JP2010501995A - リチウム挿入が可能な高可逆性電極活物質及びその製造方法、これを備えた電極並びに二次電池 - Google Patents

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Abstract

本発明は、SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する電極活物質を提供し、これを含む電極及びリチウム二次電池を提供する。また、本発明は、Snの前駆体、トリオクチルホスフィン(TOP)及びトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)を混合した溶液を製造するステップ、及び前記溶液を加熱するステップを含み、SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する電極活物質の製造方法を提供する。
本発明は、涙滴状の単結晶SnP0.94の粒子をリチウム二次電池の陰極活物質として適用することによって、炭素陰極の2倍程度の可逆容量を有し、不可逆容量が非常に少なく、充放電によるリチウムイオンの挿入/脱離に対しても構造的に非常に安定しているため、体積変化がほとんど起こらず、優れたサイクル特性を有する陰極を提供することができる。

Description

本発明は、リチウム挿入が可能な高可逆性電極活物質及びその製造方法、これを備えた電極並びに二次電池に関し、詳しくは、SnP0.94の組成を有し、涙滴状の粒子形態を有し、可逆容量が大きく、リチウム挿入の際に構造変化が起こらないため、優れたサイクル特性を持つ陰極活物質に関する。
高容量のリチウム二次電池を開発するに当って、カーボンの理論的重量の容量(372mAh/g)の二倍を上回る容量を有する非晶質スズ系複合酸化物が陰極活物質として1997年に提示され、その後、高容量及び相対的に平均作業電位(1.5V)が低いという理由から、多くの研究がリチウム反応性金属及び金属酸化物、例えば、Sn、Si、SnO、Snに集中されていた。しかし、これらは、リチウム二次電池への実際の適用において、いくつかの深刻な問題をもっている。
その問題の一つは、可逆容量が非常に少ないという点である。最初充放電を行った後、40%以上の容量損失が生じ、その理由としては、リチウムに対する不活性マトリックス相の形成(例えば、LiO)及び一回目サイクルを行った後の、電解質との強い副反応の発生が挙げられる。
実際の適用において、もう一つの問題は、充放電の際にLiMとM相の形成によって、非常に大きな体積変化(300%以上)が起こり、その結果、活物質の粒子が粉状化して電流コレクタから分離されるため、電気的遮蔽が発生するという点である。
最近、金属リン化物(MP)が、最も期待できる陰極材料として提示されており、このMPは、平均作業電圧は、Sn、Si又はSnOより高いが、平均1Vの電圧でLiと可逆的に反応できるという特徴を有する。
金属リン化物であるMPnは、リチウムとの反応に関する金属の特性によって、2つのグループに分けられる。
(1)リチウム挿入(Li−intercalation)
MP ⇔ LiMP
(2)メタライゼーション又は金属との合金化 (metallization or metal alloying)
MP ⇔ M(LiM)+Li
グループ(1)は、MnPが該当し、電気化学的酸化還元プロセスによってリチウムの挿入が起こる( MnP⇔LiMnP)。また、MnP内のP−P結合は、リチウムの挿入時に結晶質LiMnPを形成しながら結合が壊れ、0.57V〜1.7Vの間だけでMnPへ再酸化した後、再結合される。これに対し、0.5V以下では、MnとLiPとに分解される。
MnPを使用した電極は、制限された電圧窓でサイクリングされるにも係らず、700mAh/gから350mAh/gへ初期数回のサイクルにおいて速い容量減少が起こり、50回目サイクルの後に安定化した。Gillotらによる最近の研究では、MnPにおいて低い容量保持率(capacity retention)の理由は、LiMnPからMnPへの再結晶化の代わりに、LiMnPのLiPとMnとへの不可逆的分解が発生するためであるという結果が得られた。
同じく、CoP、CuP、VP、SnのようなMPn化合物において、やはり上記と同様な分解反応を示した。このような物質は、1)大きな体積変化に起因した粒子の粉状化、及び、2)0.65V以上では、LiPから伝導性の悪いLiPが形成されるため、容量減少が速く進行するという問題点をもっている。
なお、SnP、SnP、Snのようなリン化スズについても、従来の文献に報告されており、これは、古典的な固相反応法で化学量論的定量のスズと赤リンとを高温で熱処理して製造することができる。最近、ナノサイズのSnを、機械的ミリング法でスズと赤リンから製造する技術が提示されている。
リチウム二次電池の陰極活物質としては、次のような基準、即ち、1)低い平均作業電位(0.7V以下)、2)低い不可逆容量(容量減少がない)、3)高い可逆容量(700mAh/g以上)、4)優れたライフサイクル、のような特性を満たす必要があり、特に、充放電の際に、黒鉛に匹敵するほど体積変化が少なくなる必要がある。
本発明らは、涙滴状の単結晶SnP0.94粒子は、リチウム二次電池の陰極活物質として、炭素陰極の二倍程度の可逆容量を有し、不可逆容量が非常に少なく、充放電によるリチウムイオンの挿入/脱離に対しても構造的に非常に安定しているため、体積変化が殆ど起こらず、優れたサイクル特性を有することを見出した。
従って、本発明の目的は、SnP0.94の組成を有する電極活物質及びその製造方法、これを備えた電極並びに二次電池を提供することにある。
本発明は、SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する電極活物質を提供する。
また、本発明は、Snの前駆体、トリオクチルホスフィン(TOP)及びトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)を混合した溶液を製造するステップ、及び前記溶液を加熱するステップを含み、SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する電極活物質の製造方法を提供する。
さらに、本発明は、上記の電極活物質を含む電極及びこの電極を備えたリチウム二次電池を提供する。
以下、本発明の詳細を説明する。
本発明の電極活物質は、SnP0.94の組成を有し、単結晶の涙滴状粒子であることを特徴とする。但し、単結晶の場合でも、結晶内欠陥が存在することがあり得るため、本発明の電極活物質の組成は、SnP(0.9≦x≦0.98)であることができる。
本発明に係るSnP0.94の陰極活物質は、非常に高い可逆容量を有し、初期放電効率が高く、充放電による体積変化が非常に少ないため、優れたサイクル特性を持つことができる。
本発明の電極活物質は、基本的に六方晶系の結晶構造を有すると共に、前記六方晶系結晶格子のc軸方向に沿って選択的に異方性成長することができ、特に、前記活物質粒子の涙滴状テール部とヘッド部とを結ぶ長軸が、六方晶系結晶格子のc軸方向であることができ、下記の表1に示すような結晶構造を有することができる。
Figure 2010501995
前記電極活物質の構造は、表1からわかるように、六方晶系の層状結晶構造であり、スズ原子が単位格子内において六方充填(hexagonally packed)されており、2種類のリン原子対が密接に連結(closely linked)され、前記層状スラブ(slab)が、−[Sn−P−P−Sn]− ジグザグ結合のポリマーネットワーク(polymeric network)をなすことができる(図6乃至図8参照)
本発明の電極活物質粒子は、涙滴状(teardrop-shaped)であり(図1参照)、その大きさは、長さ100nm〜1μmの範囲、アスペクト比(長軸長さ/短軸長さ)1.0〜10.0の範囲であることができる。
本発明の電極活物質は、充放電の際にリチウムが可逆的に挿入、脱離することができ、特に、リチウムの挿入/脱離によっても結晶構造が変化しないという特徴を有する。これは、リチウムが可逆的に挿入、脱離しても、前記電極活物質においてSnの酸化状態に変化がなく、Snイオン周辺の局部的な構造変異によって電荷補償が起こるためである。従って、本発明の電極活物質では、他の金属リン化物系の陰極活物質とは異なり、充電の際にリチウムが結晶格子の層間インタースティシャル位置に挿入されるため、結晶構造の変化及び体積の変化がほとんど起こらない。
本発明の電極活物質は、0〜1.2Vにおいて600〜900mAh/gの容量、好ましくは、740mAh/gの容量を有するものであることができ、特に、上記のような結晶構造及びリチウム挿入の特性から、40回目サイクル後の容量保持率が90%以上、最初充放電時の可逆効率が80%以上であることができる。
SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する本発明の電極活物質は、次のように、
a)Snの前駆体、トリオクチル(TOP)及びトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)を混合した溶液を製造するステップ、及び
b)前記溶液を加熱するステップ、
を含む方法で製造することができる。
上記の、Snの前駆体として、好ましくは、スズアセテート(Sn(C)を使用することができるが、これに限定されず、Snを含む他の塩の形を有するものを使用することもできる。
