JP2003517611A - 半導体素子、殊には加速度センサをマイクロメカニカル製造するための方法 - Google Patents

半導体素子、殊には加速度センサをマイクロメカニカル製造するための方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、エッチング工程により、基板（１１）と固定および可動電極（１４２、１４３）との間に位置する犠牲層を除去して、電極（１４２、１４３）を基板（１１）から分離することにより、基板（１１）上の規定の領域に半導体素子、殊には静電容量型加速度センサの、露出している層状の固定および可動電極（１４１、１４３）をマイクロメカニカル製造するための方法に関し、かつ固定電極（１４２）の領域（Ａ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚さ（ｄ１）が、可動電極（１４３）の領域（Ｂ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚さ（ｄ２）よりも薄いことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、エッチング工程により、基板と固定および可動電極との間に位置す
る犠牲層を除去して、電極を基板から分離することによる、基板上の規定の領域
に、半導体素子、殊には静電容量型加速度センサの、露出している層状の固定お
よび可動電極をマイクロメカニカル製造するための方法ならびにこの方法で製造
された加速度センサに関する。
【０００２】 マイクロメカニカル技術で半導体素子、例えば加速度センサおよび回転速度セ
ンサを製造する場合、二酸化シリコンからなる犠牲層を、シリコンからなる機能
性素子コンポーネントに対して選択的にエッチングする。犠牲酸化物のこの反応
性除去はＨ２ＯおよびＨＦからなる共沸混合物による気相で行われる（M.Offenb
erg, et.al: "Acceleration Sensor in Surface Micromachining for Airbag Ap
plications with High Signal/Noise Ratio"; Sensors and Actuators, 1996, 3
5およびＤＥ−４３１７２７４．１）。
【０００３】 不十分なプロセス進行では、酸化物の残留物が機能性素子層の下に残るが、こ
のことは、片端でだけ固定されている固定電極フィンガーを有するセンサ、例え
ば加速度センサでは障害および不正確な応答特性をもたらす。犠牲層エッチング
の後にその上に存在する機能層が、内部膨張勾配によりエッチングフロントから
上方へと湾曲し、かつこの状態で、プロセス終了時に、構造層下面と犠牲層上面
との距離が拡大されていることを特徴とする技術的に不適当な部位に、この残留
物は生じる。これに対して、両端で固定されている素子コンポーネント、例えば
加速度センサのバネ様に懸垂されている振動材料では、犠牲層の上面と構造層の
下面との間の距離が、内部膨張勾配により低減されているように、技術的に適当
な部位は存在している。これにより、高いエッチング速度が生じる。従って、セ
ンサ構造内部でエッチング速度に著しい不均一性が生じ、これは、固定電極下で
は酸化物残留をもたらし、かつ別の部位では著しいアンダーエッチングを残す。
【０００４】 加速度センサの片端で固定されている固定電極フィンガーと可動中間材料との
著しく不均一なエッチング速度はこのような加速度センサの材料調製の際に、エ
ッチングプロセスを定義するのが困難な損傷基準をもたらす。素子の多くの部位
で、例えば導電線で著しい不所望なアンダーエッチングが生じ、これに対して、
固定電極下のセンサ核の領域には、なお著しい酸化物の残留物が存在し、これは
、センサ構造の機能性に悪影響を及ぼす。
【０００５】 本発明の課題および利点 犠牲層のエッチングにより層状電極領域を露出させて、半導体素子を製造する
際、例えば加速度センサの固定くし形電極での顕微鏡的に不均一なエッチング速
度の問題に関して、本発明の方法は、このような素子のマイクロメカニカル製造
を可能にすべきであり、その際、Ｈ２Ｏ／ＨＦ気相中での二酸化シリコンの選択
的等方性エッチングでのエッチング速度を、顕微鏡的単位で均一にすることがで
きなければならない。。
【０００６】 この課題は請求項の記載により解決される。
【０００７】 本発明の核心は、片端で固定された固定電極フィンガー下方の犠牲酸化物層の
