JP2010500778A - Ledデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル - Google Patents
Ledデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010500778A JP2010500778A JP2009524636A JP2009524636A JP2010500778A JP 2010500778 A JP2010500778 A JP 2010500778A JP 2009524636 A JP2009524636 A JP 2009524636A JP 2009524636 A JP2009524636 A JP 2009524636A JP 2010500778 A JP2010500778 A JP 2010500778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- led
- led device
- diamond
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018131 Al-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018464 Al—Mg—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018461 Al—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018571 Al—Zn—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018569 Al—Zn—Mg—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017824 Cu—Fe—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017313 Mo—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017318 Mo—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009038 Sn—P Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N ethynol Chemical group OC#C QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本発明のLEDデバイスは、Cuおよび/またはAlを含む基板(102)と、基板上に配置されたダイヤモンド状炭素層(106)と、ダイヤモンド状炭素層上に形成された電気回路(108)と、電気回路に電気的に接続されたLEDチップ(110)とを含む。このLEDは、液晶ディスプレイのバックライトの光源として用いることができる。
Description
本発明は発光ダイオード(LED)に関する。本発明のLEDは、液晶ディスプレイ(LCD)のバックパネルに使用可能である。
LEDは次世代の光源として期待されている。LEDの考えられる用途としては、照明、液晶ディスプレイのバックライト、自動車のインストルメントパネルのディスプレイ、光ディスクなどが挙げられる。
LEDを電気デバイスにおいて用いる場合、熱によって引き起こされる問題を解決する必要がある。LEDチップの温度は、大量の電力が供給されるとかなり上昇することがある。
多量の電力が光源のためのおそらく小さな装着領域に供給される場合には、LEDチップが熱を蓄積して温度が上昇し得る危険性がある。さらに、この熱が、LEDチップが装着される熱伝導性基板に伝えられる場合でも、この基板が熱を蓄積し、温度を上昇させ、それによってLEDチップの温度も上昇し得る危険性がある。
LED照明デバイスに効率的に多量に発光させるために、LEDチップの温度が過度に上昇しないように、LEDチップ内で生成された熱を外部に適切に放出する必要がある。
米国特許出願公開第2005−276052号明細書には、ダイヤモンド状炭素(DLC)がAIN、GaNまたはSiCなどのセラミックの表面上に熱拡散のために配置された照明システムが開示されている。
しかしながら、特に、LEDデバイスがLCDのバックライトなどのディスプレイ用途に用いられる場合、LEDデバイスには様々な要件がまだ存在する。これらの要件としては、(1)より高い熱伝導性、(2)製造コストの削減、および(3)より大きなサイズへの適用性が挙げられる。
本発明の目的は、LEDデバイスであって、LEDデバイスの基板が高い熱伝導性を有し、LEDデバイスが経済的に製造可能であり、かつ広い面積を有するLEDデバイスが容易に製造可能である、LEDデバイスを提供することである。
本発明の一実施形態は、Cuおよび/またはAlを含む基板と、基板上に配置されたダイヤモンド状炭素層と、ダイヤモンド状炭素層上に形成された電気回路と、基板に装着され、かつ電気回路に電気的に接続されたLEDチップとを含むLEDデバイスである。
本発明の別の実施形態は、液晶ディスプレイのバックパネルであり、ここで、LEDデバイスは光源として用いられる。
本発明は、さらに、Cuおよび/またはAlを含む基板を提供する工程と、基板上に配置されたダイヤモンド状炭素層を提供する工程と、ダイヤモンド状炭素層上に形成された電気回路を形成する工程と、LEDチップを電気回路に電気的に接続する工程とを含む、LEDデバイスの形成方法を提供する。
銅もしくはアルミニウムまたはそれらの合金などの、金属または合金でできた基板は、低コストで容易に製造可能である。さらに、かかる金属または合金材料は、セラミックと比較して高い熱伝導性を有する。さらに、大きなLEDパネルが、金属または合金基板を用いることによって容易に製造可能である。この効果は、パネルサイズがますます大型化している、液晶ディスプレイ(LCD)などのディスプレイ用途に関して非常に有益である。
さらに、ダイヤモンド状炭素が基板の表面に配置され、DLCによる効果的な熱の放散および熱伝導性により、より高い熱伝導性がもたらされる。
本発明は、高い熱伝導性、より低いコスト、および取扱い易さという利点を有し、ならびにAlおよび/またはCuを基板として用い、ダイヤモンド状炭素(DLC)を基板とLEDチップに接続される電気回路との間の中間層として用いることによって広い面積について大量生産することができる。