TOPとTOPOは、結晶学的表面エネルギーを変化させて選択的異方性ナノ結晶の成長を促進するキャッピング剤(capping reagent)として知られており、TOP/TOPOの量と比を調節することで、ナノスフェア(nanosphere)、ナノロッド(nanorod)、ナノワイヤー(nanowire)などの、いくつかの他の形状の金属リン化物のナノ粒子を形成することができると知られている。
本発明の場合は、スズアセテートのTOPに対する溶解度が低いため、TOP−Sn錯体を形成することはできず、その代わりに、スズアセテート、TOP及びTOPOを同時に混合し、300〜450℃、10分間〜5時間加熱することでリン化スズの粒子が得られ、好ましくは、390℃で1h加熱して溶液相熱分解方法で均一な涙滴状のリン化スズ粒子を形成することができた(図1(a)参照)。
<電極及び二次電池の製造>
本明細書に記載のSnP0.94粉末を電極活物質として含む電極は、当業界で公知の方法で製造することができる。例えば、前記電極は、本発明によって上記の物質を活物質として使用し、これに加えて、電気伝導性を付与するための導電剤、材料とコレクターとの間で接着を可能にするための結合剤をさらに使用することができる。
例えば、上記のような方法で製造された電極活物質に対して導電剤を1〜30wt%、結合剤を1〜10wt%で混合して分散溶媒に添加及び攪拌してペーストを製造した後、このペーストを金属材のコレクターに塗布し、圧縮した後、乾燥してラミネート状の電極を製造することができるが、これに制限されない。
導電剤としては、通常カーボンブラックが使用される。現在、市販の導電剤は、アセチレンブラック系(シェブロンケミカル社(Chevron Chemical Company)製又はガルフオイル社(Gulf Oil Company)製など)、ケッチェンブラック(Ketjen Black)EC系(アルマック社(Armak Company)製)、Vulcan XC−72(カボット社(Cabot Company)製)及びスーパーP(MMM社製)などが挙げられる。
結合剤としては、代表的に、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)又はその共重合体、セルロースなどが挙げられ、分散剤としては、代表的に、イソプロピルアルコール、N−メチルピロリドン(NMP)、アセトンなどが挙げられる。
前記金属材のコレクターは、伝導性が高く、前記材料のペーストが容易に接着できる金属で、電池の電圧範囲で反応性を有しないものであれば、いずれも使用可能である。例えば、アルミニウム、銅又はステンレススチールなどの網、箔などが挙げられるが、これに制限されない。
また、本発明は、上記のような電極を備えた二次電池を提供する。本発明の二次電池は、当業界で公知の方法で製造することができ、特に限定されない。例えば、陽極と陰極との間にセパレータを介在し、非水電解液を投入して製造することができる。なお、前記電極、セパレータ及び非水電解液と共に、必要によっては、当業界で公知の添加剤を使用することができる。
なお、本発明の電池においては、セパレータとして多孔性分離膜を使用することができ、例えば、ポリプロピレン系、ポリエチレン系、ポリオレフィン系の多孔性分離膜を使用することができるが、これに限定されない。
本発明において使用可能な二次電池の非水電解液は、環状カーボネート及び/又は線状カーボネートを含むことができる。前記環状カーボネートとしては、エチレンカーボネート(EC)、プロピレンカーボネート(PC)、ガンマブチロラクトン(GBL)などが挙げられるが、これに制限されない。前記線状カーボネートとしては、ジエチルカーボネート(DEC)、ジメチルカーボネート(DMC)、エチルメチルカーボネート(EMC)、メチルプロピルカーボネート(MPC)などが挙げられるが、これに制限されない。なお、本発明に係る二次電池の非水電解液は、前記カーボネート化合物と共にリチウム塩を含む。リチウム塩の具体的な例としては、LiClO、LiCFSO、LiPF、LiBF、LiAsF及びLiN(CFSOなどが挙げられる。
図1は、実施例1で製造された涙滴状のSnP0.94粒子に関するTEM分析結果を示すもので、(a)及び(b)は、前記粒子の透過型電子顕微鏡(TEM)写真、(c)は、前記粒子のテール部に対する制限視野電子線回折(SAED)パターン、(d)は、前記粒子のヘッド部に対するSAEDパターン、(e)は、前記粒子のテール部の断面に対する高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)写真を示す。なお、積層欠陥(stacking fault)については、矢印で示されるように、SAEDパターンでは、縞状の追加スポット(streaky extra spot)で示し、HRTEMでは、薄プレートレット(platelet)状で示した。 