厚さを低減することである。これによりこの位置で、エッチング速度が動力学的
に制限されて明らかに高まり、かつこれにより振動材料下方のエッチング速度に
近づく。固定電極フィンガー下方の犠牲酸化物の厚さを低減することは、後にエ
ッチングされる電極フィンガーがそれからなる多結晶シリコンからなる、犠牲層
上方に構築されたエピタキシー層を相応して厚くすることにより達成される。
【０００８】 振動材料および固定電極フィンガー下方のエッチング速度を適合させることに
より、気相エッチングプロセス（ＧＰＥ）の総時間が明らかに低下する。この処
理により更に、ウェハ全体上の半導体素子、殊には加速度センサ構造内部の１つ
または複数の犠牲層の酸化物除去の改善された均一性が達成される。
【０００９】 本発明の重要な態様の１つでは、エッチング工程により、基板と固定および可
動電極との間に存在する犠牲層を除去して、電極を基板から分離することによる
、基板上の規定の領域に、半導体素子、殊には静電容量型加速度センサの、露出
している層状の固定および可動電極をマイクロメカニカル製造するための方法は
、固定電極の領域に位置する犠牲層の厚さが、可動電極の領域に位置する犠牲層
よりも薄いことを特徴とする。
【００１０】 本発明の方法の実施例の１つでは、犠牲層のエッチングの後に固定電極の厚さ
は、可動電極の厚さよりも厚い。このようなセンサ構造の固定電極フィンガーを
厚くすることにより、次の効果が生じる： 機能構造の層厚が同じであると、有効で、静電容量的に効果的な電極面積が小
さくなってしまう。それというのも、固定電極フィンガーは応力勾配の故に上方
に湾曲しているためである。同時に、両端で固定されている振動材料が下に向か
って湾曲しているので、向かい合っている電極の電極面積がかなり小さくなって
しまう。
【００１１】 これに対して、本発明の第１の実施例により可動電極の厚さよりも固定電極の
厚さが厚い場合、中間材料が高い応力勾配でも、なお逆電極に向かい合う。
【００１２】 本発明で提案している層構造では、固定電極の領域の下方に位置する犠牲層は
第１の犠牲層からなり、かつ可動電極の領域の下方に位置する犠牲層は前記の第
１の犠牲層および直接その上方に位置する第２の犠牲層からなる。
【００１３】 本発明の製造方法では詳細には、次の連続する工程を実施する： ａ)後の固定および可動電極の領域を覆うように、基板上に第１の犠牲層を全面
的に施与する工程； ｂ）後の固定電極の領域のみを覆うように、第１の犠牲層上に第１の導電層を施
与する工程； ｃ)後の固定および可動電極の領域を覆うように、第１の犠牲層および第１の導
電層上に第２の犠牲層を全面的に施与する工程； ｄ）マスクを用いるエッチング工程により、第２の犠牲層を第１の導電層（４２
）の上方で開け、第１の導電層を露出させ、かつ第１の犠牲層をその底部まで僅
かにのみ除去する工程； ｅ）第２の犠牲層および工程ｄ）で露出させた導電層の上方に全面的に、後で生
じさせる固定および可動電極の高さまで、比較的厚いドーピングされたエピタキ
シー層を施与する工程； ｆ）エピタキシー層の表面上に、固定および可動電極を構造化するマスクを施与
し、かつこれらのマスクの使用下に、固定電極の領域では第１の犠牲層の表面に
より、かつ可動電極の領域では第２の犠牲層の表面により画定される深さまで、
トレンチをエピタキシー層中にエッチングする工程；および ｇ）第１および第２の犠牲層を等方性エッチングし、その際、固定電極下方の犠
牲層および可動電極下方の犠牲層でほぼ同じアンダーエッチング速度が生じる工
程。
【００１４】 好ましくは、第１の犠牲層の厚さは０．５〜５μｍであり、かつ第２の犠牲層
の厚さは０．５〜３μｍである。
【００１５】 更に、固定電極の厚さは１．５〜２０μｍであり、かつ本発明で製造される加
速度センサの固定および可動電極ストリップまたはフィンガーは１〜５μｍの幅
を有する。
【００１６】 本発明の方法のもう１つの実施例では、振動材料の厚さも、固定電極フィンガ
ーの厚さもセンサ核の範囲で同程度に大きくすることができる。この場合、犠牲
層の厚さを懸垂部の領域では低減しないことに注意すべきである。この場合、機
能層は橋を介して、固定電極の下の導体路に接続している。可動電極構造下方の
犠牲層が、固定電極構造下方の領域でよりも厚いことにより、この機械的接続は
気相エッチングの際に不安定化されない。
【００１７】 本発明の方法で製造された加速度センサはバネ様に懸垂された、中間梁として
形成されている可動材料から出発して、複数の可動電極を、これらの電極にそれ
ぞれ向かい合っている、両端または片端で固定されている固定電極と交互に有す
る。片端で固定されている電極は、可動材料の中央梁に面していない末端のとこ
ろに、それを結合する導電性の電極ストリップを有し、これは、くし形電極のく
しの方向に対して垂直に伸びている。
【００１８】 本発明により固体電極と可動中間材料下でのエッチング速度を等しくすること
により、加速度センサまたは回転速度センサを材料調製で、かなり改善された収
率およびより高い信頼性で製造することができる。
【００１９】 本発明の前記の特徴および他の好ましい特徴を、添付の図面にもとづぐ後記の
記載により明らかにする。
【００２０】 実施例 図１には、本発明の製法で製造される静電容量型加速度センサを平面展望図の
形で示している。図１に示されている静電容量型加速度センサは可動中心材料お
よびそれから出発している可動電極１４３を有する。可動電極１４３と交互に、
導体路により結合されている固体電極１４２を設ける。これらの電極を好ましく
は、厚さ１．５〜２０μｍを有するドーピングされた多結晶シリコンまたは更に
ゲルマニウムから製造する。導体路は厚さ０．３〜１μｍのドーピングされた多
結晶シリコンからなる。可動材料はＹ方向、即ち図面平面にある垂直方向で振動
することができ、その際、Ｕバネ（U-Feder)が振動静止点を、かつ可動域が最大
可動を規定している。
【００２１】 本発明で提案されている構造的処置により、固定電極１４２の下方の、かつ可
動材料の所に位置する可動電極１４３の下方の１つもしくは複数の犠牲層のアン
ダーエッチング速度を合わせることが達成される。これにより、エッチング特性
が均一化され、かつプロセス時間をかなり短縮することができる。この処置の利
点は、エッチング速度はセンサ核の領域でのみ高くなり、導線の領域では高くな
らないことである。
【００２２】 図３Ａ〜３Ｈに基づき半導体層構造および個々の方法工程に関して言及する前
に、次に、図１に示したような加速度センサを製造する際の本発明の課題を詳述
する。
【００２３】 ＨＦ−Ｈ２Ｏ−気相中でのＳｉＯ２の選択的等方性エッチングでの除去速度を
厚い酸化物（構造層のアンダーエッチングの際の側方攻撃）で、更に構造化され
ていない酸化物面の攻撃（フリー酸化物面での垂直攻撃）でも、反応成分ＨＦ、
Ｈ２Ｏの濃度により測定する。気相中での反応性の攻撃は次の反応式で簡略化し
て記載することができる： （１）ＳｉＯ２＋４ＨＦ＋２Ｈ２Ｏ → ＳｉＦ４↑＋４Ｈ２Ｏ↑ （２）ＳｉＯ２＋６ＨＦ → Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ↑ （３）Ｈ２ＳｉＦ６ →ＳｉＦ４↑＋２ＨＦ↑ ＳｉＯ２との反応で、ＨＦが消費される。反応に関与する水は、式（１）に従
ってＨＦによるＳｉＯ２のエッチング攻撃を開始させる。しかし反応の後に、再
びそのまま存在し、かつ新たに式（１）による反応を開始させる。
【００２４】 気相中での反応成分の平均的濃度にほぼ関係なく、表面での反応成分の動力学
的輸送付与および輸送除去の調節がエッチング速度に影響を及ぼしうる。動力学
的条件への依存性は、例えば構造層下方の犠牲層として使用される薄層酸化物の
エッチングの際に観察することができる。側面エッチング速度（アンダーエッチ
ング速度）は犠牲層の厚さに依存していることをこのことは示している。例えば
、１．６μｍの薄いＳｉＯ２でのアンダーエッチング速度は、４μｍの厚い酸化
物の場合よりも約１．５倍速い（図２参照）。
【００２５】 この効果は、ＳｉＯ２のエッチング反応に関与しているＨ２Ｏは、エッチング
フロントから分離している、基板と機能層との間の薄いギャップからはゆっくり
としか生じ得ないことに基づいている。これにより、有利に式（１）による迅速
な反応が進行して、エッチング速度の著しい上昇が生じる。厚い酸化物の場合に
は、Ｈ２Ｏの輸送除去はギャップ形状によりほとんど妨げられず、このことは、
薄い酸化物の場合よりも低いエッチング速度に寄与する。
【００２６】 図２は犠牲酸化物厚に伴うエッチング速度の原則的推移を示している。
【００２７】 この効果はマイクロメカニカル構造のエッチングの際に、例えば図１に示した
加速度センサの製造の際に顕著であり、かつセンサ素子内部のアンダーエッチン
グ速度の著しい不均一性をもたらしうる。
【００２８】 この効果は電子顕微鏡で撮影された加速度センサの研磨試料でも判明している
。この場合、典型的には中央可動材料下方では犠牲酸化物は気相エッチングで完
全に除去されることが示される。これに対して、露出している、片側で固定され
ている電極ではなお多くの残留物がエッチングされていない酸化物である。これ
らの酸化物残留物は専ら、固定電極の端部下方に生じる。
【００２９】 水の動力学による輸送除去に対するアンダーエッチング速度の依存性を考慮す
ると、加速度センサの構造の下方でのエッチング速度の顕微鏡的不均一性を理解
することができる。
【００３０】 実際の素子では更に、片側で固定されているストリップ状電極（梁）での構造
層中の応力勾配は、上方への湾曲をもたらす。それというのも、もう一方の末端
は分離しているためである。これにより、電極ストリップと酸化物面との間の距
離は特に、電極フィンガーの末端領域でかなり増えて、反応に関与する水がより
迅速に流出しうる。これにより、エッチング速度は著しく低下し、かつプロセス
の中断の後に、ことに湾曲している固定電極くしの領域で酸化物残留が生じうる
。
【００３１】 両方で固定されている梁では、下への距離は応力勾配により低下する。それと
いうのも、その中央に分離している区分を有する梁は下に向かって湾曲するため
である；このケースに、両方のＵ−バネに接続されている可動中央材料は当ては
まる。この場合、反応生成物はゆっくりとしか逃出しえず、これにより、エッチ
ング速度が高まり、かつプロセスの停止の後に酸化物残留が残る公算は低い。
【００３２】 顕微鏡的に不均一なエッチング速度に対する上記の問題に関して、片方で固定
されている固定電極および両方で固定されている可動振動材料の領域のアンダー
エッチング速度をそれにより合わせることができる層構造を提案する。この構造
的処理により、固定電極下方のエッチング速度が促進され、それにより、気相エ
ッチングでの全プロセス時間が係数１．５ほど、短縮される。この処理のもう１
つの利点は、保護されていない導体路の領域でのアンダーエッチングがセンサ構
造に比較して低下することである。
【００３３】 次に、本発明による層構造および本発明により実施される方法工程を図３Ａ〜
３Ｈに基づき詳述するが、これらは、、図１に示されている切断線３−３に沿っ
たセンサ核の領域での加速度センサの断面を示している。
【００３４】 先ず、図３Ａは、基板１１、例えばシリコン上に、好ましくはＳｉＯ２または
リンケイ酸ガラスからなる厚さｄ１の第１の犠牲層９１および第１の犠牲層９２
の上に第１の導電層９２が施与されていることを示している。導電層９２を公知
の方法により狭いストリップに構造化する。この層はセンサ素子のほかの領域で
導体路として役立つ。第１の犠牲層９１の厚さｄ１は０．５μｍ〜５μｍであっ
てよい。導体路９２は０．３μｍ〜１μｍの厚さであってよい。
【００３５】 図３Ｂに示された次の工程では、第２の犠牲層１０１を析出させる。これらは
、ＣＶＤ法で製造されたＳｉＯ２からなってよい。その厚さは０．５〜３μｍで
ある。
【００３６】 図３Ｃは、第２の犠牲層１０１をマスクを用いるエッチング工程で、好ましく
は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で開き、導体路９２を露出させることを示
している。これにより生じる開放部１１１はその場合、導体路９２の範囲と同じ
大きさか、それよりも小さいか、またはやや大きくてよい。第２の犠牲層１０１
を開く際に、０．５μｍを上回る第１の犠牲層を底部まで除去しないことに注意
すべきである。
【００３７】 図３Ｄは、低い温度で析出するシリコンからなるドーピングされた薄い核形成
層１２１を析出させて、厚いＳｉ層（図３Ｅ）の析出を容易にすることを示して
いる。
【００３８】 図３Ｅは、図３Ｄで析出させた核形成層１２１の上に、シリコンからなる厚い
ドーピングされたエピタキシー層１３１を高温で析出させることを示している。
この多結晶シリコン膜１３１を引き続き、化学機械的研磨工程により平坦にして
、層１３１の平滑な表面を生じさせる。この表面の上で、フォトラッカー、酸化
物または金属からなってよいマスク１３２、１３３を構造化する。この場合、構
造のこのマスク１３２、１３３はそれぞれ、固定電極１４２および可動電極１４
３（図３Ｆによる）に対応していることを述べておく。同様に、図３Ｃで行われ
た第２の犠牲層１０１中の開放部１１１の寸法は、固体電極１４２の領域Ａに対
応しており、他方で、開放部１１１の両側に残されている、第２の犠牲層１０１
の区分はそれぞれ、可動電極１４３の領域Ｂを画定している。
【００３９】 図３Ｆでは、異方性エッチング工程で、図３Ｅで構築された構造層１３１中に
深いトレンチ１４１をエッチングする。エッチング攻撃を固定電極１４２の領域
Ａでは選択的に第１の犠牲層９１までで、かつ可動電極１４３の領域Ｂでは第２
の犠牲層１０１までで止める。これにより、可動電極のために用意された構造層
区分（Ｂ）の下方には、犠牲層９１および１０１からなる厚い犠牲酸化物（厚さ
（ｄ２）が位置し、これに対して、固定電極１４２を形成するために用意された
構造層の下方の領域Ａ内には薄い酸化物９１（厚さｄ１＜ｄ２）のみが存在する
。
【００４０】 引き続き、犠牲層９１、１０１を等方性エッチングする。この際、固定電極１
４２の下方での動力学によるエッチング速度の上昇は迅速なアンダーエッチング
をもたらし、これは、可動電極１４３の範囲でのアンダーエッチング速度を上回
る。図３Ｇおよび３Ｈには、この実施例で生じさせた可動電極１４３のより薄い
厚さｄ４および固定電極１４２のより厚い厚さｄ３を示している。
【００４１】 図３Ｈには最後に、２つの端で固定されている可動電極１４３が、構造層の応
力勾配により通路（Weg）Δｚほど下方に湾曲していて、これにより、この場合
、固定電極１４２の下方のエッチング速度に匹敵する高いエッチング速度が生じ
ることを示している。
【００４２】 図４は、本発明のもう１つの実施例の構造を断面で示したものであり、その際
、固定および可動電極は同じ厚さで達成可能である。この場合、振動材料の厚さ
も固定電極フィンガーの厚さもセンサ核の領域で、図３Ａ〜３Ｈに対応する本発
明によるプロセス順序で拡大することができる。この場合、犠牲層の厚さは懸垂
部の領域で低減していない。図４では、橋を介して機能層１８１を導体路１８３
に接続する。犠牲層１８４が構造１８２の下方の１８５の領域よりも厚いとによ
り、この機械的接続は気相エッチングの際に不安定化されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法で製造される加速度センサの平面展望図を示す図。
【図２】 犠牲層の厚さ（ギャップ厚）に応じた、犠牲層エッチングの際のエッチング速
度の原則的推移をグラフで示した図。
【図３Ａ】 第１の実施例での本発明の方法工程の１つで、図１の切断線３−３に沿った断
面での層構造を示す図。
【図３Ｂ】 図３Ａに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｃ】 図３Ｂに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｄ】 図３Ｃに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｅ】 図３Ｄに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｆ】 図３Ｅに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｇ】 図３Ｆに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図３Ｈ】 図３Ｇに示した方法工程に次ぐ１工程で、図１の切断線３−３に沿った断面で
の層構造を示す図。
【図４】 本発明の第２の実施例の切断面３−３に沿った図１による加速度センサの断面
を示す図。
【符号の説明】
１１ 基板、 ９１ 第１の犠牲層、 ９２ 導電層、 １０１ 第２の犠牲
層、 １３１ エピタキシー層、 １３２ 構造化マスク、 １３３ 構造化マ
スク、 １４２ 固定電極、 １４３ 可動電極、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドリス シーライン ドイツ連邦共和国 ゴーマリンゲン バー ンホーフシュトラーセ 19 (72)発明者 ディルク ビューヒェ ドイツ連邦共和国 ビーベラッハ ザクセ ンリング 85 Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA21 CA23 DA04 DA05 DA07 EA02 EA04 EA06 EA08 EA11 【要約の続き】

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エッチング工程により、基板（１１）と固定および可動電極
    （１４２、１４３）との間に位置する犠牲層を除去して、電極（１４２、１４３
