CN103426645B - 利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 116
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims description 33
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 8
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 10
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及金属柔性染料敏化太阳能电池及其制造方法,在塑料基板正面的上部涂覆或沉积银之后进行构图,在构图的银的上部涂覆或沉积保护膜之后将阻挡层涂覆在塑料基板背面的上部以制造上部电极基板;通过在金属基板正面的上部涂覆金属层,在应用柔性金属基板之后用TiO2、SiO2、或透明的碳类薄膜涂覆金属层,在第2阻挡层正面的上部涂覆TiO2纳米粒子层,在该纳米粒子层的上部应用彩色有机染料和彩色无机染料制造下部电极基板;相向地配置保护膜和染料层,在保护膜与染料层之间注入电解质之后用密封材料进行双重密封,并用EVA进行三重密封,从而提高光电效率,防止电解质泄露,提高可靠性,不受微小灰尘或湿气等杂质侵害,Ag不受电解质的侵害。
Description
技术领域
本发明涉及染料敏化太阳能电池(DYE-SENSITIZEDSOLARCELL)及其制造方法,更详细地说,涉及如下的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池(METALFLEXIBLEDYE-SENSITIZEDSOLARCELLUSINGDOUBLECOATINGMETALSUBSTRATE)及其制造方法,即,在高分子塑料基板的正面上涂覆或沉积银(Argentum,以下总称为“Ag”)之后,利用激光或热压纹进行构图,并在其上沉积或涂覆保护膜,然后在所述高分子塑料基板的背面上对涂覆有透明的碳类薄膜或Al2O3的阻挡层进行涂覆,制造上部电极基板;在像不锈钢(SUS:StainlessUseSteel)、钢、Ti(Titanium)这样的金属基板的正面上涂覆金属层,从而以能够以柔软的薄膜形态应用双面涂覆的金属基板的方式应用柔性金属基板,然后用二氧化钛(以下,总称为“TiO2”)、SiO2或透明的碳类薄膜对所述金属层进行涂覆,并在其上涂覆TiO2纳米粒子层,然后应用多种彩色有机染料以及多种彩色无机染料制造下部电极基板;在所述上部电极基板与下部电极基板之间注入电解质之后,用密封材料进行双重密封,再用乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EthyleneVinylAcetate,以下,总称为“EVA”)进行三重密封。
背景技术
因持续使用化石燃料而引起的全球变暖等环境问题正在显现。此外铀的使用会引起放射性污染和核废料处理设施等问题。因此,开始提出对替代能源的要求并展开相应的研究,其中具有代表性的是利用太阳能的太阳能电池。
太阳能电池是使用在有光照射时产生电子和空穴的光吸收物质直接进行发电的元件。这起因于以下事实,即,1839年法国的物理学家Becquerel首次发现了由光诱发的化学反应能产生电流的光致发电,随后又在硒(selenium)等固体中发现了类似的现象。随后,1954年在Bell实验室首次开发了具有大约6%的效率的硅类太阳能电池,此后围绕着无机硅持续进行了太阳能电池的研究。
这种无机类太阳能电池元件由像硅这样的无机物半导体的p-n节构成。作为太阳能电池的材料的硅大体上分为像单晶硅或多晶硅这样的晶体硅类和非晶硅类。其中,与非晶硅类相比,晶体硅类将太阳能转换为电能的能量转换效率更加优秀,但是由于生长晶体所需的时间和能量,使其生产性降低。
由于这样的问题,曾经尝试了对代替硅而利用有机物质的光致发电现象的太阳能电池元件的研究。有机物光致发电现象是如下现象,即,当对有机物质照射光时,吸收光子(Photon)产生电子(Electron)-空穴(Hole)对,将其分离并分别传递给阴极和阳极,通过这样的电荷的流动而产生电流。即,通常来说在有机类太阳能电池中,在对由电子给体(ElectronDonor)和电子受体(ElectronAcceptor)物质的结合构造构成的有机物质照射光时,在电子给体形成电子-空穴对,通过电子向电子受体移动,从而实现电子-空穴的分离。这种过程通常称为“光诱导载流子(ChargeCarrier)”或“光诱导电荷转移现象(PhotoinducedChargeTransfer,PICT)”,通过光产生的载流子分离为电子-空穴并通过外部电路产生电力。
但是,利用通常的有机物质的太阳能电池存在能量转换效率低并且使用寿命短的问题,但是1991年瑞士的格兰泽尔(Gratzel)研究小组利用染料作为感光剂开发了作为光电化学型的太阳能电池的染料敏化太阳能电池。由格兰泽尔等提出的光电化学型的太阳能电池是利用由感光性染料分子和纳米粒子的二氧化钛构成的氧化物半导体的光电化学型太阳能电池。即,染料敏化太阳能电池是在透明电极与金属电极之间吸附有染料的像氧化钛这样的无机氧化物层插入电解质,利用光电化学反应制造的太阳能电池。一般来说,染料敏化太阳能电池由两种电极(光电极和相向电极)、无机氧化物、染料以及电解质构成,因为染料敏化太阳能电池使用对环境无害的物质/材料,所以是环保的,具有与现有的无机太阳能电池中的非晶硅类的太阳能电池相匹敌的10%左右的高的能量转换效率,制造单价却只有硅太阳能电池的20%左右,所以商业化可能性非常高。