GaN、AINおよびSiCの熱伝導性は、それぞれ130W/m−K、170〜230W/m−Kおよび120W/m−Kである一方、AIおよびCuの熱伝導性は、それぞれ150〜230W/m−Kおよび400W/m−Kである。高い熱伝導性を有する金属または合金を用いることによって、LEDデバイスの熱管理性能を強化することができる。
一般に、金属または合金板の製造コストは高くない。これは、より低い材料コストを意味し、結果としてLEDデバイスのデバイスコストがより低くなる。金属および合金の機械的強度(靱性、セラミックほど脆くない)のため、切削するなどして、金属または合金基板を加工することがはるかに容易になり、このためより低い製造コストが実現可能である。また、セラミックのパネルサイズが典型的に4.5インチ平方に限られるより大きな規模で、金属または合金基板を製造するのがはるかに容易になる。
本発明のLEDデバイスは、例えば、Cuおよび/またはAlを含む基板を提供する工程と、基板上にDLC層を形成する工程と、DLC層上に電気回路を形成する工程と、DLC層上に電気回路を形成する工程と、LEDチップをその上に装着して、LEDチップを電気回路に電気的に接続する工程とによって製造可能である。
1.基板
本発明の基板は、Cuおよび/またはAlを含む。基板は、Al板、Cu板、Al含有合金板またはCu含有合金板であり得る。伝導性基板を本発明に用いることができる。基板がAlを含有する場合、DLC層の方向の表面が、酸素によって陽極酸化されるのが好ましい。
本発明の基板は、Cuおよび/またはAlを含む。基板は、Al板、Cu板、Al含有合金板またはCu含有合金板であり得る。伝導性基板を本発明に用いることができる。基板がAlを含有する場合、DLC層の方向の表面が、酸素によって陽極酸化されるのが好ましい。
Al含有合金としては、限定はされないが、Al−Cu、Al−Mn、Al−Si、Al−Mg、Al−Mg−Si、Al−Zn−MgおよびAl−Zn−Mg−Cuが挙げられる。Cu含有合金としては、限定はされないが、Cu−Ni、Cu−Ni−Si、Cu−Sn、Cu−Cr−Zr−Zn、Cu−Fe−P、Cu−Ni−Sn−P、Cu−Mo、Cu−Co、Cu−Fe、Cu−Cr、Cu−Mo−Ni、Cu−Mo−Cr、Cu−Mo−Co、およびCu−Mo−Feが挙げられる。
2.DLC層
様々なタイプのDLCを本発明に用いることができる。効率的な熱拡散の点から、高い熱伝導性を有するDLCを用いるのが好ましい。DLCの製造方法としては、特開平10−072285号公報、特開2002−115080号公報、米国特許出願公開第2005−0260411号明細書を参照することができる。しかしながら、これらの参考文献の代わりにまたはこれらに加えて他の参考文献を参照することができる。
様々なタイプのDLCを本発明に用いることができる。効率的な熱拡散の点から、高い熱伝導性を有するDLCを用いるのが好ましい。DLCの製造方法としては、特開平10−072285号公報、特開2002−115080号公報、米国特許出願公開第2005−0260411号明細書を参照することができる。しかしながら、これらの参考文献の代わりにまたはこれらに加えて他の参考文献を参照することができる。
DLC層は、化学気相成長(CVD)法を用いて形成され得る。CVD法では、エネルギー源によって、気相中の前躯体分子が解離されるかまたは活性化されて、反応性のラジカル、イオン、または原子などの活性種を形成することができる。
CVD法は、酸素アセチレントーチ源またはプラズマトーチ源などの燃焼炎の供給源(combustion flame source)を含み得るエネルギー源を用いて、大気圧(約760トル)以上で行ってもよい。プラズマトーチ源としては、直流(DC)プラズマアークジェット源が挙げられる。
CVD法は、熱フィラメント(HF)源などの熱源を含み得るエネルギー源を用いて、大気圧(約760トル)以下で行ってもよい。HF源としては、単一フィラメントまたはマルチフィラメントが挙げられる。
CVD法は、放電源またはプラズマ源などの、電子またはイオン衝撃源を含み得るエネルギー源を用いて、大気圧(約760トル)以下で行ってもよい。
DLC層は他の方法によって形成されてもよい。例えば、DLC層は、物理気相成長(PVD)法によって形成することができる。PVDの条件は、DLC層の所望の厚さおよび物理的特性に基づいて決定されるのが好ましい。
3.電気回路
電気回路は、Ag、Cu、Alなどの導電性金属で形成することができる。耐はんだ食われ性の点から、Agが、電気回路を構成する好ましい導電性金属である。電気回路は、様々な方法で形成することができる。本発明においては、電気回路の形成方法は限定されない。かかる方法には、厚膜ペーストの塗布、導電性テープの転写、および予備成形されたベース導電パターン(base conductive pattern)上での電気めっきが含まれる。厚膜ペーストは、ペーストが塗布された後に硬化または焼成される。例えば、厚膜ペーストは、300℃未満の温度で硬化される。あるいは、厚膜ペーストは、300℃を超える温度で焼成される。
電気回路は、Ag、Cu、Alなどの導電性金属で形成することができる。耐はんだ食われ性の点から、Agが、電気回路を構成する好ましい導電性金属である。電気回路は、様々な方法で形成することができる。本発明においては、電気回路の形成方法は限定されない。かかる方法には、厚膜ペーストの塗布、導電性テープの転写、および予備成形されたベース導電パターン(base conductive pattern)上での電気めっきが含まれる。厚膜ペーストは、ペーストが塗布された後に硬化または焼成される。例えば、厚膜ペーストは、300℃未満の温度で硬化される。あるいは、厚膜ペーストは、300℃を超える温度で焼成される。
市販の厚膜ペーストを本発明に用いることができる。例えば、かかる厚膜ペーストは、本件特許出願人から入手可能である。
電気めっきの例としては、例えば、自己触媒型の無電解めっきおよび直接銅めっきが挙げられる。
4.LEDチップ
LEDチップが上記の層に装着される。いくつかのパターンの装着がある。
LEDチップが上記の層に装着される。いくつかのパターンの装着がある。
図1は、本発明の一実施形態を示す。図1におけるLEDデバイスは、基板102、基板102の表面上に形成された陽極酸化層104、陽極酸化層104上に配置されたDLC層106、DLC層106上に形成された電気回路108、陽極酸化層104上に装着されたLEDチップ110、およびLEDチップ110を電気回路108と電気的に接続するワイヤボンド112を含む。この実施形態では、LEDチップ110は、陽極酸化層104の表面上に装着される。陽極酸化層104が形成されない場合、LEDチップは、基板102の表面上に装着される。
