JP2010512455A - メッキ及びエッチング浴組成をスクリーニングするマイクロ流体システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、2006年12月6日に出願された米国仮特許出願第60/868,869号に関連し、その優先権の恩恵を主張するものであることを、参考としてここに付記する。
メッキ及びエッチング浴組成をスクリーニングするシステム及び方法を改善することが検討されている。所望の浴組成スクリーニングシステム及び方法は多数の浴組成が所望のメッキ及びエッチングプロセス特性に与える影響を高速に正確に決定できるものである。
開示された本発明の他の特徴、その性質及び種々の利点は以下に記載される実施例の説明及び添付図面から明らかになる。全図を通して、同等の要素は同等の符号で示されている。
Claims (18)
- 複数の電解浴組成が基板上に配置された第1の電極構造に与える影響を同時にスクリーニングするシステムであって、該システムは、
複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスであって、各マイクロ流体チャネルが前記複数の浴組成の一つに対応する流体を受け入れる入口を持つデバイスを備え、
動作中、前記複数のマイクロ流体チャネルに受け入れられた前記複数の浴組成に対応する異なる流体が前記第1の電極構造の異なる部分に作用するように前記デバイスを前記基板上に取り外し可能に配置して、前記複数の電解浴組成が前記基板上に配置された前記第1の電極構造に与える影響の同時スクリーニングを可能にしたことを特徴とするスクリーニングシステム。 - 前記第1の電極構造がその様々な部分で前記複数のマイクロ流体チャネルに結合して、前記複数のマイクロ流体チャネルに受け入れられた前記複数の浴組成に対応する異なる流体が前記第1の電極構造の様々な部分に作用するようにしたことを特徴とする請求項1記載のスクリーニングシステム。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルに結合された第2の電極構造を備え、前記第1の電極構造が前記入口と前記第2電極との間に位置することを特徴とする請求項1記載のスクリーニングシステム。
- 前記第2の電極構造は複数の第2の電極を備え、各第2の電極は前記複数のマイクロ流体チャネルの一つに対応し、それに結合されていることを特徴とする請求項3記載のスクリーニングシステム。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルが少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに至り、前記少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに結合された第2の電極構造を更に備えることを特徴とする請求項2記載のスクリーニングシステム。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルは少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに至り、前記第1の電極構造が前記少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに結合されていることを特徴とする請求項1記載のスクリーニングシステム。
- 前記少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに結合された第2の電極構造を更に備え、前記第1の電極構造が前記入口と前記第2の電極構造との間に位置することを特徴とする請求項6記載のスクリーニングシステム。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有する前記デバイスは、前記複数のマイクロ流体チャネルの少なくとも一つを前記第1の電極構造に結合するための開口を有するマスク層を更に備えることを特徴とする請求項6記載のスクリーニングシステム。
- 前記デバイスは前記基板上の前記第1の電極構造と接触するための導電性先端を有する電流コレクタを更に備えることを特徴とする請求項1記載のスクリーニングシステム。
- 複数の電解浴組成が基板上に配置された第1の電極構造に与える影響を同時にスクリーニングする方法であって、該方法は、
前記基板上に配置された前記第1の電極構造の異なる部分を前記複数の浴組成に対応する異なる流体の影響にさらし、前記複数の電解浴組成が前記基板上に配置された前記第1の電極構造に与える影響を同時スクリーニングすることを特徴とするスクリーニング方法。 - 前記複数の電解浴組成に対応する異なる流体により影響された前記第1の電極構造の異なる部分の特性を決定することを特徴とする請求項10記載のスクリーニング方法。
- 前記基板上に配置された前記第1の電極構造の異なる部分を前記複数の浴組成に対応する異なる流体の影響にさらすステップは、
複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスであって、各マイクロ流体チャネルが前記複数の浴組成の一つに対応する流体を受け入れる入口を持つデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置して、前記複数のマイクロ流体チャネルに受け入れられた前記複数の浴組成に対応する異なる流体を前記第1の電極構造の異なる部分に作用させることを特徴とする請求項10記載のスクリーニング方法。 - 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置するステップは、前記第1の電極構造をその様々な部分で前記複数のマイクロ流体チャネルに結合して、前記複数のマイクロ流体チャネルに受け入れられた前記複数の浴組成に対応する異なる流体を前記第1の電極構造の様々な部分に作用させることを特徴とする請求項12記載のスクリーニング方法。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスとして、前記複数のマイクロ流体チャネルが少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに至るデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置し、前記第1の電極構造を前記少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに結合させることを特徴とする請求項12記載のスクリーニング方法。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスとして、第2の電極構造を有するデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置し、前記第2の電極構造を前記複数のマイクロ流体チャネルに結合させることを特徴とする請求項12記載のスクリーニング方法。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスとして、前記複数のマイクロ流体チャネルが少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに至るデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置し、前記第2の電極構造を前記少なくとも一つの合流マイクロ流体チャネルに結合させることを特徴とする請求項15記載のスクリーニング方法。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスとして、前記複数のマイクロ流体チャネルの少なくとも一つを前記第1の電極構造に結合するための開口を有するマスク層を有するデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置することを特徴とする請求項12記載のスクリーニング方法。
- 前記複数のマイクロ流体チャネルを有するデバイスとして、導電性先端を有する電流コレクタを有するデバイスを前記基板上に取り外し可能に配置し、前記基板上に配置された前記第1の電極構造を前記導電性先端と接触させることを特徴とする請求項12記載のスクリーニング方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US86886906P | 2006-12-06 | 2006-12-06 | |
US60/868,869 | 2006-12-06 | ||
PCT/US2007/086660 WO2008070786A1 (en) | 2006-12-06 | 2007-12-06 | Microfluidic systems and methods for screening plating and etching bath compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010512455A true JP2010512455A (ja) | 2010-04-22 |
JP5185948B2 JP5185948B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=39492629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009540478A Expired - Fee Related JP5185948B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-12-06 | メッキ及びエッチング浴組成をスクリーニングするマイクロ流体システム及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8308929B2 (ja) |
JP (1) | JP5185948B2 (ja) |
WO (1) | WO2008070786A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-12-06 JP JP2009540478A patent/JP5185948B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-06 WO PCT/US2007/086660 patent/WO2008070786A1/en active Application Filing
-
2009
- 2009-06-04 US US12/478,591 patent/US8308929B2/en not_active Expired - Fee Related
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US20100084286A1 (en) | 2010-04-08 |
WO2008070786A1 (en) | 2008-06-12 |
US8308929B2 (en) | 2012-11-13 |
JP5185948B2 (ja) | 2013-04-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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