JP2010283525A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】信号電荷のオーバーフローによる信号出力のダイナミックレンジの低下を防止する。
【解決手段】フォトダイオード11と、フォトダイオード11で発生する信号電荷を電圧信号に変換した後に読み出す信号読み出し部20と、フォトダイオード11で発生する信号電荷がオーバーフローしたことを検知するオーバーフロー検知部30と、フォトダイオード11信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に相当する情報を生成し、オーバーフロー検知部30によりオーバーフローが検知された際にこの情報を読み出す経過時間情報読み出し部40とを具備する。
【選択図】 図3
【解決手段】フォトダイオード11と、フォトダイオード11で発生する信号電荷を電圧信号に変換した後に読み出す信号読み出し部20と、フォトダイオード11で発生する信号電荷がオーバーフローしたことを検知するオーバーフロー検知部30と、フォトダイオード11信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に相当する情報を生成し、オーバーフロー検知部30によりオーバーフローが検知された際にこの情報を読み出す経過時間情報読み出し部40とを具備する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなど、光信号を電気信号に変換し、撮像面に投影された像を電気的に読み出す撮像素子を用いた撮像装置に関する。
従来のCCDイメージセンサやCMOSイメージセンサでは、撮像面に配置された画素の中の撮像素子(フォトダイオード)が、光電変換によって受光光量に比例した電荷を発生し、画素毎の信号電荷を読み出すことで受光面における画像を電気信号として再生している。
CCDイメージセンサとCMOSイメージセンサの最も大きな相違点は、信号電荷の読み出し方式にある。CCDイメージセンサでは発生した電荷を電荷結合素子(Charge Coupled Device、CCD)で電荷のまま増幅アンプ部まで転送して読み出す方式であり、CMOSイメージセンサでは発生した電荷をその画素内で増幅アンプによって電圧に変換し、この電圧を、信号読み出しを制御する回路によってスイッチングを行いながら画素毎に読み出すという方式の違いがある。CCDイメージセンサ及びCMOSイメージセンサではそれぞれ長所と短所があり、現在ではどちらの方式も使われている。
このように大きく分けて2種のイメージセンサが存在しているが、どちらも光信号に比例してフォトダイオードで発生される信号電荷を読み出しているため、捉えられる光強度信号のダイナミックレンジが狭いという短所が原理的に存在する。すなわち、光量に線形に比例して信号電荷は増大するが、光電変換部のフォトダイオードで蓄積できる電荷量には限度があり、これが受光画像のダイナミックレンジの最大値を決める。また、信号電荷をある分解能で読み出すことを考えたとき、分解能のLSB(Least Significant Bit)がダイナミックレンジの最小値を決める。さらにフォトダイオードには通常暗電流が存在しており、この値の画素間のばらつきや温度特性から、最も暗いときの情報は最小感度であるところの1LSBまでの精度では読み出せないというのが一般的である。
こうした電荷の飽和や最小感度限界の問題は、画像としては「白飛び」や「黒つぶれ」として表れる。飽和して白飛びした箇所の画像情報は、飽和した白であるという情報しか持たず、その明度の階調情報や、カラーの場合にはその隣接する3色の画素の強度割合、すなわち色調に関する情報などのディテールが失われてしまう。また、カラーで撮像した画像で、隣接する3原色の1色ないしは2色の画素情報が飽和し、残りの色の画素が飽和していないような場合には、実際の色とは異なる色が表現されてしまうという問題がある。また、最小感度の限界の問題は、あるノイズレベル以下の画素の情報は一律で0であること、すなわち画像としては「黒つぶれ」として表れ、黒つぶれした箇所の画像情報はどの程度暗いかという情報を持たず、一律に0レベルの黒であるという情報しか持たないため、そのディテールが失われてしまう。
この「白飛び」と「黒つぶれ」に対する通常の対策は相反した結果につながる。すなわち、ある画像において白飛びを防ごうとして絞りを絞り込んだり、露出時間を短くしたりすると、暗い場所がより黒つぶれしやすくなり、逆に黒つぶれを防ごうと絞りを開いたり、露出時間を長くしたりすると明るい箇所がより白飛びしやすくなってしまう。
このような現象(短所)は、従来のフィルム撮影と比べて大きく劣る部分であり、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサを利用した撮像機器においては一般的な現象であるため、この問題を解消し、限定された信号出力のダイナミックレンジを拡大するために、現在までに様々な方法が提唱されている。
こうした信号出力のダイナミックレンジを拡大するために現在提唱されているいくつかの方策例を以下に挙げる。なお、下記の方策例(1)〜(5)については、例えば非特許文献1に開示されている。
(1)デュアルサンプリング:蓄積時間を変えて2回サンプリングし、この2つの画像を合成してダイナミックレンジの広い画像を得る。信号の同時性の問題を本質的に有しており、動体の撮影で短所となる。デュアルサンプリングを適用した具体例としては、例えば特許文献1に開示されているものが知られている。
(2)対数変換:MOSトランジスタのドレイン電流とゲート・ソース間電圧が対数特性を示すことを利用し、画素の中で対数変換を行う。光信号が小さいときの応答性や暗時オフセットの指数伸張(低いレベルが指数拡大されるため、暗レベルのばらつきによる固定パターンノイズが拡大される)の問題がある。
