅アルコキシドを添加し、銅アルコキシドの加水分解反応によりCuO超微粒子を製造している。
特開平4−164812号公報
特許文献1のようなCuOを作製する場合は、2価の銅原料を含有した銅アルコキシドを使用することにより、下記化学反応式(1′)に示すように、容易に加水分解反応が生じ、CuOを作製することができる。
Cu(OC2n-1)+HO →CuO+2C2n-1OH …(1′)
ここで、nは正の整数である。
一方、CuOは、2価のCu原料を使用した場合、作製するのが原理的に困難であり、化学反応式(2′)で示すように2価のCuを還元する必要がある。しかしながら、そのためには還元剤を添加し、かつ溶液のpHを適正値に調整する必要がある等、煩雑な工程が必要となる。
Cu2+ +e →Cu…(2′)
しかも、還元力を適切に調整しないと、数式(3′)に示すような反応が進行して金属銅(Cu)のナノ粒子が析出し、このためCuOを安定して大量生産するのが困難となる。
Cu2+ +2e →Cu +e →Cu…(3′)
しかも、この場合、還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウムやホスフィン酸ナトリウムのようにアルカリ金属を含む場合が多く、これらが不純物として混入するため、高純度のCuOナノ粒子を得るのは困難である。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、分散性が良好で結晶性の高いCuOを低コストで容易に得ることのできるCuOナノ粒子分散溶液の製造方法、及びCuOナノ粒子分散溶液を提供することを目的とする。
CuOの作製は、原理的には、1価のCuを含有したCu原料溶液を加水分解することにより可能である。また、この場合、2価のCuを含有したCu原料溶液に比べ、価数制御を容易に行うことができる上、還元剤添加による不純物混入を回避できることから、高純度のCuOナノ粒子を安定して生成できると考えられる。
しかしながら、1価のCuを含有する銅化合物(以下、銅化合物(I)と表記する。)、例えば酢酸銅(I)の粉末を溶媒に溶解させようとしても、溶媒に対する溶解性が乏しく、加水分解させるべきCu原料溶液を安定して作製するのが困難である。
そこで、本発明者が鋭意研究を行なったところ、銅化合物(I)に特定アミンを添加することにより、溶媒に対し良好な溶解性を有するCu原料溶液を得ることができるという知見を得た。そして、このCu原料溶液をW/O型マイクロエマルジョン溶液中で加水分解させることにより、平均粒径が10nm以下の単分散した高結晶性を有するCuOナノ粒子分散溶液を安定して合成できることが分かった。
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、銅化合物(I)に特定アミンを添加し、溶媒に溶解させてCu原料溶液を作製し、次いで、界面活性剤と水とが疎水性溶媒中に分散したW/O型のマイクロエマルジョン溶液中で、前記銅原料溶液を加水分解反応させ、CuOナノ粒子を生成することを特徴としている。
また、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記銅化合物(I)は、酢酸銅(I)であることを特徴としている。
また、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記特定アミンは水酸基を含有していないことを特徴としている。
さらに、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記特定アミンが、ベンジルアミン及びN−プロピルアミンのうちの少なくともいずれか一方であることを特徴としている。
また、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記銅原料溶液中の前記特定アミンの含有量は、モル比率で前記銅化合物(I)の3倍以上であることを特徴としている。
また、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記溶媒が、エタノール、2−メトキシエタノール、メタノール、ベンジルアルコールのいずれかを含むことを特徴としている。
さらに、本発明のCuOナノ粒子分散溶液の製造方法は、前記疎水性溶媒は、シクロヘキサン及びベンゼンのうちの少なくともいずれか一方であることを特徴としている。
また、本発明に係るCuOナノ粒子分散溶液は、上記いずれかに記載の製造方法を使用して作製されたことを特徴としている。
本発明のCuOナノ粒子の製造方法によれば、銅化合物(I)(例えば、酢酸銅(I))を特定アミン(例えば、ベンジルアミン、N−プロピルアミン)に添加し、溶媒(例えば、エタノール、2−メトキシエタノール、メタノール、ベンジルアルコール)に溶解させて銅原料溶液を作製し、次いで、界面活性剤と水とが疎水性溶媒(例えば、シクロヘキサン、ベンゼン)中に分散したW/O型のマイクロエマルジョン溶液中で、前記銅原料溶液を加水分解反応させ、CuOナノ粒子を生成するので、還元剤を要することなく、平均粒径が10nm以下の分散性が良好で結晶性の高い高純度のCuOナノ粒子を得ることができる。