一般来说,染料敏化太阳能电池的构造从下层开始具备玻璃基板、第1透明电极、吸附有染料的无机氧化物层、电解质层、第2透明电极以及上部基板等。无机氧化物层为以纳米(Nano)多孔膜的形态存在的像TiO2、ZnO、SnO2这样的具有宽的带隙的n型氧化物半导体,在其表面吸附有单分子层的染料。
对染料敏化太阳能电池的原理进行说明如下。当太阳光入射到太阳能电池时,染料(Dye)的HOMO(HighestOccupiedMolecularOrbital)能级电子吸收光能跃迁到LUMO(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)能级,并快速注入到无机氧化物层(ConductionBand,CB)形成传导电子。此时,失去电子的染料的HOMO能级的空位将由电解质层内的离子(I-)提供的电子所重新填充。
即,这可以解释为,随着太阳光的入射,在无机氧化物层侧积累传导电子,同时在电解质层侧逐渐丢失电子,即会积累空穴,在有外部负载时,通过积累的载流子(Carrier)形成电动势。
参照以往的染料敏化太阳能电池的制造方法,如图1所示,下部电极基板10在玻璃基板11上沉积FTO(Fluorine-dopedTinOxide)或ITO的第1透明电极12之后,在其上涂覆TiO2胶体溶液,然后在大约450℃以上的温度进行烧结(Sintering),从而涂覆TiO2薄膜13。通过反复进行本过程,从而能调节所需的无机氧化物层的厚度或状态。接着,浸泡在染料(Dye)溶液中约2~3日左右,使染料在TiO2粒子表面着色而形成染料层14。另一方面,上部电极基板20通过一般溅射(Sputtering)方法在玻璃基板21上涂覆铂(Pt)等,沉积第1透明电极22,然后形成电解质30注入用孔。此后,所述下部电极基板10和上部电极基板20利用高分子封装材料40进行接合,通过预先做好的孔注入电解质30作为阳极物质,通过封合从而完成。
这种染料敏化太阳能电池由于廉价的原料以及容易的制作方法从而能以以往硅太阳能电池的四分之一水准的生产费进行制作,并且由于轻量、薄膜化、透明性以及能实现各种色相等而能应用于多种应用领域。此外,染料敏化太阳能电池自身具有柔性,在实现适当的柔性透明电极的情况下,能实现柔性太阳能电池。
特别是,用于便携式装置的染料敏化太阳能电池作为移动的动力源,其轻量和柔性可以看作是必需的特性,因为染料敏化太阳能电池自身具有柔性,所以在实现适当的柔性透明电极的情况下,能实现柔性(Flexible)太阳能电池。
但是,在当前的染料敏化太阳能电池制造技术上要求高温的烧结(Sintering)过程,所以使用像塑料那样的柔性基板和导电性聚合物等透明电极是困难的。从而,当前大部分的染料敏化太阳能电池都使用玻璃基板的ITO(IndiumTinOxide)等氧化物类透明电极。
虽然最近开发出了能进行低温烧结(大约不足150℃)的无机氧化物层,能使用商用导电性塑料基板等,但是在该情况下需要承受光电变换效率的降低。此外,因为透明上部电极基板与ITO基板相比透射度和传导特性较低,所以可预见附加的效率降低。从而,欲实现效率高的柔性染料敏化太阳能电池是相当困难的。
此外,虽然这种以往的柔性染料敏化太阳能电池注入了液体电解质等,但是随着时间的流逝,会产生由于注入的液体电解质泄露的电解质泄露现象而造成使用寿命不稳定等问题。
发明内容
发明要解决的课题
从而,本发明是为了解决上述那样的问题而提出的,其目的在于,提供一种利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池及其制造方法,在由不锈钢、钢和Ti中的任一种构成的金属基板上涂覆金属层,在所述金属层上涂覆或沉积吸附有感光性染料分子的纳米粒子氧化物而形成半导体电极,在高分子塑料基板上涂覆或沉积Ag之后,通过激光或热压纹进行构图,再沉积或涂覆保护膜,由此形成许多的金属柔性染料敏化太阳能电池单元,以串联或并联方式对这样形成的金属柔性染料敏化太阳能电池单元进行结线而制造金属柔性染料敏化太阳能电池,用密封材料对该金属柔性染料敏化太阳能电池进行双重密封,再用EVA进行三重密封,从而提高太阳能电池的光电效率,防止电解质泄露现象,保护其不会受到微小灰尘等杂质的侵害。
用于解决课题的方案
本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池包括:上部电极基板,该上部电极基板通过在第1高分子塑料基板的正面的上部上涂覆或沉积Ag之后利用激光或热压纹进行构图,在进行构图的所述Ag的上部上沉积或涂覆保护膜之后,在所述第1高分子塑料基板的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层而制造;下部电极基板,该下部电极基板通过在由不锈钢、钢和Ti中的任一种构成的金属基板的正面的上部上涂覆金属层,在所述金属层的正面和背面的上部涂覆由TiO2、SiO2和透明的碳类薄膜中的任一种形成的第2阻挡层,在所述第2阻挡层的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层,在所述TiO2纳米粒子层的上部上形成应用了彩色有机染料和彩色无机染料的染料层而制造;以及相向地配置所述上部电极基板的保护膜和所述下部电极基板的染料层,注入到所述保护膜与染料层之间的电解质,用密封材料对与所述电解质相接的第2阻挡层和所述上部电极基板形成一次密封壁,用密封材料对所述上部电极基板和下部电极基板形成二次密封壁,用乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EthyleneVinylAcetate,EVA)对所述第1阻挡层和所述金属基板进行涂覆。