(3)蓄積容量変調方式:光信号の強度に応じて信号電荷を蓄積するFD(Floating Diffusion)容量を変調する方式。ダイナミックレンジの上限範囲が、FD容量に持たせられるキャパシタンス値の上限で物理的に決まってしまう。
(4)画素内A/Dコンバータと複数回サンプリング:画素内にA/D変換機能をもたせ、蓄積時間を変化させて、信号レベルに応じて分解能を変化させる方式。画素内に素子を多く配置しなければならない問題がある。
(5)画素内アナログ処理方式:デュアルサンプリングの方式を画素の中でアナログ的に演算して行う。(1)と同様に信号の同時性の問題を本質的に有しており、動体の撮影で短所となる。
以上のように、従来の撮像装置ではダイナミックレンジが限られており、その結果、得られる画像に白飛びや黒つぶれが発生するという問題を有している。また、これに対処するためのいくつかの対策がなされているが、いずれの場合にもそれぞれ長所もあるが短所も有している。
米本和也著「CCD/CMOSイメージ・センサの基礎と応用」CQ出版社 2003年8月10日発行
本発明は、上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、簡単な回路構成によってダイナミックレンジを広げることができる撮像装置を提供することにある。
本発明の撮像装置は、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部で発生する信号電荷もしくは信号電荷を電圧信号に変換した後に読み出す信号読み出し部と、前記光電変換部で発生する信号電荷がオーバーフローしたことを検知するオーバーフロー検知部と、前記光電変換部で前記信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に相当する情報を生成し、前記オーバーフロー検知部によりオーバーフローが検知された際にこの情報を読み出す経過時間情報読み出し部とを具備したことを特徴する。
本発明の撮像装置は、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部で発生する信号電荷を蓄積し、前記光電変換部における単位変換期間の終了後に信号電荷を読み出すCCDからなる信号電荷転送部と、前記光電変換部からオーバーフローする電荷を蓄積し、前記光電変換部における単位変換期間内に電荷の読み出し動作を複数回行なうCCDからなるオーバーフロー電荷転送部とを具備したことを特徴とする。
本発明によれば、簡単な回路構成によってダイナミックレンジを広げることができる撮像装置を提供することができる。
まず、本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の原理について説明する。
図1(a)は、従来の撮像装置における画素内のフォトダイオードの信号電荷蓄積時間tと蓄積電荷Qとの関係を示している。単位変換期間である1蓄積時間内において蓄積電荷量が飽和レベルに達すると、フォトダイオードではそれ以上の信号電荷を蓄積することができず、いわゆる「白とび」が発生し、その画素は白とび画素となる。他方、1蓄積時間内において蓄積電荷量が低いレベルであると、いわゆる「黒つぶれ」が発生し、その画素は黒つぶれ画素となる。白とび画素と黒つぶれ画素の間に存在する画素が正常画素である。
本発明の種々の実施形態に係る撮像装置では、画像を撮像した際にフォトダイオードで信号電荷の飽和が発生していない場合には、従来の撮像装置となんら変わるところがなくフォトダイオードで光電変換された信号電荷がそのまま読み出される。
図1(a)に示すように、蓄積電荷の飽和が発生した場合、どの程度の光量で飽和したのかが、飽和したフォトダイオードの信号電荷量を比較しても区別がつかない。そこで、本発明の種々の実施形態の撮像装置では、この飽和の程度を見分けるために、1蓄積時間の中でその経過時間を計測し、飽和が発生したタイミングで経過時間の計測を停止し、経過時間に相当する経過時間情報を読み出し、どの程度の光量で飽和したのかを算出するためにこの経過時間情報を用いる。なお、経過時間情報はアナログ信号でもデジタル信号でもよい。
例えば1蓄積時間の半分の経過時間で飽和が発生したのであれば、その光量はその画素から得られた飽和光量信号の2倍であり、100分の1の経過時間で飽和したのであればその光量はその画素から得られた信号の100倍である。一般的には、1蓄積時間のX分の1の経過時間で飽和が発生したのであれば、その光量はその画素から得られた飽和光量信号のX倍となる。
図1(b)は、上段に1蓄積時間tとフォトダイオードの出力Q0との関係を示し、下段に1蓄積時間tと経過時間情報との関係を示している。上段に示すように(1)、(2)、(3)の信号の順に飽和レベルに達する時間が長くなっている。ここで、例えば(1)の信号を出力するフォトダイオードに注目すると、1蓄積時間内の経過時間を最大値nのカウンタで与えることを考え、1蓄積時間をnとする。(1)の信号はこのカウント値がm(m<n)のときに飽和しているので、(1)の信号のフォトダイオードで本来得られるべき出力Q0は飽和レベルにn/mを乗じた値であることがわかる。
すなわち実際の光強度Iは、フォトダイオードで検出された飽和値から求められる光強度をI0とすると、I=I0×n/mとなる。
図2は、本発明の種々の実施形態に係る撮像装置において、例えば、経過時間情報をカウンタを用いてデジタル信号として計測する場合に、カウンタの最大値を20(n=20)とし、カウント値mが変わったときの当該画素の飽和値に乗ずるべき値(倍率)の変化の一例とその倍率を算出した結果を示している。例えば、カウント値mが10の場合には、当該画素から読み出される信号電荷の飽和値に2.00の倍率を乗じることにより、画素に照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。
