JP2010536066A - 間接表面清浄化のための装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1A
Description
本出願は、出願番号60/954、989を有する2007年8月9日出願の「間接表面清浄のための装置及び方法」という名称の米国特許仮出願に対する優先権を請求し、かつ出願番号12/055、178を有する2008年3月24日出願の「間接表面清浄のための装置及び方法」という名称の米国特許出願に関連し、それらの開示内容は、本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。
下記は、ウェーハ製作工程で使用されるフォトマスク基板からのヘイズ汚染物質の表面清浄に適用される本発明の一実施形態による方法の実施例である。この実施例は、説明する本発明の方法の付加的な実施形態を通して使用することができる。
ΔT〜F 式1
式中、ΔTは、材料内の温度変化であり、Fは、吸収されたレーザフルエンスである。
F〜E/r2 式2
式中、Fはフルエンスであり、Eはエネルギであり、rは、基板上のビームの半径である。
レーザのパルス幅、時間的パルス形状、及び空間分布は、本発明の実施形態による清浄処理を改善し又は処理のための安全な操作範囲を増大させるために使用することができる。より短いパルス幅は、システム(基板及び汚染物質)への全体的な熱入力をできるだけ小さくするために使用することができる。より長いパルス幅は、延長された期間にわたって処理温度を維持するために使用することができ、熱除去処理の完全性が改善される。時間的パルス形状は、汚染物質種内の温度上昇を制御するために使用することができる。長い温度上昇は、それに第2の効果(例えば、分解)が続くことになる初期効果(例えば、溶融)を生じるのに使用することができる。より短い上昇時間は、一部の事例では、汚染物質の蒸発を容易にし、一方で分解処理が制限される。短い時間的パルス形状と長い時間的パルス形状の組合せも、除去処理を最適化するために使用することができる。複数パルスの使用も、完全な清浄のために所望されるビームエネルギを低下させるのに使用することができ、それによって基板損傷の危険性が更に低減される。
本発明のある一定の実施形態は、熱ベースの処理を伴っているので、熱的に敏感であって容易に汚染される材料に対する損傷を回避するために、システムの全体温度を管理することが時には望ましい。これは、ペリクル除去のないフォトマスクヘイズ清浄の場合には、特に真である。ペリクル膜は、低い熱損傷閾値を典型的に有する。従って、ペリクル材料に伝達され、及び/又はそれを損傷する可能性がある全体的システム温度の蓄積を回避することが時には有用である。これは、ペリクルフレームと、マスク表面とペリクル膜の間の密閉環境とを含む。
本発明のある一定の実施形態によると、レーザ清浄方法は、汚染物質の分解生成物によってフォトマスク表面上に残留物質を生成させる場合がある。この残留物は、それがもはや基板材料の使用に影響を与えないとしても(すなわち、基板が有効に清浄化されているとしても)、それらの位置又は濃度を制御する理由が依然として存在する。清浄化される基板上への誘導空気流、水流の印加又は減圧の生成のような従来型の方法は、本発明のある一定の実施形態に従って使用することができる。しかし、例えば、ペリクル装着フォトマスクのような密閉システムの場合に対しては、これらの環境制御を使用することは通常好ましくない。従って、残留物質の位置を制御するための代替の方法を本発明のある一定の実施形態に従って閉鎖システムに対して使用することができる。例えば、本発明のある一定の実施形態により、レーザパルスのパターンが制御される。例えば、図10は、レーザパルス13のパターンが基板4の表面の中心で開始され、増大する直径の円形パターン又は増大する寸法の方形パターン23に向けられる実施形態を示し、残留物質は、図10に示すように基板の縁に向けて優先的に移動することになる。本発明のある一定の実施形態による残留物を制御する別の方法は、重力を利用することである。フォトマスクを図11Aに示すように表面を下に向けた状態か又は図11Bに示すように傾斜した位置24に置くことは、ペリクル膜又はフォトマスクの側部それぞれの上の残留物質の優先的沈積を可能にする。別の方法においては、本発明のある一定の実施形態に関連してレチクルを回転することができ(すなわち、スパン)、残留物質がマスク中心から離れて及び/又はレチクルの非アクティブ区域に移動される。更に、本発明のある一定の実施形態に従ってフォトマスク、ペリクル、ペリクルフレームのある一定の区域の温度を低下させると、これらの表面への残留物質の優先的沈積が生じ、それは、この物質が図8に示すように液体又は固体への気相からの転移から生成される可能性が高いからである。例えば、これらの冷却方法は、以下に限定されるものではないが、好ましい沈積区域内及び/又はその周囲における水流、他の流体流れ又は気体流、熱電冷却、又はレーザ誘起冷却を含むことができる。
本発明は、レチクル耐用年数を延長するために表面処理又は環境制御技術に関連して使用することができる。これらの技術の一部は、ペリクル装着の前の処理を必要とすることになるが、他のものは、ペリクル装着後に行うことができる。例えば、ペリクル装着前の本発明に関連した表面処理方法は、清浄間の時間を長くすることができる。これは、付加的な清浄(例えば、湿式清浄)を必要とする前に可能な本発明の方法の清浄化の限定された数がある時は重要である場合がある。本発明方法の一実施形態は、レチクルの非アクティブ区域内のペリクルの下に種晶又は他の核生成物質を置くことである。これらの種晶は、ヘイズのための優先的成長部位として機能することができる。これは、フォトマスクのアクティブ区域で利用可能な残留物及び前駆体の濃度を実質的に低下させることができ、これらの区域での成長速度が低下する。本方法の別の実施形態は、本発明の清浄方法によって遊離される残留物及び前駆体と反応し及び/又は中和する材料でマスクの表面を被覆することである。これは、有効な反応種を制限することによってマスク上のアクティブ区域内のヘイズ成長速度をこれも低下させることができる。
