CN102593294A - 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 - Google Patents

复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102593294A
CN102593294A CN2012100679668A CN201210067966A CN102593294A CN 102593294 A CN102593294 A CN 102593294A CN 2012100679668 A CN2012100679668 A CN 2012100679668A CN 201210067966 A CN201210067966 A CN 201210067966A CN 102593294 A CN102593294 A CN 102593294A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium nitride
lattice
based semiconductor
substrate
growth substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100679668A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102593294B (zh
Inventor
庄家铭
王振祖
黄惠葵
范慧丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd filed Critical Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201610122812.2A priority Critical patent/CN105633234A/zh
Priority to CN201210067966.8A priority patent/CN102593294B/zh
Publication of CN102593294A publication Critical patent/CN102593294A/zh
Priority to PCT/CN2013/072461 priority patent/WO2013135166A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102593294B publication Critical patent/CN102593294B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。

Description

复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法。
背景技术
氮化镓基半导体材料是制备应用于半导体照明和显示器背光领域的发光器件的核心基础材料。由于缺少同质体单晶材料，GaN基材料的器件应用通常在异质衬底上进行，最常用的是蓝宝石（Al2O3）衬底，由于蓝宝石衬底不导电、硬度大、价格较高，且在蓝宝石上成长GaN的晶格不批配高达13.6%，容易造成晶格缺陷，使得成长后发光器件的发光效率降低。碳化硅（SiC）衬底相比蓝宝石与氮化镓有更好的晶格匹配关系，但其价格昂贵，且其上的GaN基发光器件工艺为个别大公司掌握，因此较难广泛商业化推广。
发明内容
针对现有氮化镓基半导体生长衬底存在的上述问题，本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包含：一基板；一晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-Like Carbon，简称DLC)构成；一晶格转换层，形成于晶格缓冲层之上，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间。
在本发明的一个优选实施例中，所述基板选用石英玻璃；所述晶格缓冲层的厚度为1~10000nm，其材料选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC；所述晶格转换层的材料为氮化物，可选自氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟，其厚度为10~10000nm。
在本发明的另一个优选实施例中，所述基板选用金属基板，可选自碳化钨基板、钨基板、碳化硅或钢材基板；在金属基板与DLC晶格缓冲层之间设置一子种子层，其材料选自铬、钛或镍所述晶格缓冲层和晶格转换层参考前一优选实施例。
根据本发明的一方面，提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成一类钻石薄膜，作为晶格缓冲层；在所述晶格缓冲层上形成一晶格转换层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间，构成复合成氮化镓生长基板。