次に本発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図3は、本発明の撮像装置をCMOSイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCMOSイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図3では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。画素10内には、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部であるフォトダイオード11が設けられている。フォトダイオード11で光電変換された信号電荷は、信号読み出し部20により電圧信号に変換され、CMOSイメージセンサ出力として読み出される。信号読み出し部20は、フォトダイオード11に接続されたスイッチ21、スイッチ21を介して供給される信号電荷を電圧信号に変換する容量22、容量22で変換された電圧信号を増幅する増幅器23、増幅器23に接続されたスイッチ24により構成されている。
図3は、本発明の撮像装置をCMOSイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCMOSイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図3では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。画素10内には、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部であるフォトダイオード11が設けられている。フォトダイオード11で光電変換された信号電荷は、信号読み出し部20により電圧信号に変換され、CMOSイメージセンサ出力として読み出される。信号読み出し部20は、フォトダイオード11に接続されたスイッチ21、スイッチ21を介して供給される信号電荷を電圧信号に変換する容量22、容量22で変換された電圧信号を増幅する増幅器23、増幅器23に接続されたスイッチ24により構成されている。
フォトダイオード11の素子面積には制約があるので、強度の光が照射されるとフォトダイオード11で信号電荷のオーバーフローが発生することがある。フォトダイオード11からオーバーフローした電荷は、オーバーフロー検知部30により検知される。オーバーフロー検知部30は、ツェナーダイオード31、容量32、及び高利得(ハイゲイン)の増幅器33等によって構成されている。フォトダイオード11から電荷がオーバーフローすると、ツェナーダイオード31を介して容量32に電荷が蓄積されて電圧信号に変換され、増幅器33で増幅されることによりオーバーフローフラグOFが出力される。
また、図3のCMOSイメージセンサでは、フォトダイオード11の1蓄積時間の中でその経過時間を計測しかつ読み出す手段として経過時間情報読み出し部40が設けられている。経過時間情報読み出し部40は、フォトダイオード11で信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に相当する情報を生成し、オーバーフロー検知部30からオーバーフローフラグOFが出力された際の上記情報を読み出すものであり、本例では、画素10の外部に設けられているアナログ信号出力回路41と、各画素10内に設けられているアナログ信号保持/読み出し回路42とからなる。
アナログ信号出力回路41は、フォトダイオード11の1蓄積時間内でランプ関数状に変化するアナログ信号ASを出力するものであり、例えば、一定周期のパルス信号を出力する発振回路43、発振回路43から出力されるパルス信号をカウントしてデジタル信号を出力するカウンタ回路44、カウンタ回路44から出力されるデジタル信号をA/D変換してランプ関数状に変化するアナログ信号を出力するA/D変換器45、及びA/D変換器45の出力を増幅して複数の画素10に供給する増幅器46により構成されている。
アナログ信号保持/読み出し回路42は、オーバーフロー検知部30からオーバーフローフラグOFが出力された際のアナログ信号ASを保持し、経過時間情報TDとして読み出すものであり、アナログ信号出力回路41から出力されるアナログ信号ASを増幅する増幅器47、この増幅器47の出力をオーバーフローフラグOFに基づいてサンプル/ホールドするサンプル/ホールド回路(アナログ信号保持回路)48、及びサンプル/ホールド回路48の出力を経過時間情報TDとして読み出すスイッチ49により構成されている。なお、サンプル/ホールド回路48は、例えば、抵抗51と容量52からなり増幅器47の出力を一定の時定数で充電する充電回路、抵抗51と容量52との間に挿入されオーバーフローフラグOFに基づいて制御されるスイッチ53、及び充電回路の充電電圧を増幅する増幅器54等により構成されている。
すなわち、本実施形態のCMOSイメージセンサでは、1蓄積時間内の経過時間を計測するための信号として、例えばランプ関数状に変化するアナログ信号を用いるようにしたものである。しかし、アナログ信号はランプ関数状に変化する波形に限定されない。このアナログ信号の値が1蓄積時間の最後で想定した最大値となるように、発振回路43の周波数等が適宜選択される。また、図3のCMOSイメージセンサは、電子シャッタ駆動によりグローバル露光(全ての画素を同じ期間中に蓄積動作を行う露光)で動作していることを前提としている。
図3のCMOSイメージセンサにおいて、ある1画素(フォトダイオード11)の出力が飽和すると、蓄積された電荷があふれオーバーフローを起こす。このあふれた電荷は隣の画素に漏れ込み、悪影響を及ぼすことがあり、通常はセンサの基板内に廃棄される。本実施形態では、フォトダイオード11からあふれた電荷をオーバーフロー検知部30内の小さな容量32に蓄えて電圧に変換し、高利得の増幅器33で増幅して飽和を検知するオーバーフローフラグOFとして利用する。