本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的制造方法包括:准备第1高分子塑料基板的步骤;用Ag涂覆所述第1高分子塑料基板的正面的上部的步骤;通过激光或热压纹对涂覆有所述Ag的第1高分子塑料基板进行构图的步骤;在进行构图的所述Ag的上部上涂覆保护膜的步骤;在所述第1高分子塑料基板的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层,制造上部电极基板的步骤;准备由不锈钢、钢和Ti中的任一种构成的金属基板的步骤;在所述金属基板的正面的上部上涂覆金属层的步骤;在所述金属层的正面和背面的上部上涂覆第2阻挡层的步骤;在所述第2阻挡层的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层的步骤;在所述TiO2纳米粒子层的上部上形成染料层,以制造下部电极基板的步骤;相向地配置所述上部电极基板的保护膜和下部电极基板的染料层,用密封材料对所述第2阻挡层和上部电极基板进行一次密封,以形成一次密封壁的步骤;用密封材料对所述上部电极基板和所述下部电极基板进行二次密封,以形成二次密封壁的步骤;在所述保护膜与染料层之间注入电解质的步骤;以及用EVA涂覆所述上部电极基板和所述下部电极基板的步骤。
发明效果
如上所述,本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池在保护膜与染料层之间注入电解质之后,用密封材料进行双重密封,再用EVA进行三重密封,从而具有如下优点,即,能提高太阳能电池的光电效率,能防止电解质泄露现象,提高具有电极劣化可能性的染料敏化型太阳能电池的可靠性,能保护其不会受到微小灰尘或湿气等杂质的侵害。
此外,具有能通过保护膜保护涂覆在上部电极基板上的Ag不受电解质的侵害的优点。
附图说明
图1是以往的染料敏化型太阳能电池的截面图;
图2是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的截面图;
图3是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池制造方法的流程图;
图4是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池模块的概略性的放大截面图;
图5是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的产品照片。
附图标记说明
200:上部电极基板201:第1高分子塑料基板202:Ag
203:保护膜204:第1阻挡层210:下部电极基板
211:金属基板212:金属层213:第2阻挡层
214:TiO2纳米粒子层215:染料层220:电解质
230:一次密封壁240:二次密封壁250:EVA
具体实施方式
以下,通过参照附图进行的对实施例的详细的说明对本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池及其制造方法进行更详细的记述。在对本发明进行说明时,在判断为对相关的公知技术或结构的具体的说明有可能不必要地混淆本发明的要旨的情况下,将省略其详细的说明。而且,后述的用语是考虑了在本发明中的功能而定义的用语,有可能根据客户或运用者、使用者的意图或习惯等而有所不同。因此,应基于本说明书整体内容进行定义。
在所有附图中,相同的附图标记表示相同的组成要素。
图2是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的截面图,图3是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池制造方法的流程图,图4是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池模块的概略性的放大截面图,图5是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的产品照片。
如图2、图4以及图5所示,本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池包括:上部电极基板200,该上部电极基板200通过在第1高分子塑料基板201的正面的上部上涂覆或沉积Ag202之后利用激光或热压纹进行构图,在进行构图的所述Ag的上部上沉积或涂覆保护膜203之后,在所述第1高分子塑料基板201的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层204而制造;下部电极基板210,该下部电极基板210通过在由不锈钢、钢和Ti中的任一种构成的金属基板211的正面的上部上涂覆金属层212,在所述金属层212的正面和背面的上部涂覆由TiO2、SiO2和透明的碳类薄膜中的任一种形成的第2阻挡层213,在所述第2阻挡层213的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层214,然后在所述TiO2纳米粒子层214的上部上形成应用了多种彩色有机染料和多种彩色无机染料的染料层215而制造;以及相向地配置所述上部电极基板200的保护膜203和下部电极基板210的染料层215,注入到所述保护膜203与染料层215之间的电解质220。
