JP2015161829A - グレーティングカプラ - Google Patents

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Abstract

【課題】製造上の困難を回避しながら、出力電界強度プロファイルの制御性が良いグレーティングカプラを提供する。
【解決手段】基板101上の光導波路103の表層に溝が形成されたグレーティングカプラであって、光導波路内の溝が形成された領域において光導波路を伝搬する光と外へ出射するあるいは光導波路外を伝搬する光を光導波路103に結合するグレーティングカプラにおいて、光導波路103の表層に光導波路103の長手方向に繰り返し溝を形成し、溝の幅を、光導波路の幅よりも狭くした。
【選択図】図4

Description

本発明は、グレーティングカプラに関し、光通信ネットワークノードにおける光信号処理装置に適用して有利なグレーティングカプラに関する。
グレーティングカプラは、主にシリコン光導波路において、当該導波路と光ファイバと間の光の結合に用いられる。グレーティングは、光導波路の表面に形成された複数の溝(凹部)からなり、光導波路内を伝搬する光を基板上方へ光路変換する機能を持つ。グレーティングカプラは、光の入出力をチップ(基板)の端面に限らず、基板の面内のどこでも行えることが利点である。
図1に、グレーティングカプラの構造を示す。グレーティングカプラは、基板(101)と、該基板上に形成された入力導波路(102)およびグレーティング部(103)からなる。グレーティング部(103)は、溝が形成され導波路からなり、入力導波路(102)からグレーティング部(103)に向かって伝搬してきた光は、溝が形成された領域において上方へ光路変換される。図2はグレーティング部の側面図である。溝の深さをg、溝の間隔をd、溝の長さをa、出力されるビーム径(電界振幅が最大値の1/eとなる半幅)をωとする。
原理は以下のとおりである。各溝において、光の一部が導波路外に放射する。すなわちグレーティング部全体では点光源列が形成され、多光束干渉が起こる。これによって波面の揃う特定の方向に向かって光が伝搬していく。
溝の長さa、溝の深さgを一定に作ると、溝一つあたりの光の放射割合は一定となり、この場合、グレーティングカプラからの出力光の強度プロファイルは指数関数形状となる。一方、光ファイバのモードプロファイルはおよそガウシアン形状であるから、この差がグレーティングカプラと光ファイバとの間の光の結合率の低下につながる。
この問題を解消するために、溝の長さaや溝の深さgを、溝の位置によって異なるように設計し、放射率を制御することによって出力強度プロファイルを光ファイバのモードと近くなるように設計することが行われてきた(例えば、非特許文献1参照)。
Bates K.A. et al. "Gaussian beams from variable groove depth grating couplers in planar waveguides," APPLIED OPTICS, Vol.32, No.12, pp.2112-2116, 1993年4月20日 Chao Li et al. "CMOS-compatible high efficiency double-etched apodized waveguide grating coupler," OPTICS EXPRESS, Vol.21, No.7, pp.7868-7874, 2013年4月8日
上記の従来方法(溝の長さaや溝の深さgが溝の位置によって異なるように設計することで放射率を制御する方法)により所望のビームプロファイルを得ようとした場合、ごくわずかだけ光を放射させるために、極めて短い(aが小さい)溝を形成する必要があるという困難があった。これを、図3(a)〜(d)を参照して説明する。本図は素子の長手方向(z軸)に対する光の放射率の分布と、グレーティング直上に形成される電界の関係を示した図である。放射率が一定の場合(図3(a))は、電界強度分布は指数関数分布(図3(b))となり、前述のようにファイバとの結合率が低くなる。一方、非特許文献1に説明されているように、溝の位置によって溝の長さaや溝の深さgを異なるように設計して放射率を図3(c)に示すような分布にすると、図3(d)に示すようにガウシアン分布の電界強度分布が得られる。このとき、図3(c)において破線で示したように、図3(a)に示した放射率よりも低い放射率の部分が必要である。