オーバーフローフラグOFが発生すると、ランプ関数状に変化するアナログ信号ASをサンプル/ホールド回路48でホールドする。すなわち、オーバーフローフラグOFが発生したときにサンプル/ホールド回路48内のスイッチ53を開き、充電回路の充電動作を停止させる。オーバーフローフラグOFが発生しない場合には、1蓄積時間の最後にホールド信号を発生させてランプ関数状のアナログ信号の最後の値をサンプル/ホールド回路48でホールドさせる。なお、サンプル/ホールド回路48は1蓄積時間の最初には必ずサンプルモードに入れるものとする。
CMOSイメージセンサでは、その読み出しの仕組みから、サンプル/ホールド回路48でホールドされたアナログ信号(経過時間情報TD)は画素信号と同様に読み出すことができる。すなわち、経過時間情報TDは、信号読み出し部20によるCMOSセンサの読み出しと同様に、どの画素信号を読み出すかを制御する垂直及び水平走査回路の出力に基づいてスイッチ49を制御して読み出しを行えばよい。
上記のようにして各画素から読み出された経過時間情報TDを用いて、図1及び図2で説明したように、各画素から読み出される信号電荷の飽和値に経過時間情報TDに基づく倍率を乗じる演算を施すことにより、各画素に照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。この結果、本実施形態によればダイナミックレンジを広げることができる。しかも、簡単な回路の追加によって実現できる。
なお、本実施形態のCMOSイメージセンサは電子シャッタ駆動によるグローバル露光を前提としている。しかし、そうでないライン露光の場合はライン毎に信号電荷の蓄積タイミングがずれてくる。このため、サンプル/ホールド回路48でホールドされる経過時間情報TDは、ライン毎にタイミングがずれた分だけ補正する必要がある。またはライン毎にタイミングを少しずつずらしたランプ状波形を入力する必要があり、この場合はラインの数だけ時間計測用のアナログ信号を発生させるようにすればよい。
また、本実施形態では、オーバーフロー検知部30は、容量32により変換された電圧信号を高利得の増幅器33で増幅することによってオーバーフローを検知する場合について説明した。しかし、容量32により変換された電圧信号がある一定のスレッショルドに達したことを検知して、オーバーフローフラグの代わりとしてもよい。この方法は画素内で電荷を電圧に変換して読み出すCMOSイメージセンサに適用することができる。
(第2の実施形態)
図4は、本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCCDイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図4では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。なお、図3に示す第1の実施形態のCMOSイメージセンサと対応する箇所には同じ符号を付して重複する説明は避ける。
図4は、本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCCDイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図4では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。なお、図3に示す第1の実施形態のCMOSイメージセンサと対応する箇所には同じ符号を付して重複する説明は避ける。
CCDイメージセンサの場合には、電荷をアナログ的にシフトするCCDによる転送を利用することができる。すなわち、本例では、信号読み出し部20は、フォトダイオード11に接続されたスイッチ21と、垂直及び水平CCDレジスタ25とから構成されている。また、アナログ信号保持/読み出し回路42は、アナログ信号ASを増幅する増幅器47、増幅器47の出力をオーバーフローフラグOFに基づいてサンプル/ホールドするサンプル/ホールド回路(アナログ信号保持回路)48、及びサンプル/ホールド回路48の出力を経過時間情報TDとして読み出す垂直及び水平CCDレジスタ55により構成されている。この場合、サンプル/ホールド回路48は、増幅器47の出力を電荷の状態でサンプル/ホールドするものであり、例えば、一端が増幅器47の出力ノードに接続された抵抗56、一端が一定のアナログ電圧VADのノードに接続され、抵抗56と共に充電回路を構成する容量57、及び抵抗56と容量57の他端相互間に挿入され、オーバーフローフラグOFに基づいて制御されるスイッチ58によって構成されている。
本実施形態のCCDイメージセンサでは、フォトダイオード11で光電変換された信号電荷は、信号読み出し部20内のスイッチ21を介して、まず、垂直及び水平CCDレジスタ25の垂直CCDレジスタに電荷の状態で送られ、その後、垂直CCDレジスタ内で順次転送されて水平CCDレジスタに送られ、さらに水平CCDレジスタ内で順次転送された後、アンプ部に導かれ、電圧信号に変換される。
オーバーフローフラグOFが発生したときは、ランプ関数状に変化するアナログ信号ASをサンプル/ホールド回路48でホールドする。すなわち、オーバーフローフラグOFが発生したときにサンプル/ホールド回路48内のスイッチ58を開き、充電回路の充電動作を停止させる。オーバーフローフラグOFが発生しない場合には、1蓄積時間の最後にホールド信号を発生させてランプ関数状のアナログ信号の最後の値をサンプル/ホールド回路48でホールドさせる。なお、サンプル/ホールド回路48は1蓄積時間の最初には必ずサンプルモードに入れるものとする。図3の場合とは異なり、増幅器54が設けられていないので、経過時間情報TDは容量57に電荷の状態で保持される。容量57に保持された経過時間情報TDは、信号読み出し部20による場合と同様に、まず、垂直及び水平CCDレジスタ55の垂直CCDレジスタに電荷の状態で送られ、その後、垂直CCDレジスタ内で順次転送されて水平CCDレジスタに送られ、さらに水平CCDレジスタ内で順次転送された後、アンプ部に導かれ、電圧信号に変換される。