在本明发明的优选实施例中，所述类钻石薄膜通过磁控溅镀法(magnetically sputtering method) 、离子蒸镀法(ion plating method)、电弧离子蒸镀法(arc ion plating)，或电浆辅助化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition)形成于石英玻璃上。所述晶格缓冲层的厚度为1~10000nm，其材料选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。所述晶格转换层的厚度为10~10000nm，其材料为氮化物，可选用氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟。
本发明使用类钻石膜作为晶格缓冲层，氮化物（如氮化铝）作为晶格转换层，将石英玻璃或金属基板等普通便宜基板变成可供氮化镓成长的生长衬底，克服了石英玻璃或金属基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为本发明第一实施例的结构示意图。
图2为本发明第二实施例的结构示意图。
图中各标号为：
100：石英玻璃；110，210：晶格缓冲层；120，220：晶格转换层；130，230：GaN基材料层；200：金属基板；240：种子层。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
实施例一：
如图1所示，GaN基材料层130外延生长于一种基于石英玻璃的复合式氮化镓基半导体生长衬底上。该复合式生长衬底包括：石英玻璃100，作为复合式生长衬底的基底；类钻石膜层110形成于在石英玻璃上以作为晶格缓冲层，其材料可为Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC，厚度为1~10000nm；晶格转换层120形成于晶格缓冲层110上。晶格转换层的晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间，其与氮化镓基半导体材料匹配，可采用氮化物（如氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟），在本实施例中，采用氮化铝（AlN）,厚度为10~10000nm。
前述基于石英玻璃的复合式氮化镓基半导体生长衬底的制备方法，步骤如下：
首先，提供一石英玻璃100。
下一步，在所述石英玻璃上形成一类钻石薄膜，作为晶格缓冲层110。可采用磁控溅镀法(magnetically sputtering method) 、离子蒸镀法(ion plating method)、电弧离子蒸镀法(arc ion plating)，或电浆辅助化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition)等方法。
下一步，在所述晶格缓冲层120上生长一层AlN，作为晶格转换层130，构成复合成氮化镓基半导体生长衬底。
在本实施例中，采用具有高硬度、高弹性模量、低摩擦因数、耐磨损以及良好的真空摩擦学特性的石英玻璃作为基底，在其上蒸镀一层散热性极佳的类钻石膜(DLC)，当作晶格缓冲层(crystal buffer layer)，解决了热失配问题的同时，增加了石英玻璃的结构强度与硬度，再镀上一层AlN，当作晶格转换层(crystal translation layer)，减少晶格不匹配所造成应力的影响，使得外延片生长基台MOCVD能在价格低廉的石英玻璃上生长GaN材质，大大地降低了生长衬底的成本。另外，在材料应变（strain）方面，DLC层为可逆的弹性变形，其与AlN组合，界面应力很小，有效改善复合衬底上生长的GaN基材料的质量。
实施例二：
与实施例一的不同之处主要在于本实施例采用金属基板作为复合式生长衬底的基底，在金属基板200与晶格缓冲层210之间，增加一层种子层240，其作用为磊晶基底之用，使GaN基材料能藉由此种子层顺利成长上去。
如图2所示，GaN基材料层230外延生长于一种基于金属基板的复合式氮化镓基半导体生长衬底。该复合式生长衬底其包括：金属基板200，种子层240，由类钻石薄膜构成的晶格缓冲层210，晶格转换层220。
金属基板200的熔点最好高于1000℃，可选用碳化钨基板、钨基板、碳化硅或钢材基板。种子层240位于金属基板上，其材料可选用铬、钛或镍。晶络缓冲层210位于种子层240上，材料选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。晶格转换层220位于晶格缓冲层210上，其材料为AlN。
前述基于石英玻璃的复合式氮化镓基半导体生长衬底可通过下面步骤制备。
首先，提供一钢材基板200。
下一步，在钢材基板200上蒸镀一层铬作为种子层240。
下一步，在种子层上形成一类钻石薄膜，作为晶格缓冲层210。可采用磁控溅镀法(magnetically sputtering method) 、离子蒸镀法(ion plating method)、电弧离子蒸镀法(arc ion plating)，或电浆辅助化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition)等方法。
下一步，在所述晶格缓冲层220上生长一层AlN，作为晶格转换层230，构成复合成氮化镓基半导体生长衬底。
上面的实施例中对各层材料做了列举，应注意的是，各层材料的选择并不局限此，只要是符合该层特性的材料都应是可用于实施本发明。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化。因此，所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求限定。

Claims (13)

1.复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包含：
一基板；
一晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜构成；
一晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间。
2.根据权利要求1所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述基板的材料为石英玻璃。
3.根据权利要求1所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述基板为金属基板。
4.根据权利要求3所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述金属基板选自碳化钨基板、钨基板、碳化硅或钢材基板。
5.根据权利要求3所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：还包括一种子层，其介于基板与晶格缓冲层之间。
6.根据权利要求3所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述种子层的材料选自铬、钛或镍。
7.根据权利要求1所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格缓冲层的材料选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。
8.根据权利要求1所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格转换层的材料为氮化物。
9.根据权利要求9所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格转换层的材料选自氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟。
10.复合式氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成一类钻石薄膜，作为晶格缓冲层；
在所述晶格缓冲层上形成一晶格转换层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间，构成复合成氮化镓生长基板。
11.根据权利要求10所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其特征在于：所述类钻石薄膜通过磁控溅镀法、离子蒸镀法、电弧离子蒸镀法，或电浆辅助化学气相沉积法形成于石英玻璃上。
12.根据权利要求8所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其特征在于：所述晶格缓冲层的材料选自选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。
13.根据权利要求8所述的复合式氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其特征在于：所述晶格转换层的材料选自氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟。
CN201210067966.8A 2012-03-15 2012-03-15 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 Active CN102593294B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610122812.2A CN105633234A (zh) 2012-03-15 2012-03-15 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
CN201210067966.8A CN102593294B (zh) 2012-03-15 2012-03-15 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
PCT/CN2013/072461 WO2013135166A1 (zh) 2012-03-15 2013-03-12 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210067966.8A CN102593294B (zh) 2012-03-15 2012-03-15 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610122812.2A Division CN105633234A (zh) 2012-03-15 2012-03-15 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102593294A true CN102593294A (zh) 2012-07-18
CN102593294B CN102593294B (zh) 2016-08-03

Family

ID=46481692

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610122812.2A Pending CN105633234A (zh) 2012-03-15 2012-03-15 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
CN201210067966.8A Active CN102593294B (zh) 2012-03-15 2012-03-15 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610122812.2A Pending CN105633234A (zh) 2012-03-15 2012-03-15 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN105633234A (zh)
WO (1) WO2013135166A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013135166A1 (zh) * 2012-03-15 2013-09-19 厦门市三安光电科技有限公司 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
CN104241101A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 郭东昊 p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程
CN104900773A (zh) * 2015-04-15 2015-09-09 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管结构及其制备方法
CN105023991A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 程君 一种基于无机物的led积层电路板的制造方法
CN110504229A (zh) * 2018-05-17 2019-11-26 深圳先进技术研究院 一种高导热材料及其制备方法和应用
CN111430451A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 华厦半导体(深圳)有限公司 一种氮化镓生长衬底及其制备方法
CN116247017A (zh) * 2023-02-06 2023-06-09 中国人民解放军国防科技大学 一种金刚石衬底sp3-sp2杂化成键网络层制备方法及应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI648876B (zh) * 2018-06-08 2019-01-21 進化光學有限公司 電子裝置、以及發光元件及其製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1617363A (zh) * 2004-10-26 2005-05-18 金芃 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
CN101286487A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 日本冲信息株式会社 半导体装置、led头以及图像形成装置
JP2010500778A (ja) * 2006-08-11 2010-01-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Ｌｅｄデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル
CN101887942A (zh) * 2010-06-07 2010-11-17 江苏鑫钻新材料科技有限公司 一种安装led的金属基板及其制造方法
US20110037051A1 (en) * 2007-08-10 2011-02-17 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Optimization of polishing stop design
CN202549913U (zh) * 2012-03-15 2012-11-21 安徽三安光电有限公司 复合式氮化镓基半导体生长衬底

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7132309B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-07 Chien-Min Sung Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming
US7115896B2 (en) * 2002-12-04 2006-10-03 Emcore Corporation Semiconductor structures for gallium nitride-based devices
TWI372111B (en) * 2007-12-28 2012-09-11 Ind Tech Res Inst Structural material of diamond like carbon complex films and method of manufacturing the same
CN105633234A (zh) * 2012-03-15 2016-06-01 安徽三安光电有限公司 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1617363A (zh) * 2004-10-26 2005-05-18 金芃 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
JP2010500778A (ja) * 2006-08-11 2010-01-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Ｌｅｄデバイスおよび液晶ディスプレイのバックパネル
CN101286487A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 日本冲信息株式会社 半导体装置、led头以及图像形成装置
US20110037051A1 (en) * 2007-08-10 2011-02-17 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Optimization of polishing stop design
CN101887942A (zh) * 2010-06-07 2010-11-17 江苏鑫钻新材料科技有限公司 一种安装led的金属基板及其制造方法
CN202549913U (zh) * 2012-03-15 2012-11-21 安徽三安光电有限公司 复合式氮化镓基半导体生长衬底