図2は、本発明の別の実施形態を示す。図2におけるLEDデバイスでは、LEDチップ110は、DLC層106の表面上に装着される。
LEDチップ110がDLC層106の表面上に装着される場合、LEDチップ110からの熱を、高い熱伝導性を有するDLC層106内へと効率的に拡散することができる。
図3は、本発明のさらに別の実施形態を示す。この実施形態では、LEDチップ110は、フリップチップボンディングされ、ワイヤボンドを用いずに電気回路108と接続される。導電性接着剤またははんだを用いて、LEDチップ110を電気回路108に取り付けることができる。導電性接着剤としては、限定はされないが、Ag粒子を含む導電性ペーストが挙げられ、エポキシ樹脂が言及される。
LEDチップを基板にボンディングするための方法に関しては、共晶ダイ接着、ポリマーベースの接着剤またははんだを用いることができる。
実施例を示すことによって本発明をさらに詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲は、これらの実施例によって決して限定されるものではない。
本発明の性能を調べるために、以下の実験を行った。
1.導電性回路の耐はんだ食われ性
耐はんだ食われ性は、回路に関する限り通常必要とされる基本的特性である。本発明のLEDデバイスが十分な耐はんだ食われ性を有することを確認するために実験を行った。具体的には、十分な耐はんだ食われ性を有する4つの試料を、本発明の試料と比較した。
耐はんだ食われ性は、回路に関する限り通常必要とされる基本的特性である。本発明のLEDデバイスが十分な耐はんだ食われ性を有することを確認するために実験を行った。具体的には、十分な耐はんだ食われ性を有する4つの試料を、本発明の試料と比較した。
(試料1)
厚膜ペーストとして銀ペーストを、DLCシートの表面にスクリーン印刷し、それによって所定の導電パターンを形成した。ペーストを150℃で10分間乾燥させ、その後200℃で30分間硬化させた。次に、ワイヤボンディングのために試料に金めっきを施した。銀ペーストおよび導電パターンの組成を表1に示す。
厚膜ペーストとして銀ペーストを、DLCシートの表面にスクリーン印刷し、それによって所定の導電パターンを形成した。ペーストを150℃で10分間乾燥させ、その後200℃で30分間硬化させた。次に、ワイヤボンディングのために試料に金めっきを施した。銀ペーストおよび導電パターンの組成を表1に示す。
(対照試料2〜5)
4つの既存の試料(QS174、5164N、6179A、6177T)を、厚膜ペーストを対照としてアルミナ板にスクリーン印刷することによって作製した。
4つの既存の試料(QS174、5164N、6179A、6177T)を、厚膜ペーストを対照としてアルミナ板にスクリーン印刷することによって作製した。
試料1および対照試料2〜5を、63Sn/37Pb液体中に5秒間浸漬した。この浸漬を、はんだ食われが生じるまで繰り返した。
耐はんだ食われ性を決定するために、蛇行形状のパターンの電気抵抗を測定した。短絡したときに、はんだ食われが生じた破損点を特定した。
表2に示すように、本発明は、従来の組合せより優れた耐はんだ食われ性を示す。
2.信頼性試験
DLCで被覆された基板上に回路が形成された試料を、回路材料の信頼性を確認するために試験することとする。本発明者らは、信頼性試験が先行技術と比較して優れた性能を示すであろうことを予測している。
DLCで被覆された基板上に回路が形成された試料を、回路材料の信頼性を確認するために試験することとする。本発明者らは、信頼性試験が先行技術と比較して優れた性能を示すであろうことを予測している。
典型的な信頼性の項目には以下が含まれる。
(1)温度条件
(2)湿度条件
(3)腐食試験
(1)温度条件
(2)湿度条件
(3)腐食試験
権利請求される回路/基板上に実装されたLEDの試料を、同様に信頼性試験に供することとする。さらなる試験項目には以下が含まれ得る。
(1)寿命特性
(2)電流条件
(3)機械的衝撃条件
(1)寿命特性
(2)電流条件
(3)機械的衝撃条件
3.熱管理性能試験
本発明において権利請求される構造を用いたLEDデバイスの熱管理性能が、他の市販されている基板および実装構造の熱管理性能を比較されることとなるように、試料を試験する。
本発明において権利請求される構造を用いたLEDデバイスの熱管理性能が、他の市販されている基板および実装構造の熱管理性能を比較されることとなるように、試料を試験する。
本発明者らは、他の市販されている基板および実装構造と比較して、本発明が、優れた熱伝導特性を含む優れた熱管理性能を示し、その結果、より優れたデバイス(LEDデバイスまたは最終用途)品質(すなわち、より長い寿命、放射効率など)が得られることを予測している。
Claims (8)
- Cuおよび/またはAlを含む基板と、
前記基板上に配置されたダイヤモンド状炭素層と、
前記ダイヤモンド状炭素層上に形成された電気回路と、
前記電気回路に電気的に接続されたLEDチップと
を含むLEDデバイス。 - 前記基板が、銅板、アルミニウム板、銅合金板およびアルミニウム合金板からなる群から選択される請求項1に記載のLEDデバイス。
- 前記基板が、アルミニウム板またはアルミニウム合金板であり、陽極酸化層が、前記基板と前記ダイヤモンド状炭素層との間に形成される請求項2に記載のLEDデバイス。
- 前記LEDチップが、前記電気回路にワイヤボンディングされる請求項1に記載のLEDデバイス。
- 前記LEDチップが、前記電気回路の表面にフリップチップボンディングされる請求項1に記載のLEDデバイス。
- 前記LEDチップが前記ダイヤモンド状炭素層上に装着される請求項1に記載のLEDデバイス。
- 請求項1に記載のLEDデバイスが光源として用いられる、液晶ディスプレイのバックパネル。
- Cuおよび/またはAlを含む基板を提供する工程と、
前記基板上に配置されたダイヤモンド状炭素層を提供する工程と、
前記ダイヤモンド状炭素層上に形成された電気回路を形成する工程と、
LEDチップを前記電気回路に電気的に接続する工程と
を含む、LEDデバイスの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83702206P | 2006-08-11 | 2006-08-11 | |
