JP2010514584A - 厚膜底部におけるフィーチャ限界寸法の制御性の向上されたエッチング方法 - Google Patents
厚膜底部におけるフィーチャ限界寸法の制御性の向上されたエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010514584A JP2010514584A JP2009544473A JP2009544473A JP2010514584A JP 2010514584 A JP2010514584 A JP 2010514584A JP 2009544473 A JP2009544473 A JP 2009544473A JP 2009544473 A JP2009544473 A JP 2009544473A JP 2010514584 A JP2010514584 A JP 2010514584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask
- etching
- etch
- feature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
- B81C1/00595—Control etch selectivity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0135—Controlling etch progression
- B81C2201/014—Controlling etch progression by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
本発明は、厚みが2マイクロメートルを超えるエッチング層にフィーチャをエッチングする方法に関し、当該フィーチャは、エッチング層内におけるフィーチャ横方向位置(lateral feature position)にあり、エッチング層と基板層との界面において限界横方向長さ(critical feature extension)を有する。
米国特許出願公開第2005/0068608号明細書は、材料層の形態のエッチング層を選択的にエッチングするプロセスを記載する。このプロセスは、MEMS(microelectro-mechanical system)デバイスの製造に用いられる。サブミクロン厚さの層構造に、ビア形状にエッチングされたフィーチャが形成される。
それゆえに、本発明の目的は、厚いエッチング層とその下にある基板層との界面における、限界横方向長さの制御性を向上させることである。
基板層を用意するステップ。
基板層上のフィーチャ横方向位置において、マスク層材料からマスクフィーチャを形成するステップ。当該マスクフィーチャは、限界横方向長さを有する。
マスクフィーチャ上および基板層上に、厚みが2マイクロメートルを超えるまで、エッチング層材料からエッチング層を堆積させるステップ。当該エッチング層材料は、マスク層材料に対し選択的にエッチングされる。
マスク層材料に対しエッチング層材料を選択的に除去するエッチング液を用いて、エッチング層内の第一の横方向位置において、限界横方向長さよりも大きい横方向長さを有する、フィーチャをエッチングするステップ。
マスクフィーチャを形成するステップは、マスク開口内にエッチング停止材料からなる犠牲エッチング停止キャップを形成するステップを含む。当該エッチング停止材料は、マスク層材料およびエッチング層材料に対して、選択的にエッチング可能である。
エッチング層材料は、さらに、エッチング停止材料に対して選択的にエッチング可能である。
エッチング層にフィーチャをエッチングするステップは、エッチング層がエッチング停止キャップに対して選択的に除去される第一選択的エッチングステップと、エッチング停止キャップがエッチング層およびマスク層に対して選択的に除去される第二選択的エッチングステップとを含む。
ク層とエッチング層とに対し共通の材料としてAlを用いる場合だけでなく、マスク層材料とエッチング停止材料とに関しエッチング層材料が同時に選択的にエッチングされない、任意の材料およびプロセスの選択に対してもまた、有効である。
以下、図1〜図4が同時に参照される。図1および図2は、従来技術に従ったエッチングによるフィーチャ形成時の異なる二工程における、層構造100の第一の例の断面図を示す。図3および図4は、従来技術に従ったエッチングによるフィーチャ形成時の異なる二工程における、層構造300の第二の例の断面図を示す。
ャの限界横方向長さCDの制御性が低下するという問題がある。同一のウェハ上に、望ましくない異なる限界横方向長さCDを有する、異なるフィーチャが形成される。また、異なるウェハ上の異なるフィーチャは、望ましくない異なる限界横方向長さCDを有する。限界長さCD相互間の相違は、使用されるエッチング処理に関する不均一性によってもたらされる。エッチングされる層の厚みが増加すると、このような不均一性が増加する。MEMS構造を製造する際に、この問題は極めて重大である。
方法の第二の実施の形態を示す。図9に示すように、層構造900は、基板層、たとえばシリコン製のウェハ902と、マスク層904とを備える。本実施の形態では、マスク層はAlにより形成されている。しかし、後述するように、他の材料を選択してもよい。図9に示す工程の前工程は、図5および図6を参照して述べた、先の実施の形態に対応する。
ング停止材料はアタックしない。好ましいエッチング液の例は、H3PO4/HNO3水溶液である。エッチング層材料とエッチング停止材料との選択された組合せに依って、エッチング液が選択される。別の観点からは、エッチング層材料とエッチング停止材料とは、特定の用途向けの所望の層構造に関して制約が当然あるとして、選択的エッチング処理のためのエッチング液が現存することを考慮して選択されるべきである。
にキャッピングセグメントは、限界横方向長さを有するフィーチャの確実な複製を保証する、マスクフィーチャを形成する。
されないことを示さない。
Claims (10)
- エッチング層にフィーチャ(522)をエッチングする方法であって、前記エッチング層は、エッチング液が当初接触する面から反対側の前記エッチング層の底面までの厚みが2マイクロメートルを超え、前記フィーチャは、前記エッチング層内のフィーチャ横方向位置にあって、前記底面において限界横方向長さ(CD)を有し、前記方法は、
基板層(502)を用意するステップと、
前記基板層上の前記フィーチャ横方向位置において、マスク層材料からマスクフィーチャ(512)を形成するステップとを備え、前記マスクフィーチャは、前記限界横方向長さ(CD)を有し、前記方法はさらに、
前記マスクフィーチャ上および前記基板層上に、厚みが2マイクロメートルを超えるまで、エッチング層材料から前記エッチング層(516)を堆積させるステップを備え、前記エッチング層材料は、前記マスク層材料に対し選択的にエッチングされ、前記方法はさらに、
前記マスク層材料に対し前記エッチング層材料を選択的に除去するエッチング液を用いて、エッチング層内の第一の横方向位置において、前記限界横方向長さよりも大きい横方向長さを有する、前記フィーチャ(522)をエッチングするステップを備える、方法。 - 前記マスクフィーチャを形成する前記ステップは、前記基板層(502)上のマスク層の前記フィーチャ横方向位置において、前記限界横方向長さ(CD)を有する、マスク開口(514)を形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- マスク層(504)は、TiWかアルミニウム酸化被覆層を有するAlかどちらかにより形成され、前記エッチング層(516)は、Alにより形成されている、請求項1に記載の方法。