上記のようにして各画素から読み出された経過時間情報TDを用いて、図1及び図2で説明したように、各画素から読み出される信号電荷の飽和値に経過時間情報TDに基づく倍率を乗じる演算を施すことにより、各画素に照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。この結果、本実施形態によれば、ダイナミックレンジを広げることができる。しかも、簡単な回路の追加によってこれを実現できる。
(第3の実施形態)
第1、第2の実施形態の撮像装置では、各画素に供給する経過時間を計測するための信号としてアナログ信号を用いている。これは画素内の素子配置スペースが限られている場合に有効である。しかし、画素内の素子配置スペースに余裕があればデジタル信号を用いることもできる。
第1、第2の実施形態の撮像装置では、各画素に供給する経過時間を計測するための信号としてアナログ信号を用いている。これは画素内の素子配置スペースが限られている場合に有効である。しかし、画素内の素子配置スペースに余裕があればデジタル信号を用いることもできる。
図5は、本発明の撮像装置を、1蓄積時間内の経過時間を計測するための信号としてデジタル信号を用いたCMOSイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCMOSイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図5では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。なお、図3に示す第1の実施形態のCMOSイメージセンサと対応する箇所には同じ符号を付して重複する説明は避ける。
図5のCMOSイメージセンサにおいて、フォトダイオード11の1蓄積時間の中でその経過時間を計測しかつ読み出す手段である経過時間情報読み出し部40は、画素10の外部に設けられているクロック信号発生回路61と、各画素10内に設けられているデジタル信号保持/読み出し回路62とからなる。
クロック信号発生回路61は、例えば、一定周期のパルス信号を出力する発振回路63と、発振回路63から出力されるパルス信号をカウントしてクロック信号CKを出力するカウンタ回路64とから構成されている。
デジタル信号保持/読み出し回路62は、クロック信号発生回路61から出力されるクロック信号CKをカウントして1蓄積時間の中でその経過時間を計測し、オーバーフロー検知部30からオーバーフローフラグOFが出力された際のカウント値を経過時間情報TDとして保持し、読み出すものであり、デジタル信号保持回路64と、デジタル信号読み出し回路65とから構成されている。さらに、デジタル信号保持回路64は、クロック信号発生回路61から出力されるクロック信号CKとオーバーフローフラグOFとが入力されるゲート回路(ANDゲート)66と、このゲート回路66の出力信号がクロック入力端子に供給されるカウンタ回路67とを有する。カウンタ回路67はリセット信号RSによってカウント状態がリセットされる。カウンタ回路67の複数ビットからなるカウント値(パラレルデジタル信号)はデジタル信号読み出し回路65に供給される。デジタル信号読み出し回路65は、カウンタ回路67から出力されるパラレルデジタル信号をシリアルデジタル信号に変換するシフトレジスタ回路68と、データ出力イネーブル信号EN及び読み出し用クロック信号RDが入力され、シフトレジスタ回路68のクロック入力端子にシフト用クロック信号を供給するゲート回路(ANDゲート)69と、シフトレジスタ回路68のシリアルデジタル信号出力を経過時間情報TDとして読み出すスイッチ70とを有する。
なお、本実施形態のCMOSイメージセンサは、第1、第2の実施形態のCMOSイメージセンサの場合と同様に、電子シャッタ駆動により、グローバル露光で動作することを前提としている。
本実施形態のCMOSイメージセンサにおいて、フォトダイオード11の1蓄積時間が開始されると、カウンタ回路67はクロック信号発生回路61から出力されるクロック信号CKを順次カウントし、そのカウント値が上がっていく。このカウント値を時間計測信号とする。なお、カウンタ回路67によるカウント値の最大値が1蓄積時間の最後に想定した最大値となるように、クロック信号CKの周波数が制御される。
オーバーフローフラグOFが発生すると、ゲート回路66が閉じてカウンタ回路67へのクロック信号CKの供給が停止し、カウンタ回路67のカウント値も停止する。1蓄積時間内でオーバーフローフラグOFが発生しない場合、カウンタ回路67のカウント値は最後の値(最大値)で止まるものとする。この後、ゲート回路69からシフト用クロック信号が供給されることにより、カウンタ回路67のカウント値(パラレルデジタル信号)がシフトレジスタ回路68によりシリアルデジタル信号に変換され、かつスイッチ70を介して経過時間情報TDとして読み出される。なお、カウンタ回路67のカウント値は、リセット信号RSにより1蓄積時間の最初にリセットされる。
上記のようにして各画素から読み出された経過時間情報TDを用いて、図1及び図2で説明したように、各画素から読み出される信号電荷の飽和値に経過時間情報TDに基づく倍率を乗じる演算を施すことにより、各画素に照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。この結果、本実施形態によればダイナミックレンジを広げることができる。しかも、簡単な回路の追加によってこれを実現できる。
なお、本実施形態では、カウンタ回路67のカウント値であるパラレルデジタル信号をシフトレジスタ回路68によりシリアル信号に変換した後に読み出す場合を説明した。しかし、シフトレジスタ回路68を設けずに、カウンタ回路67のパラレルデジタル信号をデータバス上に出力し、各画素の経過時間情報TDをこのデータバスから読み込むように変形してもよい。
また、第1の実施形態の場合と同様に、フォトダイオード11からオーバーフローした電荷を容量32により電圧信号に変換し、この電圧信号がある一定のスレッショルドに達したことを検知して、オーバーフローフラグの代わりとしてもよい。
さらに、本実施形態では、各画素10内にカウンタ回路67を有するデジタル信号保持回路64を設け、各画素10内で経過時間情報TDを生成する場合について説明した。しかし、素子内部のスペース上許容されるならば、直接時間信号としてパラレルのデータを供給し、これを各画素10内においてオーバーフローフラグOFによってラッチするように変形してもよい。
(第4の実施形態)
図6は、本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCCDイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図6では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。なお、図4に示す第2の実施形態のCCDイメージセンサと対応する箇所には同じ符号を付して重複する説明は避ける。
図6は、本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図である。本実施形態のCCDイメージセンサは複数の画素が配列された画素アレイ及び制御回路を有し、図6では画素アレイ中の1個の画素と制御回路の一部の構成を示している。なお、図4に示す第2の実施形態のCCDイメージセンサと対応する箇所には同じ符号を付して重複する説明は避ける。
本実施形態のCCDイメージセンサでは、フォトダイオード11の1蓄積時間の中でその経過時間を計測しかつ読み出す手段である経過時間情報読み出し部40が、それぞれ各画素10内に設けられ、一定のアナログ電圧を一定の時定数で充電し、オーバーフロー検知部30によりオーバーフローが検知された際の充電電荷を保持する電荷保持回路81と、この電荷保持回路81の保持電荷を経過時間情報TDとして読み出す垂直及び水平CCDレジスタ82とから構成されている。
さらに、電荷保持回路81は、一端が電源電圧VDDのノードに接続された抵抗83、一端が一定のアナログ電圧VADのノードに接続され、抵抗83と共に充電回路を構成する容量84、抵抗83と容量84の他端相互間に挿入され、オーバーフローフラグOFに基づいて制御されるスイッチ85、及び容量84と接地電位との間に挿入された電荷リセット用のスイッチ86によって構成されている。
本実施形態のCCDイメージセンサは、経過時間計測のためのアナログ信号を発生するための回路とその入力配線を削減するようにしたものである。すなわち、各画素10には内部素子を駆動するための電源が引かれており、この電源により充電回路(抵抗83及び容量84)を充電する際の信号波形を、経過時間計測用のアナログ信号波形として利用する。
1蓄積時間の最初にスイッチ86を閉じることにより容量84の電荷がリセットされる。リセット解除後にスイッチ85が閉じられ、充電回路が一定の電源電圧VDDにより充電を開始する。充電開始後の容量84の電圧波形Vは一般に次の式で与えられる。
V=VDD(1−exp(−t/τ0))
但し、VDDは電源電圧、τ0は充電回路の時定数でτ0=RC(Rは容量84の値、Cは抵抗83の値)、tは経過時間である。この電圧波形の飽和が始まる前は時間にほぼ比例した電圧増加を示し、経過時間計測の基準として利用することができる。この充電回路の容量84への充電経路をオーバーフローフラグOFの発生時に、スイッチ85を開くことによって遮断し、容量84の充電電荷をホールドすれば、簡単なアナログ信号のサンプル/ホールド回路として使用することができる。飽和が始まる前の時間としてのおおよその目安としては、例えば時定数τ0(=RC)を用いればよい。例えばτ0=1msとなるようなR、Cのおおよその目安としては、C=100pF、R=10MΩとなる。
但し、VDDは電源電圧、τ0は充電回路の時定数でτ0=RC(Rは容量84の値、Cは抵抗83の値)、tは経過時間である。この電圧波形の飽和が始まる前は時間にほぼ比例した電圧増加を示し、経過時間計測の基準として利用することができる。この充電回路の容量84への充電経路をオーバーフローフラグOFの発生時に、スイッチ85を開くことによって遮断し、容量84の充電電荷をホールドすれば、簡単なアナログ信号のサンプル/ホールド回路として使用することができる。飽和が始まる前の時間としてのおおよその目安としては、例えば時定数τ0(=RC)を用いればよい。例えばτ0=1msとなるようなR、Cのおおよその目安としては、C=100pF、R=10MΩとなる。
容量84に保持された電荷(経過時間情報TD)は画素信号と同様に読み出すことができる。すなわち、経過時間情報TDは、信号読み出し部20によるCCDイメージセンサの読み出しと同様に、まず、垂直及び水平CCDレジスタ82の垂直CCDレジスタに電荷の状態で送られ、その後、垂直CCDレジスタ内で順次転送されて水平CCDレジスタに送られ、さらに水平CCDレジスタ内で順次転送された後、アンプ部に導かれ、電圧信号に変換される。
上記のようにして各画素から読み出された経過時間情報TDを用いて、図1及び図2で説明したように、各画素から読み出される信号電荷の飽和値に経過時間情報TDに基づく倍率を乗じる演算を施すことにより、各画素に照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。この結果、本実施形態によればダイナミックレンジを広げることができる。しかも、簡単な回路の追加によりこれを実現できる。しかも、本実施形態では、各画素の外部に余分な回路を設ける必要がないので、回路構成がより簡単にできる。
(第5の実施形態)
図7(a)は本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図であり、図7(b)はその動作を説明するためのポテンシャル図である。図7(a)に示すように複数のフォトダイオードPDが一列に配列されている。これら複数のフォトダイオードPDはそれぞれ、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部を構成している。また、複数のフォトダイオードPDの配列の一方向側には、複数のフォトダイオードPDの配列に沿うように複数のストレージSTが一列に配列されている。複数のストレージSTの配列に沿うようにCCD転送部CCD1が配置されている。さらに、複数のフォトダイオードPDの配列の他方向側には、複数のフォトダイオードPDの配列に沿うように複数のオーバーフローストレージOF−STが一列に配列されている。また、複数のオーバーフローストレージOF−STの配列に沿うようにオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDが配置されている。CCD転送部CCD1及びオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDの先端部には、電荷を電圧信号に変換して出力するアンプ部AMP1、AMP2がそれぞれ配置されている。
図7(a)は本発明の撮像装置をCCDイメージセンサに実施した場合の回路図であり、図7(b)はその動作を説明するためのポテンシャル図である。図7(a)に示すように複数のフォトダイオードPDが一列に配列されている。これら複数のフォトダイオードPDはそれぞれ、照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部を構成している。また、複数のフォトダイオードPDの配列の一方向側には、複数のフォトダイオードPDの配列に沿うように複数のストレージSTが一列に配列されている。複数のストレージSTの配列に沿うようにCCD転送部CCD1が配置されている。さらに、複数のフォトダイオードPDの配列の他方向側には、複数のフォトダイオードPDの配列に沿うように複数のオーバーフローストレージOF−STが一列に配列されている。また、複数のオーバーフローストレージOF−STの配列に沿うようにオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDが配置されている。CCD転送部CCD1及びオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDの先端部には、電荷を電圧信号に変換して出力するアンプ部AMP1、AMP2がそれぞれ配置されている。
ここで、図7(b)のポテンシャル図に示すように、複数のフォトダイオードPDで発生した信号電荷は、複数のストレージSTをそれぞれ介してCCD転送部CCD1に転送された後、さらにCCD転送部CCD1内を順次転送され、アンプ部AMP1により電圧信号に変換される。同様に、複数のフォトダイオードPDで発生し、オーバーフローした電荷は、複数のオーバーフローストレージOF−STそれぞれ介してオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDに転送された後、さらにオーバーフロー用CCD転送部OF−CCD内を順次転送され、アンプ部AMP2により電圧信号に変換される。
通常のCCD方式による画像信号読み出しでは、PD→ST→CCD1の経路で電荷が転送される。すなわち、1蓄積時間(単位変換期間)が終了すると、各フォトダイオードPDに蓄えられた信号電荷は、フォトダイオードPDとストレージSTとの間の障壁を下げることで、ストレージSTに転送され、この後、ストレージSTとCCD転送部CCD1との間の障壁を下げることで、CCD転送部CCD1に転送される。CCD転送部CCD1は、通常、水平CCDと垂直CCDからなり、ストレージSTから転送された信号電荷は水平CCD内で転送された後、垂直CCDに転送され、さらに垂直CCD内で転送される。なお、ストレージSTは省略する場合もある。
各フォトダイオードPDとオーバーフローストレージOF−STとの間には一定の電位障壁がある。フォトダイオードPDに蓄積可能な信号電荷の量はこの電位障壁で決まる。フォトダイオードPDでこの電位障壁を越えるような電荷が発生すると、電荷がオーバーフローし、オーバーフローストレージOF−STに蓄積される。この後、オーバーフローストレージOF−STとオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDとの間の障壁を下げることで、オーバーフローストレージOF−STの電荷がオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDに転送される。オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDも、水平CCDと垂直CCDからなり、オーバーフローストレージOF−STから転送された電荷は水平CCD内で転送された後、垂直CCDに転送され、さらに垂直CCD内で転送される。
ここで、CCD転送部CCD1は、フォトダイオードPDにおける単位変換期間の終了後に信号電荷を読み出す。これに対し、オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDは、フォトダイオードPDにおける単位変換期間内に電荷の読み出し動作を複数回行なう。すなわち、オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDは、信号読み出しを1蓄積時間よりも速い速度で行なう。例えば、図8の波形図に示すように、オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDは、1蓄積時間内に信号読み出し(スキャン)を21回行なう。図8の例では1蓄積時間の中に21回のスキャンを行う。すなわち、1蓄積時間内の時間分解能1/21で飽和発生時の経過時間を計測するものと同等になる。この信号読み出し回数は21回には限定されないが、読み出し回数が多い程、変換開始後からフォトダイオードPDでオーバーフローが発生するまでの経過時間を高精度に計測できる。