PCT/US2007/017843 WO2008021268A1 (en) | 2006-08-11 | 2007-08-10 | Led device and back panel of liquid crystal display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010500778A true JP2010500778A (ja) | 2010-01-07 |
Family
ID=38717895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009524636A Pending JP2010500778A (ja) | 2006-08-11 | 2007-08-10 | Ledデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2050146A1 (ja) |
JP (1) | JP2010500778A (ja) |
KR (1) | KR20090040374A (ja) |
CN (1) | CN101501873A (ja) |
TW (1) | TW200822399A (ja) |
WO (1) | WO2008021268A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102593294A (zh) * | 2012-03-15 | 2012-07-18 | 安徽三安光电有限公司 | 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 |
US9270924B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Television and electronic apparatus |
US9467641B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Television and electronic apparatus |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8598602B2 (en) | 2009-01-12 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
US7923739B2 (en) | 2009-06-05 | 2011-04-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8440500B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-05-14 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
US8860043B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, systems and methods |
US9111778B2 (en) * | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
CN101887942A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-11-17 | 江苏鑫钻新材料科技有限公司 | 一种安装led的金属基板及其制造方法 |
US8269244B2 (en) | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
CN102469680A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 寇崇善 | 高导热电路板及其制作方法 |
TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
WO2012109225A1 (en) | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Cree, Inc. | Components and methods for light emitting diode (led) lighting |
KR101237685B1 (ko) * | 2011-03-29 | 2013-02-26 | 삼성전기주식회사 | 방열 기판 및 그 제조방법 |
CN102983124B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-06-10 | 深圳大学 | 具有散热装置的led光源 |
CN103346242A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-09 | 苏州热驰光电科技有限公司 | 基于玻璃基板的led器件及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001004856A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Corp | 光モジュール実装基板およびその製造方法 |
US7276222B2 (en) * | 2001-01-19 | 2007-10-02 | Chevron U.S.A. Inc. | Diamondoid-containing thermally conductive materials |
US20060113546A1 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-01 | Chien-Min Sung | Diamond composite heat spreaders having low thermal mismatch stress and associated methods |
DE10393851B4 (de) * | 2002-12-09 | 2007-11-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Halbleiterelement-Wärmeableitungselement sowie Halbleitervorrichtung, in der dieses eingesetzt wird und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4283738B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2009-06-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
