JP2010507806A5

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Publication number: JP2010507806A5
Application number: JP2009534620A
Authority: JP
Filing date: 2007-10-23
Publication date: 2010-07-15
Anticipated expiration: 2027-10-23

Claims

デュアル・バンド・マイクロボロメータであって、
第１波長の光を吸収する放射吸収層と、
読取り回路（ＲＯＩＣ）と、
多層の熱絶縁脚構造であって、前記放射吸収層を前記ＲＯＩＣに電気的に結合する第１の層と、前記ＲＯＩＣに対し前記熱絶縁脚構造を熱的に沈める第２の層とを含む、前記熱絶縁脚構造と、
第２波長の光を検出する少なくとも１つの放射検出器であって、前記放射吸収層を通じて延伸する対応の開口を介して前記ＲＯＩＣに電気的に結合された前記少なくとも１つの放射検出器とを含み、
前記放射吸収層は、酸化バナジウムおよび酸化チタニウムのうちの少なくとも１つを含む、前記デュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記少なくとも１つの放射検出器がＳｉＰＩＮフォトダイオード、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード、およびＨｇＣｄＴｅフォトダイオードのうちの少なくとも１つを含む、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第１波長の光が長波赤外線（ＬＷＩＲ）放射を含み、また前記第２波長の光が短波赤外線（ＳＷＩＲ）放射を含む、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記少なくとも１つの放射検出器がＬＷＩＲ放射に対して実質的に透過的である、請求項３記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記ＲＯＩＣに結合され、前記ＲＯＩＣから出力された画像情報を処理するプロセッサと、
前記プロセッサに結合され、処理された前記画像情報を表示するディスプレイと、
を更に含む、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第２波長の光を検出する複数の放射検出器を有し、該放射検出器の各々が前記放射吸収層を通じて延伸する対応の開口を介して前記ＲＯＩＣに結合され、前記対応の開口は、中心から中心までのピッチで互いに間を設けられ、
前記放射吸収層は、実質的に前記ピッチの２倍である中心から中心までの距離で互いに間を設けられた接点で前記ＲＯＩＣと結合された、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第１の層はＮｉＣｒを含み、前記第２の層は窒化シリコンを含む、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記放射吸収層が、該放射吸収層と実質的に平行な複数の層を介して前記熱絶縁脚構造に結合された第２の脚構造であって、前記熱絶縁脚構造と前記第２の脚構造とが前記実質的に平行な複数の層を横切って互いに横方向に間を設けられた、前記第２の脚構造を更に含む、請求項７記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記実質的に平行な複数の層は、複数の窒化シリコンの層の間に挟まれたＮｉＣｒの層を含む、請求項８記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第１波長の光は、長波赤外線（ＬＷＩＲ）放射を含み、また前記第２波長の光が中波赤外線（ＭＷＩＲ）放射を含み、
前記放射吸収層は、前記放射検出器と前記ＲＯＩＣの間に配置されている、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記放射吸収層が前記放射検出器から電気的に絶縁された、請求項１記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
画像情報を出力するデュアル・バンド・マイクロボロメータであって、
第１波長の光を吸収する放射吸収層であって、酸化バナジウムおよび酸化チタニウムのうちの少なくとも１つを含む、前記放射吸収層と、
読取り回路（ＲＯＩＣ）と、
多層の熱絶縁脚構造であって、前記放射吸収層を前記ＲＯＩＣに電気的に結合する第１の層と、前記ＲＯＩＣに対し前記熱絶縁脚構造を熱的に沈める第２の層とを含む、前記熱絶縁脚構造と、
第２波長の光を検出する少なくとも１つの放射検出器であって、前記放射吸収層を通じて延伸する対応の開口を介して前記ＲＯＩＣに電気的に結合された前記少なくとも１つの放射検出器と、
デュアル・バンド撮像装置に結合され、前記画像情報を処理する処理手段と、
前記処理手段に結合され、処理された前記画像情報を表示するディスプレイ手段と、
を含む、前記デュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第２波長の光を検出する複数の放射検出器を有し、該放射検出器の各々が前記放射吸収層を通じて延伸する対応の開口を介して前記ＲＯＩＣに結合され、前記対応の開口は、中心から中心までのピッチで互いに間を設けられ、
前記放射吸収層は、実質的に前記ピッチの２倍である前記中心から中心までの距離で互いに間を設けられた接点で前記ＲＯＩＣと結合された、請求項１２記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第１の層はＮｉＣｒを含み、前記第２の層は窒化シリコンを含む、請求項１２記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記放射吸収層が、該放射吸収層と実質的に平行な複数の層を介して前記熱絶縁脚構造に結合された第２の脚構造であって、前記熱絶縁脚構造と前記第２の脚構造とが前記実質的に平行な複数の層を横切って互いに横方向に間を設けられた、前記第２の脚構造を更に含む、請求項１４記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記実質的に平行な複数の層は、複数の窒化シリコンの層の間に挟まれたＮｉＣｒの層を含む、請求項１５記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記第１波長の光は、長波赤外線（ＬＷＩＲ）放射を含み、また前記第２波長の光が中波赤外線（ＭＷＩＲ）放射を含み、
前記放射吸収層は、前記放射検出器と前記ＲＯＩＣの間に配置されている、請求項１２記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。
前記放射吸収層が前記放射検出器から電気的に絶縁された、請求項１２記載のデュアル・バンド・マイクロボロメータ。