JP2010512629A - 基板上の多孔性半導体層膜の製造方法 - Google Patents
基板上の多孔性半導体層膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010512629A JP2010512629A JP2009540657A JP2009540657A JP2010512629A JP 2010512629 A JP2010512629 A JP 2010512629A JP 2009540657 A JP2009540657 A JP 2009540657A JP 2009540657 A JP2009540657 A JP 2009540657A JP 2010512629 A JP2010512629 A JP 2010512629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- porous semiconductor
- semiconductor layer
- substrate
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 34
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 33
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 6
- 238000000053 physical method Methods 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- SWJBITNFDYHWBU-UHFFFAOYSA-N [I].[I] Chemical compound [I].[I] SWJBITNFDYHWBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 229920003182 Surlyn® Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2095—Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本発明は、基板上の多孔性半導体膜の製造方法、当該方法によって製造された膜、当該膜を備えた電子デバイス、及び当該膜の使用に関する。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は、基板上の多孔性半導体膜の製造方法、当該方法によって製造された膜、当該膜を備えた電子デバイス、及び当該膜の使用に関する。
単結晶太陽電池は、25%程度のエネルギー変換効率を有している。Si由来の結晶は、単結晶でなく多結晶であり、変換効率は、高くても18%程度であって、アモルファスシリコンでは、変換効率は、12%以下である。しかしながら、シリコン系太陽電池の製造コストはかなり高く、アモルファスシリコン系であっても、かなり高い。そのため、有機化合物及び/又は有機化合物と無機化合物の混合物由来の上記シリコン系に替わるものが開発されてきており、上記有機化合物と無機化合物の混合物由来のものは、よくハイブリッド型太陽電池と称される。有機太陽電池及びハイブリッド型太陽電池は、低コストで製造されるが、アモルファスシリコン系電池と比較して、まだ変換効率が低い。光の重量、広い面積におけるローコスト製造、環境に負荷のない物質、柔軟な基板上での製造のような本来備わっている利点のため、技術的に、及び商業的に、有用な“柔軟な太陽電池”は、効率的な有機デバイスとなる。色素増感型ナノ結晶の二酸化チタン(ポーラスなTiO2)半導体及び液状還元電解質由来の太陽電池の近年の進展により、有機物質で高いエネルギー変換効率が実証されている(B.O−Regan and M. Graetzel, Nature 353 (1991, 737)。
色素分子のナノ結晶であるTiO2の増感に基づいた光電気化学電池(色素増感太陽電池(DSSC))は、それが有用な光電流デバイスであると最初に報告されて以来、大きな注目を浴びている(上述したB.O−Regan and M. Graetzel(WO91/16719))。実施されている研究の一部として、柔軟な基板上での上記の電池の潜在的な適用可能性、及び柔軟な太陽電池の潜在的な製造方法の可能性の開発がある。このような柔軟なDSSCの導入を成功させること以前に、主に解決されるべきことの一つとして、柔軟な基板に適用可能な温度の制限がある。主に使用されるTiO2ナノ粒子は、450℃ほどの高温で、良好な電気的接触を示す。このようなプロセスは、現状、電池を製造するために必要な柔軟な基板に適用可能ではなく、このことは電池の効率を制限する。他の焼結方法に関して、最も有用な方法は、現状、TiO2層に高圧をかけることである[H.Lindstroem, et al, A new method for manufacturing nanostructured electrodes on plastic substrates, Nano Lett. 1, 97(2001);H.Lindstroem, et al, A new method to make dye−sensitized nanocrystalline solar cells at room temperature, J.Photochem.Photobiol. A 145,107(2001);G. Boschloo, et al, Optimization of dye−sensitized solar cells prepared by compression method, J.Photochem.Photobiol.A 148,11(2002).]。更に、化学焼結が主流ではないが、適用されている[D.Zhang, et al, Low−temperature fabrication of efficient porous titania photoelectrodes by hydrothermal crystallization at the solid/gas interface, Adv.Mater.15,814(2003);D.Zhang, et al, Low temperature synthesis of porous nanocrystalline TiO2 thick film for dye−sensitized solar cells by hydrothermal crystallization, Chem. Lett. 9, 874(2002)]。上記の両方の方法の組み合わせ、すなわち、温度焼結及び化学焼結によっても、わずかにしか改良されない[S.A. Hague, et al, Flexible dye−sensitized nanocrystalline semiconductor solar cells, Chem. Comm. 24, 3008(2003)]。
WO2005/104153A1には、基板上に多孔性半導体層を積層する方法に関する技術が開示されていて、その技術によれば、準備した基板から予め焼結された層をリフトオフして、柔軟であるか堅固であるかを任意に選択した第2の基板、すなわち、ターゲット基板の上に搬送される。上記の方法では、半導体層の焼結が、高温に耐えられる上記準備されたターゲット上で行われるので、ターゲット基板が関係する限り高温を必要とせず、上記の第2の基板、すなわち、ターゲット基板は、必ずしもこのような特性を有している必要はない。過去に報告されたあらゆる多孔性半導体層を製造する方法によれば、色素増感太陽電池の製造のために使用される多孔質層は、一般的にマイクロメーターオーダーの厚みを有する。上記の層は脆く、層を傷つけてしまったり、実際に層を破壊してしまったりせずには、当該層の一方の基板から他方の基板への搬送を成功させることは難しい。結果として、現状、上記技術、すなわち上記のリフトオフの技術のうち最も進歩したものであっても、1〜2cm2を超過した面積を有する層の製造はできないでいた。更に、従来技術に関するリフトオフ技術によれば、多孔性半導体層の各“パッチ”は、独立して、準備した基板からターゲット基板に搬送されなければならず、それ故、作業効率が悪く、コストもかかってしまっていた。