本発明のある一定の実施形態は、重要な処理パラメータをモニタし、及び/又は清浄処理の経過及び終了を評価するための計測法と組み合わせて使用することができる。基板材料の局所的発生温度の測定は、例えば、清浄処理と組み合わせて使用することができる。温度測定は、温度関連損傷の危険性を確認するために清浄処理の適用前に評価することができる。更に、これらの温度は、処理制御を確認し及び/又は材料損傷の危険性を低減するために清浄処理中にモニタすることができる。例えば、本発明のある一定の実施形態により、基板及び/又は吸収膜の温度は、処理中にモニタされ、望ましい処理を維持するために印加されるエネルギの制御をフィードバックする機能、又は過大な温度蓄積が検出された時に清浄処理を停止させる機能を有する。存在する温度モニタリングの複数の方法が図12に示されており、接触式の例えば熱電対26及び非接触式の例えば赤外線カメラ25技術が含まれる。
本発明の実施形態によるある一定の方法は、レーザ表面清浄処理を達成するのに使用される装置内に組み込まれる。こうした装置の実施例は、図15に示されており、基板材料を正確に位置決めするロボット先端部を用いた基板材料の取扱いのためのロボット35と、レーザビームに対して基板サンプルを位置決めする1つ又はそれよりも多くの運動軸に対するプラットフォーム34とを更に含む。装置は、例えば、上述の計測法のうちの1つ又はそれよりも多くを収容することができ、及び/又は清浄処理中の基板及び/又は隣接材料を制御するための手段を含むことができる。更に、装置は、基板をステージングシステムに対して、及び従ってレーザビームに対して位置合せするために使用される計測法を含むことできる。計測法は、コンピュータ制御画像認識システムも含むことができる。更に、装置は、レーザ、運動、及び/又は計測のコンピュータ制御も利用することができ、かつ清浄処理のソフトウエアベースレシピ制御を提供することができる。レーザ制御は、例えば、清浄処理中に何時レーザパルスを印加するかの制御、並びに印加されるエネルギの制御を含むことができる。
本発明のある一定の実施形態による方法及び/又は装置は、ペリクル装着フォトマスク表面からのヘイズ形成の除去を含む新規なウェーハ製作工程の一部として使用することができる。一般的に、フォトマスクは、ヘイズのレベルがウェーハ印刷処理に悪影響を及ぼす程になった時、ウェーハ印刷処理から取り出される。フォトマスクが取り出される時間は、高いレベルのヘイズ汚染物質の直接検出によるか又はウェーハ処理における所定の持続期間及び/又は使用レベルに基づいて典型的に判断される。一般的に、フォトマスクは、ペリクルを取り外し、フォトマスクを清浄化し、かつ別のペリクルをフォトマスクに取り付けるために異なる施設に送られる。これら他の施設(例えば、マスク工場)は、これらのタスクを達成すると共にウェーハ製作施設で要求されないフォトマスク修復及び付加的な検査を達成するのに必要な機器を維持している。典型的には、フォトマスクの複製された組が、フォトマスクを清浄化して新しいペリクルを取り付けるのに必要な時間の間に使用される。これらの追加フォトマスクは、必要とされる材料及び設定及び評価の高いコストのために、全体のウェーハ印刷処理に対して有意なコストを追加する。
2 励起エネルギ
3 汚染物質微粒子
4 基板
Claims (49)
- レーザ表面清浄化の方法であって、
表面上に汚染物質を有する基板にレーザを差し向ける段階と、
前記レーザを用いて前記基板の材料に第1の温度上昇をもたらす段階と、
前記基板材料における前記第1の温度上昇によって前記汚染物質に第2の温度上昇を誘起する段階と、
前記汚染物質の熱分解又は物理状態変化をもたらす段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記基板の温度が、該基板に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度が、該基板に対して配置された材料に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度が、該基板を組み込んだデバイス又は製品に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、1つ又はそれよりも多くの材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、少なくとも1つの薄膜層を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、基部基板の一部分が薄膜コーティングを持たないようにパターン化された薄膜層を含む1つ又はそれよりも多くの材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 乾式レーザ表面清浄方法であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、フォトマスクであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザの出力が、パルス駆動されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザの出力のパルス幅が変動することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、ペリクルによって部分的又は完全に密閉又は保護されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザは、前記基板に対して配置された材料を通るように向けられることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザの波長が、前記基板による該レーザのエネルギの吸収を可能にするように選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 異なる波長の1つ又はそれよりも多くのレーザ又は同調可能なレーザが利用され、それによって前記基板が少なくとも2つの材料から成る時に該基板の加熱を可能にすることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ヒートシンクが、冷却を可能にするために前記基板に隣接して位置決めされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、残留物質又は生成物質の影響を軽減するように物理的に操作されるか又は配向されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、対流を通じて冷却されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 1つ又はそれよりも多くの計測法が、清浄処理に関連して使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記レーザは、前記汚染物質における前記温度上昇に直接寄与することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基板上の表面汚染物質の影響を軽減する方法であって、
エネルギ源を使用して基板に第1の温度上昇をもたらし、これが、汚染物質に第2の温度上昇を誘起して該汚染物質の熱分解又は物理状態変化をもたらす段階、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記エネルギ源は、前記基板に対して外部にあることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記エネルギ源は、電磁エネルギ源であることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記エネルギ源は、レーザであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板の温度が、該基板に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板の温度が、該基板に対して配置された材料に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板の温度が、該基板を利用するデバイス又は製品に損傷又は悪影響が発生することになる温度よりも低く保たれることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板は、1つ又はそれよりも多くの材料から成ることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板は、薄膜層を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板は、基部基板の一部分が薄膜コーティングを持たないようにパターン化された薄膜層を含む1つ又はそれよりも多くの材料から成ることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板の表面が、乾いていることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板は、フォトマスクであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- ヒートシンクが、冷却を可能にするために前記基板に隣接して位置決めされることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 外部エネルギ源が、前記汚染物質における前記温度上昇に直接に寄与することを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 1つ又はそれよりも多くの計測法が使用されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記基板は、残留物質又は生成物質の影響を軽減するように物理的に操作されるか又は配向されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 基板上の表面汚染物質の影響を軽減する方法であって、
汚染された表面に対して配置された材料を通るようにエネルギ源を向けて基板に第1の温度上昇をもたらし、これが、汚染物質に第2の温度上昇を誘起して該汚染物質の熱分解又は物理状態変化をもたらす段階、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記エネルギ源は、前記基板表面に向けて集束されることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- エネルギが、電磁エネルギ源によって供給されることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記エネルギ源は、レーザであることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記レーザの出力が、パルス駆動されることを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記レーザのパルス駆動出力が、変動する幅のものであることを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記レーザの波長が、前記基板の表面による該レーザのエネルギの吸収を可能にするように選択されることを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記基板は、フォトマスクであることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記汚染された表面に対して配置された前記材料は、ペリクルのフレーム及び膜であることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記汚染された表面に対して配置された前記材料は、外部エネルギ源からのエネルギを吸収することを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記汚染された表面に対して配置された前記材料における温度上昇を低減するための手段が設けられることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記手段は、強制対流の形態であることを特徴とする請求項47に記載の方法。
- 前記基板は、残留物質又は生成物質の影響を軽減するように物理的に操作されるか又は配向されることを特徴とする請求項37に記載の方法。
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