また、室温撹拌のみで加水分解反応が進行するので、熱処理等のプロセスを必要とせず、極めて簡便に所望のCuOナノ粒子を得ることができる。
また、本発明のCuOナノ粒子は、上記製造方法を使用して製造されるので、CuOナノ粒子の量子サイズ効果によってバンドギャップエネルギーを制御できる。したがって、CuO薄膜を形成する際に窒素ドープのような複雑な工程を必要とすることなく、太陽電池や発光素子のような光デバイスの応用に適したCuOナノ粒子を低コストで得ることができる。
本発明の製造方法で作製されたCuOナノ粒子分散溶液の一実施の形態を模式的に示した正面図である。 図1の要部拡大図である。 本発明に係る分散溶液の製造方法を説明するための模式図である。 実施例1のTEM像である。 実施例1の制限視野電子回折像である。 実施例2のTEM像である。 実施例2の制限視野電子回折像である。 実施例3のTEM像である。 実施例3の制限視野電子回折像である。
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
図1は、本発明の製造方法により作製されたCuOナノ粒子分散溶液を模式的に示した正面図である。
すなわち、このCuOナノ粒子分散溶液は、CuOナノ粒子1が、界面活性剤2に包囲された形態で疎水性溶媒3中に分散浮遊しており、斯かる分散溶液4が、容器5に収容されている。
具体的には、図2に示すように、界面活性剤2は、主界面活性剤6と副界面活性剤7とを有している。
そして、主界面活性剤6は、疎水性基6aと親水性基6bとを有し、疎水性基6aは疎水性溶媒3に吸着され、親水性基6bは超微粒子であるCuOナノ粒子1に吸着されている。
ここで、主界面活性剤6としては、ポリオキシエチレン基((CHCHO)n)の部分で親水性を得ることができるポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル(APE(n))が使用され、特に、化学式HC(CHO(CHCHO)Hで示されるポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(NPE(n))が好んで使用される。
そして、APE(n)の側鎖長nを変更することにより、得られるCuOナノ粒子の平均粒径D50を制御することが可能となる。すなわち、側鎖長nの長さが長くなると、側鎖長nの長さが短いときに比べ、CuOナノ粒子の平均粒径D50は小さくなる傾向にある。これは、側鎖長nの長さが大きくなると親水性基も長くなることから、CuOナノ粒子1の生成に寄与する水滴への吸着力が強くなって水滴径がより小さくなり、その結果、生成されるCuOナノ粒子1の平均粒径D50も小さくなるためと考えられる。
このようにAPE(n)の側鎖長nの差を利用してCuOナノ粒子1の平均粒径D50を制御することが可能となる。したがって、側鎖長nの異なるAPE(n)を選択するのみでCuOナノ粒子の平均粒径D50を制御することが可能となる。
また、副界面活性剤7は、後述するマイクロエマルジョン作製時において、主界面活性剤6の親水性基6bの内部に入って水との界面エネルギーを低下させ、かつ、親水性基6bの側鎖長nによる立体障害を和らげる効果があり、これにより水滴の安定化に寄与する。そして、CuOナノ粒子1が生成される際には、主界面活性剤6の親水性基6bと共に、CuOナノ粒子1を包囲する形態でCuOナノ粒子1に吸着され、CuOナノ粒子1を疎水性溶媒3中に安定して分散させるのに寄与する。
このような副界面活性剤7としては、化学式C2m+1OH(ただし、mは4〜10)で表される中鎖アルコール、例えば、1−オクタノール(C17OH)を使用することができる。すなわち、炭素数mは、主界面活性剤6の親水性基6bの側鎖長nの長さにも依存するが、炭素数mが4未満では、親水性が上がり過ぎるため、マイクロエマルジョン作製時に、水滴内に溶解してしまい、このため副界面活性剤7が主界面活性剤6と水との界面のみに存在しなくなるおそれがある。一方、炭素数mが10を超えると疎水性が大きくなり過ぎたり、立体障害が大きくなったりするおそれがあり、好ましくない。
尚、疎水性溶媒3としては、シクロへキサン、ヘキサン、シクロペンタン、ベンゼン、オクタンなどの無極性炭化水素、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル等のエーテル類や、ケロシンなどの石油系炭化水素等を使用することができるが、これら疎水性溶媒3の中では、シクロヘキサン、ベンゼンを好んで使用することができる。
尚、CuOナノ粒子1が溶液中に分散していることは、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope; 以下、「TEM」という。)で直接視認したり、制限視野電子回折パターン等により確認することができる。
次に、上記CuOナノ粒子分散溶液の製造方法を詳述する。
(1)Cu原料溶液の作製
まず、銅化合物(I)を用意する。ここで、銅化合物(I)としては、後述するアミン添加により溶媒に溶解するものであれば、特に限定されるものではないが、高純度のCuOナノ粒子を得るためには、Clが不純物として混入し易い塩化銅(I)(CuCl)は好ましくなく、不純物の混入を極力抑制できる酢酸銅(I)(CuCHCOO)を使用するのが好ましい。
次に、銅化合物(I)を溶媒に溶解させるための特定アミンを用意する。
すなわち、銅化合物(I)としては、不純物の混入を抑制できる酢酸銅(I)を使用するのが好ましいが、この酢酸銅(I)は、溶媒に対する溶解性が低く、単に酢酸銅(I)の粉末を溶媒中に添加しても溶解せず、Cu原料溶液を作製するのが困難である。
しかるに、本発明者の研究結果により、酢酸銅(I)は、特定アミンを添加することにより、溶媒に対する溶解性を向上させることができ、これによりW/O型マイクロエマルジョン溶液中でCu原料溶液を容易に加水分解させ得ることが分かった。
そして、このような特定アミンとしては、例えば、ベンジルアミン、N−プロピルアミンを好んで使用することができる。
尚、銅化合物(I)を溶媒に溶解させるようなアミン類であっても、水酸基(−OH)を含有したアミン、例えば、2−アミノエタノール、2,2’−イミノジエタノール、2−メチルアミノエタノールを使用するのは、好ましくない。
すなわち、例えば、2−アミノエタノールに酢酸銅(I)を添加すると、化学反応式(1)で示す置換反応が生じる。
CuCHCOO +OHCHCHNH
Cu[OCHCHNH] +CHCOOH …(1)
この場合、水酸基(−OH基)のH原子が脱離してOCHCHNHがCuと結合し、かつN原子がCuと配位結合し、化学式(2)に示すようにキレ−ト環を形成する。
このようにOCHCHNHは、キレート環を形成してCuと強固に結合するため、加水分解反応が進行せず、CuOを得るのが困難となる。
これに対し水酸基(−OH)を含有しないベンジルアミンやN-プロピルアミンの場合は、アミンのN原子がCuと配位結合してCu錯体を形成する。そして、この配位結合は弱いため、水を添加すると容易に加水分解反応が起こり、これによりCuOを作製することができる。
すなわち、例えば、アミン類としてベンジルアミンを使用し、酢酸銅(I)をベンジルアミンに溶解させると、化学反応式(2)で示す反応が生じる。
CuCHCOO+CCHNH
→Cu[NHCH]+CHCOO…(2)
そして、これに水を添加すると、化学反応式(3)に示すように、Cu錯体が加水分解し、CuOが作製される。
2Cu[NHCH]+H
→CuO+2CCHNH+2H …(3)
このように銅化合物(I)に添加されるアミン類は、銅化合物(I)の陰イオンと置換してCu錯体を形成する必要があるが、このCu錯体は加水分解反応が十分に進む程度にCuと配位子の結合強度が弱いのが望ましく、そのためには水酸基を含まない特定アミンを使用するのが好ましい。
そして、銅化合物(I)に特定アミンを添加し、溶媒を加えて撹拌し、これによりCu原料溶液を作製する。
尚、特定アミンの添加量は、特に限定されるものではない。しかしながら、添加されたアミンの全量が銅化合物(I)の陰イオンと置換されないため、銅化合物(I)に対する添加量がモル比率で3倍未満になると、十分に置換されず、未反応の銅化合物が残存するおそれがある。このためアミンの添加量は3倍以上が好ましい。
ただし、モル比率が9倍を超えてアミンを添加しても、略全量の銅化合物(I)がアミンと反応しているため、アミンの添加量節減の観点からは、9倍以下が好ましい。
また、溶媒としては、アミン添加により銅化合物(I)が溶解し、かつ加水分解反応が生じるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、特定アミンとしてベンジルアミンを使用する場合は、エタノール、2−プロパノール、2−メトキシエタノール、メタノール、及びベンジルアルコールを使用することができ、特定アミンとしてN−プロピルアミンを使用する場合は、エタノール、2−メトキシエタノール、メタノール、及びベンジルアルコールを使用することができる。
(2)CuOナノ粒子分散溶液の作製
まず、疎水性溶媒3、界面活性剤2(主界面活性剤6及び副界面活性剤7)、及び水を容器5に入れて混合・撹拌すると、図3(a)に示すように、主界面活性剤6の疎水性基6aは疎水性溶媒3に吸着される一方、主界面活性剤6の親水性基6bは水に吸着され、さらに副界面活性剤7は主表面活性剤6の親水性基6bに入り込んで水との界面エネルギーが低下する。そしてその結果、水は超微小径の水滴8となって、界面活性剤2(主界面活性剤6及び副界面活性剤7)の内部に閉じ込められる。すなわち、水滴8は界面活性剤3に包囲されるような形態で、疎水性溶媒3中に分散し、これによりW/O型のマイクロエマルジョン溶液が形成される。