そこで、本発明の目的とするところは、広い面積を有する任意の基板上に多孔性半導体層の形成を可能なものとする方法を提供することである。更に、本発明の目的とするところは、塗布において自動化及び高効率化を実現することを可能なものとする方法を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、
(a)第1の基板上に、多孔性半導体層と前記第1の基板とを電気的及び機械的に接触させることが可能な吸着層を形成するステップと、
(b)300℃以上の温度に耐えることができる第2の基板上に、スペーサ層を塗布して、当該スペーサ層上に多孔性半導体層を塗布するステップと、
(c)前記多孔性半導体層上に支持層を塗布して、前記支持層に前記多孔性半導体層を支持させるステップと、
(d)前記スペーサ層を除去するステップと、
(e)前記支持層によって支持された前記多孔性半導体層を前記吸着層上に搬送するステップと、
(f)前記吸着層上の前記多孔性半導体層を押圧するステップと、
(g)前記多孔性半導体層から前記支持層を除去して、前記吸着層に付着した前記多孔性半導体層を多孔性半導体膜として有している前記第1の基板を生成するステップと、
を備える、基板上の多孔性半導体層の製造方法が提供される。
(a)第1の基板上に、多孔性半導体層と前記第1の基板とを電気的及び機械的に接触させることが可能な吸着層を形成するステップと、
(b)300℃以上の温度に耐えることができる第2の基板上に、スペーサ層を塗布して、当該スペーサ層上に多孔性半導体層を塗布するステップと、
(c)前記多孔性半導体層上に支持層を塗布して、前記支持層に前記多孔性半導体層を支持させるステップと、
(d)前記スペーサ層を除去するステップと、
(e)前記支持層によって支持された前記多孔性半導体層を前記吸着層上に搬送するステップと、
(f)前記吸着層上の前記多孔性半導体層を押圧するステップと、
(g)前記多孔性半導体層から前記支持層を除去して、前記吸着層に付着した前記多孔性半導体層を多孔性半導体膜として有している前記第1の基板を生成するステップと、
を備える、基板上の多孔性半導体層の製造方法が提供される。
また、一実施形態によれば、前記ステップ(a)及び前記ステップ(b)は、a、bの順番で、又はb、aの順番で、又は互いに同時に、又は一時的に重複するように実行される。
また、一実施形態によれば、前記ステップ(f)及び前記ステップ(g)は、f、gの順番で、又はg、fの順番で、又は互いに同時に、又は一時的に重複するように実行される。上記のいずれかの順番で、上記ステップ(f)及び上記ステップ(g)が実行されることによって、上記吸着層に付着した上記多孔性半導体層と上記第1の基板の間に、機械的及び電気的接触が形成される。
また、一実施形態によれば、前記支持層は、キャスティング、スピンコーティングドロップキャスティング、スプレー塗布、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、又はラミネーションから選択される方法によって、前記多孔性半導体層に塗布される。
また、一実施形態によれば、上記支持層及び上記多孔性半導体層の間の接触領域については、多孔性半導体層の全表面領域と等しくすることができる。また、他の実施形態によれば、上記支持層及び上記多孔性半導体層の間の接触領域は、多孔性半導体層の全表面領域よりも小さく、例えば、選択された接触領域のみであってもよい。また、更に他の実施形態によれば、上記支持層及び上記多孔性半導体層の間の接触領域は、多孔性半導体層の全表面領域に等しいが、上記支持層は多孔性半導体層よりも大きい接触領域を有していて、多孔性半導体層の側面を超えて広がっている。
好ましくは、前記支持層は、ポリマー物質で形成されており、更に好ましくは、前記支持層は、ポリマーの前駆体を含む組成物として前記多孔性半導体層上に塗布され、前記多孔性半導体層上の塗布により、前記組成物が硬化して(is cured)、前記ポリマー物質で形成される前記支持層を形成することができる。
また、他の実施形態によれば、前記支持層は、所定の溶剤に可溶なポリマーとして、前記多孔性半導体層に塗布され、前記溶剤が蒸発してもよい。
また、一実施形態によれば、前記ポリマー物質は、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、例えば、SylGard(登録商標)のようなシリコンゴム、Surlyn、エポキシ樹脂、ポリウレタン(PU)、ポリアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン(ABS)、セルロースアセテート、ポリスチレン(PS)、ポリエチレン(PE)、ポリビニルクロライド(PVC)、ポリイミド(PI)、架橋したフェノールホルムアルデヒドポリマー樹脂(ノボラック(登録商標))から成るグループから選択される。
好ましくは、前記ポリマー物質は、固体状の弾性体又は熱可塑性ポリマーである。
また、一実施形態によれば、上記支持層は、金属箔である。
また、一実施形態によれば、上記支持層及び上記多孔質層間の吸着は、静電相互作用、ファンデルワールス力、共有結合、イオン結合、又は真空条件に基づいている。
また、一実施形態によれば、前記支持層は、当該支持層上に、ガラス基板のような追加の基板によって補強される。
また、好ましくは、前記支持層は、ポリマー物質で形成される少なくとも1つの層を含む1又は2以上の異なる層から構成されることができる。
また、一実施形態によれば、前記ポリマー物質のヤング率は、1MPa〜10GPaであり、好ましくは3MPa〜30MPaである。
また、一実施形態によれば、ステップ(g)で、前記支持層は、少なくとも1つのUV光、溶剤、溶剤とUV光の組み合わせ、プラズマ、高温、低温、NaOHのような塩基、又は酸に曝されることによって、前記多孔性半導体層から除去される。
また、一実施形態によれば、前記多孔性半導体層は、ステップ(b)で前記スペーサ層上に塗布された後、半導体粒子の圧縮されていない層であり、好ましくは、前記半導体粒子の粒径は、約10nm〜約1000nmであり、好ましくは約10nm〜約500nmである。
また、一実施形態によれば、前記ステップ(e)は、
(ea)前記第2の基板から前記多孔性半導体層を分離するステップと、
(eb)任意に前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、
(ec)前記第2の基板と前記スペーサ層がない状態で、前記吸着層上に、前記支持層によって支持される前記多孔性半導体層を搬送するステップと、を含む。
(ea)前記第2の基板から前記多孔性半導体層を分離するステップと、
(eb)任意に前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、
(ec)前記第2の基板と前記スペーサ層がない状態で、前記吸着層上に、前記支持層によって支持される前記多孔性半導体層を搬送するステップと、を含む。
好ましくは、前記ステップ(b)は、
