JP2010536181A5

JP2010536181A5 -

Info

Publication number: JP2010536181A5
Application number: JP2010520332A
Authority: JP
Filing date: 2008-08-08
Publication date: 2012-09-27

Description

ここで図面を参照すると、同様の参照番号は、全体を通じて対応する部品を表す。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基板のミスカット上に成長した非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、該基板の該ミスカットは、該基板の非極性平面に対するミスカット角の角度に置かれた表面を提供し、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜成長の上部表面は、該表面に実質的に平行である、非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。
（項目２）
上記ミスカット角は、ｃ方向に向かう、項目１に記載の薄膜。
（項目３）
上記ｃ方向は、＜０００−１＞方向である、項目２に記載の薄膜。
（項目４）
上記基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）である、項目１に記載の薄膜。
（項目５）
＜０００−１＞方向に向かう上記ミスカット角は０．７５°以上、２７°未満であり、上記非極性面はｍ平面である、項目１に記載の薄膜。
（項目６）
上記上部表面は、上記非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の表面起伏を抑えるために、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する上記基板の上記ミスカット角を選択することによって決定される滑らかな表面形態構造を有する、項目１に記載の薄膜。
（項目７）
上記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、上記薄膜の上記上部表面上の１つ以上の起伏の平方自乗平均（ＲＭＳ）振幅高さが６０ｎｍ以下であるようなミスカット角である、項目６に記載の薄膜。
（項目８）
上記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、上記薄膜の上部表面上の１つ以上の起伏の最大振幅高さが１０９ｎｍ以下であるようなミスカット角である、項目６に記載の薄膜。
（項目９）
上記薄膜にＩＩＩ族窒化物発光層をさらに備え、上記ミスカット角は、該発光層へのインジウム含有を増加させるように選択され、その結果、該発光層によって放射された光のピーク波長は少なくとも４２５ｎｍに増加させられる、項目１に記載の薄膜。
（項目１０）
上記薄膜中にＩＩＩ族窒化物発光層をさらに備え、光のピーク波長は活性層を通過する入射電流に応答して該活性層によって放射され、該活性層の合金組成物、上記非極性平面、および上記ミスカット角は、該活性層の極性を減少させるように選択され、その結果、該ピーク波長は入射電流の範囲に対して０．７ｎｍのピーク波長内に一定のままである、項目１に記載の薄膜。
（項目１１）
上記電流の範囲は、上記放射された光の強度の範囲を生成し、該強度の範囲の最大強度は、該強度の範囲の最小強度の少なくとも３７倍である、項目１１に記載の薄膜。
（項目１２）
項目１の薄膜を用いて製作されたデバイス。
（項目１３）
上記デバイスは、該デバイスの成長に十分に滑らかな表面形態構造を有する、項目１の上記薄膜上に成長する、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
ＩＩＩ族窒化物薄膜を製作する方法であって、
非極性平面に対するミスカット角の角度に置かれた基板の表面である該基板のミスカットを提供することと、
該基板の該表面上にＩＩＩ族窒化物薄膜を成長させることであって、その結果、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜成長の上部表面は、該基板の該表面に実質的に平行である、ことと
を包含する、方法。
（項目１５）
光を生成する方法であって、
基板のミスカット上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜から光を放射することであって、該基板の該ミスカットは、非極性平面に対するミスカット角の角度に置かれた該基板の表面であり、該ＩＩＩ族窒化物薄膜成長の上部表面は、該基板に実質的に平行である、ことを包含する、方法。

Claims

基板のミスカット上に成長した非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、該基板の成長表面は、該基板の結晶面に対して配向角にあり、該成長表面上に成長した該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上部表面は、ｃ方向に向かう、該基板の非極性平面に対するミスカット角の角度に置かれることにより、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面において表面起伏を抑え、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面は、該基板の成長表面に実質的に平行である、非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。
前記ｃ方向は、＜０００−１＞方向である、請求項１に記載の薄膜。
前記基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）である、請求項１に記載の薄膜。
＜０００−１＞方向に向かう前記ミスカット角は０．７５°以上かつ２７°未満であり、前記非極性平面はｍ平面である、請求項１に記載の薄膜。
前記上部表面は、前記基板の前記ミスカット角を選択することによって決定される滑らかな表面形態構造を有し、該基板上に、前記非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の複数の表面起伏を抑えるために、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する、請求項１に記載の薄膜。
前記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、前記薄膜の前記上部表面上の１つ以上の起伏の平方自乗平均（ＲＭＳ）振幅高さが６０ｎｍ以下であるようなミスカット角である、請求項５に記載の薄膜。
前記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、前記薄膜の上部表面上の１つ以上の起伏の最大振幅高さが１０９ｎｍ以下であるようなミスカット角である、請求項５に記載の薄膜。
ＩＩＩ族窒化物薄膜を製作する方法であって、
該方法は、
基板のミスカットを提供することであって、該基板のミスカットは、非極性平面に対してミスカット角の角度に置かれた該基板の表面である、ことと、
該基板の該表面上にＩＩＩ族窒化物薄膜成長を成長させることであって、その結果、該ＩＩＩ族窒化物薄膜成長の上部表面は、該基板の該表面に実質的に平行である、ことと
を包含し、該上部表面は、該基板の該ミスカット角を選択することによって決定される滑らかな表面形態構造を有し、該基板上に、非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の複数の表面起伏を抑えるために、該非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する、方法。
前記ミスカット角はｃ方向に向かう、請求項８に記載の方法。
前記ｃ方向は、＜０００−１＞方向である、請求項９に記載の方法。
＜０００−１＞方向に向かう前記ミスカット角は０．７５°以上かつ２７°未満であり、前記非極性平面はｍ平面である、請求項８に記載の方法。
前記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、前記薄膜の前記上部表面上の複数の表面起伏の１つ以上の表面起伏の平方自乗平均（ＲＭＳ）振幅高さが６０ｎｍ以下であるようなミスカット角である、請求項８に記載の方法。
前記ミスカット角は、１０００マイクロメートルの長さにわたる、前記薄膜の上部表面上の複数の表面起伏の１つ以上の表面起伏の最大振幅高さが１０９ｎｍ以下であるようなミスカット角である、請求項８に記載の方法。