尚、界面活性剤2、及び水は、最終生成物であるCuOナノ粒子の平均粒径D50が10nm以下(好ましくは、5nm以下)となるように、例えば、水/界面活性剤がモル比率で0.005〜0.05となるように配合されている。
次に、上記(1)で作製されたCu原料溶液をマイクロエマルジョン溶液に滴下し、Ar雰囲気等の不活性雰囲気下、所定時間、撹拌混合する。するとCu原料溶液と水滴8との間で上述した化学反応式(3)で示すような加水分解反応が生じる。
すなわち、界面活性剤2で包囲された水滴8を反応場として加水分解反応が進行し、図3(b)に示すように、水滴8が消費されてCuOナノ粒子1が生成される。
このように上記CuOナノ粒子の製造方法によれば、酢酸銅(I)等の銅化合物(I)に、水酸基を含まないベンジルアミン、N−プロピルアミン等の特定アミンを添加し、エタノールやベンジルアルコール等の溶媒に溶解させてCu原料溶液を作製し、次いで、界面活性剤と水とがシクロヘキサンやベンゼン等の溶媒中に分散したW/O型のマイクロエマルジョン溶液中で、前記Cu原料溶液を加水分解反応させ、CuOナノ粒子を生成するので、還元剤を要することなく、平均粒径が10nm以下で分散性が良好で結晶性の高い高純度のCuOナノ粒子を得ることができる。
また、室温撹拌のみで加水分解反応が進行するため、熱処理等のプロセスを必要とせず、極めて簡便に所望のCuOナノ粒子を得ることができる。
さらに、作製されたCuOナノ粒子は量子サイズ効果によってバンドギャップエネルギーを制御できるため、CuO薄膜を形成する際に窒素ドープのような複雑な工程を必要とすることもない。
すなわち、従来、バンドギャップエネルギーを変化させる場合、通常、CuOへのNドープ等の手法により行っていた。
しかしながら、本実施の形態では、マイクロエマルジョン法でCuOナノ粒子を作製しているので、平均粒径の制御も容易である。そして、平均粒径が10nm以下になると、平均粒径の微小化に伴いバンドギャップエネルギーが大きくなるという量子サイズ効果により、バンドギャップエネルギーの制御も容易に行うことが可能となる。
したがって、従来のように窒素ドープのような複雑な工程を必要とすることもなく、太陽電池や発光素子のような光デバイスの応用に適したCuOナノ粒子を低コストで得ることができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、要旨の変更を伴わない限り、種々の変形が可能であるのはいうまでもない。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
銅化合物(I)として酢酸銅(I)を使用し、該酢酸銅(I)に種々のアミン類を添加した後、溶媒と混合し、酢酸銅(I)の溶解性を調査した。
具体的には、アミン類としてベンジルアミン、N−プロピルアミン、2−アミノエタノ−ル、2,2′−イミノジエタノ−ル、2−メチルアミノエタノ−ル、N−エチルジエタノ−ルアミン、2−ジエチルアミノエタノ−ル、2,2′,2″−ニトロトリエタノ−ルアミン、N−ブチルジエタノ−ルアミン、及び2−ジメチルアミノエタノ−ルを用意し、溶媒としてエタノール、2−プロパノール、プロパノール、2−メトキシエタノール、ブタノール、2−ブタノール、ヘキサノール、メタノール、及びベンジルアルコールを用意した。そして、酢酸銅(I)をこれらアミン類に添加し、その後、溶媒と混合し、酢酸銅(I)に対する溶解性を調査した。
表1はその測定結果を示す。表中、○印は酢酸銅(I)が溶解した溶媒であり、×印は酢酸銅(I)が溶解しなかった溶媒である。
この表1から明らかなように、アミン類として、N−エチルジエタノ−ルアミン、2−ジエチルアミノエタノ−ル、2,2′,2″−ニトロトリエタノ−ルアミン、N−ブチルジエタノ−ルアミン、及び2−ジメチルアミノエタノ−ルを酢酸銅(I)に添加しても、いずれの溶媒に対しても酢酸銅(I)は溶解しなかった。
これに対しアミン類として、ベンジルアミン、N−プロピルアミン、2−アミノエタノ−ル、2,2′−イミノジエタノ−ル、及び2−メチルアミノエタノ−ルは溶媒の種類によっては酢酸銅(I)を溶解し得ることが分かった。
〔実施例2−1〕
表1から明らかなように酢酸銅(I)は、ベンジルアミンを添加すると、エタノールに溶解する。そこで、〔実施例2−1〕では、ベンジルアミンとエタノールを使用して酢酸銅(I)溶液を作製した。
すなわち、酢酸銅(I)粉末40mgにベンジルアミンをモル比率で9倍となるように添加し、10mLのエタノ−ルを加えて数時間攪拌し、酢酸銅(I)溶液を作製した。
一方、疎水性溶媒としてシクロヘキサン、主界面活性剤として親水性基の側鎖長nが10のNPE(10)を用意し、副界面活性剤として1−オクタノールを用意し、さらに水を用意した。
そして、モル比率でシクロヘキサン:NPE(10):1−オクタノール:水=30:1.4:1.7:0.03となるように、これらを混合・撹拌し、これによりW/O型のマイクロエマルジョン溶液を作製した。
次に、上述した酢酸銅(I)溶液をマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌し、実施例2−1の試料を得た。
実施例2−1の試料をTEM用炭素膜付きCuメッシュに滴下して乾燥させ、TEMで観察した。
図4はそのTEM像である。
このTEM像から明らかなように、10nm程度のナノ粒子が作製されていることが分かった。
次いで、TEMを用いて制限視野電子回折像を撮像した。
図5は実施例2−1の試料の制限視野電子回折像であり、図5右上の挿図は、立方晶CuOの電子線回折パターンを示している。前記挿図の縦軸は電子線の回折強度(a.u.)、横軸は回折角2θ(deg)である。図中、(110)、(111)・・・はCuOの面指数を示している。
この制限視野電子回折像に示されるデバイリングの位置は、立方晶CuOの回折ピーク位置と一致する。したがって、試料中のナノ粒子は、立方晶CuOであることが確認された。
尚、この実施例2−1ではベンジルアミンにエタノ−ルを加えて酢酸銅(I)溶液を作製したが、有機溶媒として2−プロパノ−ル、2−メトキシエタノ−ル、メタノ−ル、ベンジルアルコ−ルを用いた場合も同様に、CuOナノ粒子分散溶液を作製できた。
〔実施例2−2〕
表1から明らかなように、酢酸銅(I)は、N−プロピルアミンを添加すると、ベンジルアルコールに溶解する。そこで、〔実施例2−2〕では、N−プロピルアミンとベンジルアルコールを使用し、〔実施例2−1〕と同様の方法・手順で酢酸銅(I)溶液を作製した。
すなわち、酢酸銅(I)粉末40mgにN−プロピルアミンをモル比率で9倍となるように添加し、10mLのベンジルアルコールを加えて数時間攪拌し、酢酸銅(I)溶液を作製した。
また、〔実施例2−1〕で作製したW/O型のマイクロエマルジョン溶液を用意した。
そして、上述した酢酸銅(I)溶液をマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌し、実施例2−2の試料を得た。
実施例2−2の試料についても、〔実施例2−1〕と同様、TEM観察を行ない、制限視野電子回折像を撮像した。
図6は実施例2−2のTEM像である。
このTEM像から明らかなように、10nm程度のナノ粒子が作製されていることが分かった。
図7は実施例2−2の試料の制限視野電子回折像であり、図7右上の挿図は、図5と同様、立方晶CuOの電子線回折パターンを示している。
この制限視野電子回折像に示されるデバイリングの位置は、実施例2−1と同様、立方晶CuOの回折ピーク位置と一致する。したがって、試料中のナノ粒子は、立方晶CuOであることが確認された。
尚、この実施例2−2では、N−プロピルアミンにベンジルアルコ−ルを加えて酢酸銅(I)溶液を作製したが、有機溶媒としてエタノ−ル、2−メトキシエタノ−ル、メタノ−ルを用いた場合も同様に、CuOナノ粒子分散溶液を作製できた。
〔実施例2−3〕
〔実施例2−1〕で作製した酢酸銅(I)溶液を用意した。
また、疎水性溶媒としてベンゼンを使用し、〔実施例2−1〕と同様の方法・手順でW/O型のマイクロエマルジョン溶液を作製した。
そして、上述した酢酸銅(I)溶液を、このマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌し、実施例2−3の試料を得た。
実施例2−3の試料についても、〔実施例2−1〕と同様、TEM観察を行ない、制限視野電子回折像を撮像した。
図8は実施例2−3のTEM像である。
このTEM像から明らかなように、10nm程度のナノ粒子が作製されていることが分かった。
図9は実施例2−3の試料の制限視野電子回折像であり、図9右上の挿図は、図5と同様、立方晶CuOの電子線回折パターンを示している。
この制限視野電子回折像に示されるデバイリングの位置は、実施例2−1と同様、立方晶CuOの回折ピーク位置と一致する。したがって、試料中のナノ粒子は、立方晶CuOであることが確認された。
〔実施例2−4〕
酢酸銅(I)粉末40mgにベンジルアミンをモル比率で3倍となるように添加した以外は、〔実施例2−1〕と同様の手順・方法で、実施例2−4の試料を得た。
この実施例2−4についても、TEM観察を行い、制限視野電子回折像を撮像したところ、〔実施例2−1〕と略同様の結果を得た。
〔比較例1〕
表1から明らかなように、酢酸銅(I)は、2−アミノエタノールを添加すると、エタノールに溶解する。そこで、〔比較例1〕では、2−アミノエタノールとエタノールを使用し、〔実施例2−1〕と同様の方法・手順で酢酸銅(I)溶液を作製した。
すなわち、酢酸銅(I)粉末40mgに2−アミノエタノールをモル比率で9倍となるように添加し、10mLのエタノ−ルを加えて数時間攪拌し、酢酸銅(I)溶液を作製した。
また、〔実施例2−1〕で作製したW/O型のマイクロエマルジョン溶液を用意した。
そして、上述した酢酸銅(I)溶液をマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌したが、緑色の不透明溶液が得られ、CuOナノ粒子分散溶液を得ることはできなかった。
これは、2−アミノエタノール(OHCHCHNH)が、酢酸銅(I)と反応する際、水酸基のHが脱離してCuと結合するが、N原子もCuと配位結合する。そして、OCHCHNHはキレート環を形成してCuと強固に結合するため、加水分解反応の進行が阻害されたためと思われる。
尚、表1から明らかなように、2−アミノエタノ−ルを用いた場合、2−プロパノ−ル、プロパノ−ル、2−メトキシエタノ−ル、ブタノ−ル、2−ブタノ−ル、メタノ−ル、ベンジルアルコ−ル等の溶媒に対し、酢酸銅(I)の粉末を溶解させることができるが、いずれの酢酸銅(I)溶液を用いても、CuOナノ粒子分散溶液を作製することはできなかった。
〔比較例2〕
表1から明らかなように、酢酸銅(I)は、2,2′−イミノジエタノールを添加すると、エタノールに溶解する。そこで、〔比較例2〕では、2,2′−イミノジエタノールとエタノールを使用し、〔実施例2−1〕と同様の方法・手順で酢酸銅(I)溶液を作製した。
すなわち、酢酸銅(I)粉末40mgに2,2′−イミノジエタノールをモル比率で9倍となるように添加し、10mLのエタノ−ルを加えて数時間攪拌し、酢酸銅(I)溶液を作製した。
また、〔実施例2−1〕で作製したW/O型のマイクロエマルジョン溶液を用意した。
そして、上述した酢酸銅(I)溶液をマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌したが、青色の不透明溶液が得られ、CuOナノ粒子分散溶液を得ることはできなかった。
これは、2,2′−イミノジエタノール((OHCHCHNH)は、比較例1と略同様の理由から、(OCHCHNHがキレート環を形成してCuと強固に結合するため、加水分解反応の進行が阻害されたためと思われる。
尚、表1から明らかなように、2,2′−イミノジエタノールを用いた場合、2−プロパノ−ル、プロパノ−ル、2−メトキシエタノ−ル、ブタノ−ル、2−ブタノ−ル、ヘキサノ−ル、メタノ−ル、ベンジルアルコ−ルにも酢酸銅(I)粉末を溶解させることができるが、いずれの酢酸銅(I)溶液を用いても、CuOナノ粒子を作製することはできなかった。
〔比較例3〕
表1から明らかなように、酢酸銅(I)は、2−メチルアミノエタノールを添加すると、エタノールに溶解する。そこで、〔比較例3〕では、2−メチルアミノエタノールとエタノールを使用し、〔実施例2−1〕と同様の方法・手順で酢酸銅(I)溶液を作製した。
すなわち、酢酸銅(I)粉末40mgに2−メチルアミノエタノールをモル比率で9倍となるように添加し、10mLのエタノ−ルを加えて数時間攪拌し、酢酸銅(I)溶液を作製した。
また、〔実施例2−1〕で作製したW/O型のマイクロエマルジョン溶液を用意した。
そして、上述した酢酸銅(I)溶液をマイクロエマルジョン溶液に添加し、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌したが、青色の不透明溶液が得られ、CuOナノ粒子分散溶液を得ることはできなかった。
これは、2−メチルアミノエタノール(OHCHCHNH(CH))は、比較例1と略同様の理由から、OCHCHNH(CH)がキレート環を形成してCuと強固に結合するため、加水分解反応の進行が阻害されたためと思われる。
尚、表1から明らかなように、2−メチルアミノエタノ−ルを用いた場合、2−プロパノ−ル、プロパノ−ル、ベンジルアルコ−ルにも酢酸銅(I)粉末を溶解させることができるが、いずれの酢酸銅(I)溶液を用いても、CuOナノ粒子を作製することはできなかった。
〔比較例4〕
酢酸銅(I)粉末40mgにベンジルアミンをモル比率で1倍となるように添加した以外は、〔実施例2−1〕と同様の手順・方法で、アルゴン雰囲気中で24時間、室温で撹拌したが、青色溶液又は黄色の不透明溶液が得られ、CuOナノ粒子分散溶液を得ることはできなかった。
これはベンジルアミンの添加量が少なく、しかも酢酸銅(I)はアミンの一部としか反応しないため、酢酸が十分にアミンと置換されなかったためと思われる。
平均粒径が10nm以下のCuOナノ粒子分散溶液を簡便に得ることができ、太陽電池や発光素子等の各種デバイスに利用することができる。
1 CuOナノ粒子
2 界面活性剤
3 疎水性溶媒

Claims (8)