(ba)蒸発、スパッタリング、電着、自己組織化、静電積層、スプレー塗布、又は、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、又はインクジェットプリンティングのようなプリンティング技術から選択される方法によって、前記スペーサ層を前記第2の基板上に塗布するステップと、
(bb)プリンティングであって、特に、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、インクジェットプリンティング、静電積層、又はスプレー塗布から選択される方法によって前記スペーサ層上に前記多孔性半導体層を塗布するステップと、
(bc)前記多孔性半導体層を焼結するステップと、選択的に、
(bd)前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、を含む。
(ba)蒸発、スパッタリング、電着、自己組織化、静電積層、スプレー塗布、又は、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、又はインクジェットプリンティングのようなプリンティング技術から選択される方法によって、前記スペーサ層を前記第2の基板上に塗布するステップと、
(bb)プリンティングであって、特に、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、インクジェットプリンティング、静電積層、又はスプレー塗布から選択される方法によって前記スペーサ層上に前記多孔性半導体層を塗布するステップと、
(bc)前記多孔性半導体層を焼結するステップと、選択的に、
(bd)前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、を含む。
また、一実施形態によれば、前記ステップ(a)で、前記吸着層は、プリンティングであって、特に、スクリーンプリンティング、及び/またはインクジェットプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、スプレー塗布から選択される方法によって、前記第1の基板上に形成される。
好ましくは、前記ステップ(ea)は、前記第2の基板から前記多孔性半導体層を引き上げるリフトオフを含み、更に好ましくは、前記リフトオフは、前記多孔性半導体層から前記スペーサ層及び少なくとも一部の前記第2の基板を除去することによって行われる。
また、一実施形態によれば、前記スペーサ層は、有機物、無機物、又は金属であって、好ましくは金又は有機物、無機物、金属を組み合わせたものであり、好ましくは、前記スペーサ層は、金属、好ましくは金から構成されており、前記スペーサ層の除去は、例えば、強酸やヨウ素−ヨウ素化合物等の酸化還元対等である酸化剤による処理である、酸化によって行われる。
また、一実施形態によれば、前記スペーサ層は、化学的手法及び/または物理的手法によって除去され、前記ステップ(d)では、化学的手法及びまたは物理的手法によって除去され、前記多孔性半導体層のリフトオフを可能にして、好ましくは、前記スペーサ層は、有機物、無機物、又は金属であって、好ましくは金又は有機物、無機物、金属を組み合わせたものであり、更に好ましくは、前記スペーサ層は、金属、好ましくは金から構成されており、前記スペーサ層の除去は、例えば、強酸やヨウ素−ヨウ素化合物等の酸化還元対等である酸化剤による処理で、酸化されることで行われる。
また、一実施形態によれば、前記除去は、例えば、剥離する物理的手法、及び/又は、例えば、エッチングや酸化等の化学的手法によって行われてもよい。
好ましくは、前記ステップ(e)の搬送は、前記多孔性半導体層が湿潤した状態又は乾燥した状態で行われ、更に好ましくは、前記搬送は、ロール・ツー・ロール(roll to roll)法によって行われる。
また、一実施形態によれば、前記ステップ(bc)の焼結は、300〜1000℃であり、好ましくは350℃超過であり、更に好ましくは380℃超過であり、最も好ましくは400℃超過の温度で行われる。
好ましくは、前記ステップ(e)で、前記吸着層上の前記多孔性半導体層の押圧は、1〜100×103N/cm2の圧力で、好ましくは1〜30×103N/cm2の圧力(1−30×103N/cm2)で、更に好ましくは10〜30×103N/cm2の圧力(10−30×103N/cm2)で行われる。
また、一実施形態によれば、前記吸着層は半導体粒子、好ましくは酸化物の粒子であって、更に好ましくはTiO2粒子であって、特にアナターゼ型TiO2粒子の層である。
本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、多様な半導体粒子が、本発明の実施のために用いられることは明らかである。上記半導体粒子としては、例えば、TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、ZrO2、CeO2、WO3、SiO2、Al2O3、CuAlO2、SrTiO3、SrCu2O2、又はこれらの酸化物を数種類有する複合酸化物が挙げられるが、これらの例に限定されない。
また、一実施形態によれば、前記多孔性半導体層は半導体粒子、好ましくは酸化物の粒子であって、更に好ましくはTiO2粒子であって、特にアナターゼ型TiO2粒子の層である。
また、一実施形態によれば、前記多孔性半導体層は、約10nm〜約1000nm、好ましくは約10nm〜約100nmの粒径を有し、又は、例えば、一方の粒子は約10nm〜約30nmの粒径であって、他方が約200nm〜約400nmの粒径であるような異なる粒径を有する半導体粒子の混合物を含む。
また、一実施形態によれば、N2吸着法によって測定された前記多孔性半導体層の多孔度は、30%〜80%である。本実施形態においては、x%の多孔度を有する膜とは、膜の全体積のx%が、空間部分であることを意味する。
好ましくは、上記多孔性半導体層は、第1の副層及び当該第1の副層に隣接した第2の副層を含む混合層であり、上記第1の副層は球形ナノ粒子を含み、上記第2の副層は、細長い棒状ナノ粒子を含み、更に好ましくは、上記球形ナノ粒子の粒径は、約10nm〜約100nmであり、より好ましくは約10nm〜約100nmであり、上記細長い棒状ナノ粒子の最も長い側面の平均長さは、約10nm〜約1000nmであり、好ましくは約50nm〜約200nmであり、上記細長い棒状ナノ粒子の最長の軸と最短の軸の比率は、2以上であり、より好ましくは2〜10である。
また、一実施形態によれば、基板上の上記多孔性半導体膜で、上記第1の副層は、上記吸着層に面して形成されており、上記第2の副層は、上記吸着層からは上記第1の副層よりも離れた位置に形成される。
好ましくは、上記第1の副層の厚み及び上記第2の副層の厚みは、夫々、1μm〜25μmである。
また、一実施形態によれば、前記第2の基板は、300℃〜1000℃、好ましくは350℃超過、更に好ましくは380℃超過、最も好ましくは400℃超過の温度に耐えることが可能な基板であり、好ましくは、前記第2の基板は、ガラス又は金属、好ましくはステンレス鋼で構成される。
また、一実施形態によれば、前記多孔性半導体層の厚みは、約1μm〜約50μmである。
また、一実施形態によれば、前記吸着層は、約10nm〜約100nmであってもよく、好ましくは約10nm〜約50nmであり、更に好ましくは約10nm〜約20nmの粒径を有する半導体粒子の層である。
また、一実施形態によれば、前記吸着層の厚みは、約10nm〜約1μmであってもよく、好ましくは500nm未満であり、更に好ましくは100nm以下である。
また、一実施形態によれば、前記第1の基板は、可とう性物質から構成されてもよい。
また、一実施形態によれば、上記柔軟性物質は250℃超過での焼結処理に耐えられなくてもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、本実施形態にかかる製造方法によって製造された多孔性半導体膜であって、好ましくは光電流セルで使われて、当該光電流セルで2cm2超過の領域を覆っている場合に、光活性層としての機能を失わない、多孔性半導体層が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、本実施形態にかかる多孔性半導体膜を備える、電子デバイスが提供される。
好ましくは、本実施形態にかかる電子デバイスは、より好ましくは2つのフレキシブル基板を有していて、更に好ましくは2つのプラスティック基板、フレキシブル基板、又は紙基板を有する太陽電池又はセンサーデバイスであって、その結果として前記太陽電池又は前記センサーは、湾曲されられたり、曲げられたり、安定な形態である。
好ましくは、本実施形態にかかる電子デバイスは、太陽電池又はセンサーデバイスであって、好ましくは少なくとも1つの、更に好ましくは2つの薄い基板を有する。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電子デバイス、特に、太陽電池を製造するための本実施形態にかかる方法の使用が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電子デバイス、好ましくは太陽電池に関する、本実施形態にかかる多孔性半導体膜の使用が提供される。
ここで言う、“支持層”という用語は、第2の基板、すなわち“準備した基板(preparation substrate)”から第1の基板、すなわち“ターゲット基板”に多孔性半導体層を搬送することを目的とする層であることを意味する。支持層は、特に一つの基板から他の基板への搬送の過程において、多孔性半導体層を支持する。
本願の実施形態において、a、b、c等の文字によって表される一連のステップで構成される製造方法について参照されるなら、これは、そのアルファベットで表されるようにステップが連続して行われるということを常に意味する。ここで、そのステップが違う方式で行われるのであるならば、例えば、逆の順序又は付随して行われるのであるならば、このことは、常に明確に示されている。
本願発明者によると、驚くべきことに、多孔性半導体層上に支持層を用いることによって、特に搬送ステップの過程において、多孔性半導体層を安定にすることができることを発見した。上記支持層は、多孔性半導体層は、低界面エネルギーを有するように、及び/又は、多孔性半導体層に付け外しが可能な吸着力を有するように適切に選択されてもよい。更に、支持層は、搬送の過程後、又は化学薬品、溶剤、UV光、又は高/低温に曝されて高圧をかけられた後に、多孔性半導体層から除去されるが、搬送の過程において化学的安定性を有するように選択されてもよい。更に、支持層の界面特性は、製造時に使用される物質の種類に依存して変わりうる。例えば、支持層がポリマー物質で形成されるのであれば、その界面特性は、機能的なユニットを有する添加剤を含むことによって、又はプラズマ処理によって、又は機能的な末端基を有する自己組織化単分子膜(SAMs)を含むことにより、プレポリマーを変更することによって、変わりうる。支持層を用いる本実施形態に係る方法では、数十cm2から数百cm2までの領域の基板上に多孔性半導体層を製造することが可能となる。更に、支持層を用いる本実施形態に係る方法では、連続的な搬送、すなわち、ロール・ツー・ロール(roll to roll)法での搬送が可能となり、効率的に製造することができる。
本実施形態に係る支持層のリフトオフ(ALLO)の典型的な例については、図1に示し、支持層(AL)としてPMMAが示されている。一般的に、プロセスは以下に示す通りに行われうる。:多孔質層が、スペーサ層によって覆われている熱に耐性を有する基板上に塗布される。多孔性半導体層を焼結した後に、支持層は多孔質層の上に塗布される。多孔質層の下にあるスペーサ層は、取り除かれ、支持層によって安定化された多孔質層は、基板からリフトオフされて、選択したターゲット基板に搬送される。この選択したターゲット基板は、熱伝導物質及び吸着層によって覆われており、その後者では、搬送された多孔質層及び熱伝導物質間の機械的および電気的接触が良好になる。上記接触は、数十kN/cm2から数百kN/cm2オーダーの圧力、好ましくは10〜30kNの圧力で搬送された多孔質層に力をかけることで、強固なものとなる。その後、支持層は、適切な溶剤で溶解したり、UV光に曝したり、取り除いたり、引き離したり、酸、塩基、又はそれらを組み合わせたもののような化学薬品に曝したりするといったような、適切な方法で取り除かれる。塩基に曝すことは、−COOH、−OSO3H、−OPO3H2のような機能性ユニット、又は置換基を介して上記の吸着が行われるのであれば、特に有用である。上述した除去後、色素増感太陽電池(DSSC)は、一般的なDSSCの製造過程、すなわち、多孔質層の染色、電解質及び対電極の塗布によって製造される。
更に、以下の実施例について説明するが、本願発明は実施例に限定されるものではない。
多孔性のTiO2層(15μm)は、30nmの金で被覆されたガラス基板上に、スクリーンプリンティングによって塗布される。多孔質層を30分間、500℃で焼結した後に、支持層が塗布される:PMMAはスピンコーティングによって塗布され、ガラス基板によって被覆される。その後、溶剤が170℃(10分間)で、蒸発させられる。それから、金の層は、電解質内(アセトニトリル条件下におけるヨウ素(200mM)/ヨウ素化合物(2M))での溶解によって除去される。アセトニトリル及びエタノールで多孔質層を洗浄した後、それが、第2の基板上に塗布される。すなわち、PET上にITOが塗布されて、ガラス基板上にFTOが塗布される。吸着層は、100nm〜1μmの厚みの多孔質層で形成される。上記吸着層の厚みは、できるだけ薄くするべきであるが、搬送された多孔質層と良好に接触するのに十分な厚みは有しておくべきである。吸着層及び搬送した層間の接触状態は、30kN/cm2の圧力pをかけることによって、及び/又は熱をかけることによって増強される。その後、PMMA層は、UV光で照射されてから、アセトニトリル条件下で溶解される。アセトニトリル及びエタノールで多孔質層を洗浄することで、除去工程は完遂して、DSSCは、更に上述したように形成される。:赤色色素分子(N3bis−TBA)が、エタノール(0.3mM)の溶液条件で、自己組織化によりTiO2層に単分子層として付着される。染色した多孔質層は、電解質(酸化還元対として0.2M/2Mのヨウ素/ヨウ素化合物を有するアセトニトリル)で満たされる。同じ電解質の15μmの厚みを有するバルク層は、多孔質層及び任意の基板上に塗布された平坦かつ平滑な白金層(50nm)の間の隙間を埋める。多孔質層及び白金対電極の直接の接触を防ぐために、スペーサ、例えば、ガラスやスペーサの金属箔から形成された球状のものが、上記二つの電極間に導入される。
支持層のリフトオフプロセスによって製造されたDSSC及び吸着層のみを有するDSSCの電流−電圧特性の比較について、図2に示す。上記電流−電圧特性は、太陽光を模擬したものとして100mW/cm2の光を照射することによって得られたものである。ALLO電池の光電流特性が、比較例の電池の特性よりも非常に優れていることについては、容易に把握することができる(図3での表1)。これは、ALLOのコンセプトを取り入れることが優れていることを示している。
本実施形態、特許請求の範囲、及び/又は図面で説明した本願発明の特徴は、それらを夫々独立して、組み合わせて、多様な形態で本願発明を実現するための具体例である。