- 前記マスクフィーチャ(922)を形成する前記ステップは、前記マスク開口(906)内にエッチング停止材料からなる犠牲エッチング停止キャップ(912)を形成するステップを含み、前記エッチング停止材料は、前記マスク層材料および前記エッチング層材料に対して、選択的にエッチング可能であり、
前記エッチング層材料は、さらに、前記エッチング停止材料に対して選択的にエッチング可能であり、
前記エッチング層に前記フィーチャをエッチングする前記ステップは、前記エッチング層(916)が前記エッチング停止キャップ(912)に対して選択的に除去される第一選択的エッチングステップと、前記エッチング停止キャップが前記エッチング層および前記マスク層(904)に対して選択的に除去される第二選択的エッチングステップとを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記エッチング停止キャップ(912)は、T形状に形成されている、請求項4に記載の方法。
- 前記エッチング層材料は金属であって、前記エッチング停止材料は非金属である、請求項4に記載の方法。
- 前記マスクフィーチャ(1304)を形成する前記ステップは、前記基板層(1302)上のマスク層から、前記フィーチャ横方向位置の前記限界横方向長さ(CD)の外側に配置されている部分を除去するステップを含み、
前記エッチング層(1310)に前記フィーチャ(1316)をエッチングする前記ステップは、前記エッチング層が前記マスクフィーチャ(1304)に対し選択的に除去される第一選択的エッチングステップと、前記マスクフィーチャが前記エッチング層に対し
選択的に除去される第二選択的エッチングステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記マスクフィーチャを形成する前記ステップは、前記基板層上にマスク層を堆積させるステップと、前記マスクフィーチャを形成するためのリソグラフィ処理を用いて前記マスク層を構築するステップとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチング層(916)に前記フィーチャをエッチングする前記ステップは、リソグラフィ処理を用いて行なわれる、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチング層に前記フィーチャをエッチングする前記ステップの後に、前記エッチング層に対し前記基板層を選択的に除去するステップを含む、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07100166 | 2007-01-05 | ||
EP07100166.3 | 2007-01-05 | ||
PCT/IB2007/055353 WO2008084365A2 (en) | 2007-01-05 | 2007-12-31 | Etching with improved control of critical feature dimensions at the bottom of thick layers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010514584A true JP2010514584A (ja) | 2010-05-06 |
JP5382937B2 JP5382937B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=39512627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009544473A Expired - Fee Related JP5382937B2 (ja) | 2007-01-05 | 2007-12-31 | 厚膜底部におけるフィーチャ限界寸法の制御性の向上されたエッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8282845B2 (ja) |
JP (1) | JP5382937B2 (ja) |
DE (1) | DE112007002810T5 (ja) |
WO (1) | WO2008084365A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019516570A (ja) * | 2016-07-22 | 2019-06-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 基板アセンブリ及び関連方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10861698B2 (en) | 2017-08-29 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pattern fidelity enhancement |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6286771A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シリコン・ダイアフラムの製造方法 |
JPH077161A (ja) * | 1993-02-05 | 1995-01-10 | Ford Motor Co | マイクロ加工された静電容量形表面差圧センサ |
JP2000186933A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Aisin Seiki Co Ltd | 表面マイクロマシン |
JP2004130458A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Rohm Co Ltd | 半導体デバイスとその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5783496A (en) * | 1996-03-29 | 1998-07-21 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching self-aligned contacts |
US6297163B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching dielectric materials |
US7701022B2 (en) * | 2002-05-01 | 2010-04-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing the same |
US7078337B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-07-18 | Agere Systems Inc. | Selective isotropic etch for titanium-based materials |
-
2007
- 2007-12-31 DE DE112007002810T patent/DE112007002810T5/de not_active Ceased
- 2007-12-31 JP JP2009544473A patent/JP5382937B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-31 WO PCT/IB2007/055353 patent/WO2008084365A2/en active Application Filing
-
2009
- 2009-07-02 US US12/496,748 patent/US8282845B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6286771A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シリコン・ダイアフラムの製造方法 |
JPH077161A (ja) * | 1993-02-05 | 1995-01-10 | Ford Motor Co | マイクロ加工された静電容量形表面差圧センサ |
JP2000186933A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Aisin Seiki Co Ltd | 表面マイクロマシン |
JP2004130458A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Rohm Co Ltd | 半導体デバイスとその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019516570A (ja) * | 2016-07-22 | 2019-06-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 基板アセンブリ及び関連方法 |
US11008214B2 (en) | 2016-07-22 | 2021-05-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate assembly and related methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5382937B2 (ja) | 2014-01-08 |
US8282845B2 (en) | 2012-10-09 |
WO2008084365A3 (en) | 2008-09-04 |
DE112007002810T5 (de) | 2009-11-12 |
WO2008084365A2 (en) | 2008-07-17 |
US20090298293A1 (en) | 2009-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI312180B (en) | Soi polysilicon trench refill perimeter oxide anchor scheme | |
JP5038581B2 (ja) | エピタキシャルリアクタにおける表面マイクロマシニングされた構造のためのギャップチューニング | |
TWI331984B (en) | Method for fabricating micromachined structures | |
US6436821B1 (en) | Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure | |
JP5091156B2 (ja) | マイクロメカニカル素子及びマイクロメカニカル素子の製造方法 | |
US6887732B2 (en) | Microstructure devices, methods of forming a microstructure device and a method of forming a MEMS device | |
US10513431B2 (en) | Multiple silicon trenches forming method for MEMS sealing cap wafer and etching mask structure thereof | |
JP5474805B2 (ja) | 基板上にmems素子を製造する方法 | |
JP6235023B2 (ja) | シリコンエッチング法 | |
JP2003517611A (ja) | 半導体素子、殊には加速度センサをマイクロメカニカル製造するための方法 | |
US9070699B2 (en) | Micromachined structures | |
JP2010045334A (ja) | 可動構成要素を備えた構造体を異種犠牲層によって製造するための方法 | |
JP2010029976A (ja) | 微細構造体形成方法 | |
US20080085606A1 (en) | Method for Fabricating a Structure for a Semiconductor Component, and Semiconductor Component | |
US9656858B2 (en) | Reactive ion etching | |
JP6207680B2 (ja) | 実質的に垂直な側面を有するAlN層を得る方法 | |
JP5382937B2 (ja) | 厚膜底部におけるフィーチャ限界寸法の制御性の向上されたエッチング方法 | |
TWI616394B (zh) | 增強之微機電系統裝置及其製造方法 | |
US7160751B2 (en) | Method of making a SOI silicon structure | |
JP6123242B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5608462B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
US20070284680A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device using the same | |
CN102120561B (zh) | 形成晶圆穿通孔的方法 | |
US20110049651A1 (en) | Three-dimensional mems structure and method of manufacturing the same | |
RU2698486C1 (ru) | Способ изготовления интегральных преобразователей |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100722 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5382937 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |