JP2010510548A5 - - Google Patents
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- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000002457 bidirectional Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000001702 transmitter Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Description
その一方で、前記多導波鉛直方向集積化プラットフォームに基づく光通信集積回路の設
計は能力がためされる。なぜならば、前記多機能光通信集積回路構造の鉛直方向の異なる
レベルに機能的に異なる波長要素を、鉛直方向に積層された光導波路間の光信号の制御可
能な遷移を介して共通の光回路へ作り上げる必要性のためである。その際、前記課題はさ
らに複雑化し、前記光通信集積回路は複数の波長において作動し、各々の波長は、前記多
機能光通信集積回路構造のある鉛直方向のレベルで指定された導波路において生成され、
または処理され、または検出されるが、全ての波長は、同一の入力/出力光ポートを共用
している。特に、以降、鉛直波長(デ)マルチプレクサ(VWM)と呼ぶ導波路装置に対
し、種々の波長範囲における光信号の鉛直方向の結合および分離を可能にする必要性があ
り、その結果、使用中に、各特定の波長の範囲における信号が前記波長指定(共通)入力
導波路から前記共通(この波長指定)出力導波路内へ、前記他の波長指定導波路との顕著
な相互作用なしに遷移する。加えて、それはコンパクトで、前記光通信集積化回路の動作
要件に従順で、前記製造工程の変更に寛容であるべきである。
計は能力がためされる。なぜならば、前記多機能光通信集積回路構造の鉛直方向の異なる
レベルに機能的に異なる波長要素を、鉛直方向に積層された光導波路間の光信号の制御可
能な遷移を介して共通の光回路へ作り上げる必要性のためである。その際、前記課題はさ
らに複雑化し、前記光通信集積回路は複数の波長において作動し、各々の波長は、前記多
機能光通信集積回路構造のある鉛直方向のレベルで指定された導波路において生成され、
または処理され、または検出されるが、全ての波長は、同一の入力/出力光ポートを共用
している。特に、以降、鉛直波長(デ)マルチプレクサ(VWM)と呼ぶ導波路装置に対
し、種々の波長範囲における光信号の鉛直方向の結合および分離を可能にする必要性があ
り、その結果、使用中に、各特定の波長の範囲における信号が前記波長指定(共通)入力
導波路から前記共通(この波長指定)出力導波路内へ、前記他の波長指定導波路との顕著
な相互作用なしに遷移する。加えて、それはコンパクトで、前記光通信集積化回路の動作
要件に従順で、前記製造工程の変更に寛容であるべきである。
最近、波長選択方向性結合器を鉛直方向の波長分離に用いる考えが、さらなる研究によ
り、共鳴格子利用結合(例えば、R.C. Alfernes等、「回折格子補助InGaAsP InP 鉛直方
向の共通方向性結合器フィルタ」、Appl. Phys. Lett., Vol. 55, P.2011, 1989)または
共鳴エバネセント場結合のような、主として共鳴結合技術に基づいて発展した。共鳴エバ
ネセント場結合技術自体は、平面状導波路(例えば、V.Magnin 等、「多重モード希釈
化導波路に基づく1.3/1.55μmの波長選択的なp-i-n フォトダイオードの設計および最適
化」、IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 17, No.2, pp.459-461, 2005)、直線隆起導
波路(例えば、C.Wu, et al., 「極狭バンド幅の鉛直方向に結合したInGaAsP/InP 方向
性結合器フィルタ」、IEEE Photon. Technology Lett., Vol. 3, No.6, pp.519-521, 199
1)およびテーパ状隆起導波路(例えば、C.‐W. Lee et al., 「偏光の独立結合および
偏光モード分離のための非対称的導波路鉛直方向結合器」J. Lightwave Technol., Vol.
23, No.4, pp.1818-1826, 2005)を用いる解決法へ細分される。
り、共鳴格子利用結合(例えば、R.C. Alfernes等、「回折格子補助InGaAsP InP 鉛直方
向の共通方向性結合器フィルタ」、Appl. Phys. Lett., Vol. 55, P.2011, 1989)または
共鳴エバネセント場結合のような、主として共鳴結合技術に基づいて発展した。共鳴エバ
ネセント場結合技術自体は、平面状導波路(例えば、V.Magnin 等、「多重モード希釈
化導波路に基づく1.3/1.55μmの波長選択的なp-i-n フォトダイオードの設計および最適
化」、IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 17, No.2, pp.459-461, 2005)、直線隆起導
波路(例えば、C.Wu, et al., 「極狭バンド幅の鉛直方向に結合したInGaAsP/InP 方向
性結合器フィルタ」、IEEE Photon. Technology Lett., Vol. 3, No.6, pp.519-521, 199
1)およびテーパ状隆起導波路(例えば、C.‐W. Lee et al., 「偏光の独立結合および
偏光モード分離のための非対称的導波路鉛直方向結合器」J. Lightwave Technol., Vol.
23, No.4, pp.1818-1826, 2005)を用いる解決法へ細分される。
図3は、導波路の湾曲によって横方向の切換えが達成される2波長の鉛直波長(デ)マ
ルチプレクサにおける前記共通導波路からの鉛直方向の分離の後に前記第1の(より短い
)波長の横方向の切換えに関係する本発明の第1の実施の形態を示す。
ルチプレクサにおける前記共通導波路からの鉛直方向の分離の後に前記第1の(より短い
)波長の横方向の切換えに関係する本発明の第1の実施の形態を示す。
図5は、前記導波路の湾曲に隣接する反射する深いエッチングによる溝で補完された導
波路の湾曲を用いることで横方向の切換えが達成される2波長の鉛直波長(デ)マルチプ
レクサ内での前記共通導波路から鉛直方向に分離した後の前記第1の(より短い)波長の
横方向の切換えに関係する本発明の第2の実施の形態を示す。
波路の湾曲を用いることで横方向の切換えが達成される2波長の鉛直波長(デ)マルチプ
レクサ内での前記共通導波路から鉛直方向に分離した後の前記第1の(より短い)波長の
横方向の切換えに関係する本発明の第2の実施の形態を示す。
図6は、前記導波路の湾曲に隣接した浅いエッチングの横方向反共鳴反射光学導波路(
ARROW)構造で補完された導波路の湾曲を用いて横方向の切換えが達成される前記2
波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ内での前記共通導波路からの鉛直方向の分離の後の
前記第1の(より短い)波長の横方向の切換えに関連する本発明の第3の実施の形態を示
す。
ARROW)構造で補完された導波路の湾曲を用いて横方向の切換えが達成される前記2
波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ内での前記共通導波路からの鉛直方向の分離の後の
前記第1の(より短い)波長の横方向の切換えに関連する本発明の第3の実施の形態を示
す。
図7は、浅いエッチングの全反射(TIR)ミラーを用いて横方向の切換えが達成され
る2波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサにおける共通導波路から鉛直方向の分離の後の
前記第1の(より短い)波長の横方向の切換えに関連する本発明の第7の実施の形態を示
す。
る2波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサにおける共通導波路から鉛直方向の分離の後の
前記第1の(より短い)波長の横方向の切換えに関連する本発明の第7の実施の形態を示
す。
この教示に従った前記導波路の層構造の設計および配置は一体的に集積化された鉛直波
長(デ)マルチプレクサを生み出し、そこでは、共通方向または双方向に前記共通導波路
内を伝播する前記入力信号110によって示されるような異なる波長範囲の2つの光信号
が鉛直方向に2つの波長指定導波路であって各々信号111および112で表されるもの
に鉛直方向に分離することができる。これは多導波鉛直方向集積化(MGVI)環境にお
ける前記波長逆多重化への非常に一般的な方法であるけれども、いわゆる当業者はそれは
前記第1の指定導波路の配列の設計を、第1の能動的導波路と同一のレベルで形成された
深いエッチング横方向テーパの要求された動作と融和性があるように制限するものである
ことを理解できる。特に、前記第1の波長で作動する第1の深いエッチング指定導波路の
幅は、前記第1の指定導波路の全長にわたって、前記第2の波長に対する前記遮断幅より
下、すなわち、λ2<λco1(λ2)のままであるべきである。これは、もし前記第1の
指定導波路が低い抵抗の頂上の接点または/および前記隆起の頂上または側面の表面エッ
チング格子または/およびこの指定導波路設計によって要求される同様な性質の任意の他
の特徴をもたなければならないならば、これは実行するのに困難であろう。さらに、前記
第2の波長112の遷移は、頂上の接点または頂上/ 側面の格子のような前記第1の指
定導波路111と連結する全ての機能的な要素が実行されて初めて断熱的に結合できるの
で、長い構造に帰着し、それによってウェハ当たりの打ち抜き数を制限しかつ素子コスト
を増大させることはいわゆる当業者には明らかであろう。
長(デ)マルチプレクサを生み出し、そこでは、共通方向または双方向に前記共通導波路
内を伝播する前記入力信号110によって示されるような異なる波長範囲の2つの光信号
が鉛直方向に2つの波長指定導波路であって各々信号111および112で表されるもの
に鉛直方向に分離することができる。これは多導波鉛直方向集積化(MGVI)環境にお
ける前記波長逆多重化への非常に一般的な方法であるけれども、いわゆる当業者はそれは
前記第1の指定導波路の配列の設計を、第1の能動的導波路と同一のレベルで形成された
深いエッチング横方向テーパの要求された動作と融和性があるように制限するものである
ことを理解できる。特に、前記第1の波長で作動する第1の深いエッチング指定導波路の
幅は、前記第1の指定導波路の全長にわたって、前記第2の波長に対する前記遮断幅より
下、すなわち、λ2<λco1(λ2)のままであるべきである。これは、もし前記第1の
指定導波路が低い抵抗の頂上の接点または/および前記隆起の頂上または側面の表面エッ
チング格子または/およびこの指定導波路設計によって要求される同様な性質の任意の他
の特徴をもたなければならないならば、これは実行するのに困難であろう。さらに、前記
第2の波長112の遷移は、頂上の接点または頂上/ 側面の格子のような前記第1の指
定導波路111と連結する全ての機能的な要素が実行されて初めて断熱的に結合できるの
で、長い構造に帰着し、それによってウェハ当たりの打ち抜き数を制限しかつ素子コスト
を増大させることはいわゆる当業者には明らかであろう。
設計に関して、前記多導波鉛直方向集積化構造は、前記第1の指定導波路の前記導波層
が2つの層からなっており、その各々は前記第1の作動波長での導波モードを支えること
ができ、そのより低いコア層はこの波長に対して透明である(すなわち、前記第1の作動
波長より十分上のバンドギャップ波長をもつ半導体物質から製造された)という点で異な
る。もう1つの設計上の相違は、前記導波路のルータが前記第1の指定導波路の導波層の
より低いコア内に形成され、かつ横方向のものであって、一旦前記第1の(より短い)作
動波長内の光信号が鉛直方向に前記第2の(より長い)作動波長での光信号から分離しか
つこの層に結合すると、それは前記共通導波路および前記第1の指定導波路から横方向に
切り換えることができる点で相違する。前記横方向のルータの現実の設計は変更可能であ
るけれども、ここで開示されている前記鉛直波長(デ)マルチプレクサのいずれの実施の
形態での役割は同一のままであって、それらが既に鉛直方向に分離した後に前記第1およ
び第2の作動波長での前記光信号を横方向に分離する。これは、前記第1および第2の受
動的導波路の配置設計が、相互に独立に最適化されることを可能にし、したがって、前記
鉛直波長(デ)マルチプレクサおよび全体の光通信集積化回路、その回路の一部であって
も良いが、設計の柔軟性を増進する。いわゆる当業者にとって明らかであろうことは、前
記第1の作動波長の結果としての分離はその指定導波路の機能的要素が、前記第2の断熱
的結合器および前記第2の指定導波路の機能的要素を実行するために使用されるものと同
一の縦型の設置面積内で実行されることを可能とする。そのような前記2工程の鉛直波長
(デ)マルチプレクサ200は、先行技術の機能的に同一の1工程鉛直波長(デ)マルチ
プレクサよりもより短いので、ウェハ当たりの打ち抜き型の個数を増大させ、電気的な相
互結合性、素子配置等の柔軟性を増大するとともに、素子費用を削減する。
が2つの層からなっており、その各々は前記第1の作動波長での導波モードを支えること
ができ、そのより低いコア層はこの波長に対して透明である(すなわち、前記第1の作動
波長より十分上のバンドギャップ波長をもつ半導体物質から製造された)という点で異な
る。もう1つの設計上の相違は、前記導波路のルータが前記第1の指定導波路の導波層の
より低いコア内に形成され、かつ横方向のものであって、一旦前記第1の(より短い)作
動波長内の光信号が鉛直方向に前記第2の(より長い)作動波長での光信号から分離しか
つこの層に結合すると、それは前記共通導波路および前記第1の指定導波路から横方向に
切り換えることができる点で相違する。前記横方向のルータの現実の設計は変更可能であ
るけれども、ここで開示されている前記鉛直波長(デ)マルチプレクサのいずれの実施の
形態での役割は同一のままであって、それらが既に鉛直方向に分離した後に前記第1およ
び第2の作動波長での前記光信号を横方向に分離する。これは、前記第1および第2の受
動的導波路の配置設計が、相互に独立に最適化されることを可能にし、したがって、前記
鉛直波長(デ)マルチプレクサおよび全体の光通信集積化回路、その回路の一部であって
も良いが、設計の柔軟性を増進する。いわゆる当業者にとって明らかであろうことは、前
記第1の作動波長の結果としての分離はその指定導波路の機能的要素が、前記第2の断熱
的結合器および前記第2の指定導波路の機能的要素を実行するために使用されるものと同
一の縦型の設置面積内で実行されることを可能とする。そのような前記2工程の鉛直波長
(デ)マルチプレクサ200は、先行技術の機能的に同一の1工程鉛直波長(デ)マルチ
プレクサよりもより短いので、ウェハ当たりの打ち抜き型の個数を増大させ、電気的な相
互結合性、素子配置等の柔軟性を増大するとともに、素子費用を削減する。
作動原理に関して、図1および図2に示された2つの導波路装置の間の相違は、前者が
、前記第1および第2の作動波長での前記光信号の間の空間的な分離が鉛直方向の分離に
よってのみ達成されるのに対して、後者では、2つの波長の間の分離は鉛直方向の分離と
横方向の経路の設定の双方を組み合せている点である。前者は、先行技術におけるTolsti
khin(米国特許出願 同上)によって記載されたものと同様な処理により、後者は、前記
第2の(より長い)波長をまだ閉じ込めている受動的導波路から離れた前記第1の(より
短い)波長の横方向の切換えによる。これは、前記第2の波長と前記第1の指定導波路と
の間の相互作用を削減し、このようにして、前記鉛直波長(デ)マルチプレクサおよび前
記光通信集積化回路の全体、該回路の一部であっても良いが、その動作を改善する。
、前記第1および第2の作動波長での前記光信号の間の空間的な分離が鉛直方向の分離に
よってのみ達成されるのに対して、後者では、2つの波長の間の分離は鉛直方向の分離と
横方向の経路の設定の双方を組み合せている点である。前者は、先行技術におけるTolsti
khin(米国特許出願 同上)によって記載されたものと同様な処理により、後者は、前記
第2の(より長い)波長をまだ閉じ込めている受動的導波路から離れた前記第1の(より
短い)波長の横方向の切換えによる。これは、前記第2の波長と前記第1の指定導波路と
の間の相互作用を削減し、このようにして、前記鉛直波長(デ)マルチプレクサおよび前
記光通信集積化回路の全体、該回路の一部であっても良いが、その動作を改善する。
断熱的遷移の結果は図4bに示され、図4bは、表1の層構造に基づく数値シミュレー
ションによって得られた図3に示した導波路配置の準3次元図のY−Y線視横断面におけ
る前記第1の(より短い)波長および前記第2の(より長い)波長での光学場の2次元モ
ードの輪郭を示している。この横断面においてより長い前記波長(左側)での光学場は、
まだ、受動的導波路内に主として局在化したままである一方、より短い前記波長(右側)
での光学場は既に前記遷移導波路と結合している。言い換えれば、Y−Y線視横断面は、
前記隆起350の断熱的テーパを通じて達成された2つの作動波長の間の完全な鉛直方向
の波長分離を表す。
ションによって得られた図3に示した導波路配置の準3次元図のY−Y線視横断面におけ
る前記第1の(より短い)波長および前記第2の(より長い)波長での光学場の2次元モ
ードの輪郭を示している。この横断面においてより長い前記波長(左側)での光学場は、
まだ、受動的導波路内に主として局在化したままである一方、より短い前記波長(右側)
での光学場は既に前記遷移導波路と結合している。言い換えれば、Y−Y線視横断面は、
前記隆起350の断熱的テーパを通じて達成された2つの作動波長の間の完全な鉛直方向
の波長分離を表す。
いわゆる当業者にとって、前記共通導波路から前記遷移導波路への断熱的遷移によって
前記第2の(より長い)波長から分離した後に前記第1の(より短い)波長の前記横方向
の切換えの為の遷移導波路湾曲とは異なる他の機構も可能であることは明らかである。2
波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ300は2波長スプリッタとしての動作で記述され
ている一方、他の実施の形態が可能であることはいわゆる当業者にとって明らかであろう
。例えば、各部分360b及び350dの後に1の導波路を付け加えると、本発明の前記第
1の実施の形態に記載されているように、光検出器が2波長の鉛直波長(デ)マルチプレ
クサの受信器を生み出す。前記構造を逆に作動させると、2波長の結合器を提供し、その
結果、2つの端部放射半導体注入レーザは本発明の第2の実施の形態に記載されているよ
うに、2波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ送信器に結合され、さらに、1の波長を1
導波路光検出器で、他の波長を1の端部放射半導体注入レーザで実行させることは、本発
明の前記第3および第4の実施の形態において上述したように、2波長の鉛直波長(デ)
マルチプレクサの双方向のトランシーバを可能にする。
前記第2の(より長い)波長から分離した後に前記第1の(より短い)波長の前記横方向
の切換えの為の遷移導波路湾曲とは異なる他の機構も可能であることは明らかである。2
波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ300は2波長スプリッタとしての動作で記述され
ている一方、他の実施の形態が可能であることはいわゆる当業者にとって明らかであろう
。例えば、各部分360b及び350dの後に1の導波路を付け加えると、本発明の前記第
1の実施の形態に記載されているように、光検出器が2波長の鉛直波長(デ)マルチプレ
クサの受信器を生み出す。前記構造を逆に作動させると、2波長の結合器を提供し、その
結果、2つの端部放射半導体注入レーザは本発明の第2の実施の形態に記載されているよ
うに、2波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ送信器に結合され、さらに、1の波長を1
導波路光検出器で、他の波長を1の端部放射半導体注入レーザで実行させることは、本発
明の前記第3および第4の実施の形態において上述したように、2波長の鉛直波長(デ)
マルチプレクサの双方向のトランシーバを可能にする。
いわゆる当業者にとって、上述した2波長の鉛直波長(デ)マルチプレクサ300,5
00,600,700の各々の前記受動的導波路の経路における2つの波長の共通方向お
よび双方向の両者の伝播が可能であって、前記波長の分離および結合の機能が各々可能で
あることは、いわゆる当業者にとって明らかである。このようにして、本発明の実施の形
態に係る各前記横方向ルータ300,500,600,700が採用されて、2波長の受
信器または送信器またはトランシーバを可能にする鉛直波長(デ)マルチプレクサを形成
する。
00,600,700の各々の前記受動的導波路の経路における2つの波長の共通方向お
よび双方向の両者の伝播が可能であって、前記波長の分離および結合の機能が各々可能で
あることは、いわゆる当業者にとって明らかである。このようにして、本発明の実施の形
態に係る各前記横方向ルータ300,500,600,700が採用されて、2波長の受
信器または送信器またはトランシーバを可能にする鉛直波長(デ)マルチプレクサを形成
する。
Claims (6)
- 前記共通指定導波路の前記バンドギャップは、少なくとも第1の予め定めた波長の変位
によって前記複数の波長指定導波路の任意の予め定めた第2の波長範囲より下にある請求
項1または請求項2に記載の集積化光通信装置。 - 前記複数の波長指定導波路の内の1の前記バンドギャップ波長は、前記複数の波長指定
導波路の前記先行する波長指定導波路の前記予め定めた第2の波長範囲の上であり、前記
先行する波長指定導波路は第2の予め定めた波長の変位によって選択された前記
波長指定導波路より下でかつそれに最近接の鉛直方向に設けられた前記複数の波長指定導
波路の1である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の集積化光通信装置。 - 前記複数の波長指定導波路の内の1の前記バンドギャップ波長は、前記複数の波長指定
導波路の取って代わろうとしている前記波長指定導波路の予め定めた第2の波長範囲の下
であり、取って代わろうとしている前記波長指定導波路は第3の予め定めた波長変位によ
って選択された前記波長指定導波路より上でかつ最近接の鉛直方向に設けられた前記複数
の波長指定導波路の内の1である請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の集積化光通信
装置。 - 前記共通指定導波路の前記バンドギャップ波長は、少なくとも第1の予め定めた波長の
変位によって、前記複数の波長指定導波路の任意の予め定めた第2の波長範囲の下である
請求項14または請求項15に記載の方法。 - 前記複数の波長指定導波路の内の1の前記バンドギャップ波長は前記複数の波長指定導
波路の前記先行する波長指定導波路の前記予め定めた第2の波長範囲の上であり、前記先
行する波長指定導波路は、第2の予め定めた波長変位により、選択された波長指定導波路
より下かつ最近接の鉛直方向に配列された前記複数の波長指定導波路の内の1である請求
項14乃至請求項16のいずれかに記載の方法。 - 前記複数の波長指定導波路の内の1の前記バンドギャップ波長は、前記複数の波長指定
導波路の取って代わられる前記波長指定導波路の予め定めた第2の波長範囲より下であり
、取って代わられる前記波長指定導波路は、第3の予め定めた波長変位により前記選択さ
れた波長指定導波路より上かつ最近接の鉛直方向に配列された前記複数の波長指定導波路
の内の1である請求項14乃至請求項18のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US86022106P | 2006-11-21 | 2006-11-21 | |
PCT/CA2007/002091 WO2008061356A1 (en) | 2006-11-21 | 2007-11-21 | Integrated optics arrangement for wavelength (de)multiplexing in a multi-guide vertical stack |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010510548A JP2010510548A (ja) | 2010-04-02 |
JP2010510548A5 true JP2010510548A5 (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=39429339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009537458A Pending JP2010510548A (ja) | 2006-11-21 | 2007-11-21 | 多導波路鉛直方向積層による波長(逆)多重化用集積化光学素子配列 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7444055B2 (ja) |
JP (1) | JP2010510548A (ja) |
CN (1) | CN101595410B (ja) |
CA (1) | CA2668654A1 (ja) |
WO (1) | WO2008061356A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5374106B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-12-25 | ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社 | 半導体光機能デバイス |
US8000565B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-08-16 | Intel Corporation | Buried dual taper waveguide for passive alignment and photonic integration |
US8098969B2 (en) * | 2009-12-08 | 2012-01-17 | Onechip Photonics Inc. | Waveguide optically pre-amplified detector with passband wavelength filtering |
CA2783710A1 (en) | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Onechip Photonics Inc. | Waveguide optically pre-amplified detector with passband wavelength filtering |
US8488923B2 (en) * | 2010-03-29 | 2013-07-16 | Intel Corporation | Multimode optical coupler interfaces |
US20120106583A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Onechip Photonics Inc. | Vertically-coupled surface-etched grating dfb laser |
US8682119B2 (en) * | 2011-05-09 | 2014-03-25 | Alcatel Lucent | High performance optical polarization diversity circuit |
EP2707766A4 (en) | 2011-05-10 | 2015-07-08 | Invensys Sys Inc | MULTIPOINT OPTICAL COMMUNICATION |
WO2012171557A1 (en) | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Universidad Pública de Navarra | Integration platform incorporating optical waveguide structures |
KR101783621B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2017-10-11 | 삼성전자주식회사 | 광 연결 장치, 이의 제조 방법, 및 상기 광 연결 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
US9377587B2 (en) * | 2012-12-13 | 2016-06-28 | The University Of Connecticut Technology Partnership & Licensing | Fiber optic coupler array |
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US20150104130A1 (en) * | 2013-10-14 | 2015-04-16 | Cisco Technology, Inc. | Optical power splitter |
JP2015161829A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日本電信電話株式会社 | グレーティングカプラ |
US9250388B1 (en) * | 2014-07-17 | 2016-02-02 | Intel Corporation | Optical device using echelle grating that provides total internal reflection of light |
KR102679530B1 (ko) * | 2015-02-18 | 2024-06-27 | 스마트 포토닉스 홀딩 비.브이. | 포토닉 ic 특성화 및 패키징을 위한 멀티-포트 광 프로브 |
CN108474911B (zh) * | 2015-12-10 | 2020-12-11 | 博创科技英国有限公司 | 具有组合式发射器及接收器组合件的光学收发器 |
US10613274B2 (en) * | 2016-05-13 | 2020-04-07 | Luxtera, Inc. | Method and system for integrated multi-port waveguide photodetectors |
CN106249355B (zh) * | 2016-10-12 | 2019-06-25 | 北京交通大学 | 基于硅基光波导模式匹配的模式复用解复用器 |
CN110637245B (zh) | 2017-06-16 | 2020-12-01 | 华为技术有限公司 | 一种光分插复用器 |
US10197737B2 (en) | 2017-06-19 | 2019-02-05 | Intel Corporation | Low back reflection echelle grating |
EP3467973A1 (en) * | 2017-10-04 | 2019-04-10 | IMEC vzw | Active-passive waveguide photonic system |
US10439726B1 (en) | 2018-11-01 | 2019-10-08 | Cisco Technology, Inc. | Bi-directional temperature controlled optical transceiver |
US11385406B2 (en) * | 2019-10-29 | 2022-07-12 | Waymo Llc | Optical signal routing devices and systems |
US20210181436A1 (en) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Multi-tip waveguide coupler with improved alignment guidance |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2601505B1 (fr) * | 1986-07-09 | 1988-11-10 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur integre du type dispositif de couplage entre un photodetecteur et un guide d'onde lumineuse |
JPH03263005A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-22 | Ricoh Co Ltd | 光回路素子 |
GB2277405A (en) * | 1993-04-22 | 1994-10-26 | Sharp Kk | Semiconductor colour display or detector array |
US5805755A (en) * | 1996-06-17 | 1998-09-08 | Tellium, Inc. | Self-aligned transition from ridge to buried heterostructure waveguide, especially for multi-wavelength laser array integration |
GB9710062D0 (en) * | 1997-05-16 | 1997-07-09 | British Tech Group | Optical devices and methods of fabrication thereof |
TW472024B (en) * | 1997-06-18 | 2002-01-11 | Corning Corp | A method of positioning a broken fiber for threading |
FR2766582A1 (fr) * | 1997-07-23 | 1999-01-29 | Corning Inc | Methode de fabrication de composant optique et composant optique fabrique selon cette methode |
JP3762940B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2006-04-05 | 国立大学法人横浜国立大学 | 非対称方向性結合器型波長フィルタ |
US6381380B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-04-30 | The Trustees Of Princeton University | Twin waveguide based design for photonic integrated circuits |
US6330378B1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-12-11 | The Trustees Of Princeton University | Photonic integrated detector having a plurality of asymmetric waveguides |
US7095938B2 (en) * | 2001-03-27 | 2006-08-22 | Metrophotonics Inc. | Vertical integration of active devices within passive semiconductor waveguides |
US20030026515A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Motorola, Inc. | Monolithic tunable wavelength multiplexers and demultiplexers and methods for fabricating same |
US20060078254A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Djordjev Kostadin D | Vertically coupling of resonant cavities to bus waveguides |
CN101529292B (zh) * | 2006-07-31 | 2011-11-09 | 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司 | 使用锥形波导的集成垂直波长(去)复用器 |
-
2007
- 2007-11-21 US US11/984,759 patent/US7444055B2/en active Active - Reinstated
- 2007-11-21 CA CA002668654A patent/CA2668654A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-21 JP JP2009537458A patent/JP2010510548A/ja active Pending
- 2007-11-21 CN CN2007800431284A patent/CN101595410B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-21 WO PCT/CA2007/002091 patent/WO2008061356A1/en active Application Filing
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