Claims (42)
- (a)第1の基板上に、多孔性半導体層と前記第1の基板とを電気的及び機械的に接触させることが可能な吸着層を形成するステップと、
(b)300℃以上の温度に耐えることができる第2の基板上に、スペーサ層を塗布して、当該スペーサ層上に多孔性半導体層を塗布するステップと、
(c)前記多孔性半導体層上に支持層(assisting layer)を塗布して、前記支持層に前記多孔性半導体層を支持させるステップと、
(d)前記スペーサ層を除去するステップと、
(e)前記支持層によって支持された前記多孔性半導体層を前記吸着層上に搬送するステップと、
(f)前記吸着層上に前記多孔性半導体層を押圧するステップと、
(g)前記多孔性半導体層から前記支持層を除去して、それにより前記吸着層を介して上に付着した前記多孔性半導体層を多孔性半導体膜として有している前記第1の基板を生成するステップと、
を備える、基板上の多孔性半導体膜の製造方法。 - 前記ステップ(a)及びステップ(b)は、a、bの順番で、又はb、aの順番で、又は互いに同時に、又は一時的に重複するように実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記支持層は、キャスティング、スピンコーティング、ドロップキャスティング、スプレー塗布、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、又はラミネーションから選択される方法によって、前記多孔性半導体層に塗布される、請求項1〜2のいずれかに記載の方法。
- 前記支持層は、ポリマー物質で形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記支持層は、ポリマーの前駆体を含む組成物として前記多孔性半導体層上に塗布され、前記多孔性半導体層上の塗布により、前記組成物が硬化して(is cured)、前記ポリマー物質で形成される前記支持層を形成する、請求項4に記載の方法。
- 前記支持層は、所定の溶剤に可溶なポリマーとして、前記多孔性半導体層に塗布され、その後前記溶剤は蒸発する、請求項4に記載の方法。
- 前記ポリマー物質は、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、例えば、Sylgard(登録商標)のようなシリコンゴム、、Surlyn、エポキシ樹脂、ポリウレタン(PU)、ポリアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン(ABS)、セルロースアセテート、ポリスチレン(PS)、ポリエチレン(PE)、ポリビニルクロライド(PVC)、ポリイミド(PI)、架橋したフェノールホルムアルデヒドポリマー樹脂(ノボラック(登録商標))から成るグループから選択される、請求項4〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマー物質は、固体状の弾性体又は熱可塑性ポリマーである、請求項4〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記支持層は、当該支持層上に、ガラス基板のような追加の基板によって補強される、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記支持層は、ポリマー物質で形成される少なくとも1つの層を含む1又は2以上の異なる層から成る、請求項4〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマー物質のヤング率は、1MPa〜10GPaであり、好ましくは3MPa〜30MPaである、請求項4〜10のいずれか1項に記載の方法。
- ステップ(g)で、前記支持層は、少なくとも1つのUV光、溶剤、溶剤とUV光の組み合わせ、プラズマ、高温、低温、NaOHのような塩基、又は酸に曝されることによって、前記多孔性半導体層から除去される、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多孔性半導体層は、ステップ(b)で前記スペーサ層上に塗布された後、半導体粒子の圧縮されていない層となる、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体粒子の粒径は、約10nm〜約1000nmであり、好ましくは約10nm〜約500nmである、請求項13に記載の方法。
- ステップ(e)は、
(ea)前記第2の基板から前記多孔性半導体層を分離するステップと、
(eb)選択的に前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、
(ec)前記第2の基板及び前記スペーサ層がない状態で、前記吸着層上に、前記支持層によって支持される前記多孔性半導体層を搬送するステップと、を含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(ba)蒸着、スパッタリング、電着、自己組織化、静電積層、スプレー塗布、又は、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、又はスプレー塗布のようなプリンティング技術から選択される方法によって、前記スペーサ層を前記第2の基板上に塗布するステップと、
(bb)プリンティング、特に、スクリーンプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、インクジェットプリンティング、静電積層、又はスプレー塗布から選択される方法によって前記スペーサ層上に前記多孔性半導体層を塗布するステップと、
(bc)前記多孔性半導体層を焼結するステップと、選択的に、
(bd)前記多孔性半導体層を染色するステップであって、好ましくは色素増感太陽電池に利用可能な色素を使うステップと、
を含む、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。 - 前記ステップ(a)で、前記吸着層は、プリンティングであって、特に、スクリーンプリンティング、及び/またはインクジェットプリンティング、ドクターブレーディング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、スプレー塗布から選択される方法によって、前記第1の基板上に形成される、請求項1〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップ(ea)は、前記第2の基板から前記多孔性半導体層のリフトオフを含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記リフトオフは、前記多孔性半導体層から前記スペーサ層及び少なくとも一部の前記第2の基板を除去することによって行われる、請求項18に記載の方法。
- 前記スペーサ層は、化学的手法及び/または物理的手法によって除去されることによって、前記ステップ(d)では、化学的手法及び/または物理的手法によって除去され、前記多孔性半導体層のリフトオフを可能にする、請求項18または19に記載の方法。
- 前記スペーサ層は、有機物、無機物、又は金属であって、好ましくは金又は有機物、無機物、金属を組み合わせたものである、請求項20に記載の方法。
- 前記スペーサ層は、金属、好ましくは金で形成されており、前記スペーサ層の除去は、例えば、強酸やヨウ素−ヨウ素化合物等の酸化還元対等である酸化剤による処理で、酸化されることで行われる、請求項21に記載の方法。
- 前記除去は、例えば、剥離する物理的手法、及び/又は、例えば、エッチングや酸化の化学的手法によって行われる、請求項19〜22のいずれか1項に記載の方法。
- ステップ(e)の搬送は、前記多孔性半導体層が湿潤した状態又は乾燥した状態で行われる、請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法。
- 前記搬送は、ロール・ツー・ロール(roll to roll)法によって行われる、請求項24に記載の方法。
- ステップ(bc)の焼結は、300〜1000℃であり、好ましくは350℃超過であり、更に好ましくは380℃超過であり、最も好ましくは400℃超過の温度で行われる、請求項16〜25のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップ(e)で、前記吸着層上の前記多孔性半導体層の押圧は、1〜100かける103N/cm2の圧力で、好ましくは1〜30×103N/cm2の圧力で、更に好ましくは10〜30×103N/cm2の圧力で行われる、請求項1〜26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記吸着層は半導体粒子、好ましくは酸化物の粒子であって、更に好ましくはTiO2粒子であって、特にアナターゼ型TiO2粒子の層である、請求項1〜27のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多孔性半導体層は半導体粒子、好ましくは酸化物の粒子であって、更に好ましくはTiO2粒子であって、特にアナターゼ型TiO2粒子の層である、請求項1〜28のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多孔性半導体層は、約10nm〜約1000nm、好ましくは約10nm〜約100nmの粒径を有する半導体粒子の混合物、又は、例えば、一方の粒子は約10nm〜約30nmの粒径であって、他方が約200nm〜約400nmの粒径であるような異なる粒径を有する半導体粒子の混合物を含む、請求項1〜29のいずれか1項に記載の方法。
- N2吸着法によって測定された前記多孔性半導体層の多孔度は、30%〜80%である、請求項1〜30のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の基板は、300℃〜1000℃、好ましくは350℃超過、更に好ましくは380℃超過、最も好ましくは400℃超過の温度に耐えることが可能な基板である、請求項1〜31のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の基板は、ガラス又は金属、好ましくはステンレス鋼で構成される、請求項32に記載の方法。
- 前記多孔性半導体層の厚みは、約1μm〜約50μmである、請求項1〜33のいずれか1項に記載の方法。
- 前記吸着層は、約10nm〜約100nmであり、好ましくは約10nm〜約50nmであり、更に好ましくは約10nm〜約20nmの粒径を有する半導体粒子の層である、請求項1〜34のいずれか1項に記載の方法。
- 前記吸着層の厚みは、約10nm〜約1μmであり、好ましくは500nm未満であり、更に好ましくは100nm以下である、請求項1〜35のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の基板は、可とう性物質で形成される、請求項1〜36のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜37のいずれか1項に記載の方法によって製造された多孔性半導体膜であって、好ましくは光電流電池で使われて、当該光電流電池で2cm2超過の領域を覆っている場合に、光活性層としての機能を失わない、多孔性半導体膜。
- 請求項38に記載の多孔性半導体膜を備える、電子デバイス。
- 好ましくは、少なくとも1つの、より好ましくは2つのフレキシブル基板を有していて、更に好ましくは2つのプラスティック基板、フレキシブル基板、又は紙基板を有する太陽電池又はセンサーデバイスであって、
その結果として前記太陽電池又は前記センサーデバイスは、湾曲されられたり、曲げられたり、安定な形態である、請求項39に記載の電子デバイス。 - 電子デバイス、好ましくは太陽電池を製造するための請求項1〜37のいずれか1項に記載の方法の使用。
- 電子デバイス、好ましくは太陽電池における、請求項38に記載の多孔性半導体膜の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06025828A EP1933343A1 (en) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | A method of preparing a porous semiconductor film on a substrate |
PCT/EP2007/010893 WO2008071413A2 (en) | 2006-12-13 | 2007-12-12 | A method of preparing a porous semiconductor film on a substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010512629A true JP2010512629A (ja) | 2010-04-22 |
Family
ID=37944186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009540657A Pending JP2010512629A (ja) | 2006-12-13 | 2007-12-12 | 基板上の多孔性半導体層膜の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100024877A1 (ja) |
EP (2) | EP2015325A3 (ja) |
JP (1) | JP2010512629A (ja) |
CN (1) | CN101611462A (ja) |
WO (1) | WO2008071413A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008243425A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 酸化物半導体電極用積層体、耐熱基板付酸化物半導体電極、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池セル、および色素増感型太陽電池モジュール |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101173344B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2012-08-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101650580B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2016-08-23 | 서울시립대학교 산학협력단 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101697371B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2017-01-17 | 서울시립대학교 산학협력단 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101279586B1 (ko) * | 2011-01-20 | 2013-06-27 | 한국과학기술연구원 | 플렉서블 광전극과 그 제조방법, 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 |
KR101709198B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2017-02-23 | 주식회사 포스코 | 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법 |
CN102394178B (zh) * | 2011-11-08 | 2012-12-05 | 南京大学 | 利用紫外辐照光电极提高染料敏化太阳电池转换效率方法 |
KR101273567B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2013-06-11 | 한국과학기술연구원 | 염료감응 태양전지용 상대전극 및 이의 제조방법 |
WO2015006021A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Electric Film Llc | Photovoltaic powered door lock |
CN103762084A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-04-30 | 华东师范大学 | 一种染料敏化太阳电池及其光阳极的低温制备方法 |
CN105489313B (zh) * | 2014-09-17 | 2017-09-01 | 谢建德 | 高导电性基板及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005104153A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Sony Deutschland Gmbh | A method of producing a porous semiconductor film on a substrate |
JP2006313693A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 中間転写媒体の製造方法、酸化物半導体電極の製造方法、および色素増感型太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991016719A2 (en) | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Michael Graetzel | Photovoltaic cells |
SE514600C2 (sv) | 1999-05-25 | 2001-03-19 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Metod för tillverkning av nanostrukturerade tunnfilmselektroder |
US20060008580A1 (en) * | 2000-11-24 | 2006-01-12 | Gabrielle Nelles | Hybrid solar cells with thermal deposited semiconductive oxide layer |
DE60033038T2 (de) * | 2000-11-24 | 2007-08-23 | Sony Deutschland Gmbh | Hybridsolarzelle mit thermisch abgeschiedener Halbleiteroxidschicht |
EP1837930A1 (en) * | 2001-09-04 | 2007-09-26 | Sony Deutschland GmbH | Photovoltaic device and method for preparing the same |
CN101572193B (zh) * | 2001-12-21 | 2011-08-03 | 索尼德国有限责任公司 | 聚合物凝胶混杂太阳能电池 |
EP1463073A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-29 | Sony International (Europe) GmbH | Porous film having a gradient of light scattering strength |
EP1507298A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-02-16 | Sony International (Europe) GmbH | Carbon nanotubes based solar cells |
EP1513171A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-09 | Sony International (Europe) GmbH | Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production |
EP1589549A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-26 | Sony Deutschland GmbH | A method of producing a porous semiconductor film on a substrate |
KR101156531B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2012-06-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플렉서블 반도체 전극의 제조방법 및 그에 의해 제조된반도체 전극, 이를 이용한 태양전지 |
EP1826788A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-29 | Sony Deutschland Gmbh | A method of optimizing the band edge positions of the conduction band and the valence band of a semiconductor material for use in photoactive devices |
DE602006007679D1 (de) * | 2006-03-31 | 2009-08-20 | Sony Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines vernetzten Polymer-Gels |
EP1936644A3 (en) * | 2006-12-22 | 2011-01-05 | Sony Deutschland Gmbh | A photovoltaic cell |
-
2006
- 2006-12-13 EP EP08018079A patent/EP2015325A3/en not_active Withdrawn
- 2006-12-13 EP EP06025828A patent/EP1933343A1/en not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-12-12 CN CN200780051257.8A patent/CN101611462A/zh active Pending
