JP2010504642A - 回転汚染物質トラップを含む装置 - Google Patents

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Abstract

放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置が開示される。汚染物質トラップ装置は、放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、放射源の動作の結果として帯電されるロータと、ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、（ｉ）ロータの放電を制御または方向転換させるか、（ｉｉ）ロータの放電を抑制するか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行う。

Description

[0001] 本発明は、回転可能な汚染物質トラップを含む装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] ＥＵＶ（極端紫外線）放射源から発散されるデブリを捕獲するために回転可能構造（回転汚染物質トラップと呼ばれる）を有するデブリ緩和システムを含む装置が提供されてもよい。例えば、放射源は、ミクロンサイズまたはさらに小さい粒子を発散することができ、この粒子は、デブリが装置の光コンポーネントをひどく損なうまたは汚染し得るため、リソグラフィ装置の下流では望ましくない。
[0004] 例えば、回転汚染物質トラップには、トラップを回転させるために駆動機構が設けられてもよく、トラップのプレートは、トラップの回転軸に対して回転対称性を有してもよい。汚染物質粒子を効率的にトラップすることができる一般的な速い速度でトラップを回転させることが望ましく、回転汚染物質トラップは、メンテナンスをあまり必要としないで長い動作期間を達することができる。
[0005] 本発明の実施形態は、改良されたデブリ緩和システムを備える装置を含む。
[0006] 一実施形態によると、放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、放射源の動作の結果として帯電されるロータと、ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、（ｉ）ロータの放電を制御または方向転換させるか、（ｉｉ）ロータの放電を抑制するか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行う、汚染物質トラップ装置が提供される。
[0007] 好ましくは、ロータの放電は、ロータの導電性部分およびロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、または両方と電気的接触している導電性カップリングによって制御されてもよい。
[0008] 一実施形態によると、電気的カップリングは、滑り接触を含む。
[0009] さらに、ベアリングは、ロータシャフトとロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含んでもよく、ロータシャフトは、ロータとロータ搬送構造のベアリング面との間のガスベアリング構造における電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含む。
[0010] 一実施形態では、ベアリングは、ロータシャフトの第１の部分とロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、ガスベアリング構造は、ロータシャフトの第１の部分とロータ搬送構造との間にガスまたはガス混合物を供給し、ガスベアリング構造の外のエリアでロータシャフトとの放電を刺激するためにロータシャフトの別の第２の部分においてまたはその近くで、（ｉ）放電刺激構造が提供されるか、（ｉｉ）放電刺激ガスまたはガス混合物が提供される、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方が行われ、第２のシャフト部は、ロータに取り付けられ、且つ帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である。
[0011] 次に、さらなる実施形態によると、第２のシャフト部は、好ましくは、実質的にガスベアリング構造に囲まれておらず、且つロータと第１のシャフト部との間に延在する。
[0012] その上、さらなる実施形態によると、放電刺激ガスまたはガス混合物は、ベアリングガスまたはガス混合物より低い破壊電圧を有してもよい。
[0013] 任意選択として、放電刺激構造は、第２のシャフト部の外面の近くの位置へと延在または延びる導電性電極を含み、電極は、電荷ドレインまたは電位源に接続されている。
[0014] 一実施形態では、ベアリングは、ロータシャフトの一部とロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径流体ベアリング構造を含み、流体ベアリング構造は、ロータシャフトとロータ搬送構造との間に導電性パスを提供するために導電性流体または流体混合物を供給する。
[0015] 一実施形態によると、ベアリングは半径ガスベアリング構造を含んでもよく、チャネル形成要素はチャネルを規定するプレートを含み、プレートは放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行であり、ロータシャフトの一部はガスベアリング構造へと延びる。
[0016] さらに、装置は、放射源を含む放射システムをさらに含んでもよい。