在此,用密封材料对与所述电解质220相接的第2阻挡层213和所述上部电极基板200形成一次密封壁230,用密封材料对所述上部电极基板200和下部电极基板210形成二次密封壁240,然后用EVA250对所述第1阻挡层204和所述金属基板211进行三重密封。此外,只在与电解质220相接的第2阻挡层214上形成所述TiO2纳米粒子层215。
此外,所述第1高分子塑料基板201、211由PET(PolyethyleneTerephthalate)、PEN(PolyethyleneNaphthalate)、PES(Polyethersulfone)中的任一种构成。
此外,密封材料由PET或PEN构成。
此外,所述保护膜203和所述透明的碳类薄膜是透明的碳纳米管(CarbonNanoTube,以下总称为“CNT”)薄膜或透明的石墨稀(Graphen)薄膜。
此外,所述金属层213由Ti、W、Zn、Co、Ni、Al、SUS、Cr、Mo、Cu中的任一种形成。
此外,所述电解质220是液体电解质或准固体电解质。
从而,这样形成的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池能通过双重密封防止电解质泄露现象,通过EVA涂覆能保护其不受微小灰尘或湿气等杂质的侵害。此外,能通过保护膜保护涂覆在上部电极基板上的Ag不受电解质的侵害。
现在,对本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的模块进行说明。
参照对本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池模块的概略性的放大截面进行图示的图4,在上部电极基板(未图示)上涂覆Ag202之后,利用激光或热压纹进行构图(Patterning),然后用保护膜203进行涂覆,在其下侧设置沉积在下部电极基板(未图示)上的吸附有有机和无机染料的TiO2纳米粒子层215。这样形成本发明的太阳能电池模块,用A表示的部分就是本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池模块。
参照图3对这样的本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的制造方法详细进行说明如下,本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的制造方法包括:准备第1高分子塑料基板201的步骤S300;用Ag202涂覆所述第1高分子塑料基板201的正面的上部的步骤S301;通过激光或热压纹对涂覆有所述Ag202的第1高分子塑料基板201进行构图的步骤S302;在进行构图的所述Ag的上部上涂覆保护膜203的步骤S303;在所述第1高分子塑料基板201的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层204,以制造上部电极基板200的步骤S304;准备由不锈钢、钢和Ti中的任一种构成的金属基板211的步骤S305;在所述金属基板211的正面的上部上涂覆金属层212的步骤S306;在所述金属层212的正面和背面的上部上涂覆第2阻挡层213的步骤S307;在所述第2阻挡层213的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层214的步骤S308;在所述TiO2纳米粒子层214的上部上形成染料层215,以制造下部电极基板的步骤S309;相向地配置所述上部电极基板200的保护膜203和下部电极基板210的染料层215,用密封材料对所述第2阻挡层213和上部电极基板200进行一次密封,以形成一次密封壁230的步骤S310;用密封材料对所述上部电极基板200和所述下部电极基板210进行二次密封,以形成二次密封壁240的步骤S311;在所述保护膜203与染料层215之间注入电解质的步骤S312;以及用EVA250涂覆所述上部电极基板200和所述下部电极基板210的步骤S313。
在此,如上所述,只在与电解质220相接的第2阻挡层213上形成所述TiO2纳米粒子层214。此外,所述第1高分子塑料基板201由PET(PolyethyleneTerephthalate)、PEN(PolyethyleneNaphthalate)、PES(Polyethersulfone)中的任一种构成。此外,所述保护膜203和所述透明的碳类薄膜是透明的CNT薄膜或透明的石墨稀(Graphen)薄膜。此外,所述金属层212由Ti、W、Zn、Co、Ni、Al、SUS、Cr、Mo、Cu中的任一种形成。此外,所述电解质220是液体电解质或准固体电解质。
这样制造的本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池的产品如图5所示,能以柔软的形态进行弯曲,所以能附着在手机、可穿戴PC等下一代PC产业所需的电源的家用充电器或衣物、帽子、汽车玻璃、建筑物等进行使用。
如上所述的本发明的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池用密封材料进行双重密封再用EVA进行三重密封,从而能提高太阳能电池的光电效率,能防止电解质泄露现象,能提高具有电极劣化可能性的染料敏化型太阳能电池的可靠性,能保护其不受微小灰尘或湿气等杂质的侵害。此外,能通过保护膜保护涂覆在上部电极基板上的Ag不受电解质的侵害。