    ）を基板（１１）から分離することにより、基板（１１）上の規定の領域に半導
    体素子、殊には静電容量型加速度センサの、露出している層状の固定および可動
    電極（１４１、１４３）をマイクロメカニカル製造するための方法において、固
    定電極（１４２）の領域（Ａ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚さ（ｄ１
    ）は、可動電極（１４３）の領域（Ｂ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚
    さ（ｄ２）よりも薄いことを特徴とする、半導体素子、殊には静電容量型加速度
    センサの、露出している層状の固定および可動電極（１４１、１４３）をマイク
    ロメカニカル製造するための方法。
  2. 【請求項２】 犠牲層をエッチングした後に、固定電極（１４２）の厚さ（
    ｄ３）が可動電極（１４３）の厚さ（ｄ４）よりも厚い、請求項１に記載の方法
    。
  3. 【請求項３】 固定電極（１４２）の領域（Ａ）の下方に位置する犠牲層が
    第１の犠牲層（１９１）から、かつ可動電極（１４３）の領域（Ｂ）の下方に位
    置する犠牲層が第１の犠牲層（９１）およびその上に位置する第２の犠牲層（１
    ０１）からなる、請求項１または２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 次の工程： ａ)後の固定および可動電極（１４２、１４３）の領域（ＡおよびＢ）を覆うよ
    うに、基板（１１）上に第１の犠牲層（９１）を全面的に施与する工程； ｂ）後の固定電極（１４２）の領域（Ａ）のみを覆うように、第１の犠牲層（９
    １）上に第１の導電層（９２）を施与する工程； ｃ)後の固定および可動電極（１４２、１４３）の領域（ＡおよびＢ）を覆うよ
    うに、第１の犠牲層（９１）および第１の導電層（９２）上に第２の犠牲層（１
    ０１）を全面的に施与する工程； ｄ）マスクを用いるエッチング工程により、第２の犠牲層（１０１）を第１の導
    電層（４２）の上方で開け、第１の導電層（９２）を露出させ、かつ第１の犠牲
    層をその底部まで僅かにのみ除去する工程； ｅ）第２の犠牲層（１０１）および工程ｄ）で露出させた導電層（９２）の上方
    に全面的に、後で生じさせる固定および可動電極（１４２、１４３）の高さまで
    、比較的厚いドーピングされたエピタキシー層（１３１）を施与する工程； ｆ）エピタキシー層（１３１）の表面上に、固定および可動電極（１４２、１４
    ３）を構造化するマスク（１３２、１３３）を施与し、かつこれらのマスク（１
    ３２、１３３）の使用下に、固定電極（１４２）の領域（Ａ）では第１の犠牲層
    （９１）の表面により、かつ可動電極（１４３）の領域（Ｂ）では第２の犠牲層
    （１０１）の表面により画定される深さまで、トレンチ（１４１）をエピタキシ
    ー層（１３１）中にエッチングする工程；および ｇ）第１および第２の犠牲層（９１、１０１）を等方性エッチングし、その際、
    固定電極（１４２）下方の犠牲層（９１）および可動電極（１４３）下方の犠牲
    層（９１、１０１）でほぼ同じアンダーエッチング速度が生じる工程 を順次実施する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
  5. 【請求項５】 第１の犠牲層（９１）の厚さ（ｄ１）が０．５〜５μｍであ
    り、かつ第２の犠牲層（１０１）の厚さが０．５〜３μｍである、請求項１から
    ４までのいずれか１項に記載の方法。
  6. 【請求項６】 固定電極（１４２）の厚さ（ｄ３）が１．５〜２０μｍであ
    る、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 固定および可動電極をストリップ状に設け、かつその電極ス
    トリップが１μｍ〜５μｍの幅を有する、請求項１から６までのいずれか１項に
    記載の方法。
  8. 【請求項８】 請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法で製造され
    た、加速度センサ。
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