  1. 1価の銅を含有した銅化合物を特定アミンに添加し、溶媒に溶解させて銅原料溶液を作製し、次いで、界面活性剤と水とが疎水性溶媒中に分散した油中水滴型のマイクロエマルジョン溶液中で、前記銅原料溶液を加水分解反応させ、亜酸化銅ナノ粒子を生成することを特徴とする亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  2. 前記銅化合物は、酢酸銅(I)であることを特徴とする請求項1記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  3. 前記特定アミンは水酸基を含有していないことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  4. 前記特定アミンは、ベンジルアミン及びN−プロピルアミンのうちの少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項3記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  5. 前記銅原料溶液中の前記特定アミンの含有量は、モル比率で前記銅化合物の3倍以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  6. 前記溶媒は、エタノール、2−メトキシエタノール、メタノール、ベンジルアルコールのいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  7. 前記疎水性溶媒は、シクロヘキサン及びベンゼンのうちの少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の亜酸化銅ナノ粒子分散溶液の製造方法。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の製造方法を使用して作製されたことを特徴とする亜酸化銅ナノ粒子分散溶液。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013144615A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 亜酸化銅粒子及びその製造方法
WO2014132606A1 (ja) 2013-02-27 2014-09-04 パナソニック株式会社 亜酸化銅粒子分散液、コーティング剤組成物及び抗菌・抗ウイルス性部材
KR20160021775A (ko) 2013-06-21 2016-02-26 닛신 엔지니어링 가부시키가이샤 아산화구리 미립자의 제조방법 및 아산화구리 미립자 및 도체막의 제조방법
JP2017088509A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 旭化成株式会社 抗菌性部材
CN108394927A (zh) * 2018-04-13 2018-08-14 唐山学院 一种形貌可控的纳米氧化铜的制备方法
CN112742388A (zh) * 2021-01-15 2021-05-04 新疆大学 一种有机污染物还原催化剂的制备方法
CN114835152A (zh) * 2022-05-14 2022-08-02 安徽纳洛米特新材料科技股份有限公司 一种工业化生产纳米氧化亚铜的方法
CN114853052A (zh) * 2022-05-26 2022-08-05 西安近代化学研究所 氧缺陷态氧化亚铜纳米燃烧催化剂、制备方法及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004313828A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Fuji Photo Film Co Ltd 金属化合物薄膜の形成方法および基板
JP2005523862A (ja) * 2002-04-25 2005-08-11 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ナノサイズの銅(i)化合物の製造
JP2008019461A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Fujifilm Corp 金属ナノ粒子の製造方法、金属ナノ粒子及び金属ナノ粒子分散物
JP2008282913A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Nippon Shokubai Co Ltd 酸化銅系半導体薄膜の製造方法および酸化銅系半導体薄膜
JP2009084678A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Samsung Electro Mech Co Ltd 銅系ナノ粒子の製造方法
WO2010078782A1 (zh) * 2009-01-09 2010-07-15 中兴通讯股份有限公司 语音监听方法以及接入网关

