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Claims (23)
- マイクロリソグラフィー投影露光装置用の照明システムであって、前記照明システムが:
−射出瞳面(121)を照明するための、波長領域≦100nm、特にEUV波長領域内の光を放出する、光源、および
−位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子(113)であって、射出瞳面(121)内で少なくとも1つの第1の照明(22)を第2の照明(24)へ変化させることができる、前記ファセットされた素子、
を有し、
前記照明システムが、光を検出するための少なくとも1つの検出器(106.1、106.2)および検出器(106.1、106.2)の少なくとも1つの光強度信号を記録して、少なくとも記録した光強度信号に従って制御信号(166)を提供する装置(164)を有しており、前記制御信号によって、マイクロリソグラフィー投影露光装置の像面(121)内で感光性の物体のスキャン速度を調節することができる、
マイクロリソグラフィー投影露光装置用の照明システム。 - 検出器(106.1、106.2)が、光源(100)から射出瞳面(121)への光の光路内で、光源(100)と射出瞳面(121)との間に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の照明システム。
- 前記装置が、前記ファセットされた光学素子の第1の調節を表す、第1の調節信号を記録し、前記第1の調節によって第1の照明(22)が提供されることを特徴とする請求項1から2のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記装置が、前記ファセットされた光学素子の第2の調節を表す、第2の調節信号を記録し、前記第2の調節によって第2の照明(26)が提供されることを特徴とする請求項3に記載の照明システム。
- 前記装置が、メモリユニットを備えた制御ユニット(1030、164)を有しており、前記メモリユニット内に、第1の照明のための少なくとも1つの第1の較正値と、第2の照明のための第2の較正値が格納されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の照明システム。
- メモリユニット内に、多数の較正値をもたらす較正テーブルが格納されていることを特徴とする請求項5に記載の照明システム。
- 感光性の物体が、スキャンテーブル(502)上に配置されており、かつスキャン速度がスキャンテーブルの送り速度を定めることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の照明システム。
- 感光性の物体(200)が、ウェファであることを特徴とする請求項7に記載の照明システム。
- 検出器(160.1)が、光源(100)から射出瞳面(121)への光路内で、照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子(130)の後方に配置されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の照明システム。
- 検出器(160.2)が、光源(100)から射出瞳面(121)への光路内で、照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子(130)の前に配置されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の照明システム。
- 検出器(160.1、160.2)が、射出瞳面の照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子(130)に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の照明システム。
- 検出器(160.1、160.2)が、マイクロリソグラフィー投影露光装置の物体面(200)または像面(221)に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の照明システム。
- 照明システムが、カトプトリックな照明システムであることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の照明システム。
- 照明システムが、さらなるファセットされた光学素子(116)を有することを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記さらなるファセットされた光学素子(116)が、多数のファセットミラー(115、115.1、115.2)を有していることを特徴とする請求項18に記載の照明システム。
- 物体面(200)と、物体面(300)内に配置されている物体を像面(221)内へ結像させるためのプロジェクション対物レンズ(300)とを有する、請求項1から15のいずれか1項に記載の照明システムを有するマイクロリソグラフィー投影露光装置。
- プロジェクション対物レンズ(300)が、アパーチャ絞り(B)を有していることを特徴とする請求項16に記載のマイクロリソグラフィー投影露光装置。
- 射出瞳面(121)の照明に関係なく、波長≦100nm、特にEUV波長のためのマイクロリソグラフィー投影露光装置の像面内で、スキャンルートに沿って実質的に等しい光エネルギ、特に積分された光エネルギを調節する方法であって、
前記マイクロリソグラフィー投影露光装置が、射出瞳面内で照明を変化させるための、位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子(113)と、検出器とを有し、前記方法が、以下のステップを有する;
−光エネルギが、射出瞳面内で照明を変化させる前に測定され、
−光エネルギが、射出瞳面内で照明を変化させた後に測定され、
−照明の変化の前と後に測定された光エネルギの差信号が形成されて、差信号に基づいて、像面内で感光性の物体のスキャン速度が調節される、
前記方法。 - 差信号が連続的に記録されて、制御ユニットへ供給され、かつ像面内で感光性の物体のスキャン速度が連続的に調節されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 射出瞳面の照明に関係なく、波長≦100nm、特にEUV波長のためのマイクロリソグラフィー投影露光装置の像面内でスキャンルートに沿って実質的に等しい光エネルギ、特に積分された光エネルギを調節する方法であって、
前記マイクロリソグラフィー投影露光装置が、射出瞳面内で照明を変化させるための、位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子(113)と、検出器とを有し、前記方法が、以下のステップを有する:
−光エネルギが、射出瞳面内の様々な照明のために検出器によって測定され、
−測定された値が、較正値として制御ユニット内に格納され、
−較正値の格納後に、光エネルギが検出器によって求められて、格納されている較正値と比較され、
−較正値との比較に基づいて、像面内で感光性の物体のスキャン速度が調節される、
前記方法。 - 較正値が、較正テーブルおよび/または較正カーブの形式で格納されることを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 検出器が、射出瞳面の照明の調節を変化させるための素子に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項18から21のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロリソグラフィー投影露光装置が、物体面と像面を有し、かつ検出器が、物体面および/または像面に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項18から21のいずれか1項に記載の方法。
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DE102011081247A1 (de) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Belichtungsanlage und Verfahren zur strukturierten Belichtung einer lichtempfindlichen Schicht |
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DE102013202948A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine EUV-Lithographievorrichtung und Facettenspiegel dafür |
TWI646401B (zh) * | 2013-12-19 | 2019-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 帶有簡化光學元件的極紫外線(euv)基板檢查系統及其製造方法 |
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DE102015216528A1 (de) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für EUV-Projektionsbelichtungsanlage, EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit Beleuchtungssystem und Verfahren zum Betreiben einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017216703A1 (de) * | 2017-09-21 | 2019-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Charakterisierung mindestens einer optischen Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017219179B3 (de) * | 2017-10-26 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Wiedererstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage, Detektormodul sowie Verfahren zum Überwachen eines in einer EUV-Anlage eingebauten Beleuchtungssystems |
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Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04360515A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Fujitsu Ltd | 放射光露光装置 |
US6078381A (en) * | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JPH10189414A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Nikon Corp | X線投影露光装置及びx線投影露光方法 |
KR100525067B1 (ko) * | 1997-01-20 | 2005-12-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치의 광학 특성 측정 방법, 노광 장치의 동작 방법 및 투영 노광 장치 |
TW398029B (en) * | 1997-04-18 | 2000-07-11 | Nikon Corp | Exposure device, method of manufacturing the same and the electric circuit |
DE19724903A1 (de) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Zeiss Carl Fa | Lichtintensitätsmeßanordnung |
DE69837483T2 (de) * | 1997-07-25 | 2007-12-20 | Nikon Corp. | Belichtungsverfahren und Belichtungsapparat |
TW448487B (en) * | 1997-11-22 | 2001-08-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
US6438199B1 (en) * | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6859328B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
EP0955641B1 (de) * | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
US7023885B1 (en) * | 1999-07-09 | 2006-04-04 | Nikon Corporation | Laser apparatus and method for controlling the same |
JP2001110710A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および半導体デバイスの製造方法 |
KR20010085493A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
JP2003272989A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP3720788B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006501660A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照明の同定用のセンサを備える波長≦193nm用の照明システム |
JP2004235460A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Nikon Corp | 露光システム、走査型露光装置及び露光方法 |
JP2005109304A (ja) | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
US7030958B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method |
US7136214B2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-11-14 | Asml Holding N.V. | Active faceted mirror system for lithography |
JP2006216917A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
KR101267144B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2013-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 |
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