JPH10506201A

JPH10506201A - フラットパネルデバイス基板の表面処理方法

Info

Publication number: JPH10506201A
Application number: JP8508946A
Authority: JP
Inventors: デイビッドジェイエリオット; リチャードエフホルマン; フランシスエムヤン; ダニエルケイシンガー
Original assignee: ユーブイテックシステムズインコーポレイテッド
Priority date: 1994-08-29
Filing date: 1995-08-29
Publication date: 1998-06-16
Also published as: WO1996006694A1; AU3460895A; EP0802835A4; EP0802835A1

Abstract

(57)【要約】製造過程のさまざまな時点でフラットパネルディスプレイ基板の表面処理を行う方法。この方法はフォトリソグラフィ工程の後にフォトレジストを除去する際などに必要である。また製造工程の最初にガラス基板を洗浄しておくことも必要である。この方法によって表面処理中にマスク（５４）を用いてカラーフィルタやポリイミド製のアライメント層などのデバイス中の層のパターニングができる。処理表面（２１）全体に高強度のパルス化された放射ビーム（１８）をあてる。同時に反応性ガス（２４）を表面に流し、ビームがこのガスにあたる。洗浄つまり物質除去工程では、放射ビーム（１８）が物質とガスとを反応させて気体生成物（２６）をつくる。この生成物は表面から離れていく。ポリイミドまたはスピンオン誘電体などでは、硬化工程時に放射ビーム（６０）がポリマーを架橋結合させる。同時に、流れるガス（６４）は架橋結合中に排出される種の反応と除去とを促進する。基板（７４）の処理は該基板を基板幅より広いビーム（６０）下で平行移動させて行うことができる。また表面の複数回走査か、または複数のビームを用いた走査によっても行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】フラットパネルデバイス基板の表面処理方法発明の背景本願は、米国特許出願０８／２９８，０２３（１９９４年８月２９日出願）の一部継続出願である。米国特許出願０８／２９８，０２３は、米国特許出願０８／１１８，８０６（１９９３年９月８日に出願後、放棄された）の一部継続出願である。この発明は、フラットパネルデバイス基板の表面処理方法に関する。フラットパネルディスプレイは、電気器具（アプライアンス）、パーソナルコンピユータ、及び英数字表示が用いられるその他の多くの領域において応用されている。技術の進歩により、フラットパネルディスプレイをＣＲＴの代わりに使用できるようになった結果、フラットパネルディスプレイの使用は着実に増加している。今日使用されているフラットパネルディスプレイのほとんどは液晶タイプである。図１に示されるように、液晶デバイスの断面は、２枚の電極層の間に挟まれた液晶２を含む。電極層４は通常、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電材料からなる薄膜、またはガラス基板６に形成される。この電極は、絶縁層８によって覆われて液晶へのアークを防ぎ、さらに、通常ポリイミドからなる配列層１０を設け、液晶分子を配向させる。互いに垂直方向を向いた偏向層１２がガラス基板の外側に設けられ、透過光を遮断する。電極に電圧が供給されると、これら電極の間に形成された液晶の領域が偏向面（plane of polarization）を回転させることにより、この領域において光がデバイスを通過する。電圧は、外部のコントローラ（図示せず）から供給され、適切な順序で選択された電極が帯電し、所望の英数字を表示する。フラットパネルディスプレイの組立プロセスにはいくつかの技術的問題がある。第一に、他の処理に先立って、ガラス基板またはＩＴＯ層をまずクリーニング（清浄）するという問題である。現在の清浄方法では多量の溶剤及び酸が用いられるが、これらは廃棄処理に費用がかかるとともにプレートの出荷及び保管中に蓄積するあらゆるタイプの汚染物を除去することができない。ウェットクリーニング用のデバイスも、大型で高価になりがちである。さらに、フォトリソグラフィックパターニングステップに続いて基板からフォトレジストを剥離する問題がある。この処理を行うには、プラズマアッシング（ plasma ashing）や溶剤リンス（solvent rinses）を含む複数の方法があるが、いずれも化学物質の使用のために費用がかったり、もしくは時間がかかるという問題がある。さらに別の問題としては、ポリイミド配列層及び電極の絶縁に用いられるスピンオン誘電体（spin-on dielectric）の両者の硬化の問題がある。現在使用されている方法には、時間浪費かつエネルギ消耗型のオーブンによる焼き付け処理が含まれる。さらに、デバイスの複数の層をパターニングする従来からのリソグラフィー技術を用いることにより、全体的な組立コストが大きく増す。パターニングすべき各層に対し、フォトレジストを供給して焼き付け前処理をし、レジストを現像して焼き付け後処理をし、エッチング処理の後にこれを剥がさなければならない。これら各ステップについて、高価なデバイスが要求されるとともに、製造フロアにかなりのスペースが必要である。概要本発明の一態様においては、フラットパネルディスプレイ基板の表面処理を特徴とする。この処理においては、反応物質（reactant）を含む移動性の流体を供給し、この流体の存在下でフラット基板の表面にパルス照射（pulsed radiation ）を供給することにより、表面修正反応を発生させる。本発明の実施においては、以下の特性が含まれる。表面修正反応は、表面を清浄するために材料の除去を含む。この表面はガラスまたはＩＴＯがよい。１００オングストローム以下のＩＴＯの薄膜を除去してもよい。除去される材料は、例えばオイルなどの有機膜などの粒子または膜、あるいは基板の汚染された層などである。表面修正反応は、表面の洗浄、材料の硬化、または材料のパターニングを含むことができる。照射源は、エキシマレーザでもよい。この照射源は、周波数が乗算された（frequency-multiplied）Ｎｄ：ＹＡＧレーザのような固体レーザ（solid state laser）でもよく、固体レーザでもよい。この照射は、光学的に先悦光に成形され、この先悦光が表面全体を走査するように、光学系と処理される表面との間でその相対運動が誘導される。この先悦光を用いてフォトレジストを硬化または焼き付けすることができる。処理される表面における照射のパルス強度は、２０ｍＪ／ｃｍ²から１０００ｍＪ／ｃｍ²の間である。ガラス表面の場合は、２００ｍＪ／ｃｍ²から１０００ｍＪ／ｃｍ²の間が好ましく、ＩＴＯの場合は、４００ｍＪ／ｃｍ²から１５００ｍＪ／ｃｍ²の間が好ましく、フォトレジストの場合は、１００ｍＪ／ｃｍ²から８００ｍＪ／ｃｍ²の間が好ましい。処理される表面または移動性流体は、加熱してもよい。処理される表面は、硬化されているスピンオン誘電体でもよい。この場合、表面における照射のパルス強度は１０ｍＪ／ｃｍ²から１００ｍＪ／ｃｍ²の間である。処理される表面は、硬化されているポリイミドを含むこともできる。汚染物を含むインジウム錫酸化物の層の厚みの一部を除去することにより洗浄が完成する。パターニングは、マスクを用いて選択された領域のみを処理することにより行ってもよい。マスクは表面から１０ｍｍ以内、または１０ｍｍ以上離して保持してもよい。このマスクの上方、またはマスクと表面の間に気体の流れを供給することができる。このマスクは、表面上に形成されるパターンの相似形の複製でもよい。マスクは、ビーム経路にまたはビーム経路から移動できるひとつ以上の不透明物体を含んでもよい。パターニングされる表面はポリイミドでもよく、流れる気体は酸化物を含んでもよい。パターニングされる表面は、カラーフィルタ層を含んでもよく、その場合は流れる気体は酸素またはオゾンなどの酸化物を含んでもよい。パターニングされる表面は、平坦化層（planarization layer）を含んでもよい。照射ビームは、表面上で二つ以上のビームに分光することができる。移動性流体は液体でもよい。一連の表面修正処理を行うが、ひとつの処理工程と次の処理工程の間で処理条件を変えてもよい。本発明は、以下のひとつ以上の効果を含む。まず、本発明の表面処理は幅広く応用でき、以下の処理を含むことができる。すなわち、フォトレジストの除去、粒子及び有機汚染物の除去、ＩＴＯ、ポリイミド及びカラーフィルタなどの様々なデバイス層に対する、マスクを用いたパターニング（すなわち、これらの層の選択された領域の除去）、ポリイミド及びスピンオン誘電体の硬化、後の処理のためにより良質の表面を得るための、汚染物を含むＩＴＯの薄層の除去などを含むことができる。また、除去すべき材料は、剥離（ablate）されるか、パルス照射により活性化されて、流れる気体と反応を起こし、この結果このガス流によって運び去られる気体反応物質だけが除去される。硬化などの他の方法で修正される材料は、パルス照射によって活性化されて所望の反応を起こすかまたは所望の反応を促す。一方、溶剤の蒸気など、反応中に生成された望ましくない副産物は、ガス流と反応するかまたはこれにより除去される。さらに、本発明により、デバイス及びその組立行程における改良の機会が与えられる。例えば、高温処理に代わって光化学による表面処理を用いることにより、デバイスにプラスチックの基板が利用できるので、結果としてコストを低減し、より優れた耐久性を得ることができる。その他の改良としては、費用がかかり複雑な従来のフォトリソグラフィックパターニングステップを、ステンシルまたはプロジェクションマスクを用いた光化学表面処理に置き換えることにより、特定のデバイス層のパターニングに要するコストを大幅に低減することができる。本発明のその他の効果及び特徴については、以下の説明及び請求の範囲から明らかである。発明の説明図１は、液晶ディスプレイデバイスの概略断面図である。図２は、フォトレジストまたは有機汚染物質を除去するための剥離及び反応メカニズムを示す工程図である。図３は、集束された先悦光を光学的に形成する工程図である。図４は、ビームによる基板表面全体の走査を示す工程図である。図５は、ステンシルマスクをビームと表面の間に配置した場合の走査処理を示す工程図である。図６は、表面の粒子及び汚染されたフィルムを洗浄するための走査処理工程図である。図７は、フラットパネルディスプレイに用いられる、ポリイミドまたはスピンオン誘電体などの薄膜の光化学による硬化処理工程図である。図８は、ステンシルマスクを表面から十分離して保持することにより、マスクと表面との間に気体が流れるようにした場合における、パターン化された除去処理工程図である。図９は、パターン化された材料除去におけるプロジエクションシャドウマスクを使用した工程図である。図１０は、パターン化された材料除去のための線形マスクを使用した工程図である。図１１は、反応体として流れる液体を用いた、光化学的表面処理工程図である。図１２は、フラットパネルディスプレイ基板からの、ＩＴＯ層の汚染された部分を除去する工程図である。図２において概略的に示されるように、ワークピース２１の表面上に供給された異物２０（外部から供給された物質）（foreign material）を処理することにより、反応生成物（reaction product）２６が生成される。すなわち、反応物質を含む流体２４の流れが前記物質の付近に向けられる。さらに照射ビーム１８を照射して反応物質とこの異物との反応が促進され、反応生成物が生成される。照射ビームには、１５５ｎｍから４０５ｎｍの波長範囲を有する強度の紫外線照射を用いることができる。照射源はエキシマレーザがよく、例えば、２４８ｎｍ波長で照射を生成するＫｒＦエキシマや、１９３ｎｍで照射を生成するＡｒＦエキシマなどでもよい。あるいは、２６６ｎｍ波長で照射を生成する４倍波長（freq uency-quadrupled）Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、３５５ｎｍの３倍波長（frequency-tr ipled）Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、または、２４０ｎｍから２６６ｎｍの範囲の可変レーザ照射を生成する３倍波長アレキサンドライト（frequency-tripled Alexan drite）レーザなどの固体レーザでもよい。パルスキセノンランプ、または高圧水銀灯などの、他の高強度紫外線光源を用いることもできる。紫外線に加えて他の波長の光が存在してもよい。例えば、周波数が乗算されたＮｄ：ＹＡＧレーザから照射されたビームは、２６６ｎｍ波長における第４調波とともに、１０６４ｎｍの基本波長の光と５３２ｎｍの第２調波とを組み合わせてもよい。反応物質は、好ましくは２０ｍｍ／ｓｅｃから５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で流れる気体である。この気体は、酸素、フッ素、及び塩素からなる酸化物と、酸素、フッ素、及び塩素からなる分子の群のひとつ以上の要素を含むことができる。前記異物が有機物質を含む場合には、反応物質は酸化物を含み、ビームは紫外線照射を含んでもよい。反応物質は、流れる液体でもよく、これにワークピースが浸漬される。例えば、除去される物質はスピンオン誘電体で、液体は、ＨＣｌまたはＮａＣｌＯなどのフッ素を含む種を含んでもよい。図１１に示されるように、反応物質を含む、流れる液体の層１１２によってワークの表面１１０が覆われる。この層の深さは、好ましくは０．５ｍｍから１０ｍｍのあいだであり、その速度は１０ｍｍ／ｓｅｃから５００ｍｍ／ｓｅｃの間が好ましい。ビームは流れる液体の層１１２を通過してワーク表面に到達し、ここで物質１１４を加熱、剥離または活性化することにより上記液体と反応させ、反応生成物１１６を生成する。この反応生成物１１６は、液体流中に運ばれる。一例においては、２４８ｎｍ波長のエキシマレーザパルスを用いて、スピンオン誘電体がフラットパネルディスプレイ基板から剥離された。まず、５ｍｍの深さにおいて、基板をＨＣｌの希釈溶液（約５％の濃度）中に浸漬した。ビームは、長さ１センチ当たり４ｍＪのエネルギを有し、１００Ｈｚの割合でパルス照射する集束されたストライプに形成された。１ｍｍ／ｓｅｃの単一レーザ経路を用いて、パターニングされたＩＴＯ層を有するガラス基板からスピンオン誘電体が除去された。この結果、ＩＴＯの表面には、目に見える残留物はなくなった。図３に示すように、ビームの伝達にはソースレーザビーム２８を受光し、そのビームの断面を収束円筒レンズ３４によって一方の寸法に集束させる。また、拡大円筒レンズ３０で異なる寸法に拡大する。これにより処理表面に狭い矩形ビーム３８が形成される。拡大時のビームの寸法は最低でも処理表面幅と同じでもよい。これ以外にも同様の狭い矩形ビームを形成可能な他の光学的構成を用いることもできる。例えば上記の２枚のレンズの一方または両方の代わりに反射部品（円筒形の鏡など）を使用してもよい。また狭い矩形ビームの形成は、収束球面レンズと発散円筒レンズとの組み合わせ、発散球面レンズと収束円筒レンズとの組み合わせ、またはこれら以外の多数のレンズの組み合わせによっても可能である。図４に示すように、フラットパネルディスプレイ基板４０全面の走査は、基板を直線平行移動ステージまたはコンベヤー（図示せず）上に載置して行うことができる。ステージまたはコンベヤーはビーム４２の下で基板を方向４８に移動させる。同時にノズル４６から反応物質を含有したガスフロー４４が供給される。反応生成物を含む排気ガスフロー５０は排気ダクト（図示せず）を通ってフィルタ（図示せず）へ進む。フィルタでガス流から粒子、反応生成物、およびその他の汚染物質が除去された後、ガスは排出または再循環される。反応効率を高めるために、表面に運ばれる前にガスをヒータ１３２で加熱してもよい。また同じ目的のために平行移動ステージまたはコンベヤーに加熱部品（図示せず）を備えて基板の温度を上げるようにしてもよい。図６に示すように、除去する物質には粒子７０、薄膜７２、グリース、またはその他の汚染物質が考えられる。フォトレジスト、ポリイミド、または平坦化層などの場合もある。一例を挙げると、厚さ約２５０ｎｍのポリイミド層をＫｒＦエキシマレーザからの波長２４８ｎｍの光パルスで剥離除去した。パルス群は集束させて一本の縞（ストライプ）状に形成した。ストライプ長あたりのエネルギは３ｍＪ／ｃｍ、パルスレートは１００Ｈｚであった。基板の走査はビーム下で２行程で走査速度４ｍｍ／ｓｅｃで行われ、基板表面の酸素体積流量は５０ＳＣＦＨに維持した。他の例では、厚さ約１ミクロンの平坦化層をＫｒＦエキシマレーザからの波長２４８ｎｍの光パルスを用いて剥離除去した。パルス群は集束させて一本のストライプ状に形成した。ストライプ長あたりのエネルギは４ｍＪ／ｃｍ、パルスレートは２００Ｈｚであった。基板の走査はビーム下で速度４ｍｍ／ｓｅｃで行われ、全厚みを剥離するのに８行程を要した。走査時の基板表面の酸素流量は５０ＳＣＦＨに維持した。以上の処理条件は平坦化層の剥離除去を下層のＩＴＯを損傷せずに行うのに効果的であった。除去する物質は一層以上のデバイスを含み、選択したエリアからだけ物質を除去してパターニングしたデバイス層はそのまま残す場合もある。このパターン化した除去は図５に示すように基板表面と接触して、または近接して、ステンシルマスクを用いて行うことができる。ステンシルマスク５４はビーム６０と基板５２との間に挿入される。基板とマスクとが一緒に方向５６に移動すると、ビームおよび流れるガス６４によって基板のエリア６８のマスクの開口部の真下に位置する物質が除去される。図ではかかる開口部はビームの真下に位置しており、ビームは層５８の一部を除去して雲（クラウド）６２を生成する。このクラウド６２は流れるガス６４と反応して反応生成物６６を作る。開口部から全ての物質を取り除く必要があれば更にもう１つのパルスを使用することができる。パターニングの一例を挙げる。厚さ約２５０ｎｍのポリイミド層をＫｒＦエキシマレーザからの波長２４８ｎｍの光パルスを用いてパターン化した。パルス群は集束して１本のストライプ状に形成した。エネルギはストライプ長あたり３ｍＪ／ｃｍ、パルスレートは１００Ｈｚであった。金属製のマスクを基板表面から約０．５ｍｍ上方に配置した状態で、走査速度４ｍｍ／ｓｅｃで一行程走査を行った。表面の酸素体積流量は５０ＳＣＦＨであった。またステンシルマスク９０の位置は、図８に示すようにガスフロー９４またはマスク‐基板表面間の液体が除去物質９６と反応できるように表面９２の十分上方に配置してもよい。好適な高さは表面から０．５から１０ｍｍのところである。パターン化除去は図９に示す影投影（プロジェクションシャドウ）マスクを用いても可能である。図示するように、シャドウマスク９８はビーム形成光学系１００とワーク表面１０２との間に配置できる。またビーム経路に沿った他の位置に配置してもよい。このシャドウマスクはビームを透過する領域とビームを遮る領域とを含む。この不透明領域は銅やアルミニウムなどの除去に耐えられる材料からなる薄膜で形成するのが好ましい。マスク上の光透過領域および非透過領域のパターニングはワーク表面に所望の縮小パターンを形成し、マスクとビームとの間にフラットパネルディスプレイ基板の動きに同期した直線運動が誘起されうる。長いビームに沿ったマスクパターンと短いビームに沿ったマスクパターンとはスケール係数が異なる場合がある。パターン化除去はまた、図１０に示すように１枚以上のリニアマスク１０６を用いても行うことができる。このマスクは基板をビーム下で走査する時にビーム１０８中へ入ったり出たりする。図１０にはビーム中に挿入した状態を示す。このリニアマスクはくし形でビームとほぼ同じ長さの一本のバーと、ビームの一部を遮る突起部とからなる。このようなマスクを配置することにより、物質の除去はビーム幅全体にわたって行う（マスクを引っ込めた場合）か、または選択した領域から除去する（ビーム中にマスクを延ばした場合）ことができる。リニアマスクは１つ以上のパターンを含むため、物質除去のパターンはマスクの位置によって異なる。このようにリニアマスクはカラーフィルタなどの非常に反復の多いパターンをもつ層のパターニングに効果的である。光反応処理は、ポリイミド、フォトレジスト、およびスピンオン誘電体などの薄膜材料の硬化にも用いられる。硬化では膜の除去はできないが、層内部で化学反応、通常はポリマーの架橋結合が行われて、層の特性が変えられる。図７に示すように、基板７４上の硬化されるべき材料からなる膜７８は、ガス６４の存在下でビーム６０下で方向７６に移動する。ビームは膜のうち図示する箇所８０中で化学反応を開始させ、物理的かつ化学的特性の変化した膜８２をつくる。