図8(a)に示すように、1蓄積時間内にフォトダイオードPDである傾きを持って信号電荷が蓄えられていくとすると、図示した飽和レベルに達するのは14スキャン目であり、飽和後は図8(c)に示すように、スキャン毎にオーバーフローした電荷がオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDから読み出される。
一方、図8(b)は図8(a)の場合よりも光強度が強い場合であり、フォトダイオードPDでは図8(a)よりも早いタイミングで飽和が発生する。図示の例では8スキャン目で飽和が始まっており、飽和後は図8(d)に示すように、スキャン毎にオーバーフローした電荷がオーバーフロー用CCD転送部OF−CCDから読み出される。しかも、電荷蓄積速度が早いため、図8(c)の場合よりも大きな信号が読み出される。
オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDのスキャン結果から、フォトダイオードPDでどの期間から飽和が始まっているのかを検出することができ、図8(c)及び(d)の例のようにそれぞれ14区間目、8区間目で飽和が始まっているならば、オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDから読み出された情報を用いて、図1及び図2で説明したように、各フォトダイオードPDから読み出される信号電荷の飽和値に、オーバーフロー用CCD転送部OF−CCDから読み出された情報に基づく倍率を乗じる演算を施すことにより、各フォトダイオードPDに照射された実際の光強度に対応した信号電荷量を得ることができる。
すなわち、実際の光強度Iは、検出された飽和値から求められる光強度をI0とすると
I=I0×n’/m’
で求められる。
I=I0×n’/m’
で求められる。
但し、n’は1蓄積時間を何区間に分けたかを示す数値であり、m’は何区間目に飽和が始まったかを示す数値である。
図8(c)の例では、フォトダイオードPDの本来の出力はCCD転送部CCD1からの出力の21/14倍であり、図8(d)の例では、フォトダイオードPDの本来の出力はCCD転送部CCD1からの出力の21/8倍である。
なお、本実施形態のCCDイメージセンサでは、画素毎に増幅器を追加する必要がないという効果を有し、素子の配置スペースが不足する場合に特に有効である。但し、1蓄積時間内に多くのオーバーフロー電荷をスキャンする必要があるため、蓄積時間が比較的長く、蓄積時間内に多くのオーバーフロー電荷をスキャンすることができる場合に有効である。従って、本実施形態では第1ないし第4の実施形態と同様の効果が得られる上に、夕方や夜の撮影、夜空の撮影など、蓄積時間が長く、ダイナミックレンジが広い撮影の時に特に有効である。
10…画素、11…フォトダイオード、20…信号読み出し部、30…オーバーフロー検知部、40…経過時間情報読み出し部、41…アナログ信号出力回路、42…アナログ信号保持/読み出し回路、61…クロック信号発生回路、62…デジタル信号保持/読み出し回路、PD…フォトダイオード、ST…ストレージ、CCD1…CCD転送部、OF−ST…オーバーフローストレージ、OF−CCD…オーバーフロー用CCD転送部。
Claims (5)
- 照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部と、
前記光電変換部で発生する信号電荷もしくは信号電荷を電圧信号に変換した後に読み出す信号読み出し部と、
前記光電変換部で発生する信号電荷がオーバーフローしたことを検知するオーバーフロー検知部と、
前記光電変換部で前記信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に相当する情報を生成し、前記オーバーフロー検知部によりオーバーフローが検知された際にこの情報を読み出す経過時間情報読み出し部と
を具備したことを特徴する撮像装置。 - 前記経過時間情報読み出し部は、
前記光電変換部で前記信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に等価なアナログ信号を出力するアナログ信号出力回路と、
前記オーバーフロー検知部によりオーバーフローが検知された際に上記アナログ信号出力回路から出力されるアナログ信号を保持するアナログ信号保持回路と
を含むことを特徴する請求項1記載の撮像装置。 - 前記経過時間情報読み出し部は、
クロック信号をカウントして前記光電変換部で前記信号電荷の発生が開始されてからの経過時間に等価なデジタル信号を出力するカウンタ回路と、
前記オーバーフロー検知部によりオーバーフローが検知された際に上記カウンタ回路から出力されるデジタル信号を保持するレジスタ回路と
を含むことを特徴する請求項1記載の撮像装置。 - 前記経過時間情報読み出し部は、一定のアナログ電圧を一定の時定数で充電し、前記オーバーフロー検知部によりオーバーフローが検知された際の充電電荷を前記情報として保持する電荷保持回路を含むことを特徴する請求項1記載の撮像装置。
- 照射された光の強度に応じて信号電荷を発生する光電変換部と、
前記光電変換部で発生する信号電荷を蓄積し、前記光電変換部における単位変換期間の終了後に信号電荷を読み出すCCDからなる信号電荷転送部と、
前記光電変換部からオーバーフローする電荷を蓄積し、前記光電変換部における単位変換期間内に電荷の読み出し動作を複数回行なうCCDからなるオーバーフロー電荷転送部と
を具備したことを特徴とする撮像装置。
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