- 2007-12-12 JP JP2009540657A patent/JP2010512629A/ja active Pending
- 2007-12-12 WO PCT/EP2007/010893 patent/WO2008071413A2/en active Application Filing
- 2007-12-12 US US12/518,705 patent/US20100024877A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005104153A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Sony Deutschland Gmbh | A method of producing a porous semiconductor film on a substrate |
JP2006313693A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 中間転写媒体の製造方法、酸化物半導体電極の製造方法、および色素増感型太陽電池の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008243425A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 酸化物半導体電極用積層体、耐熱基板付酸化物半導体電極、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池セル、および色素増感型太陽電池モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2015325A2 (en) | 2009-01-14 |
EP1933343A1 (en) | 2008-06-18 |
WO2008071413A2 (en) | 2008-06-19 |
EP2015325A3 (en) | 2009-11-25 |
US20100024877A1 (en) | 2010-02-04 |
CN101611462A (zh) | 2009-12-23 |
WO2008071413A3 (en) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010512629A (ja) | 基板上の多孔性半導体層膜の製造方法 | |
JP5074922B2 (ja) | 基板上での多孔質半導体膜の製造方法 | |
Chen et al. | Carbon‐based perovskite solar cells without hole transport materials: the front runner to the market? | |
CN105393376B (zh) | 有机太阳能电池及其制造方法 | |
US20120255607A1 (en) | Semiconductor coated microporous graphene scaffolds | |
JP2012074365A (ja) | タンデム型色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
Luo et al. | Rapid fabrication and photovoltaic performance of Pt-free carbon nanotube counter electrodes of dye-sensitized solar cells | |
Hossain et al. | Investigation of TiO2 nanotubes/nanoparticles stacking sequences to improve power conversion efficiency of dye-sensitized solar cells | |
KR101401233B1 (ko) | 티타니아 나노시트와 그라핀을 이용한 유기 태양전지 | |
Xiao et al. | Short-length and high-density TiO2 nanorod arrays for the efficient charge separation interface in perovskite solar cells | |
KR101170919B1 (ko) | 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 태양전지 | |
JP2005142089A (ja) | 多孔質半導体電極の形成方法、色素増感型太陽電池用電極基板の製造方法、色素増感型太陽電池用電極基板、及び色素増感型太陽電池 | |
Rased et al. | Introduction to solar energy and its conversion into electrical energy by using dye-sensitized solar cells | |
Kuo et al. | Sinter-free transferring of anodized TiO2 nanotube-array onto a flexible and transparent sheet for dye-sensitized solar cells | |
Wu et al. | Layered-stacking of titania films for solar energy conversion: Toward tailored optical, electronic and photovoltaic performance | |
Maiaugree et al. | Influence of Acid Modification Multiwall Carbon Nanotube Counter Electrodes on the Glass and Flexible Dye‐Sensitized Solar Cell Performance | |
JP2010114181A (ja) | 有機光電変換素子、及びその製造方法 | |
JP2010036109A (ja) | 有機光触媒フィルムの製造方法 | |
JP2022049017A (ja) | 積層体および有機系太陽電池の製造方法 | |
JP2010092813A (ja) | 光電変換用酸化物半導体電極、その作製方法及びこれを備えた色素増感太陽電池 | |
CN104480453A (zh) | 一种制造多孔复合纳米薄膜的方法 | |
KR20180029757A (ko) | 염료감응형 태양전지 상대전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 상대전극 및 상기 상대전극을 포함한 염료감응형 태양전지 | |
JP2009295448A (ja) | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および電子機器 | |
Abdoul-latif et al. | Different methods of introduction gold NPs into Perovskite Solar Cells with their efficiencies | |
TW201903797A (zh) | 堆疊體及有機系太陽能電池的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130709 |