この工程中、水蒸気、有機溶剤、およびその他の有機分子などの複数の種８４が表面から出され、排出方向のガスフロー６６によって運び去られる。光反応表面処理はＩＴＯ導体層の厚みの一部の除去に用いることもできる。この様子を図１２に示す。この方法はＩＴＯ層の一部が汚染されている場合に、さらなる処理工程を行えるように基板を準備するのに有用である。ビーム１２０はＩＴＯ層全体を除去するには不十分なパルス強度をもつように形成される。流れるガス１２４（または液体）は水素、塩素、フッ素などの種、または水素、塩素、フッ素を含む分子を含む。かかるガスはビームを照射するとＩＴＯ層と反応する。このため基板をビーム下で走査する際にＩＴＯ層の汚染箇所が除去され、さらなる処理のために清潔な表面が得られる。上記以外の実施形態も以下の請求の範囲に含むものとする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｄ 21/3065 21/302 ＮＨ (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者ヤンフランシスエムアメリカ合衆国マサチューセッツ州コンコードウィラードコモン 49 (72)発明者シンガーダニエルケイアメリカ合衆国マサチューセッツ州ネティックインディアンロックドライブ 11 【要約の続き】いた走査によっても行うことができる。

Claims

【特許請求の範囲】１．反応物質を含む可動流体を供給するステップと、前記可動流体が存在する状態で、フラットパネルの表面にパルス照射を加えて表面修正反応を生じさせるステップと、を含むフラットパネル基板の表面処理方法。２．前記表面修正反応は物質を除去して前記フラットパネルの表面を清浄するステップを含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３．前記表面はガラスを含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。４．前記表面はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。５．除去される前記物質は粒子を含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。６．除去される前記物質は膜を含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。７．除去される前記物質は前記フラット基板の汚染層を含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。８．前記表面修正反応は物質を硬化するステップを含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。９．前記表面修正反応は物質をパターニングするステップを含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１０．前記パルス照射は１５０ｎｍから４０５ｎｍの範囲の波長である請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１１．照射源はエキシマレーザを含む請求項２に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１２．前記パルス照射源は、周波数が乗算されたＮｄ：ＹＡＧ層の、固体レーザを含む請求項１１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１３．前記パルス照射を先鋭光に成形し、その相対運動を光学系と処理対象表面との間に誘導して、前記先鋭光が前記表面全体を走査する請求項１１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１４．前記パルス照射からなる先鋭光を使用して、フォトレジストを硬化または焼きつける請求項８に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１５．処理対象表面におけるパルス照射のパルス強度は、２０ｍＪ／ｃｍ²から１０００ｍＪ／ｃｍ²の範囲内である請求項１０に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１６．処理対象表面または可動流体を加熱する請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１７．処理対象の前記表面はスピンオン誘電体を含み、硬化する処理を含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１８．前記表面におけるパルス照射のパルス強度は１０ｍＪ／ｃｍ²から１００ｍＪ／ｃｍ²の範囲内である請求項１７に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。１９．処理対象表面はポリイミドからを含む、硬化する処理を含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２０．