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005523862A (ja) * 2002-04-25 2005-08-11 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ナノサイズの銅(i)化合物の製造
JP2004313828A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Fuji Photo Film Co Ltd 金属化合物薄膜の形成方法および基板
JP2008019461A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Fujifilm Corp 金属ナノ粒子の製造方法、金属ナノ粒子及び金属ナノ粒子分散物
JP2008282913A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Nippon Shokubai Co Ltd 酸化銅系半導体薄膜の製造方法および酸化銅系半導体薄膜
JP2009084678A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Samsung Electro Mech Co Ltd 銅系ナノ粒子の製造方法
WO2010078782A1 (zh) * 2009-01-09 2010-07-15 中兴通讯股份有限公司 语音监听方法以及接入网关

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013144615A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 亜酸化銅粒子及びその製造方法
KR101748058B1 (ko) 2013-02-27 2017-06-15 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 아산화구리 입자 분산액, 코팅제 조성물 및 항균·항바이러스성 부재
WO2014132606A1 (ja) 2013-02-27 2014-09-04 パナソニック株式会社 亜酸化銅粒子分散液、コーティング剤組成物及び抗菌・抗ウイルス性部材
US20150351385A1 (en) * 2013-02-27 2015-12-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Cuprous oxide particle dispersion liquid, coating agent composition, and antibacterial/antiviral member
JP5919528B2 (ja) * 2013-02-27 2016-05-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 亜酸化銅粒子分散液、コーティング剤組成物及び抗菌・抗ウイルス性部材
US9414585B2 (en) 2013-02-27 2016-08-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Cuprous oxide particle dispersion liquid, coating agent composition, and antibacterial/antiviral member
KR20160021775A (ko) 2013-06-21 2016-02-26 닛신 엔지니어링 가부시키가이샤 아산화구리 미립자의 제조방법 및 아산화구리 미립자 및 도체막의 제조방법
JP2017088509A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 旭化成株式会社 抗菌性部材
CN108394927A (zh) * 2018-04-13 2018-08-14 唐山学院 一种形貌可控的纳米氧化铜的制备方法
CN108394927B (zh) * 2018-04-13 2019-11-08 唐山学院 一种形貌可控的纳米氧化铜的制备方法
CN112742388A (zh) * 2021-01-15 2021-05-04 新疆大学 一种有机污染物还原催化剂的制备方法
CN112742388B (zh) * 2021-01-15 2022-09-09 新疆大学 一种有机污染物还原催化剂的制备方法
CN114835152A (zh) * 2022-05-14 2022-08-02 安徽纳洛米特新材料科技股份有限公司 一种工业化生产纳米氧化亚铜的方法
CN114853052A (zh) * 2022-05-26 2022-08-05 西安近代化学研究所 氧缺陷态氧化亚铜纳米燃烧催化剂、制备方法及其应用

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