非特許文献2では、溝長さaを最小で50nmほどに設計している。これを実現するためには、最先端のリソグラフィ技術が必要である。また、非特許文献2では溝の深さgも調整することでさらに小さな放射率を得ているが、これにも複雑なプロセス工程が必要である。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、製造上の困難を回避しながら、出力電界強度プロファイルの制御性が良いグレーティングカプラを提供するものである。
本発明の第1の態様は、基板上の光導波路の表層に溝が形成されたグレーティングカプラである。グレーティングカプラは、光導波路内の溝が形成された領域で、該光導波路を伝搬する光を該光導波路外へ出射する。あるいは、グレーティングカプラは、光導波路内の溝が形成された領域で、該光導波路外を伝搬する光を該光導波路に結合する。
一実施形態では、溝は、グレーティングカプラの光導波路の表層に、該光導波路の長手方向に繰り返し形成されていることを特徴とする。グレーティングカプラの光導波路は、異なる幅を有する複数のコア層が重ねられた光導波路から構成され、形成される溝は、該光導波路の表面を含む層に形成される。また、溝の幅は、前記光導波路の幅よりも狭い、ことを特徴とする。
また、一実施形態では、グレーティングカプラの光導波路に形成された溝の幅は、該光導波路の長手方向に対して変調されていることを特徴とする。一実施形態では、光導波路は、シリコン導波路であることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、グレーティングカプラの光導波路のうち溝が形成された部分のモード形成に対する寄与を少なくすることで、1つの溝あたりの放射率を小さくでき、これにより製造上の困難を回避しながら、出力電界強度プロファイルの制御性が良いグレーティングカプラを提供することが可能となる。
従来のグレーティングカプラを示す斜視図である。 図1のグレーティング部のZ軸に沿った断面図である。 放射率の長手方向分布とグレーティング直上電界強度分布の関係を表す図であり、(a)および(c)は放射率の長手方向分布を表す図であり、(b)および(d)は、(a)および(c)の放射率に対応する、電界強度分布を表す図である。 本発明の第一の実施形態である2つの層を持つリブ導波路を用いたグレーティングカプラを示す斜視図である。 図4の第一の実施形態のグレーティング部における導波路の断面図であり、(a)は溝が掘られていない部分の導波路の断面図であり、(a’)は第一の実施形態のグレーティング部における、溝が掘られている部分の導波路の断面図である。 図5(a)に示す断面導波路の基本モードを示す図である。 (a)および(a’)は3つの層を持つリブ導波路を用いたグレーティングカプラの導波路の断面図であり、(a)は溝が掘られていない部分の導波路の断面図、(a’)は溝が掘られている部分の導波路の断面図であり、(b)および(b’)は2つの層を持つリブ導波路を用いたグレーティングカプラの導波路の断面図であり、(b)は溝が掘られていない部分の導波路の断面図、(b’)は凹状に溝が掘られている部分の導波路の断面図である。 本発明の第二の実施形態であるグレーティングカプラを示す斜視図である。 溝の長さaおよび導波路のうち溝が形成される層の幅wと放射率Tの関係を示す図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。なお、入力導波路の形状や形態を変更したり、グレーティングの溝間隔dやそれぞれの溝長さaを変調したりすることは、一般的に行われる設計変更の範囲内であり、本発明を限定するものではない。入力導波路(102)およびグレーティング部(103)を構成する導波路は、シリコン導波路とすることができるが、本発明はこれに限定されない。
(第一の実施形態)
図4に、本発明の第一の実施形態に係るグレーティングカプラを示す。本実施形態のグレーティングカプラのグレーティング103において、溝が掘られていない部分の導波路断面は、図5(a)に示すように、広い幅のコアの上に狭い幅のコアが重なった、リブ型と呼ばれる形状になっている。上から、第1層、第2層と呼ぶことにする。なお、第1層は、導波路の表面を含む層であるので単に「表層」とも呼ぶ。一方、溝が掘られた部分の導波路断面は図5(b)に示すように、第1層のみが欠損した形状となる。
言いかえれば、第1層および第2層からなる導波路全体の観点では、凹凸は導波路の全幅にわたるのではなく、中央付近に限り形成される(第1層の幅に等しい幅の溝が第1層のみに形成される)。
このようなリブ導波路を採用する理由は、第1層がモード形成に対して持つ寄与を少なくすることで、溝一つあたりの光の放射率を小さくすることにある。
第1層の幅をw、第2層の幅をwとする。モードソルバ(光のモードをシミュレーションするソフトウェア)を用いて数値計算を行った結果、全エネルギーのうち、第1層に閉じ込められているエネルギーの割合は、w=w=600nm、すなわちリブ型でない通常の矩形導波路の場合には20.3%であったのに対し、w=200nm、w=600nmとしたリブ導波路の場合には7.5%であった。このリブ導波路のモードを図6に示す。このように、リブ導波路においては、エネルギーが第2層に強く局在し、モード形成に関して第1層の寄与分が少ないことがわかる。
したがって、本実施形態のグレーティングカプラによれば、従来のグレーティングカプラと異なり、溝の長さaをきわめて小さく製作しなくても、1つの溝あたりの光の放射量を小さくすることができ、所望の電界形状を作り出すことが容易になる。
また、溝の有無がモードに対して与える影響が少なければよいので、図7のような構造でもよい。すなわち、図7(a)に示すように、グレーティング部103を3層あるいはそれ以上の層からなるリブ導波路を用いて構成し、図7(a’)に示すように、第1層の幅に等しい幅の溝を形成してもよい。また、図7(b)に示すように、グレーティング部103を2層あるいはそれ以上の層からなる導波路を用いて構成し、溝を掘らない部分では第一層の幅を第二層と同じにしておき、図7(b’)に示すように、第1層の幅よりも狭い幅の凹状の断面を持つ溝を形成してもよい。このように凹型の断面を持つ溝を形成した場合も、1つの溝あたりの光の放射量を小さくすることができるので、図4や図7(a)および(a’)に示したグレーティング部と同様の効果が得られる。
(第二の実施形態)
次に、図8を参照して、第二の実施形態を説明する。第二の実施形態では、グレーティング部103は2つの層を有するリブ型の導波路で構成され、溝が形成される第1層の導波路の幅wがz軸方向に変調されている。リブ導波路においては、第1層の幅を変えることによって、前述の、モード形成に関する第1層の寄与分を変調することが可能である。これによって、一つの溝あたりの放射割合をz方向の位置毎に異ならせることができる。
図9は、溝の長さaと溝の幅wによってどのように放射率Tが変化するかを模式的に示した図である。当然ながら、溝の長さaも溝の幅wも製造技術の制約上、下限が存在する。これを溝の長さの下限をamin、溝の幅の下限をw1minとおいた。また、放射率Tが最も大きくなる溝の長さaは、一般に知られているように、溝の長さaが溝の周期dの1/2となるときであり、すなわちd/2であるから、溝の長さの上限をamax=d/2とおいた。
従来のグレーティングカプラはw=wであるから、図9において点Aから点Bまでの制御性しかないが、本実施形態では、w=wからw=w1minまでの範囲で、溝ごとに任意のd−T関係を付与できる。したがって、溝の長さaの下限として同じaminを採用するとすれば、本発明により点Aから点Cまでの放射率Tの制御範囲が得られる。また、もし従来と同様の放射率Tの制御範囲を得るとした場合には、溝の長さaの下限値がaminからa’minに緩和されるため、製造が容易になる。
101 基板
102 入力導波路
103 グレーティング部

Claims (4)

  1. 基板上の光導波路の表層に溝が形成されたグレーティングカプラであり、前記光導波路内の前記溝が形成された領域で、前記光導波路を伝搬する光を該光導波路外へ出射する、または前記光導波路外を伝搬する光を前記光導波路に結合する、前記グレーティングカプラであって、
    前記溝は、前記光導波路の表層に、前記光導波路の長手方向に繰り返し形成され、前記溝の幅は、前記光導波路の幅よりも狭い、ことを特徴とするグレーティングカプラ。
  2. 前記溝の幅が、前記光導波路の長手方向に対して変調されている、ことを特徴とする請求項1に記載のグレーティングカプラ。
  3. 前記光導波路は、異なる幅を有する複数のコア層が重ねられた光導波路である、ことを特徴とする請求項1または2に記載のグレーティングカプラ。
  4. 前記光導波路は、シリコン導波路であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のグレーティングカプラ。
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