DE102004036960A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer solchen Leiterplatte |
-
2007
- 2007-08-10 WO PCT/US2007/017843 patent/WO2008021268A1/en active Application Filing
- 2007-08-10 JP JP2009524636A patent/JP2010500778A/ja active Pending
- 2007-08-10 KR KR1020097004952A patent/KR20090040374A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-08-10 EP EP07811260A patent/EP2050146A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-10 CN CNA2007800295843A patent/CN101501873A/zh active Pending
- 2007-08-13 TW TW96129882A patent/TW200822399A/zh unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9270924B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Television and electronic apparatus |
US9467641B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Television and electronic apparatus |
CN102593294A (zh) * | 2012-03-15 | 2012-07-18 | 安徽三安光电有限公司 | 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 |
CN102593294B (zh) * | 2012-03-15 | 2016-08-03 | 安徽三安光电有限公司 | 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200822399A (en) | 2008-05-16 |
CN101501873A (zh) | 2009-08-05 |
KR20090040374A (ko) | 2009-04-23 |
EP2050146A1 (en) | 2009-04-22 |
WO2008021268A1 (en) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010500778A (ja) | Ledデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル | |
CN107004752B (zh) | 发光装置用基板、发光装置以及照明装置 | |
JP6797797B2 (ja) | セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置 | |
US8127441B2 (en) | Method of manufacturing ceramic/metal composite structure | |
US9586382B2 (en) | Ceramic/metal composite structure | |
TW200945961A (en) | Electrical circuit board with high thermal conductivity and manufacturing method thereof | |
US20100112372A1 (en) | Component having a ceramic base the surface of which is metalized | |
KR20150099739A (ko) | 파워 모듈 | |
TWI750332B (zh) | 附有散熱片功率模組用基板 | |
TWI431727B (zh) | 用於承載電子元件之載板結構及其製作方法 | |
Kunimune et al. | Low-temperature pressure-less silver direct bonding | |
JP4104429B2 (ja) | モジュール構造体とそれを用いたモジュール | |
JP4360847B2 (ja) | セラミック回路基板、放熱モジュール、および半導体装置 | |
JP2002064169A (ja) | 放熱構造体 | |
JP2007005709A (ja) | Led照明装置用の低熱抵抗配線基板およびled照明装置 | |
JP5069485B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
US20090040418A1 (en) | LED device and back panel of liquid crystal display | |
JP3917503B2 (ja) | アルミニウム部材と銅部材の接合方法及びその接合構造物 | |
JP2011124449A (ja) | 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法 | |
TW201205882A (en) | Manufacturing method for LED light emitting device | |
JP2011199066A (ja) | 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法 | |
JP6123215B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101768330B1 (ko) | 세라믹 회로기판 및 이의 제조방법 | |
JP2011067849A (ja) | ろう材およびこれを用いて接合された放熱基体 | |
TWI422079B (zh) | 半導體發光元件之散熱座的製作方法 |