[0017] 一実施形態によると、リソグラフィ装置であって、放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、放射源の動作の結果として帯電されるロータと、ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、（ｉ）ロータの放電を制御または方向転換させるか、（ｉｉ）ロータの放電を抑制するか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行う汚染物質トラップ装置と、基板を保持する基板テーブルと、放射ビームを基板上にパターン形成されるように投影する投影システムとを含む、リソグラフィ装置が提供される。本発明は、例えば、請求項１〜１１のうちのいずれかに記載の装置を含むまたは備えるリソグラフィ装置を提供できる。
[0018] 本発明の実施形態は、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す付属の概略図を参照して説明される。
[0019] リソグラフィ装置の一実施形態を示す。 [0020] 側面図における回転可能な汚染物質トラップの一実施形態を概略的に示す。 [0021] 汚染物質トラップの一実施形態の正面図を概略的に示す。 [0022] 汚染物質トラップの別の実施形態の正面図を概略的に示す。 [0023] 汚染物質トラップの流体ベアリングがさらに詳細に示されている、図１の実施形態の一部を概略的に示す。 [0024] 図３と類似しており、本発明の一実施形態の一部を示す。 [0025] 図３と類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。 [0026] 図３と類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。 [0027] 図３と類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。 [0028] 図７の別の実施形態の詳細を示す。 [0029] 図３と類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。 [0030] 図３と類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。 [0031] 図２Ｂと類似しており、本発明の別の実施形態の一部を示す。
[0032] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、放射ビームＰＢを調整し、パターン形成された放射ビームを形成するために調整された放射ビームの断面にパターンを付与し、かつパターン形成された放射ビームを基板Ｗのターゲット部分上に投影するように構成された多数の光コンポーネントを含む。図１では、装置は、
[0033] -放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射または他の種類の放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0034] -パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１のポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0035] -基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0036] -パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システムＰＳとを備える。
[0037] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0038] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0039] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0040] パターニング構造は、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0041] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0042] 本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0043] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル（および／またはサポート構造）を並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル（および／またはサポート構造）上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブル（および／またはサポート構造）を露光用に使うこともできる。
[0044] 図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬを、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。一実施形態では、放射源ＳＯは、プラズマＥＵＶ源、特に、放電プラズマ源、例えば、スズ（Ｓｎ）プラズマＥＵＶ源である。例えば、そのような放射源では、Ｓｎ原子を、低出力レーザを使用して加熱することができる（例えば、電気的に）。ＥＵＶ放射源は、別の放射源、例えば、ＬｉまたはＸｅ「燃料」プラズマ放射源であってもよい。さらに、使用中、プラズマ電子、荷電粒子および他のデブリ粒子は、コレクタＫおよびイルミネータＩＬへと向かって放射源ＳＯから漏れる場合がある。コレクタＫは、放射源ＳＯから放射を収集できる。コレクタＫは、収集した放射を照射システムＩＬに送るように構成されてもよい。特に、コレクタＫは、放射源から受ける入射を小さなフォーカスエリアまたはフォーカスポイント上に焦点を合わせるように構成されてもよい。
[0045] デブリ緩和システム１０、１１０は、望ましくは、放射源ＳＯから発散する粒子を捕獲するために提供される。図１に示されるように、緩和システムには、放射源ＳＯの近くに配置された１つ以上の回転可能な汚染物質トラップ１０（１つのみが示されてる）が設けられてもよい。さらに、１つ以上のさらなる汚染物質トラップ１１０、例えば、回転可能トラップ１０と放射コレクタＫとの間に位置付けされた静的汚染物質トラップ１１０が提供されてもよい。回転可能トラップシステム１０の１つ以上の実施形態を以下に説明する。
[0046] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータは、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせるように放射ビームを調整するために使用することができる。
[0047] 放射ビームＰＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＰＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢのパス内に位置付けるように正確に動かすことができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＰＢのパスに対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、１つより多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0048] 例示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0049] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0050] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0051] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0052] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0053] 図２Ａ〜図２Ｃは、回転可能な汚染物質トラップ１０および１０’の実施形態を示している。例えば、トラップ１０および１０’の各々は、モータ駆動ファンであってもよい。図２Ａ〜図２Ｂで示されるように、回転可能トラップ１０は、放射（すなわち、放射源ＳＯから発散する発散放射ビーム）の伝搬の通常方向に対して実質的に平行に構成されてもよいチャネルＣｈを規定する複数のチャネル形成要素１１を有するロータ１０を含んでもよい。より詳細には、回転可能トラップ１０は、コレクタＫまたは次の汚染物質トラップ１１０へと向かう放射源ＳＯの放射放出エリアＬＥＰから発散する放射の透過を可能にしてもよい。ロータ１０には、シャフト１５が設けられており、ロータ１０がその周りを回転可能である回転軸Ｑを提供する。本実施形態では、シャフト１５は、ロータ搬送構造の適したベアリング２０に回転可能に保持されており、これは以下により詳細に説明されている。放射の透過は、図３の矢印Ｒによって概略的に示されている。望ましくは、ロータ１０の回転軸Ｑの仮想的拡張は、放射源ＳＯの放射放出エリア／放射放出ポイント（例えば、プラズマ放電ポイント）ＬＥＰと同時に起こる。ロータを回転させるための駆動機構、例えばモータは、特に示されていないが、駆動モータが様々な方法で構成され、かつ様々な方法でロータ１０に結合されてもよいことは当業者に理解されるであろう。
[0054] 図２Ｂおよび図２Ｃで示されるように、チャネル形成要素１１は、異なる方法で構成されてもよく、望ましくはプレート（例えば、ホイル）１１によって提供される（したがって、いわゆるホイルトラップを形成する）。プレート１１は、様々な方法で構成されてもよい。例えば、図２Ｂは、放射透過チャネルＣｈを規定する複数のプレート１１を含む汚染物質トラップ１０の第１の実施形態を示している。プレート１１は、実質的に、そのもの自身がアパーチャを含まない固体プレート１１であってもよい。チャネルＣｈは、使用中、放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行に構成されてもよい。さらに、プレート１１は、ロータ１０の回転軸Ｑに対して実質的に半径方向に配置され、回転軸Ｑの周りに均等かつ規則的に配置されている。図２Ｃは、プレート１１が回転軸Ｑまたはシャフト１５から半径方向に延びない代替の実施形態を示している。
[0055] プレート１１は、チャネルＣｈが実質的に同じボリュームを有するように、トラップ１０の中心軸の周りに規則的かつ対称的に配置されてもよい。図２Ｃに示されるように、プレート１１は互いに、例えば、半径方向外側で外側プレートコネクタ１８によって接続されてもよい。プレート１１は互いに、半径方向内側で、および／または、例えばシャフト１５に直接的に接続されてもよい。回転可能な汚染物質トラップ１０は、様々な量のチャネルＣｈおよびそれぞれのプレート１１、例えば、比較的多数の比較的細いまたは細隙状のチャネル（例えば、少なくとも約１００チャネルまたは少なくとも約１８０チャネル）あるいは少数のチャネルＣｈ（図２Ｃのように）を含んでもよい。
[0056] さらに、ロータ１０は、帯電可能材料を含んでもよく、全体の構成は、ロータ１０が放射源ＳＯの動作の結果として帯電されるようになっていてもよい（下記参照）。例えば、プレート１１およびシャフト１５は、実質的に、導電性材料、例えば、１つ以上の金属または合金、例えば、アルミニウム、鋼または他の材料から成っていてもよい。一実施形態では、シャフトは、ロバスト材料、例えば、ロバスト導電性鋼または他の材料を含む。別の実施形態では、ロータシャフトは、ロバスト絶縁体材料、例えば、セラミック絶縁体材料、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または他の絶縁体材料を含むか、またはそれらから成る（図６について、下記参照）。
[0057] さらに、ロータ構成は、チャネル形成要素１１およびロータシャフト１５が互いに、直接的または間接的に、例えば、適した溶接接続または別の方法を介して電気的に接続されるようになっていてもよい。
[0058] 図２Ａおよび図３にあるとおり、シャフト１５をロータ搬送構造３０のシャフト収容アパーチャで回転可能に保持するように構成されたベアリング２０が提供され得る。ベアリングは、図３にてより詳細に示されている。ベアリング２０およびロータ搬送構造３０の両方は、本図では概略的にのみ示されており、それらは様々な構成を有していてもよい。ロータ搬送構造３０は、１つ以上の比較的強くて耐久性のある導電性材料を含むか、または少なくともそれらから成ってもよい。
[0059] 例えば、ロータシャフトベアリング２０は、半径ガスベアリングのような半径流体ベアリングを含んでもよい。そのような半径流体ベアリングは、当業者に理解されるように、従来技術として知られている。以下、ベアリングは主に「ガスベアリング」と呼ばれるが、これは、流体ベアリングの適用を除外するものとして解釈されるべきではない。
[0060] 例えば、本実施形態では、ガスベアリング２０は、ロータ搬送構造３０の内側円柱面（後に記述される内側面は、「搬送構造のガスベアリング面」と呼ばれることもあり、反対のシャフト面は、「ロータシャフトのガスベアリング面」と呼ばれることもあり、２つの表面はガスベアリングのための空間を囲う）から間隔を空けるようにシャフト１５を維持するために、シャフト１５の一部を囲むガスまたはガス混合物（あるいは流体または流体混合物、流体ベアリングの場合）の円筒層を提供するように構成されてもよい。さらに、ベアリング２０は、シャフト１５の自由端とロータ搬送構造３０の反対の内側面との間に配置された軸ガスベアリング２０ａも含んでもよい。ガスベアリング２０は、シャフト１５とロータ搬送構造３０との間に非常に少ない摩擦を提供するためにその間の直接的な接触を防ぐことがあり、それによって、シャフト１５（および汚染物質トラップロータ１０）を搬送構造３０に対して速い速度で効率的に回転させることができる（例えば、１０，０００ｒｐｍを超える速度）。ガスベアリング２０は、良い熱導体である場合がある。ガスベアリング２０内の高圧および比較的薄いガスの厚さによって、熱伝導性が良い場合がある。ガスベアリング２０で使用されるガスは、加熱されることもあり、したがって、熱をホイルトラップから移動させるために使用される。これは、シャフト１５の拡張、そしてそれによる磨耗および寿命問題の導入というリスクなしにホイルトラップ上に大量の力を吸収することを可能にする。シャフト１５の熱的分離（例えば、ボールベアリングを用いた）では、シャフト１５の温度が６００Ｃより高く上昇する一方、ガスベアリングでの同様の熱負荷では、シャフト１５の温度は約１００Ｃに上昇するということを実験が示している。
[0061] 例えば、ガスベアリング２０および２０Ａは、シャフト１５とロータ搬送構造３０との間の空間にガスを供給するために１つ以上のガスインレット２１を含んでもよい（それぞれのガス流は矢印ＧＢによって示されている）。例えば、インレット２１は、搬送構造３０のシャフト収容アパーチャの周りに延在する溝を含んでもよい。さらに、ロータ搬送構造３０は、シャフト１５とロータ搬送構造３０との間の空間からガスを除去するために１つ以上のガス排出口２２を含んでもよい（それぞれのガス流は矢印によって示されている）。排出口２２は、搬送構造３０のシャフト収容チャンバの周りに延在する溝も含んでもよい。当業者に理解されるように、ベアリング２０は、様々な他の方法によって配置および構成されてもよい。
[0062] 当業者に理解されるように、使用中、インレット２１を介してガスベアリング２０へと向かうガス流ＧＢと排出口２２を介するガスベアリング２０からのガス流ＧＢとの比率は、シャフト１５と搬送構造３０との間に所望のガスの厚さを維持するように調整または制御されてもよい。非限定例として、ガスベアリング２０内のガス圧は、動作中、約０．１〜５バールの範囲内であってもよい。一実施形態では、ガスベアリング２０内で使用されるガスは窒素ガス（Ｎ２）である。
[0063] 放射源ＳＯの動作中、放射源ＳＯが放射を発した場合、荷電デブリ粒子（例えば、電子および／またはイオンを含む）は、放射源ＳＯによって発されることがある。ロータプレート１１は、放射源ＳＯから発散する荷電粒子を含むデブリを捕獲することができ、ロータプレート１１およびシャフト１５の荷電へと繋がる。非限定例では、汚染物質トラップロータ１０およびそのシャフト１５は、アースに対して６００ボルトより高く、数ｋＶの電荷でさえにも荷電されてもよい。そのようなロータシャフト荷電は、導電性シャフト１５と搬送構造３０の導電性ベアリング面との間のガスベアリング２０のガス空間を介して、制御されていない、突然の放電ＥＤ（図３を参照）へと繋がる場合もあり、放電ＥＤは、ガスベアリング面に損傷を与え、それによって汚染物質トラップ１０の動作を妨げることもある。
[0064] 一実施形態によると、装置は、ロータ１０の放電ＥＤの制御または方向転換、またはロータ１０の放電を抑制、あるいはその両方を達成するように構成されている。言い換えると、例えば、装置は、ロータ１０の電荷を制御するように構成されてもよい。したがって、制御されていない放電ＥＤを防ぐことができ、それによって、高い信頼性を有する高速回転可能な汚染物質トラップ１０を達成することができる。本出願を通して、ロータシャフト放電ＥＤは、負に帯電したシャフト１５を補償するためにシャフト１５から流れる電子、または反対に、正に帯電した蓄積を補償するためにシャフト１５へと流れる電子の流れを含んでもよい。
[0065] 図３〜図１１は、本発明の様々なさらなる実施形態を示している。１つ以上のこれらの実施形態の1つ以上の態様は、望まれかつ適切である場合、１つ以上の他の実施形態の１つ以上の態様と組み合わせるかまたはそれと置き換えられてもよい。
[0066] 図４の実施形態では、ロータ放電は、放電刺激器構造２３の適用によって制御または方向転換される。特に、刺激器２３は、ガスベアリング２０の外のエリアでシャフト１５の放電ＥＤを刺激するように構成されている。特に、本実施形態では、放電刺激器２３は、ガスベアリング２０が実質的に存在しないロータ１０の近くのエリアでシャフト１５の実質的に全てまたはほとんどの放電ＥＤが発生するように構成されている。
[0067] 例えば、第１のシャフト部１５Ａはガスベアリング２０で保持されており、統合第２のシャフト部１５Ｂは、ガスベアリングから離れており、主要ロータ部１０に取り付けられ、かつロータ１０の帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である。したがって、望ましいのは、特定のロータ帯電（放射源動作による）の補償の全てまたはほとんどが第２のシャフト部１５Ｂまたは別のロータ部を介して起こるが、第１のシャフト部１５Ａおよびガスベアリング２０を介して起こらないような構成である。
[0068] 例えば、図４の実施形態では、放電刺激器は、第２のシャフト部１５Ｂの少なくとも一部が放電刺激ガスまたはガス混合物ＧＤで囲まれるかあるいはそれに接触するように、放電刺激ガスまたはガス混合物ＧＤをシャフト１５の第２のシャフト部１５Ｂに向かって供給するためにガス供給構造２３を含む。そこで、一実施形態では、放電刺激ガスまたはガス混合物ＧＤは、比較的低い破壊電圧、例えば、動作中にガスベアリング２０で使用されるベアリングガスまたはガス混合物ＧＢの破壊電圧より低い種類のものであってもよい。記載された破壊電圧は、ガスの種類、ガス圧および破壊の長さに依存し、様々なガス／ガス混合物に対してはパッシェン曲線（パッシェンの法則に従った）から決定されるか、あるいは実験または計算によって決定されてもよい。したがって、本実施形態では、使用中、シャフト１５と搬送構造３０との間のエリアの放電刺激ガス／ガス混合物ＧＤの圧力およびガス／ガス混合物ＧＤの種類との組み合わせのエリアの半径幅は、特に、ベアリングガス／ガス混合物ＧＢ、ベアリングガス／ガス混合物ＧＢの種類との組み合わせのガスベアリングの半径幅に関連して、実質的に全てまたはほとんどのロータシャフト放電が放電刺激ガス／ガス混合物ＧＤを介するようになってもよい。
[0069] このように、電気的破壊ＥＤ（または破過）が記載された放電刺激ガスまたはガス混合物ＧＤの適用によって第２のシャフト部１５Ｂで生じる可能性が高いので、第１のシャフト部１５Ａを介する放電を防ぐことができる。したがって、例えば、放電ＥＤは、ベアリング部２０への損傷を防ぐことができるように、シャフト１５と、例えば搬送構造３０の一部との間の放電刺激ガス／ガス混合物ＧＤによって導かれる。
[0070] 非限定例として、ガスベアリングで使用されるガスが窒素であった場合、放電刺激ガスはアルゴンであってもよい。例えば、シャフト／ベアリング構成に関連するガス／ガス混合物に対する一般的に知られているパッシェン曲線を使用または比較して、第２のロータシャフト部１５Ｂで放電刺激を提供するために様々なガスまたはガス混合物が適し得ることが当業者に理解されるであろう。
[0071] さらなる実施形態では、ガス供給２３は、放電刺激ガス／ガス混合物ＧＤを受けるために第２のシャフト部１５Ｂの周りで、搬送構造３０内に円筒形の溝を含んでもよい。さらに、一実施形態では、放電刺激ガス／ガス混合物ＧＤを介して放電をさらに刺激するために電極２６をガス供給２３の下流部の中または近くに提供してもよい。このため、電極２６は、電極２６を介してロータシャフト放電を方向転換させるために、適した電位を電極に適用するために電位源に接続されていてもよい。したがって、放電刺激器構造は、第２のシャフト部１５Ｂの外面の近くの位置に延在または延びる電極２６、例えば、環状電極を含んでもよく、電極は、望ましくは電位源または適した電荷ドレイン（例えば、アース）に接続されている。例えば、十分に制御されたグロー放電がシャフト１５と電極２６との間に達成される場合があり、よって、シャフト１５およびガスベアリング２０に対する損害を防ぐ。例えば、制御されていない放電が生じる前であってもシャフト１５からの電荷を接地へと導くことができる連続的導電性パスが形成されてもよく、よって、材料輸送を防ぎ、ガスベアリング面に対して拡大した寿命を与える。電極２６は、様々な構成および形を有することができる。例えば、電極２６は、電極へと向かう放電ＥＤの方向転換を強化させるためにフィールド強化の鋭いエッジまたは鋭い先端を含んでもよい。
[0072] 図５は、図４の実施形態に類似する別の実施形態を示しているが、放電刺激ガスを供給するように構成されたガス供給を含んでいない。図５の実施形態では、第２のシャフト部１５Ｂの外面の近くの位置に延在または延びる導電性電極２６’が提供され、電極は電位源２７に接続されている。電極２６’は、ベアリング２０の一部を形成しないエリア、例えば、搬送構造３０のロータシャフトアパーチャの局所的に広がった部分に配置される。電極２６’は、シャフト放電をガスベアリング２０から離れるように方向転換させるために電位源２７によって所望の高電圧（使用中にシャフト１５が負に帯電することが期待される場合の高い正電圧）に帯電されてもよい。
[0073] 図６は、別の実施形態を示している。この場合、ロータ１０は、ロータがガスベアリング２０を介して放電できないようにロータ搬送構造３０から電気的に絶縁される。例えば、そのため、ロータシャフト１５’は、電気絶縁材料、例えば、電気絶縁セラミック材料から成ってもよい。さらに、または代替として、そのため、ガスベアリング２０を囲う搬送構造の１つ以上の部分３０Ａは、電気絶縁材料、例えば、電気絶縁セラミック材料から成ってもよい。図６では、電気絶縁材料１５’および３０Ａは、斜線で示されている。
[0074] 図７および図８は、別の実施形態を示している。この場合、ロータシャフト１５の一部のみが、ロータ１０とロータ搬送構造３０のガスベアリング面との間のガスベアリングのガス空間を介する電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含んでいる。例えば、シャフト１５は、実質的にガスベアリング２０の外に配置されたシャフト部１５Ｃを含んでもよく、シャフト部は、電気絶縁材料から成っている。図８はシャフト１５の詳細を示しており、第１のシャフト部１１５Ａおよび第２のシャフト部１１５Ｂは互いに間隔を空けて配置され、電気絶縁結合部１１５Ｃによって互いに一体に取り付けられる。結合部１１５Ｃは、１つ以上の絶縁材料から成っており、装置の動作中に２つのシャフト部１１５Ａおよび１１５Ｂの間に電流が全く流れないか少し流れることを確実にする。例えば、当業者に理解されるように、適した材料としては、酸化物、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、セラミック材料、そのような材料の組み合わせおよび他の材料が含まれる。
[0075] 図９は別の実施形態を示している。この場合、ロータ１０（特に、シャフト１５）の放電は、１つ以上の導電性カップリング２９によって制御されており、この導電性カップリング２９は、一方でシャフト１５の導電性外面と電気接続されており、もう一方では、ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、またはその両方と電気接続されている。例えば、電荷ドレインは、アースを含んでもよく、または別の適した電荷受容／収集構造であってもよい。
[0076] 図９の実施形態では、いくつかの滑り接触２９が記載された導電性カップリングを提供するためにガスベアリング２０のガス空間を橋絡する。一実施形態では、滑り接触２９は、シャフト１５と搬送構造３０との間の電荷交換のための経路を提供するためにロータ搬送構造３０に取り付けられ、シャフト１５の外面と滑り接触している。あるいは、またはさらに、同じ目的のために、滑り接触は、シャフト１５と一体的に接続され、ロータ搬送構造３０の一部と滑り接触していてもよい。一実施形態では、滑り接触は、例えば、適した金属または合金から成る導電性の毛またはワイヤを含んでもよい。
[0077] 図１０は、ロータ搬送構造３０を適した放電反作用電圧に帯電させるためにシャフトの放電が電位源２７’を使用して実質的に防がれまたは減少される実施形態を示している（図１０では、ガスベアリングインレットおよび排気口は、ロータ搬送構造を別々の部分に分けているように見えるが、実際にはそのようになっておらず、電位源２７’がロータ搬送構造３０の少なくとも全てのガスベアリング面を帯電させることができるようになっている）。例えば、シャフト１５が特定の正電圧（例えば、電位Ｖ１＝＋５００Ｖ）に帯電される場合があることが期待されている場合、ロータ搬送構造３０も、ガスベアリング２０のガス空間を介したシャフト１５の突然の放電を打ち消すために正電圧（例えば、電位Ｖ２＝＋４００Ｖ）に帯電されてもよい。ここで、ロータ搬送構造３０は、電圧Ｖ２とロータシャフトＶ１の期待電圧との間の差がガスベアリング２０に対する特定の破壊電圧より低く保たれるようにただ単に電圧Ｖ２に帯電されてもよい。一実施形態では、電位源２７’の動作は、放射源ＳＯの放射化のみの場合、またはそれによってロータ搬送構造３０を帯電させるために、例えば、適した制御器を介して放射源ＳＯの動作と関連させてもよい。
[0078] 図９で特に示されていない一実施形態では、ベアリング２０は、シャフト１５の一部とロータ搬送構造３０の一部との間の空間にガスを供給するように構成された半径流体ベアリングである（図２および図３のように）。その場合、これは、流体ベアリングがロータシャフトとロータ搬送構造との間に導電性パスを提供し、それによってその間のあらゆる電位差を徐々に均等にするために導電性流体または流体混合物を提供するように構成された場合に有利である。例えば、流体ベアリング２０によって供給される流体は、イオンまたはイオン化ベアリングガスを少なくとも部分的に含むか、またはそれらから成ってもよい。このように、グロー放電がシャフト１５とロータ搬送構造３０との間に突然のスパークの代わりに生成される場合があり、そのような全体流体ベアリング２０は、ロータ１０を制御した方法で放電するために放電パスを提供し得る。
[0079] 一実施形態では、流体ベアリング２０は、良好な導電性液体（室温における）、例えば、液体金属または液体合金、例えばスズ、あるいは、スズ、インジウムおよびガリウムのうちの１つ以上を含む合金（例えば、複数の合金のうちの１つ：ガリウム−インジウムおよびスズ−ガリウム−インジウム）を提供するように構成された液体ベアリングであってもよい。その場合、シャフト１５の制御された放電は、シャフト１５のベアリング面および周囲構造３０への損害へと繋がることなく単にベアリング２０の液体中を展開し得る。
[0080] 反対に、流体ベアリング２０は、実質的に、装置の動作中にベアリング２０を介するあらゆる放電を防ぐかまたは減少させるためにシャフト１５と搬送構造３０との間に非常に良い電気的絶縁を形成するように選択されてもよい。
[0081] 本発明の一実施形態は、実施することに対して比較的容易で費用がかからない。さらに、１つ以上の実施形態では、高速ロータ１０およびそのシャフト１５との機械接触はなく、この場合、さらなる磨耗はなく、かつ余分なモータ力も必要としない。シャフト１５上の電荷蓄積は非常に速い場合があり（＜１００ｎｓ）、表皮効果により、電流がほとんどシャフト１５の外面で流れるように強制されることが期待される。この効果を考慮して、上述の実施形態は、電子が流れるように強制されているところ、すなわち、外側シャフト面から電子を取り出すことがある。
[0082] 本発明の１つ以上の実施形態は、例えば、ブラシリングを用いてシャフト１５に対して電気接触をさせることを含んでもよい。さらに、または代替として、メカ全体(ロータ１０およびロータ搬送構造３０を含む)は、制御されていないロータシャフト放電を抑制するためにその環境に対して電気的に絶縁されてもよく、電圧差を減少させるためにシャフト１５とハウジング３０との間で良好な容量結合が頼りにされている。一実施形態では、チャネル形成要素１１は、そのシャフト１５から電気的に絶縁されている（図６〜図８に示されている実施形態と同様）。
[0083] 別の実施形態では、ロータ１０またはシャフト１５をロータ搬送構造３０に対して回転可能に保持（すなわち、搬送、誘導または支持）するように構成された導電性ベアリング２０が提供されてもよい。例えば、導電性ベアリング２０は、導電性ガスまたはガス混合物を使用する上述の半径ガスベアリング２０であってもよい。一実施形態では、ベアリング２０は、導電性ボールベアリング、特に、導電性半径ボールベアリングであってもよい。後者の場合、例えば、ボールベアリングの１つ以上のボールは、導電性材料からなってもよい。さらに、ボールベアリング実施形態は、上述されて図で示された１つ以上の実施形態と組み合わされてもよい。
[0084] 図１１は、別の実施形態を示している。この場合、そのようなロータ１０の一部の近くにあるまたは電気接触しているロータ放電刺激器４０が提供される。例えば、ロータ放電刺激器４０は、外側ロータ部１８（例えば、チャネル形成要素１１を相互接続する円形外側ロータ部である）を介してロータを放電するように構成された電極または滑り接触４０を含んでもよい。ロータ放電刺激器４０は、外側ロータ部１８と直接的な電気接触するか、またはロータから適した短い距離で配置されてもよく、それによって、動作中にロータ１０から電荷を受ける。さらに、ロータ放電刺激器４０は、ロータ１０から電荷を奪うために接地、電荷ドレインまたは電位源に電気的に結合されてもよい。放電刺激器としての電極４０の場合、再度、電極４０は、電極へと向かう放電ＥＤの方向転換を強化させるためにフィールド強化の鋭いエッジまたは鋭い先端を含んでもよい。
[0085] 上述の実施形態の１つ以上は、様々な利点を提供し得る。例えば、回転可能な汚染物質トラップの実施形態の1つ以上は、メンテナンスをあまり必要としないで長い動作期間を達し、および／または放射源から発散するデブリの効率的な捕獲を提供し得る。
[0086] 回転可能な汚染物質トラップを有する本装置構成は、リソグラフィ装置に関する場合があるが、本発明の１つ以上の実施形態をリソグラフィ分野外でも適用できるため、リソグラフィ装置に特に限定されない。
[0087] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置および／またはコレクタが、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0088] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。特に、プラズマを低圧（真空）環境で生成できる種類の放射である。
[0089] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0090] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (20)

  1. 放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、前記放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、
    前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、前記放射源の動作の結果として帯電されるロータと、
    前記ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、
    （ｉ）前記ロータの放電を制御または方向転換させるか、（ｉｉ）前記ロータの放電を抑制するか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行う、汚染物質トラップ装置。
  2. 前記ロータの放電は、前記ロータの導電性部分および前記ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、または両方と電気的接触している導電性カップリングによって制御される、請求項１に記載の装置。
  3. 前記電気的カップリングは、滑り接触を含む、請求項２に記載の装置。
  4. 前記ベアリングは、ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ロータシャフトは、前記ロータと前記ロータ搬送構造のベアリング面との間の前記ガスベアリング構造における電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含む、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の装置。
  5. 前記ベアリングは、ロータシャフトの第１の部分と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ガスベアリング構造は、前記ロータシャフトの第１の部分と前記ロータ搬送構造との間にガスまたはガス混合物を供給し、前記ガスベアリング構造の外のエリアで前記ロータシャフトとの放電を刺激するために前記ロータシャフトの別の第２の部分においてまたはその近くで、（ｉ）放電刺激構造が提供されるか、（ｉｉ）放電刺激ガスまたはガス混合物が提供されるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方が行われ、前記第２のシャフト部は、前記ロータに取り付けられ、且つ前記帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である、請求項１〜４のうちのいずれかに記載の装置。
  6. 前記第２のシャフト部は、実質的に前記ガスベアリング構造に囲まれておらず、且つ前記ロータと前記第１のシャフト部との間に延在する、請求項５に記載の装置。
  7. 前記放電刺激ガスまたはガス混合物は、前記ベアリングガスまたはガス混合物より低い破壊電圧を有する、請求項５または６に記載の装置。
  8. 前記放電刺激構造は、前記第２のシャフト部の外面の近くの位置へと延在または延びる導電性電極を含み、前記電極は、電荷ドレインまたは電位源に接続されている、請求項５〜７のうちのいずれかに記載の装置。
  9. 前記ベアリングは、ロータシャフトの一部と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径流体ベアリング構造を含み、前記流体ベアリング構造は、前記ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に導電性パスを提供するために導電性流体または流体混合物を供給する、請求項１〜８のうちのいずれかに記載の装置。
  10. 前記ベアリングは半径ガスベアリング構造を含み、前記チャネル形成要素は前記チャネルを規定するプレートを含み、前記プレートは前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行であり、ロータシャフトの一部は前記ガスベアリング構造へと延びる、請求項１〜９のうちのいずれかに記載の装置。
  11. 前記放射源を含む放射システムをさらに含む、請求項１〜１０のうちのいずれかに記載の装置。
  12. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、前記放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、
    前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、前記放射源の動作の結果として帯電されるロータと、
    前記ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、
    前記汚染物質トラップ装置は、（ｉ）前記ロータの放電を制御または方向転換させるか、（ｉｉ）前記ロータの放電を抑制するか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行う汚染物質トラップ装置と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記放射ビームを前記基板上にパターン形成されるように投影する投影システムと
    を含む、リソグラフィ装置。
  13. 前記ロータの放電は、前記ロータの導電性部分および前記ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、または両方と電気的接触している導電性カップリングによって制御される、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記ベアリングは、ロータシャフトと前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ロータシャフトは、前記ロータと前記ロータ搬送構造のベアリング面との間のガスベアリング構造における電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含む、請求項１２または１３に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記ベアリングは、ロータシャフトの第１の部分と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ガスベアリング構造は、前記ロータシャフトの第１の部分と前記ロータ搬送構造との間にガスまたはガス混合物を供給し、前記ガスベアリング構造の外のエリアで前記ロータシャフトとの放電を刺激するために前記ロータシャフトの別の第２の部分においてまたはその近くで、（ｉ）放電刺激構造が提供され、（ｉｉ）放電刺激ガスまたはガス混合物が提供され、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方が行われ、前記第２のシャフト部は、前記ロータに取り付けられ、且つ前記帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である、請求項１２〜１４のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記第２のシャフト部は、実質的に前記ガスベアリング構造に囲まれておらず、前記ロータと前記第１のシャフト部との間に延在する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記放電刺激ガスまたはガス混合物は、前記ベアリングガスまたはガス混合物より低い破壊電圧を有する、請求項１５または１６に記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記放電刺激構造は、前記第２のシャフト部の外面の近くの位置へと延在または延びる導電性電極を含み、前記電極は、電荷ドレインまたは電位源に接続されている、請求項１５〜１７のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  19. 前記ベアリングは、ロータシャフトの一部と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径流体ベアリング構造を含み、前記流体ベアリング構造は、前記ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に導電性パスを提供するために導電性流体または流体混合物を供給する、請求項１２〜１８のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記ベアリングは半径ガスベアリング構造を含み、前記チャネル形成要素は前記チャネルを規定するプレートを含み、前記プレートは前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行であり、ロータシャフトの一部は前記ガスベアリング構造へと延びる、請求項１２〜１９のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
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