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013135166A1 (zh) * 2012-03-15 2013-09-19 厦门市三安光电科技有限公司 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
CN104241101A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 郭东昊 p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程
CN105023991A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 程君 一种基于无机物的led积层电路板的制造方法
CN105023991B (zh) * 2014-04-30 2018-02-23 环视先进数字显示无锡有限公司 一种基于无机物的led积层电路板的制造方法
CN104900773A (zh) * 2015-04-15 2015-09-09 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管结构及其制备方法
CN104900773B (zh) * 2015-04-15 2017-09-19 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管结构及其制备方法
CN110504229A (zh) * 2018-05-17 2019-11-26 深圳先进技术研究院 一种高导热材料及其制备方法和应用
CN111430451A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 华厦半导体(深圳)有限公司 一种氮化镓生长衬底及其制备方法
CN116247017A (zh) * 2023-02-06 2023-06-09 中国人民解放军国防科技大学 一种金刚石衬底sp3-sp2杂化成键网络层制备方法及应用
CN116247017B (zh) * 2023-02-06 2024-07-02 中国人民解放军国防科技大学 一种金刚石衬底sp3-sp2杂化成键网络层制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013135166A1 (zh) 2013-09-19
CN102593294B (zh) 2016-08-03
CN105633234A (zh) 2016-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102593294A (zh) 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
CN101924020B (zh) 半导体装置的制造方法
TWI402385B (zh) 鑽石底半導體裝置以及其相關方法
CN101515543B (zh) 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
CN105023979B (zh) 一种GaN基LED外延片及其制备方法
Qiao et al. Graphene buffer layer on SiC as a release layer for high-quality freestanding semiconductor membranes
US9058990B1 (en) Controlled spalling of group III nitrides containing an embedded spall releasing plane
CN102208337B (zh) 一种硅基复合衬底及其制造方法
US20230046307A1 (en) Epitaxial substrate with 2d material interposer, manufacturing method, and manufacturing assembly
CN112680720B (zh) 一种具有复合涂层结构的mocvd设备用基座盘及其制备方法
CN105489714A (zh) 一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用
US20120183767A1 (en) Hexagonal reo template buffer for iii-n layers on silicon
CN102255020B (zh) 一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法
CN202549913U (zh) 复合式氮化镓基半导体生长衬底
CN108878266A (zh) 一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
CN106848017B (zh) 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法
CN100593247C (zh) 发光二极管的制造方法
CN111477534B (zh) 氮化铝模板及其制备方法
CN101661876A (zh) 一种制备氮化物自支撑衬底的方法
CN101924021A (zh) 半导体装置及其制造方法和发光器件
Soomro et al. Modified pulse growth and misfit strain release of an AlN heteroepilayer with a Mg–Si codoping pair by MOCVD
TWI698915B (zh) 雲母片上異質磊晶半導體材料之製程方法
CN106783553A (zh) 石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法
CN110938869A (zh) 一种在蓝宝石上外延GaN层的方法
CN110828292A (zh) 基于复合衬底的半导体器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Zhuang Jiaming

Inventor after: Xu Chenke

Inventor after: Huang Huikui

Inventor after: Fan Huili

Inventor before: Zhuang Jiaming

Inventor before: Wang Zhenzu

Inventor before: Huang Huikui

Inventor before: Fan Huili

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: ZHUANG JIAMING WANG ZHENZU HUANG HUIKUI FAN HUILI TO: ZHUANG JIAMING XU CHENKE HUANG HUIKUI FAN HUILI

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant