KR20090045911A - 광의 강도를 검출하기 위한 검출기를 구비한 조명 시스템 - Google Patents

광의 강도를 검출하기 위한 검출기를 구비한 조명 시스템 Download PDF

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젠스 오스만
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칼 짜이스 에스엠티 아게
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Abstract

본 발명은 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템에 관한 것으로, 상기 조명 시스템은 출사동 평면(121)을 조명하기 위해 파장 범위 <= 100 nm 의, 특히 EUV 파장 범위의 광을 방출하는 광원, 상기 출사동 평면(121)에서 하나 이상의 제 1 조명(22)을 제 2 조명(24)으로 변화시킬 수 있는 소자, 및 광을 검출하기 위한 하나 이상의 검출기(106.1, 106.2)를 포함한다. 본 발명에 따라, 상기 조명 시스템은, 상기 검출기(106.1, 106.2)의 하나 이상의 광 강도 신호를 픽업하고 적어도 상기 픽업한 광 강도 신호에 따라 제어 신호(166)를 제공하는 장치(164)를 포함하고, 상기 제어 신호는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 이미지 평면(221)에서 광 감지 물체의 스캔 속도를 조정하기 위해 사용될 수 있다.
Figure P1020097000787
출사동 평면, 파장 범위, 광원, 제 1 조명, 제 2 조명, 검출기, 광 강도 신호, 제어 신호, 스캔 속도.

Description

광의 강도를 검출하기 위한 검출기를 구비한 조명 시스템{ILLUMINATION SYSTEM WITH A DETECTOR FOR RECORDING A LIGHT INTENSITY}
본 발명은 파장 범위 ≤100 nm 용 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명시스템, 특히 EUV 파장 범위의 조명 시스템에 관한 것으로, 상기 조명 시스템은 출사동 평면(exit pupil plane)을 조명하기 위한 광원, 및 상기 출사동 평면에서 조명을 변화시키는 하나 이상의 소자를 포함한다. 본 발명은 또한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 세팅이라고도 하는 출사동 평면에서의 조명이 변하는 경우 스캔 경로를 따라 실질적으로 동일한 광 에너지, 특히 통합된 광 에너지를 조정하기 위한 방법에 관한 것이다.
전자 부품의 구조 폭을 더욱 줄이기 위해, 특히 서브마이크론 범위로 줄이기 위해, 마이크로리소그래피에 사용되는 광의 파장을 줄일 필요가 있다. 100 ㎚ 미만의 파장을 가진 광의 사용이 가능하다. 예컨대, 약한 X 선 리소그래피, 소위 EUV 리소그래피가 가능하다.
EUV 리소그래피에 사용되는 파장은 8 내지 20 ㎚, 바람직하게는 11 내지 14 ㎚, 특히 13.5 nm 이다.
EUV 리소그래피는 기대되는 미래의 리소그래피 기술들 중 하나이다. EUV 리 소그래피용 파장으로는, 웨이퍼에서 0.2 내지 0.3의 개구 수(numerical aperture) 일 때 11 - 14 ㎚ 범위의, 특히 13.5 ㎚의 파장이 논의된다. EUV 리소그래피의 화질은 한편으로는 투영 대물렌즈에 의해, 다른 한편으로는 조명 시스템에 의해 결정된다. 조명 시스템은 구조물 지지 마스크, 소위 레티클이 배치된 필드 평면에 가급적 균일한 조명을 제공해야 한다. 투영 대물렌즈는 광 감지 물체가 배치된 이미지 평면 내에, 소위 웨이퍼 평면 내에 필드 평면을 이미지화한다. 일반적으로, EUV 리소그래피용 투영 노광 장치는 반사 광학 소자를 구비한 소위 마이크로리소그래피 투영 노광 장치로 구현된다. 조명 시스템이 반사 광학 소자만을 포함하면, 반사식(catoptric) 조명 시스템이라 한다. 투영 시스템이 반사 광학 소자만을 포함하면, 반사식(catoptric) 투영 시스템이라 한다. 조명 시스템 및 투영 시스템이 반사 광학 소자만을 포함하면, 이 마이크로리소그래피 투영 노광 장치는 반사식(catoptric) 마이크로리소그래피 투영 노광 장치라고 한다. EUV 투영 노광 장치의 이미지 평면에서 필드의 형상은 폭과 아치 길이로 규정되는 큰 애스팩트 비를 가진 링 필드의 형상이다. 폭은 ≥1 ㎜, 특히 ≥2 ㎜ 인 것이 바람직하다. 아치 길이는 ≥22, 특히 ≥26 ㎜ 인 것이 바람직하다. 투영 노광 장치는 통상 스캐닝 모드로 작동된다. EUV 투영 노광 장치와 관련해서, 하기 간행물을 참고할 수 있다:
US 2005/0088760 A
US 6,438,199 B
US 6,859,328 B
동공 평면(pupil plane)에서의 조명, 소위 이미지화 세팅 또는 조명의 코히어런시 정도를 조정하기 위해, 선행 기술에서는 EUV 시스템에서 동공 평면 내에 또는 동공 평면 근처에 또는 동공 평면에 대한 공액(conjugate) 면에 배치된 조리개에 의한 조명의 조정이 제안된다. 조리개에 의한 세팅 또는 조명의 조정시, 예컨대 세팅이 σ=0.8로부터 σ=0.5로 변하면, 60% 의 기하학적 광 손실이 나타난다.
조리개에 의한 세팅 조정에 대한 대안으로서, US 6,658,084는 2중으로 패싯된(facetted) 조명시스템에서 광 채널의 할당 변경에 의한 세팅 조정을 제안한다. 2개의 패싯된 광학 소자를 구비한 반사식 조명 시스템의 경우, 제 1 패싯된 광학 소자의 제 1 래스터 소자들은 제 1 패싯(facet) 거울로서 형성되고, 제 2 패싯된 광학 소자의 제 2 래스터 소자들은 제 2 패싯 거울로서 형성된다. 이를 위해, 예컨대 제 1 패싯된 광학 소자, 소위 필드 패싯 거울이 교체될 수 있다. 물론, 광학 소자의 교체는 조명 시스템에서 투과율을 변화시킨다. 예컨대, 제 1 패싯된 광학 소자의 교체는 기하학적 효율을 변화시키는데, 그 이유는 통상 광원에 의해 제공되는 모든 광이 이용될 수 없기 때문이다. 제 1 패싯된 광학 소자의 교체에 의해서가 아니라 예컨대 제 2 패싯된 소자 상의 거울의 기울어짐에 의해 채널 할당의 변경을 조정하면, 마찬가지로 전체 시스템의 투과율이 변하는데, 그 이유는 제 2 패싯된 광학 소자의, EUV 광을 반사시키는 패싯 거울이 입사 각에 대해 최적화된 다중 층을 갖기 때문이다. 이들이 기울어지면, 반사율이 감소하고 조명 시스템에서의 투과율이 변한다.
조명 시스템의 투과율 변화가 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 물체 평 면에서 또는 결과적으로 이미지 평면에서도 조명될 필드의 영역에서 광 강도를 변화시키기 때문에, 이러한 광 강도의 변동은 이미지 평면 내에 배치된 광 감지 기판으로 전달된다.
변함없는 제조 결과를 얻기 위해서는, 이미지 평면 내에 배치된 기판에 스캔 경로를 따라 항상 동일한 광 출력이 제공되어야 한다.
선행 기술에는, 필드 평면에서의 광 강도를 측정하거나 조정할 수 있는 조명 시스템이 공지되어 있다. 이와 관련해서는 하기 간행물을 참고할 수 있다:
EP 1291721 A
EP 1355194 A
US 2002/0190228 A
WO 2004/031854 A
US 6,885,432 B
US 2005/0110972 A
선행 기술에 공지된 시스템의 단점은 예컨대 US 2005/0110972 A에 개시된 바와 같이 필드 평면 내의 조명의 조정을 위해 광원의 광이 페이드 아웃된다는 것이다. 이는 광 손실의 단점을 갖는다.
광 손실은 특히 투영 노광 장치의 스캔 속도가 비교적 낮아지게 하는데, 그 이유는 광 감지 층, 예컨대 포토 레지스트의 노광을 위해, 항상 일정한 광량이 필요하기 때문이다. 단위 시간당 더 적은 광이 제공되면, 예컨대 광원의 광 펄스가 페이드 아웃되기 때문에, 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 스캔 속도가 불가 피하게 떨어진다.
본 발명의 목적은 출사동 평면 내의 조명의 조정시에도 - 특히 코히어런시 정도의 변경시 또는 세팅 전환시 - 노광될 웨이퍼가 배치되는 이미지 평면에 항상 동일한 광 강도를, 특히 통합된 광 강도를 제공하며, 선행 기술의 단점을 갖지 않는, 특히 광 손실을 최소화하는, 조명 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라 조명 시스템 내에 광원의 광을 검출하기 위한 하나 이상의 검출기가 제공됨으로써 달성된다. 상기 검출기는 출사동 평면에서 조명을 변화시키는 소자 전방에, 상에 또는 후방에 배치될 수 있다. 또한, 조명 시스템은 광 강도 신호를 픽업하고 광 강도 신호에 따라 광 감지 물체의 스캔 속도용 제어 신호를 조정하는 장치를 포함한다. 이러한 장치를 조절 유닛이라고 한다.
출사동 평면의 조명이 상이할 때 광 감지 물체가 배치된 평면에 광 강도를 일정하게 유지하기 위해, 본 발명에 따라 검출기에 의해 픽업된 광 강도 신호가 전술한 조절 유닛으로 전달된다. 출사동 평면의 조명 변화로 인해 세팅 조정에 의해 또는 조명 시스템의 코히어런시 정도의 조정에 의해 조명 시스템 또는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투과율이 변하면, 광 감지 물체가 배치된 평면에서의 광 강도가 변한다. 광 감지 물체가 배치된 평면에서의 광 강도는 광원 강도의 변동에 의해 그리고 광학 면의 저하(degradation) 효과에 의해 변할 수 있다. 적어도 변동의 원인이 되는 광 강도의 변화는 검출기에 의해 측정될 수 있다. 광 감지 물체가 배치된 평면에 동일한 광 강도를 제공하기 위해, 본 발명에 따라 조절 유닛에 의해, 노광될 물체, 즉 광 감지 웨이퍼가 이미지 평면에서 이동되는 속도, 소위 스캔 속도가 변하거나 조정된다. 검출기에 의해 픽업된 강도 및 경우에 따라 다른 정보, 예컨대 조리개에 의해 동공 평면에 어떤 조명이 조정되었는지에 대한 정보가 조절 유닛에 의해 고려된다.
스캔 경로를 따라 웨이퍼에 의해 흡수된 광량은 조명 시스템의 투과율의 변화 시에 전술한 바와 같은 조절 또는 제어에 의해 일정하게 유지될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는, 출사동 평면 또는 출사동 평면에 대한 공액 면 내에 또는 근처에 배치된 조리개에 의해 조명이 변한다.
대안으로서, 조명 시스템은 조명을 변화시키는 소자가 교체 가능한 패싯된 광학 소자이도록 형성되고, 예컨대 US 6,658,084에 개시된 바와 같이, 필드 패싯을 포함하는 제 1 패싯된 소자 및 동공 패싯을 포함하는 제 2 패싯된 소자를 구비한 2중으로 패싯된 조명 시스템의 경우, 필드 패싯을 포함한 교체 가능한 제 1 패싯된 소자이도록 형성된다.
US 6,658,084에 개시된 바와 같이, 필드 패싯을 포함한 제 1 패싯된 소자의 교체에 의해, 2중으로 패싯된 조명 시스템에서 필드 패싯과 동공 패싯의 할당이 변하고, 그에 따라 출사동 평면에서의 세팅 또는 조명이 변한다. 대안으로서, 이러한 할당의 변화, 그에 따라 출사동 평면의 조명의 조정은 개별 필드 패싯 및/또는 동공 패싯이 기울어질 수 있게 설계됨으로써 이루어질 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서는, 조절 유닛 내에, 상이한 세팅 조정을 위한 조절 값들을 가진 표가 저장된다. 상기 표는 바람직하게는 보정 값들(calibrating values)을 포함한다. 보정 값들은 상이한 조명 세팅시 예컨대 필드 평면 및/또는 이미지 평면에서 강도 분포를 측정함으로써 얻어진다. 예컨대, 세팅의 제 1 조정시 또는 제 1 세팅 조정시 강도 값 100 이 검출된다. 세팅의 제 2 조정시 또는 제 2 세팅 조정시 강도 값은 50 이다. 조명이 제 1 세팅 조정으로부터 제 2 세팅 조정으로 변하면, 스캔 속도를 절반을 나눔으로써, 2개의 세팅 조정에 대해 대략 동일한 선량율(dose rate)을 이미지 평면에 제공한다. 보정 표 또는 대안으로 보정 곡선에 의해 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 작동 중에 조절하는 것은 2개 이상의 상이한 조명 또는 세팅이 실시될 때 바람직하다. 하나의 시스템에서 단 2개의 세팅 조정이 이루어지면, 조절 또는 제어는 차이 측정에 의해 바람직하게는 작동 중에 이루어질 수 있다.
본 출원에서 작동 중이라는 의미는 조절이 광 감지 물체의 처리 중에, 특히 광 감지 물체의 노광 중에 이루어지는 것을 말한다.
예컨대 노광 프로세스 중에 실제 광 강도를 측정하기 위한 검출기는 광 경로에서 출사동 평면 내에, 바람직하게는 출사동 평면 및/또는 출사동 평면에 대한 공액 면 내에 또는 근처에 및/또는 조명 시스템의 필드 평면 및/또는 필드 평면에 대한 공액 면 내에 또는 근처에서 조명 조정 장치의 전방 또는 후방에 배치될 수 있다. 검출기는 광 경로 내부에 배치될 수 있거나 외부에 배치될 수 있다. 검출기가 광원으로부터 이미지 평면으로의 광 경로 외부에 배치되면, 예컨대 광 경로 내에 거울이 배치되고, 상기 거울에 의해 광의 일부가 광 경로로부터 분리되어 검출기로 편향된다.
본 발명은 조명 시스템과 더불어, 이러한 조명 시스템을 구비한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치, 및 이미지 평면에서 스캔 경로를 따라 실질적으로 동일한 광 에너지 또는 통합된 광 에너지를 조정하기 위한 방법을 제공한다. 즉, 본 발명에 따른 방법에 의해 상이한 조명에 대해 항상 실질적으로 동일한 통합된 스캔 에너지가 스캔 경로를 따라 조정될 수 있다. 이미지 평면에서 경로(y)를 따른 필드 높이(x)에 대한 통합된 스캔 에너지는 하기와 같이 규정된다:
SE(x) = ∫l(x,y)dy
상기 식에서, l(x,y)는 노광에 사용되는 광의 강도, 즉 이미지 평면의 점(x,y)에서 예컨대 13.5 ㎚의 유효 빔의 강도이다. 달리 표현하면, 통합된 스캔 에너지(SE)는 투영 노광 장치의 필드 평면 내에 배치된 광 감지 기판상의 하나의 점에 스캔 과정 동안 제공되는 모든 광 에너지를 의미한다.
예컨대 조명의 변화 전에 스캔 경로를 따른 스캔 에너지(SE)가 SE(a1)이면, 본 발명에 따른 방법에 의해, 조명의 변화 후에 통합된 스캔 에너지 SE(a2)는 상기 통합된 스캔 에너지 SE(a1)와 실질적으로 일치한다. 즉, SE(a1) ≒ SE(a2). 이것이 투영 노광 장치의 이미지 평면에서 광 감지 기판의 각각의 필드 높이(x)에서 통합된 스캔 에너지 SE(a1) 및 SE(a2)에 대해 적용되면 특히 바람직하다.
본 발명의 방법에 따라 하나의 실시예에서 먼저 조명의 변화 전에 광 에너지가 출사동 평면에서 측정된 다음, 조명의 변화 후에 주어지는 광 에너지가 측정되고 차이 신호가 검출된다. 상기 차이 신호는, 조명이 변할 때도 동일한 통합된 광 에너지, 특히 통합된 스캔 에너지를 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 이미지 평면에 제공하기 위해, 노광될 물체 및/또는 광 감지 기판의 스캔 속도가 얼마나 변해야 하는지에 대한 척도이다.
차이 신호를 검출하기 위한 대안으로서, 보정 값들이 조절 유닛에 저장될 수 있다. 보정 값들은 상이한 조명에서 또는 조명 세팅에서 강도 분포의 측정에 의해 얻어진다. 예컨대, 보정 값들은 보정 표로 또는 보정 곡선으로 저장될 수 있다. 조명 세팅이 변하면, 노광될 광 감지 기판의 스캔 속도는 보정 값으로서 저장된 값에 따라 변함으로써, 상이한 세팅 조정시에도 이미지 평면에 대략 동일한 선량율(dose rate)이 이미지 평면에 제공될 수 있다.
예컨대 US 2005/0110972 A에 공지된 시스템에 비한 본 발명에 따른 시스템의 장점은 스캔 속도의 조절을 위해 광원의 광이 페이드 아웃될 필요가 없기 때문에 투영 노광 장치의 스캔 속도가 더 높아진다는 것이다. 따라서, 본 발명에 따른 조명 시스템을 구비한 투영 노광 장치의 스루풋이 더 높아진다. 이에 반해, US 2005/011972 A에 따른 시스템에서는, 광의 일부가 페이드 아웃됨으로써, 이미지 평면에서 광 감지 물체 또는 웨이퍼의 노광을 위해 제공되지 않는다. 본 발명에 따른 시스템에서는, 광원의 모든 광이 사용된다. 본 발명에 따른 시스템의 다른 장점은 연속하는 강도 변화가 가능하다는 것이다. 이에 반해, US 2005/0110972 에 개시된 시스템에서는 셔터에 의해 전체 펄스만이 페이드 아웃될 수 있다.
선행 기술에 공지된 바와 같은 불연속 방법과는 달리, 본 발명에 따라 스캔 속도가 연속해서 각각의 임의의 값에 대해 조정될 수 있어서, 연속 조절이 이루어진다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.
도 1은 물체 평면에서 조명할 필드의 형태를 나타낸 개략도.
도 2a 및 도 2b는 동공 평면에서 상이한 조명을 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 장치를 구비한 조명 시스템의 구성.
도 4a 및 도 4b는 클록된 광원에서 스캔 속도에 따라 노광될 물체에 부딪히는 광 펄스의 수.
도 5는 예시적 조절의 플로우 챠트.
도 1에는 필드 평면에서 조명된 필드가 도시된다. 필드는 도면 부호 10으로 표시된다. 필드는 아치형이다. 필드(10)의 중심점(ZP)과 필드 반경(R)이 도시된다. 필드 반경 R은 투영 대물렌즈의 광축(HA)과의 거리로부터 주어진다. 또한, 아치 길이(s)가 도시되고, 원점으로서 필드의 중심점(ZP)에 국부적 x, y, z 좌표계가 도시된다. 필드(10)는 x 방향 및 y 방향으로 형성된 필드 평면 내에 형성된다. 이미지 평면 내의 조명은 물체 평면에서 조명된 필드와 동일한 형상을 갖는다. 물체 평면 또는 필드 평면에서 조명된 필드는 투영 시스템 또는 투영 대물 렌즈에 의해 이미지 평면에 이미지화된다. 투영 시스템이 축소 시스템이면, 물체 평면 내의 필드가 축소되어 이미지 평면에 이미지화된다. 예컨대, 4:1 투영 시스템의 경우, 물체 또는 필드 평면 내의 필드는 4배로 축소되어 이미지 평면에 이미지화된다. 본 실시예에서는, 물체 평면 내의 마스크 및/또는 이미지 평면 내의 광 감지 물체 가 y 방향을 따라 이동된다. 따라서, y 방향이 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 소위 스캔 방향이다. 또한, 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 경우 이미지 평면에서 ≥1 ㎜, 바람직하게는 ≥2 ㎜인, 링 필드의 스캔 슬롯 폭(w)이 도시된다. 양측의 스캔 슬롯 크기, 즉 필드 크기는 예컨대 1 x 22 ㎜ 또는 2 x 22 ㎜ 이다.
도 2a 및 도 2b 에는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 동공 평면에서 2가지 상이한 조명이 도시된다. 도 2a는 래스터 소자를 가진 제 2 패싯된 소자, 소위 동공 패싯(facet) 거울을 원형으로 조명하는 경우 동공 평면 또는 입사동에 값 σ=0.4를 가진 제 1 조명(22)을 도시한다. 도 2b는 링형 제 2 조명(24)에 대한 값
Figure 112009002430305-PCT00001
을 가진 환상 세팅을 도시한다. 이러한 조명은 조리개(diaphram)를 2중 패싯된 조명 시스템의 제 2 패싯된 소자의 바로 앞에 또는 근처에 장착함으로써 또는 US 6,658,084에 설명된 바와 같이 필드와 동공 패싯 사이의 할당을 변경함으로써 조명 시스템에서 조정할 수 있다.
도 3에는 출사동의 조명을 변경시키기 위한, 즉 제 2 패싯된 소자의 근처에서 세팅을 조정하기 위한 소자가 제공된 조명 시스템이 도시된다. 도 3에 도시된 실시예에서 상기 소자는 조리개(130)이다.
도 3에 따른 마이크로리소그래피 투영 노광 장치는 파장 < 100 nm 을 가진 광, 예컨대 약 8 nm 내지 20 nm의 EUV 파장 범위를 가진, 특히 13.5 nm의 파장을 가진 광을 방출하는 광원(100)을 포함한다. 광원으로부터 방출된 광은 WO 2002/27400 에 따라 그레이징-입사-콜렉터로서 구성된 콜렉터(102)에 의해 모여진다.
광원으로부터 방출된 방사선은 스펙트럼 필터 소자(107)와 개구 조리개(aperture diaphram)(109)에 의해 필터링됨으로써, 개구 조리개 후방에 예컨대 13.5 nm 의 유효 방사선만이 주어진다. 격자 소자 형태의 스펙트럼 필터는 격자 소자에 입사하는 광을 상이한 방향으로 예컨대 -1 차 회절 차수로 회절시킨다. 개구 조리개는 1차 광원(100)의 중간 이미지(111) 내에 또는 근처에 -1 차 회절 차수로 배치된다. 투영 노광 장치는 또한 제 1 패싯들, 즉 반사식(catoptric) 시스템의 경우 작은 패싯 거울(114)로서 형성되는 소위 필드 래스터 소자들을 가진 제 1 패싯된 광학 소자(113)를 포함하고, 제 2 패싯들, 즉 반사식 시스템의 경우 마찬가지로 패싯 거울(116)로서 형성되는 소위 동공 래스터 소자들 또는 동공 패싯들을 가진 제 2 광학 소자(115)를 포함한다. 필드 패싯들(114) 또는 동공 패싯들(116)은 평면 패싯으로서 형성될 수 있고, 도시된 바와 같이 지지 소자 상에 기울어져 배치될 수 있거나 또는 US 6,198,793에 설명된 바와 같이, 광학 작용, 예컨대 포지티브 또는 네거티브 굴절력을 가진 패싯으로서 형성될 수 있다. 상기 US 공보의 공개 내용 전체가 본 명세서에 포함될 수 있다. 필드 패싯을 포함하는 제 1 광학 소자(113)는 1차 광원(100)으로부터 나온 광 클러스터(117)를 다수의 광 번들(18)로 분해한다. 각각의 광 번들(118)은 포커싱되고, 동공 래스터 소자를 가진 제 2 패싯된 광학 소자(115)가 배치된 장소에 또는 상기 장소 근처에 2차 광원(119)을 형성한다.
도 3에 도시된 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 경우, 조명 시스템의 출사동이 놓인 출사동 평면(121)에서의 조명은 제 2 패싯된 소자, 즉 동공 패싯 소자 전방에 조리개(130)가 배치됨으로써 조정되고, 선택적으로 결정된 동공 패싯(115)에 의해 예컨대 도시된 바와 같이 동공 패싯(115.1)이 페이드 아웃될 수 있다. 이로 인해, 상이한 코히어런시 값, 소위 σ 값을 가진 조명이 매우 쉽게 조정될 수 있다. 대안으로서, 개별 동공 패싯들도 제 2 패싯된 광학 소자 전방에 배치된 조리개(130)에 의해 복잡한 구조, 예컨대 4극 또는 쌍극 조명을 형성하기 위해 조정될 수 있다. 이는 세팅 조정이라고도 한다. 도시된 조리개(130)에 의한 코히어런시 정도의 조정에 대한 대안으로서, 필드 패싯 소자들로부터 동공 패싯 소자로 광 채널들의 할당을 변경함으로써, 조정을 하는 것도 가능하다.
상기 방식으로 변경된 할당에 의해 출사동 평면(121)에 조명을 조정하는 것은 US 6,658,084에 설명된다.
본 발명에 따라, 예컨대 광원의 변동에 기인한 또는 출사동 평면(121)에서 조명을 조정하기 위한 조리개(130)의 장착에 의한 투과율의 변동은 하나 이상의 검출기(160.1)에 의해 픽업된다. 검출기(160.1)는 도시된 경우 광 경로에서, 동공 평면에서 조명을 변화시키는 소자, 여기서는 조리개(130) 후방에 배치된다. 구체적으로, 검출기(160.1)는 여기서 후속하는 투영 대물렌즈(300)의 물체 평면(200)에 배치된다. 이러한 배치는 단지 예시적이다. 검출기(160.1)는 광원으로부터 물체 평면으로의 광 경로에서 조명을 변화시키는 장치, 예컨대 검출기(160.2) 전방에 또 는 조명을 변화시키는 장치에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 필드 패싯으로부터 입사하는 광은 동공 패싯(115.2)에서 반사되고, 광 경로에서 제 2 패싯된 광학 소자(116) 후방에 놓인 검출기(160.1)로 편향된다. 본 실시예에서 검출기(160.2)는 광원으로부터 이미지 평면으로의 광 경로 내에, 여기서는 제 1 패싯된 소자(113)로부터 제 2 패싯된 소자(116)로의 광 경로 내에 놓이는 한편, 검출기(160.1)는 광원으로부터 이미지 평면으로의 광 경로 외부에 배치된다. 검출기(160.1)용 광은 여기서 분리 거울(173)에 의해 광 경로로부터 분리된다. 물론, 광 경로 내부에 검출기(160.1)의 배치도 가능하다. 검출기가 도시된 장소와는 다른 장소에, 특히 예컨대 물체 평면(200)과 일치하게 배치되는 출사동 평면(121) 또는 필드 평면에 대한 공액면 내에 사용될 수도 있다. 또한, 측정은 여기서 하나의 검출기에 의해 또는 다수의 검출기에 의해 이루어질 수 있다. 검출기가 어디에 배치되는지에 따라, 검출기에 의해 상이한 광 신호가 픽업된다. 예컨대, 검출기(160.1)가 광 경로에서 조리개(130) 후방에, 즉 세팅 조정 장치 후방에 배치되면, 상이한 세팅 조정에 대해 상이한 광 신호가 주어진다. 검출기(160.1)에 의해 픽업된 광 신호는 세팅 조정에 따라 스캔 속도를 조정하기 위한 제어/조절 유닛(164)용 제어 신호로서 또는 조절 신호(162)로서 직접 사용될 수 있다. 이에 반해, 검출기가 광 경로에서 검출기(160.2)와 같은 세팅 조리개 전방에 또는 세팅 조리개 상에 배치되면, 예컨대 소스(100)의 강도 변동만이 픽업될 수 있다. 이러한 신호에 의해 노광될 물체, 예컨대 웨이퍼용 지지체(168)의 스캔 속도(166)만이 상기 강도 변동에 맞춰질 수 있다. 또한, 스캔 속도를 세팅 조정에 따라 조정하고자 하면, 추가의 정보, 예컨대 어떤 세팅 조리개가 조정되는지에 대한 정보가 주어져야 한다. 조절 유닛(169)은 상기 추가 정보에 의해, 광 경로에서 세팅 조정 장치 전방에 배치된 검출기(160.2)에 대해서도, 상이한 세팅 조정에 있어 스캔 속도를 상응하게 조절할 수 있다. 도시된 실시예에서는 2개의 검출기들(160.1, 160.2)이 제공되고, 제 1 검출기(160.1)는 세팅 조정의 검출을 위해 광 경로에서 세팅 조정 장치 후방에 배치되고, 다른 제 2 검출기(160.2)는 예컨대 광원의 강도 변동의 검출을 위해 광 경로에서 세팅 조정 장치 전방에 배치된다. 상기 2개의 검출기들(160.1, 160.2)의 신호에 의해 스캔 속도가 강도 변동 및 세팅 조정에 따라 조절될 수 있다.
전술한 바와 같이, 광 투과율의 변화는, 예컨대 세팅이 σ=0.8로부터 σ=0.5로 변하면 60%의 기하학적 광 손실을 야기한다. 이러한 변화는 본 발명에 의해 보상될 수 있으므로, 이미지 평면에서 노광될 물체에 항상 동일한 광량이 입사된다. 이는 예컨대, 검출기(160.2) 및/또는 검출기(160.1)에 의해 픽업된 광 신호에 따라 그리고 경우에 따라 추가로 픽업된 정보, 예컨대 세팅 조리개 조정에 대한 정보에 따라, 투영 대물렌즈의 이미지 평면에서 노광될 기판 상에 항상 동일한 광량이 입사되도록, 이미지 평면에서 웨이퍼의, 즉 노광될 기판의 스캔 속도가 조정됨으로써, 이루어질 수 있다. 이로 인해, 세팅 변화로 인한 및/또는 노광 공정 동안 광 강도 변동에 의한 투과율의 변동시에도 동일한 형태의 노광이 유지될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 광 경로에서 제 2 패싯된 광학 소자, 즉 동공 패싯 거울(116) 후방에, 2개의 수직 입사 거울(170, 172) 및 하나의 그레이징 입사 거울(174)이 동공 패싯을 투영 대물렌즈의 입사동(E)에 이미지화하기 위해 그리고 필 드를 물체 평면(200)에 셰이핑하기 위해 제공된다.
필드 래스터 소자들이 조명할 필드의 형상을 가지면, 필드 셰이핑을 위한 거울이 제공될 필요가 없다.
조명 시스템의 출사동 평면(121) 내의 출사동과 일치하는 투영 대물렌즈의 입사동(E)은 투영 대물렌즈의 광축(HA)과, 레티클에서 도 1에 도시된 필드의 중심점(Z)을 향해 반사된 주빔(CR)과의 교점에 의해 생긴다.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 물체 평면(200)에서 레티클은 이송 시스템 상에 배치된다. 물체 평면(200) 내에 배치된 레티클은 투영 대물렌즈(300)에 의해 광 감지 기판(220) 예컨대, 웨이퍼 상에 이미지화된다. 웨이퍼 또는 기판은 투영 대물렌즈의 이미지 평면(221) 내에 배치된다. 광 감지 기판의 균일한 노광은 검출기(160.1, 160.2)에 의해 픽업된 광 신호에 따라, 웨이퍼가 배치된 지지체 시스템(502)의 스캔 속도를 조정하는 조절 유닛(164)에 의해 보장된다.
도시된 투영 대물렌즈는 공통의 광축(HA)을 중심으로 센터링되어 배치된, 6개의 거울, 즉 제 1 거울(S1), 제 2 거울(S2), 제 3 거울(S3), 제 4 거울(S4), 제 5 거울(S5) 및 제 6 거울(S6)을 포함한다. 투영 대물렌즈(300)는 포지티브 교점 간격을 갖는다. 즉, 물체 평면에서 물체(201)에 의해 반사되어 필드 중심점을 향하는 주빔(CR)은 물체(201)를 향한 방향으로 투영 대물렌즈 내로 진행하는 것을 의미한다. 대물렌즈의 광축(HA)과 레티클에서 반사되어 필드 중심점을 향하는 주빔(CR)과의 교점은 조명 시스템의 출사동 평면(121) 내에 놓이는 조명 시스템의 출사동과 일치하는 입사동(E)의 위치를 제공한다. 조리개(130) 또는 동공 패싯에 대 한 필드 패싯의 할당 변화에 의해, 투영 대물렌즈의 출사동 평면에서의 또는 입사동(E)에서의 조명이 변한다. 즉, 거기서 세팅이 조정된다. 바람직하게는 투영 대물렌즈의 입사동(E)의 영역에, 가변적으로 형성될 수 있는 개구 조리개(B)가 배치된다.
검출기(160.2)가 광 경로에서 세팅 조정을 위한 조리개(130) 후방에 배치되면, 검출기(160.2)에 의해 픽업된 광 신호가 조절 유닛(164)에 전달된다. 조절 유닛(164)에서 픽업된 광 신호는 예컨대 기준 값 또는 보정 표 또는 보정 곡선의 보정 값과 비교되고, 그에 따라 스캔 속도가 조정된다. 보정 값들은 예컨대 이미지 평면(22)에, 즉 웨이퍼 평면에 보정 값을 픽업하기 위해 배치된 검출기에 의해 픽업될 수 있다. 상이한 세팅 조정을 위해 주어지는 값들은 표에 저장된다. 검출기(160.2)에 의해 작동 중에 실제로 측정되는 값들은 보정 값들과 비교되고, 그에 따라 스캔 속도가 조절된다. 제 1 세팅 조정에 대한 값이 100이고, 제 2 세팅 조정에 대한 값이 50이면, 제 2 세팅 조정에서의 스캔 속도(v2)가 제 1 세팅 조정에서의 스캔 속도(v1)의 1/2 인 경우 이미지 평면, 즉 웨이퍼에 동일한 광량이 제공된다. 대안으로서, 검출기(160.1)가 도 3에 도시된 바와 같이 세팅 조리개(130) 상에 직접 또는 광 경로에서 세팅 조리개(130) 전방에 배치될 수 있다. 그 경우, 검출기의 세팅과 관계 없이, 항상 동일한 광량이 픽업된다. 예컨대, 광원(100)의 강도 변동만이 강도 신호에 영향을 준다. 강도 신호가 조절 유닛에 전달되면, 조절 유닛에 의해 스캔 속도의 변동을 통해서, 검출기에 의해 픽업된 강도 변동이 보상 될 수 있다. 이러한 구성에서 세팅 조리개의 조정과 같은 추가의 정보가 제공되면, 스캔 속도가 세팅 조정에도 맞춰질 수 있다. 후속하는 도 4a 내지 4b에는 스캔 속도의 변화가 이미지 평면에 단위 시간 당 발생하는 광 강도에 어떤 영향을 주는지가 나타난다.
예컨대 US 2005/0110972 A 에 설명된 바와 같은 클록된 광원에서, 단위 시간 당 동일한 수의 광 펄스가 송출되고, 광 펄스 당 동일한 광 강도가 주어진다. 도 4a.1에 따른 실시예에서, 이는 예컨대 4 펄스/ms 이다. 이미지 평면에서 도 4a.2에 도시된 스캔 슬롯(10001)이 1 ㎜의 스캔 슬롯 폭을 가지고 속도 v1 = 1 ㎜/㎳로 y 방향, 즉 스캔 방향(10002)으로 위치(10003.1)로부터 위치(10003.2)로 움직이면, 4개의 광 펄스(10000)가 이미지 평면에서 노광될 물체에 부딪힌다. 도 4a.1에 따른 실시예에 있어서, 세팅 조정으로 인해 검출된 보정 값은 예컨대 50 이다. 세팅 조정이 변하고 도 4b.1 및 도 4b.2 에 도시된 경우에 보정 값이 100이면, 도 4a.1 및 도 4a.2 에서와 동일한 광량이 입사하도록 하기 위해서는, 이미지 평면에 부딪히는 광 펄스의 수가 절반으로 나눠져야 한다. 이는 스캔 속도가 v2 = 2 ㎜/㎳로 2배로 됨으로써 이루어진다. 4 펄스/㎳의 클록 주파수에서, 4개의 펄스 대신에, 단 2개의 광 펄스가 노광될 기판에 부딪힌다.
도 5에는 예시적인 조절에 대한 플로우챠트가 도시된다.
도 5에 도시된 플로우 챠트는 검출기에 의해 픽업된 측정 신호를 이미지 평면에서 광 감지 물체의 스캔 속도를 제어하기 위해 사용할 수 있는 가능성을 나타 낸다. 전술한 바와 같이, 먼저 상이한 세팅 조정을 위해 또는 평면에서 조명의 조정을 위해 보정 측정(1000)이 이루어진다. 보정 측정의 값들은 예컨대 조절 유닛 내의 보정 표 내에 저장된다. 이는 단계 1010 으로 표시된다. 그리고 나서, 조절 유닛의 보정이 종료된다. 예컨대, 빈 측정 상태, 즉 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템이 광 감지 물체, 예컨대 웨이퍼의 노광에 사용되지 않고 단지 측정만 되는 상태에 있다. 이 상태에서, 예컨대 센서가 투영 노광 장치의 투영 대물렌즈의 이미지 평면 내로 들어가게 된다. 이 상태는 비 작동 상태라고도 한다.
빈 측정 동안 픽업된 보정 값들은 조절 유닛 내에 저장된다. 조명 시스템이 광 감지 웨이퍼의 노광을 위해 마이크로리소그래피 투영 노광장치에 사용되면, 특정 세팅 조정, 즉 동공 평면의 조명의 조정이 이루어진다. 검출기에 의해 검출된 광 강도 및 경우에 따라 조절 유닛에 전송되는 세팅 조리개의 조리개 조정과 같은 추가 값을 기초로, 보정 표를 이용해서 노광될 물체가 이미지 평면에서 어떤 속도로 이동되어야 하는지가 검출된다.
조절 유닛은 도면 부호 1030으로 표시된다. 검출기는 단계 1040에서 측정 신호를 검출하고 상기 측정 신호를 조절 유닛(1030)에 전송한다. 조절 유닛 내에서, 보정 표를 이용해서 단계 1045에서 비교가 이루어지고 이 비교를 기초로 조절 값, 즉 조절 유닛의 스캔 속도가, 노광될 물체가 배치된 이동 테이블의 전진 속도를 결정하는 스텝 모터로 단계 1050에서 전송된다. 단계 1050에 후속해서, 측정은 간격을 두고 반복되거나(단계 1060) 또는 종료된다(단계 1070).
특히, 2개 이상의 세팅 조정이 가능한 경우, 또는 조리개에 의해 예컨대 연속해서 동공 평면에서의 조명이 조정될 수 있는 경우에 적용되는, 전술한 매우 복잡한 방법에 대한 대안으로서, 한 번의 차이 측정을 이용한 단 2개의 세팅 조정을 가진 시스템에서 스캔 속도를 제어하는 것이 가능하다. 먼저, 출사동의 제 1 조명시 최적의 스캔 속도가 검출될 수 있다. 이를 위해, 제 1 광 강도가 검출된다. 조명이 변하면, 검출기가 광 경로에서 조정 장치 후방에 배치되는 경우, 광 강도에 대한 검출기의 측정 신호가 변한다. 조명이 변하기 전과 조명이 변한 후의 차이 신호로부터, 조명이 변할 때 제 1 조명에서와 동일한 노광 특성을 보장하기 위해, 스캔 속도가 얼마나 변해야 하는지가 검출될 수 있다. 예컨대, 조명이 세팅의 변화에 의해 50% 감소하면, 스캔 속도는 제 1 조명의 스캔 속도보다 50% 감소하여야만, 제 1 조명의 경우와 동일한 광량이 노광될 물체에 제공된다. 검출기가 광 경로에서 조명, 즉 세팅 조정 장치 전방에 배치되면, 노광될 물체의 평면에서 스캔 속도의 조정을 위해, 픽업된 광 신호에 추가해서 추가의 정보, 예컨대 조리개 조정에 대한 정보가 필요하다.
따라서, 본 발명에 의해, 광원의 광을 완전히 이용할 수 있음에도 세팅 조정 또는 강도 변동으로 인한 동공 평면에서의 조명 변동 시에도 항상 동일한 광량을 노광될 물체에 제공하는 장치 및 방법이 제공된다.

Claims (27)

  1. 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템으로서, 조명 시스템은
    - 출사동 평면(121)을 조명하기 위해 파장 범위 ≤ 100 nm 의, 특히 EUV 파장 범위의 광을 방출하는 광원,
    - 하나 이상의 제 1 조명(22)을 상기 출사동 평면(121)에서 제 2 조명(24)으로 변화시킬 수 있는 소자 및 상기 광의 검출을 위한 하나 이상의 검출기(106.1, 106.2)를 포함하고,
    상기 조명 시스템은, 상기 검출기(106.1, 106.2)의 하나 이상의 광 강도 신호를 픽업하고 적어도 상기 픽업된 광 강도 신호에 따라 제어 신호(166)를 제공하는 장치(164)를 포함하고, 상기 제어 신호는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 이미지 평면(221)에서 광 감지 물체의 스캔 속도를 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 검출기(106.1, 106.2)는 상기 광원(100)으로부터 상기 출사동 평면(121)으로의 광 경로에서 상기 광원(100)과 상기 출사동 평면(121) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 장치는 상기 소자의 제 1 조정을 나타내는 제 1 조정 신호를 픽업하고, 상기 제 1 조정에 의해 제 1 조명(22)이 제공되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 장치는 상기 소자의 제 2 조정을 나타내는 제 2 조정 신호를 픽업하고, 상기 제 2 조정에 의해 제 2 조명(26)이 제공되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 메모리 유닛을 구비한 조절 유닛(1030, 164)을 포함하고, 상기 메모리 유닛 내에 상기 제 1 조명용 하나 이상의 제 1 보정 값 및 상기 제 2 조명용 제 2 보정 값이 저장되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 메모리 유닛 내에 다수의 보정 값을 제공하는 보정 표가 저장되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 소자는 상기 출사동 평면(121)에서 조명을 연속해서 조정하고 상기 메모리 유닛 내에 보정 곡선이 저장되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 감지 물체는 스캔 테이블(502) 상에 배치되고, 상기 스캔 속도는 상기 스캔 테이블의 전진 속도를 결정 하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 광 감지 물체(220)는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명을 변화시키는 소자는 상기 출사동 평면(121) 내에 또는 근처에 또는 상기 출사동 평면(121)에 대한 공액 면 내에 배치된 조리개(130)인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  11. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명 시스템은 교체 가능한 패싯된 광학 소자를 포함하고, 상기 조명을 변화시키는 소자가 상기 교체 가능한 패싯된 광학 소자인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  12. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명 시스템은 다수의 위치 변동 가능한 패싯 거울을 구비한 패싯된 광학 소자(113)를 포함하고, 상기 조명을 변화시키는 소자는 상기 위치 변동 가능한 패싯 거울(114)을 구비한 패싯된 소자인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 검출기(160.1)는 상기 광원(100)으로부터 상기 출사동 평면(121)으로의 광 경로에서 조명의 조정을 변화시 키는 소자(130) 후방에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 검출기(160.2)는 상기 광원(100)으로부터 상기 출사동 평면(121)으로의 광 경로에서 조명의 조정을 변화시키는 소자(130) 전방에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  15. 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출기(160.1, 160.2)는 상기 출사동 평면의 조명의 조정을 변화시키는 소자(130) 상에 또는 근처에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  16. 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출기(160.1, 160.2)는 상기 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 물체 평면(200) 또는 이미지 평면(221) 상에 또는 근처에 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  17. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명 시스템은 반사식(catoptric) 조명 시스템인 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  18. 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명 시스템은 패싯된 광학 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 패싯된 광학 소자(116)는 다수의 패싯 거울들(115, 115.1, 115.2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  20. 물체 평면(200) 및 상기 물체 평면(200)에 배치된 물체를 이미지 평면(221)에 이미지화하기 위한 투영 대물렌즈(300)를 구비한 제 1항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 따른 조명 시스템을 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 투영 대물렌즈(300)는 개구 조리개(B)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
  22. 출사동 평면(121)의 조명과 관계없이 파장 ≤100 nm, 특히 EUV 파장용 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 이미지 평면에서 스캔 경로를 따라 동일한 광 에너지, 특히 통합된 광 에너지를 조정하기 위한 방법으로서,
    상기 마이크로리소그래피 투영 노광 장치는 상기 출사동 평면에서 조명을 변화시키는 소자 및 검출기를 포함하고,
    - 상기 출사동 평면에서 조명의 변화 전에 광 에너지를 측정하는 단계,
    - 상기 출사동 평면에서 조명의 변화 후에 광 에너지를 측정하는 단계,
    - 조명의 변화 전 및 후에 측정된 광 에너지들로부터 차이 신호를 형성하고, 상기 차이 신호에 의해 상기 이미지 평면에서 광 감지 물체의 스캔 속도를 조정하는 단계를 포함하는, 동일한 광 에너지의 조정 방법.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 차이 신호가 연속해서 픽업되어 조절 유닛에 공급되고, 상기 이미지 평면에서 상기 광 감지 물체의 스캔 속도가 연속해서 조정되는 것을 특징으로 하는 동일한 광 에너지의 조정 방법.
  24. 출사동 평면의 조명과 관계없이 파장 ≤100 nm, 특히 EUV 파장용 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 이미지 평면에서 스캔 경로를 따라 동일한 광 에너지, 특히 통합된 광 에너지를 조정하기 위한 방법으로서,
    상기 마이크로리소그래피 투영 노광 장치는 상기 출사동 평면에서 조명을 변화시키는 소자 및 검출기를 포함하고,
    - 상기 출사동 평면에서 상이한 조명에 대해 광 에너지를 검출기에 의해 측정하는 단계,
    - 상기 측정된 값을 보정 값으로서 조절 유닛 내에 저장하는 단계,
    - 상기 보정 값의 저장 후에, 상기 검출기에 의해 광 에너지를 측정하고 상기 저장된 보정 값과 비교하는 단계,
    - 상기 보정 값과의 비교에 의해, 이미지 평면에서 광 감지 물체의 스캔 속도를 조정하는 단계를 포함하는, 동일한 광 에너지의 조정 방법.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 보정 값들은 보정 표 및/또는 보정 곡선의 형태로 저장되는 것을 특징으로 하는 동일한 광 에너지의 조정 방법.
  26. 제 22항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 출사동 평면의 조명의 조정을 변화시키는 소자 상에 또는 근처에 배치되는 것을 특징으로 하는 동일한 광 에너지의 조정 방법.
  27. 제 22항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마이크로리소그래피 투영 노광 장치는 물체 평면 및 이미지 평면을 가지며, 상기 검출기는 상기 물체 평면 및/또는 상기 이미지 평면 상에 또는 근처에 배치되는 것을 특징으로 하는 동일한 광 에너지의 조정 방법.
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