虽然像以上那样根据良好的实施例对本发明进行了说明,但是这些实施例并不用于限制本发明,只是举例说明,所以本发明所属技术领域的技术人员能在不脱离本发明的技术思想的情况下进行对上述实施例的多种变化、变更或调节。因此,本发明的保护范围应理解为包括属于本发明的技术思想要旨的所有的变化例、变更例或调节例。
Claims (7)
1.一种利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:上部电极基板(200),该上部电极基板(200)通过在第1高分子塑料基板(201)的正面的上部上涂覆或沉积Ag(202)之后利用激光或热压纹进行构图,在进行构图的所述Ag的上部上沉积或涂覆保护膜(203)之后,在所述第1高分子塑料基板(201)的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层(204)而制造;下部电极基板(210),该下部电极基板(210)通过在由钢和Ti中的任一种构成的金属基板(211)的正面的上部上涂覆由TiO2、SiO2和透明的碳类薄膜中的任一种形成的第2阻挡层(213),在所述第2阻挡层(213)的上部涂覆金属层(212),在所述金属层(212)的正面的上部涂覆由TiO2、SiO2和透明的碳类薄膜中的任一种形成的第2阻挡层(213),在已涂覆于所述金属层(212)的正面上的所述第2阻挡层(213)的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层(214),在所述TiO2纳米粒子层(214)的上部上形成应用了彩色有机染料和彩色无机染料的染料层(215)而制造;以及相向地配置的所述上部电极基板(200)的保护膜(203)和所述下部电极基板(210)的染料层(215),所述保护膜(203)与所述染料层(215)之间注入有电解质(220),用密封材料对与所述电解质(220)相接的所述第2阻挡层(213)和所述上部电极基板(200)形成一次密封壁(230),用密封材料对所述上部电极基板(200)和所述下部电极基板(210)形成二次密封壁(240),用乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(250)对所述第1阻挡层(204)和所述金属基板(211)进行涂覆。
2.根据权利要求1所述的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述第1高分子塑料基板(201)由PET、PEN、PES中的任一种构成。
3.根据权利要求1所述的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述保护膜(203)和所述透明的碳类薄膜是透明的碳纳米管薄膜或透明的石墨稀薄膜。
4.根据权利要求1所述的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述金属层(212)由Ti、W、Zn、Co、Ni、Al、SUS、Cr、Mo、Cu中的任一种形成。
5.根据权利要求1所述的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述电解质(220)是液体电解质或准固体电解质。
6.根据权利要求1所述的利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池,其特征在于,所述密封材料由PET或PEN构成。
7.一种利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池制造方法,其特征在于,该方法包括:准备第1高分子塑料基板(201)的步骤(S300);用Ag(202)涂覆所述第1高分子塑料基板(201)的正面的上部的步骤(S301);通过激光或热压纹对涂覆有所述Ag(202)的所述第1高分子塑料基板(201)进行构图的步骤(S302);在进行构图的所述Ag的上部上涂覆保护膜(203)的步骤(S303);在所述第1高分子塑料基板(201)的背面的上部上涂覆由透明的碳类薄膜和Al2O3中的任一种形成的第1阻挡层(204),以制造上部电极基板(200)的步骤(S304);准备由钢和Ti中的任一种构成的金属基板(211)的步骤(S305);在所述金属基板(211)的正面的上部上涂覆金属层(212)的步骤(S306);在涂覆所述金属层(212)的步骤之前,在所述金属基板(211)的正面的上部上涂覆第2阻挡层(213),之后在涂覆所述金属层(212)的步骤之后,在所述金属层(212)的正面的上部上涂覆第2阻挡层(213)的步骤(S307);在已涂覆于所述金属层(213)的正面上的所述第2阻挡层(213)的正面的上部上涂覆TiO2纳米粒子层(214)的步骤(S308);在所述TiO2纳米粒子层(214)的上部上形成染料层(215),以制造下部电极基板的步骤(S309);相向地配置所述上部电极基板(200)的保护膜(203)和所述下部电极基板(210)的染料层(215),用密封材料对所述第2阻挡层(213)和所述上部电极基板(200)进行一次密封,以形成一次密封壁(230)的步骤(S310);用密封材料对所述上部电极基板(200)和所述下部电极基板(210)进行二次密封,以形成二次密封壁(240)的步骤(S311);在所述保护膜(203)与所述染料层(215)之间注入电解质的步骤(S312);以及用EVA(250)涂覆所述上部电极基板(200)和所述下部电极基板(210)的步骤(S313)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120051592A KR101177716B1 (ko) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 이중 코팅 금속 기판을 이용한 금속 플렉시블 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