前記表面におけるパルス照射のパルス強度は１０ｍＪ／ｃｍ²から１００ｍＪ／ｃｍ²の範囲内である請求項１９に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２１．清浄対象表面はガラスを含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２２．前記反応物は酸化物を含み、光線は１５０ｎｍから４０５ｎｍの波長を有する紫外線を含む請求項２１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２３．清浄対象表面はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む請求項１記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２４．清浄は汚染物質を含有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層の一部を除去することにより行う請求項２３に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２５．前記光線は、１５０ｎｍから４０５ｎｍの波長を有する紫外線を含む請求項１４に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２６．選択された領域のみ処理を行うためのマスクを使用して前記表面をパターン化する請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２７．前記マスクを前記表面の１０ｍｍ以内に保持する請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２８．ガス流を前記マスクの上に供給する請求項２７に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。２９．ガス流を前記マスクと前記表面との間に供給する請求項２７に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３０．前記マスクを、前記表面から１０ｍｍ以上の距離に設ける請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３１．前記マスクは、前記表面上に形成する相似形パターンの複製を含む請求項３０に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３２．前記マスクは、光通路内外に移動可能な１個以上の不透明物体を含む請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３３．パターン化される表面はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３４．パターン化される前記表面はポリイミドを含み、前記ガス流は酸化物を含む請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３５．パターン化される前記表面はカラーフィルタ層を含み、前記ガス流は酸化銅を含む請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３６．パターン化される前記表面は平坦化層を含む請求項２６に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３７．ビームは前記表面上で２つ以上のビームに分光される請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３８．前記可動流体は液体を含む請求項１に記載のフラットパネル基板の表面処理方法。３９．フラットパネルの、ガラスまたはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成された表面を清浄する方法であって、パルス照射を前記ガラスあるいはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成された表面に加え、前記表面上の粒子、フィルム、あるいは汚染層によって修正反応を誘起させ、反応物を生成するステップと、前記反応物を除去するステップとを含むフラットパネルの清浄方法。４０．ポリイミド、フォトレジスト、あるいはスピンオン誘動体をフラットパネル基板から除去する方法であって、パルス照射を前記表面に加え、ポリイミド、フォトレジスト、あるいはスピンオン誘導体によって修正反応を誘起させ、反応物を生成するステップと、前記反応物を除去するステップと、を含むフラットディスプレイ基板の清浄方法。４１．反応物の可動流体を供給するステップと、前記可動流体が存在する状態で、マスクを介してパルス照射パターンを平坦化層に加え、表面修正反応を生じさせるステップと、を含むフラットパネル基板上のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ポリイミド層、カラーフィルム層、あるいは平坦化層をパターン化する方法。