KR101650580B1 - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도.
3: 반도체층, 4: 투명전극층.
Claims (37)
- 종이 또는 내열성 물질이 코팅된 기판과,
상기 기판상에 형성되는 제1 전극층,
상기 제1 전극층상에 형성됨과 더불어 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층 및,
상기 반도체층상에 형성되는 제2 전극층을 구비하여 구성되고,
상기 제1 전극층은 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,
상기 반도체층은 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고,
상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며,
상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT이고,
상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며,
상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지. - 유기물로 구성되는 기판과,
상기 기판상에 형성되는 제1 전극층,
상기 제1 전극층상에 형성됨과 더불어 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층 및,
상기 반도체층상에 형성되는 제2 전극층을 구비하여 구성되고,
상기 제1 전극층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,
상기 반도체층이 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고,
상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며,
상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT 이고,
상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며,
상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지. - 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층을 구비하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
종이 또는 내열성 물질이 코팅된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 상기 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막을 형성하는 단계;를 포함하되,
상기 제1 전극층은 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,
상기 반도체층은 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고,
상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며,
상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT이고,
상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되며,
상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 기판을 준비하는 단계는 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 종이에 열을 가하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 제1 전극층은 금속으로 이루어지고, 제1 전극층의 형성은 진공증착을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. - 외부로부터 인가되는 광에 의해 전자 및 정공을 발생시키는 반도체층을 구비하는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
유기물 기판을 준비하는 단계;
상기 기판상에 도전성 유기물로 구성되는 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 전극층의 상측에 외부 광이 상기 제2 전극층에 의해 반사되는 것을 방지하기 위한 반사 방지막을 형성하는 단계;를 포함하되,
상기 제1 전극층이 도전성 유기물을 포함하여 구성되며,
상기 반도체층이 N형 반도체층과 I형 반도체층 및 P형 반도체층의 적층구조를 포함하고,
상기 반도체층이 무기물/유기물의 이종접합층으로 구성되며,
상기 이종접합층이 TiO2/P3HT 또는 TiO2/Sb2S3/P3HT 이고,
상기 제2 전극층이 투명한 재질의 도전성 물질로 구성되거나 상기 제2 전극층의 상측에 투명한 재질의 박막층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법. - 삭제
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