JP2010537947A5

JP2010537947A5 -

Info

Publication number: JP2010537947A5
Application number: JP2010524115A
Authority: JP
Filing date: 2008-09-02
Publication date: 2011-09-22

Claims

四フッ化ケイ素を含み、初期の塩化水素含有量を有しているガス流から、塩化水素を除去する方法であって、
前記方法は、前記ガス流を金属源に接触させる工程を含み、
前記金属は塩化水素と反応し、それによって前記ガス流から前記塩化水素を優先的に除去して、前記四フッ化ケイ素を含み且つ前記初期の塩化水素含有量の約９０％（ｖ／ｖ）以下に低減された塩化水素含有量を有する処理済みのガス流を提供する方法。
前記ガス流は、少なくとも約１００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記ガス流は、約１００ｐｐｍ〜約２５００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記金属は、少なくとも約９５％の除去効率を示すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
前記低減された塩化水素含有量は、前記初期の塩化水素含有量の約１０％（ｖ／ｖ）以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
前記金属源は、金属酸化膜、金属水酸化物、又はそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
前記金属は、約１．６５未満の電気陰性度を示すことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
前記金属は、亜鉛、マグネシウム及びそれらの組合せから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
前記金属源の前記表面積は、約８０ｆｔ^２／ｆｔ^３〜約６００ｆｔ^２／ｆｔ^３であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
前記ガス流は、約０．０５lb/hr×ft²〜約０．５lb/hr×ft² の速度で金属と接触することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
前記金属源の少なくとも一部は、約５００μｍ〜約５０００μｍの寸法範囲内にある粒子状物質の形態であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
前記金属源は、約３０％〜約８０％の気孔率を示すことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
前記ガス流を、前記金属源を含む層に接触させることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
前記層は、充てん層、流動床式又は移動床の形態であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
四フッ化ケイ素を含み、初期圧力と初期の塩化水素含有量とを有しているガス流から、塩化水素を除去する方法であって、
前記方法は、
前記初期圧力より高い圧力まで圧力を増加する１つ以上の圧力増加段階の間に、前記ガス流を圧縮する工程と、
前記ガス流を金属源に接触させる工程であって、それによって前記初期の塩化水素含有量の約９０％（ｖ／ｖ）以下に低減された塩化水素含有量を有する処理済みのガス流を提供する、接触させる工程と、
を含むことを特徴とする方法。
前記圧縮する工程は、前記ガス流を、少なくとも約１００ｐｓｉｇの第１の圧力増加段階にさらす過程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
前記圧縮する工程は、前記ガス流を、約１００ｐｓｉｇ〜約７００ｐｓｉｇの第１の圧力増加段階にさらす過程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
前記第１の圧力増加段階より前に、前記ガス流は、少なくとも約１００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の方法。
前記第１の圧力増加段階より前に、前記ガス流は、約１００ｐｐｍ〜約２５００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の方法。
前記圧縮する工程は、前記ガス流を、少なくとも約８００ｐｓｉｇの第２の圧力増加段階にさらす過程を含むことを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
前記圧縮する工程は、前記ガス流を、約１０００ｐｓｉｇ〜約１８００ｐｓｉｇの第２の圧力増加段階にさらす過程を含むことを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
前記第２の圧力増加段階より前に、前記ガス流は、少なくとも約１００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項２０又は２１に記載の方法。
前記第２の圧力増加段階より前に、前記ガス流は、約１００ｐｐｍ〜約２５００ｐｐｍの水分を有することを特徴とする請求項２０又は２１に記載の方法。
前記接触させる工程は、前記第１の圧力増加段階よりも前に起こることを特徴とする請求項１６乃至２３のいずれか１項に記載の方法。
前記接触させる工程は、前記第１の圧力増加段階と前記第２の圧力増加段階との間に起こることを特徴とする請求項２０乃至２４のいずれか１項に記載の方法。
前記接触させる工程中に前記金属は前記塩化水素と反応し、それによって前記四フッ化ケイ素を含み且つ低減された塩化水素含有量を有する処理済みのガス流を提供することを特徴とする請求項１５乃至２５のいずれか１項に記載の方法。
前記低減された塩化水素含有量は、前記初期の塩化水素含有量の約７０％（ｖ／ｖ）以下であることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
前記低減された塩化水素含有量は、前記接触させる工程の開始から約２分以内に達成されることを特徴とする請求項１乃至１４、２６及び２７のいずれか１項に記載の方法。
前記接触させる工程の間に、前記四フッ化ケイ素の約１％（ｖ／ｖ）以下が前記ガス流から除去されることを特徴とする請求項１乃至２８のいずれか１項に記載の方法。
前記金属は亜鉛であり、
前記金属源は、亜鉛、酸化亜鉛、水酸化亜鉛及びそれらの組合せから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
前記亜鉛は、前記塩化水素と反応して塩化亜鉛を生成することを特徴とする請求項３０に記載の方法。
前記金属はマグネシウムであり、
前記金属源はマグネシウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、及びそれらの組合せから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
前記マグネシウムは、前記塩化水素と反応して塩化マグネシウムを生成することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
前記接触させる工程は、約２５℃〜約９０℃の温度で行われることを特徴とする請求項１乃至３３のいずれか１項に記載の方法。
前記接触させる工程は約５０ｐｓｉｇ〜約１５００ｐｓｉｇの圧力で行われることを特徴とする請求項１乃至３４のいずれか１項に記載の方法。