図2は、実施例1で製造されたコイン型の半電池における、0〜1.2V、0.2Cレート(=120mA/g)で1、10、20、30、40回目サイクル後の電圧プロファイルであり、差し込み図(inset)は、前記半電池の40回目サイクルまでの、充電容量対クーロン効率を示す。 図3(a)は、実施例1で製造されたコイン型の半電池における、0〜1.2Vの電位プロファイルであり、括弧内の数字は、図3(b)のX線回折(XRD)分析及び図4のX線吸収スペクトル(XAS)分析を行ったポイントを指す。図3(b)は、SnP0.94粒子の粉末XRDパターンを示し、それぞれ、粉末合成後(調製されたままの)、ポイント(1)で放電直前、0Vと1.2Vへの完全放電後(ポイント(4)及び(8)に対応)、及び10回目、20回目サイクル後(0Vへ完全放電)のことを示す。 図4(a)は、規格化(normalized)したSn LIII−edgeX線吸収端構造(X-ray Absorption Near Edge Structure, XANES)スペクトルを示し、図4(b)は、上記に対応して一回目サイクルのk−weighted Sn LIII−edge広域X線吸収微細構造(EXAFS)スペクトルに対するフーリエ変換度(Fourier Transform magnitude)を示す。 図5は、SnP0.94の結晶構造から可能な挿入経路を示す。前記結晶構造は、P−3m1の空間群下で、(a)Sn−P1(2c site)と、(b)Sn−P2(6i site)の原子対(atomic pairs)から構成されている。 図6は、SnP0.94の結晶構造を示す図である。 図7は、SnとP1原子のポリマークロスリンク (Polymeric Crosslink)を有するSnP0.94の結晶構造を示す図である。 図8は、SnとP2原子のポリマークロスリンクを有するSnP0.94の結晶構造を示す図である。 図9は、 k−weighted Sn LIII−edge EXAFSスペクトルに対するフーリエ変換度を、位相シフトの補正を行わず、スペクトル比較した図である。明確な比較のため、SnOとSnOのフーリエ変換値は、それぞれ1/2、1/4の適切な比率に縮小した。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
SnP0.94の合成は、トリオクチルホスフィン(TOP、[CH(CHP)とトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO、[CH(CHPO)からなる高温溶液内で、スズアセテート(Sn(C)を反応させる方法で行った。TOPO溶液にTOP−Sn錯体を注入する代わりに、0.36gのスズアセテート、10mlのTOP及び5gのTOPOを同時に混合して390℃で1時間加熱した。加熱中、煙が発生し、溶液が黒色に変色した。
得られた黒色混合物は、常温に冷却された後、50mLのエタノールを添加し、黒色沈殿物が得られた。この沈殿物を遠心分離(5000rpm、15min)し、50mLのエタノールで二回洗浄して過剰のTOPとTOPOを除去した。
得られた沈殿物を真空乾燥して粉状化した。なお、上記の全ての反応は、乾燥アルゴン雰囲気下(<10ppm O及びHO)で行われた。
上記の粉末を陰極活物質として使用したコイン型の半電池を製作した。電極は、80wt%の上記活物質、10wt%のスーパーPカーボンブラック、10wt%のPVDFから構成され、1M LiPF塩を含有したエチレンカーボネートとジエチルカーボネートとの混合物(EC/DEC)を電解質として使用した。
この製作された半電池は、0〜1.2Vにおいて0.2Cレート(=120mA/g)でサイクリングされ、電池の特性を測定した。
XASF測定を行うための試料準備は、酸化又は汚染を防止するため、不活性ガスを充填したグローブボックスで行われた。充電、放電されたSnP0.94粒子は、電極から分離され、ポリイミドテープ(KAPTON−500H、125μmの厚さ)で密封した。
Sn LIII−edges XASは、PLS(Pohang Light Source)のBL7C1ビームラインにおいて、還流120〜170mA、2.5GeVで測定された。
X線光子のエネルギーを単色化するため、Si(111)2重結晶モノクロメーターを使用した。データは、He(50%)+N(50%)のガスが充填されたイオン化電離箱(ionization chambers)を検出器にして透過モードで収集された。XAS実験の際に発生する高次ハーモニックコンタミネーション(High order harmonic contamination)は、投射されるX線の強度を40%程度減らすように離調(detuning)されることで、除去された。エネルギー補正は、Sn標準金属粉末を使用して行った。測定されたスペクトルのデータ整理(reduction)は、従来報告された標準手順で行われた。
<考察>
図1の(a)及び(b)に、実施例1によってTOPとTOPOとの混合溶液内で熱分解方法で製造したリン化スズのTEMイメージを示した。
図1の(c)及び(d)に、涙滴状粒子のヘッド部とテール部とからそれぞれ得られた、SAED(Selected Area Electron Diffraction)パターンを示した。明るい回折スポットが鮮明に視認され、これは、結晶性が良く発達したことを示している。このようなパターンは、涙滴状粒子全体にわたって本質的に同様であり、これは、各粒子がSnP0.94の単結晶であることを示している。SAEDパターンは、六方晶系格子の[001]ゾーンにインデックスされ、これは、XRDの結果と一致している。SAEDパターンは、また、六方晶系格子のc軸が粒子の縦方向に整列されていることを意味し、これは、選択成長方向がc軸に沿っていることを意味する。
調査した全ての粒子において同様な観察結果が得られた。しかも、回折パターンは、禁じられた縞入りのピーク(forbidden streaked peaks, 図中、矢印で示す)を含んでおり、これは、c軸方向において、薄プレートレット状の積層欠陥が存在するためであると考えられる。
粒子のテール部の高解像度TEM(HRTEM)(図1(e))では、薄プレートレット状(白色の矢印で表示)の積層欠陥が実際に観察された。
図2は、0.2Cレート(=120mA/g)、1.2V〜0Vにおいて、SnP0.94の1、10、20、30、40回目サイクルの電圧プロファイルを示すもので、最初放電及び充電容量は、それぞれ、850、740mAh/gであり、クーロン効率が87%であることを示している。しかし、図2の差し込み図に示されるように、2回目サイクル後のクーロン効率は98%、20回目サイクルの後は、100%と完全に回復された。40回目サイクル後の容量保持率は、最初充電容量の92%であった。
従来、MnPの陰極では、数回サイクルで350mAh/gに急激に容量減少したと報告されており、これに対し、上記の値は、遥かに優れているといえる。
図3は、充放電前の元の状態、最初の放電(0V)、最初の充電(1.2V)、10回目及び20回目サイクル後におけるSnP0.94粒子のX線回折パターンを示している。充放電前のXRDパターンから、SnP0.94結晶であることが確認された。リン化スズの結晶構造は、二次元層様構造を有することがわかる(表1参照)。スズ原子は、単位格子内に六方充填されており、2種類の二リン酸(diphosphorous)の原子対、即ち、P(1)−P(1)、P(2)−P(2)と最密接に連結されている。層状SnP0.94スラブは、−[Sn−P−P−Sn]-ジグザグ結合のポリマーネットワークで構成されている(図6乃至図8参照)。
一回目充電−放電の過程中のXRDパターンは、充放電前の元の状態と殆ど同様であり、この点から、SnP0.94は、電気化学的反応下で一定の格子定数を保持することがわかり、層状構造から、他の結晶構造又は他の相への深刻な相転移が起こらないということがわかる。また、10回目、20回目サイクルの後でも、全体としてXRDパターンの変化はなかった。
なお、上記の結果から、重要な点は、サイクルの繰り返しにもかからず、元の構造が維持されるということである。このような結果から、本発明の陰極活物質の場合、0.5V以下においてLiイオンの挿入によって金属の還元が発生するSnとMPの陰極(M=Mn、Co、Fe、Cu、V)の場合と比べて、Liイオン挙動に対する電荷補償が生じる電気化学的作用原理が異なっていると考えられる。
XRDの結果から、Liイオンの挿入による電荷補償が、Sn付近の短距離秩序構造で起こり、層状SnP0.94の全体的な格子構造の変形を惹起しないことがわかる。
より詳細な局部的構造分析を行うため、分子レベルの構造変化に敏感な、比較のX線吸収分光分析(comparative XAS)を行った。
図4は、規格化したSn LIII−edge XANESスペクトルと、これに相応するk−weighted Sn LIII−edge EXAFSスペクトルのフーリエ変換(FT)の値を示している。
図4(a)からわかるように、SnP0.94のXANESピーク特性は、Sn金属状態のそれと非常に似ている。これは、Snイオンの全体的な原子価の状態が、二価又は四価の状態に比べて低いことを意味している。
異常に低いSnの原子価は、スズとリン原子との非常に小さな電気陰性度の差に起因し、これは、スズとリン原子のポーリング(pauling)定数が、それぞれ1.96と2.19のポーリングユニットを示しているためである。
従って、化学結合の結果、層状の結晶構造を有するフレキシブルなポリマーネットワークを形成する。放電及び充電中(図3(a)の(1)〜(8))、図4(a)に示したように、SnP0.94粒子では、特異なXANESスペクトルの変化は認められなかった。
既に報告されたSn物質と比較すると、SnのXANESスペクトルは、放電−充電の過程中、ピーク特性の変化が生じ、1サイクルの後には、不可逆的になるが、これは、Snの初期電子状態とSnの局部的な構造が効果的に変化したことを意味する。
従って、SnP0.94において、Liイオン挙動にもかかわらず、一定のXANES特性を示すのは、4.5モルLiイオン挿入/脱離の電気化学反応(SnP0.94+4.5Li ⇔ Li4.5SnP0.94)において、Sn酸化状態の特異な変化が見られないことを示している。
これに対し、k−weighted Sn LIII−edge EXAFSスペクトルのFTピーク特性は、Liイオン挙動の変化が見られる(図4(b))。これは、スズ原子付近における局部的な構造変化が電荷補償過程の一部であることを意味する。充放電を行う前のSnP0.94は、明確な3種類のFTピーク、即ち、2.1ÅでのSn−P結合(ピークA)、約3.2Åでの直接Sn−Sn(1)金属結合(ピークB)、4.0ÅでのSn−P−P−Sn(2)結合(ピークC)を示す。
ピークBは、SnP0.94スラブの層間のSn−Sn結合に相当し、最密充填したSn原子に相当するものではない。これに対し、純粋なSn金属は、2.9Å付近におけるSn−Sn金属結合によるFTピークを示す(図9参照)。
ピークCは、1つの層内において−[Sn−P−P−Sn]結合の拡張によるポリマーネットワークの形成と関連がある。放電時、ピークAは、次第に低いrスペース側へのシフトが始まり、これは、Sn−P結合の長さが短くなることを意味する。
0.0Vへの放電時、平均Sn−P結合距離(ピークA)は、放電前のそれに比べて約0.15Å減少する。
ピークBが充放電後になくなるのは、Liイオン挿入経路が生成されるというスペクトル上の証拠となり得る。Liイオンの挿入時にピークAがなくなるのは、SnP0.94ポリマースラブ間のSn−Sn散乱がLiイオンの干渉によって遮蔽されているためであり得る。層間にLiイオンが位置することで、中央のSn原子周囲に局部的な構造変化を生じることができ、中央のSn原子と隣接したSn1原子間の散乱による相互作用を防ぐことができる。従って、このようなスペクトル上の特徴は、Liイオンがポリマースラブ間のインタースティシャル位置に存在していることの有力な証拠である。これは、初期のLiイオン挿入がP−P結合の中心でバインド(binding)し始まるという既存の報告によっても裏付けられる。
これに対し、Sn−P−Sn結合のピークCは、変化がない。これは、Liイオンの挿入にもかかわらず、ポリマーの−[Sn−P−P−Sn]−スラブが壊れないことを意味する。
ピーク特性の変化は、スズ原子付近における局部的な構造変化と密接な関係がある。初めは、LiイオンがSnP0.94スラブ間の分子間チャネルに挿入されることは明らかであると考えられる。より多くのLiイオンが挿入されるほど、Liイオンが二リン(diphosphorous, P−P)の中心にバインディングされる。
インタースティシャル位置に存在するLiイオンによってLi−P結合が形成され、これは、部分的なP−P結合の分裂と関係がある。Liイオンの挙動と共に、局部的な構造変化によってエッジ共有型Sn−P結合がz軸方向に沿って縮退(shrink)し、しかも、Sn−Sn(1)層間の相互作用の静的な無秩序(static disorder)が発生する。従って、ピークAのFT強度変化は、Liイオン含量に応じたSn−P結合の短距離秩序と関連があると判断される。
従来の、類似した陰極システムに関する多くの報告によれば、Liイオン挿入の間、電荷補償のため、化合物内で金属部のメタライゼーションが生じるといわれている。例えば、Li挿入によって、層状構造のSn陰極活物質の構造が崩壊され、LiPとLiSnとの合金に相変化し、0.9V以上の高電圧領域で容量の急激な減少が起こる(40回目サイクル後は、0mAh/g)。
本発明の陰極活物質の場合は、完全に放電した状態でも、Sn金属状態への還元は起こらず、−[Sn−P−P−Sn]−のポリマーネットワークが観察された。Liイオンの挿入によってLi−P結合が生成されるが、常に、Snと直接結合したリン原子は存在する。それ故に、二りん酸対の存在は、挿入メカニズムにおいてリン化スズのメタライゼーションを防止することは明らかである。
1.2Vへの充電時、放電過程中の模式的な変化を通じてFTピーク特性は可逆的に初期状態に戻る。従って、4.5モルLiイオン挿入による過剰の正電荷は、Snの酸化状態変化よりは、Sn−P−P−Snスラブ内のSnイオン周辺における局部的な構造変化によって補償できると考えられる。
要するに、SnP0.94では、LiSn金属合金への相転移が発生することなく、分子チャネルを通じたLiの挿入/脱離メカニズムによって、構造の可逆性を有することで、優れた電気化学的サイクリング特性が得られた。
本発明の陰極活物質は、可逆容量が黒鉛陰極の二倍程度であると共に、小さな不可逆容量及び低い使用電圧によって、次世代高容量リチウム二次電池用陰極物質として使用することができる。
[比較例1]
SnP0.94の合成において、TOPOを使用せず、0.36gのスズアセテートと10mlのTOPとを混合した以外は、実施例1と同様にして粉末の製造及び分析を行った。
TOPOを添加しない場合は、粒子の形状が涙滴状ではなく、不整形であることが確認された。
[比較例2]
Sn金属とPとを4:3モル比でボールミル粉砕を行い(24時間、1000rpm)、Snを合成した。初期充電容量は、900mAh/g程度の値を示したが(0V−1.2V)、30回目の後は、初期容量に対して5%の容量保持率を示した。
本発明は、涙滴状の単結晶SnP0.94粒子をリチウム二次電池の陰極活物質として適用することで、炭素陰極の二倍程度の可逆容量を有し、不可逆容量が非常に少なく、充放電によるリチウムイオンの挿入/脱離に対しても構造的に非常に安定しているため、体積変化がほとんど起こらず、優れたサイクル特性を有する陰極を提供することができる。

Claims (17)

  1. SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する、電極活物質。
  2. xが、0.94であり、
    前記電極活物質の粒子が、単結晶であることを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  3. 六方晶系結晶格子のc軸方向に沿って選択的に異方性成長することを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  4. 前記活物質の粒子が、涙滴状であり、100nm〜1μm範囲の長さ、1.0〜10.0範囲のアスペクト比(長軸の長さ/短軸の長さ)の粒子サイズを有することを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  5. 涙滴状のテール部とヘッド部とを結ぶ長軸が、六方晶系結晶格子のc軸方向であることを特徴とする、請求項4に記載の電極活物質。
  6. 前記電極活物質が、六方晶系層状結晶構造を有し、スズ原子が単位格子内で六方充填されており、2種類のリン原子対が密接に連結され、前記層状のスラブが、−[Sn−P−P−Sn]− ジグザグ結合のポリマーネットワークをなすことを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  7. 充放電の際にリチウムが可逆的に挿入、脱離することを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  8. リチウムの挿入/脱離によっても結晶構造が変化しないことを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  9. リチウムの可逆的挿入/離脱によってもSnの酸化状態に変化がなく、Snイオン周辺の局部的な構造変異によって電荷補償が行われることを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  10. 充電の際に、リチウムが結晶格子の層間インタースティシャル位置に挿入されることを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  11. 0〜1.2Vにおいて、600〜900mAh/gの容量を有することを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  12. 40回目サイクルを行った後の容量保持率が90%以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  13. 最初充放電の際に、可逆効率が80%以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電極活物質。
  14. Snの前駆体、トリオクチルホスフィン(TOP)及びトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)を混合した溶液を製造するステップ、及び
    前記溶液を加熱するステップを含んでなり、
    SnP(0.9≦x≦0.98)の組成を有する電極活物質を製造する方法。
  15. Snの前駆体が、Snアセテートであることを特徴とする、請求項14に記載の製造方法。
  16. 請求項1〜13の何れか一項に記載の電極活物質を含んでなる、電極。
  17. 請求項16に記載の電極を備えてなる、リチウム二次電池。
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