KR10-2012-0051592 | 2012-05-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103426645A CN103426645A (zh) | 2013-12-04 |
CN103426645B true CN103426645B (zh) | 2016-04-27 |
Family
ID=46887931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310139476.9A Active CN103426645B (zh) | 2012-05-15 | 2013-04-22 | 利用双面涂覆的金属基板的金属柔性染料敏化太阳能电池及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101177716B1 (zh) |
CN (1) | CN103426645B (zh) |
TW (1) | TWI500176B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101215313B1 (ko) | 2012-09-19 | 2012-12-26 | 주식회사 상보 | 코팅 금속기판을 구비한 금속 플렉시블 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101220169B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2013-01-11 | 주식회사 상보 | 폴리싱 처리된 코팅 금속기판을 구비한 금속 플렉시블 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
CN106090804A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-11-09 | 杨炳 | 一种具备自发电功能的户外照明装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101292391A (zh) * | 2005-10-21 | 2008-10-22 | 日本化药株式会社 | 染料增感型光电转换器件及其制造方法 |
CN102103929A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 染料敏化太阳能电池组件及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011048959A (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 色素増感型太陽電池用電極シート及びその製造方法 |
KR101030014B1 (ko) * | 2009-11-09 | 2011-04-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광전변환소자 |
KR101074781B1 (ko) | 2009-11-30 | 2011-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스페이서를 구비한 염료감응 태양전지 |
KR101386578B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2014-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 염료감응 태양전지 |
-
2012
- 2012-05-15 KR KR1020120051592A patent/KR101177716B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-04-22 CN CN201310139476.9A patent/CN103426645B/zh active Active
- 2013-04-26 TW TW102115026A patent/TWI500176B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101292391A (zh) * | 2005-10-21 | 2008-10-22 | 日本化药株式会社 | 染料增感型光电转换器件及其制造方法 |
CN102103929A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 染料敏化太阳能电池组件及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103426645A (zh) | 2013-12-04 |
TW201347214A (zh) | 2013-11-16 |
TWI500176B (zh) | 2015-09-11 |
KR101177716B1 (ko) | 2012-08-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |