JP2010283319A - 多層セラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多層セラミック基板は、多層のセラミック層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５を積層して構成され、各セラミック層に設けられたビア１２２を介して層間接続が行われ、上下部にガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられたセラミック積層体１１０と、該セラミック積層体１１０の上下両面にビア１２２と電気的に接続されるように設けられたコンタクトパッド１４０とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層セラミック基板及びその製造方法に関するものであり、より詳細には、セラミック積層体の上下両面にガラス成分の除去された表面改質層が設けられている多層セラミック基板及びその製造方法に関するものである。

近年、電子機器技術の発達に伴って、機器自体の短小薄型化が進められており、部品の集積化が必須となっている。

部品の集積化のために、多数のセラミックシートを積層して形成される多層セラミック基板が開発されている。このような多層セラミック基板は、耐熱性、耐摩耗性及び優れた電気的特性を有することによって、従来の印刷回路基板の代替品として多く用いられるようになってきており、またその需要が段々増加している傾向にある。

このような多層セラミック基板は、ＦＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、フィルタ、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合デバイスなど多様な電子部品を構成するために広く用いられている。

特に、多層セラミック基板は、半導体素子の電気的検査のためのプローブカードのプローブ基板に用いられる。ここで、該プローブ基板は上下部に各々コンタクトパッドを備える多層セラミック基板によって構成することができる。この時、多層セラミック基板の下部に配設されたコンタクトパッドは、検査信号を外部とやり取りする印刷回路基板に電気的に接続される。また、多層セラミック基板の上部に配設されたコンタクトパッドは、検査対象である半導体素子に電気的に接続されるプローブピンと接続されていてよい。

このような多層セラミック基板を製造するためには、まず、グリーンシートを多層に積層した後、焼成工程を経てセラミック積層体を設けることができる。その後、該セラミック積層体の上下面に各々外部と電気的に接続するためのコンタクトパッドを設けることによって、多層セラミック基板を製造することができる。

ここで、コンタクトパッドの形成では、セラミック積層体上にシードメッキ層を設けた後、該シードメッキ層上にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ：ＰＲ)工程でレジストパターンを設ける。続いて、該レジストパターンを用いたメッキ工程及びエッチング工程を経ることによって、一定のパターンを有するコンタクトパッドを設けることができる。

一方、このようなコンタクトパッドが上面に設けられた多層セラミック基板として、ＨＴＣＣ（ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）またはＬＴＣＣ（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ-ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ)基板が広く使われているが、その中のＨＴＣＣ基板では、１５００℃以上の温度で熱処理して多層基板を形成する。ＨＴＣＣ基板の材料としては、９４％以上のアルミナが主原料として用いられ、添加剤として少量のＳｉＯ_２が用いられており、そのコンタクトパッドの材料としては高温焼成可能なタングステン（ｗ）が主に用いられている。

このようなＨＴＣＣ基板は、機械的強度及び耐化学特性に優れるが、高温焼成されたタングステン（Ｗ）コンタクトパッドの電気伝導度が銀（Ａｇ）あるいは銅（Ｃｕ）に比べて低く、高周波特性が悪いと共に、熱膨張係数がシリコン半導体素子に比べて２倍程度に高く、熱膨張係数の整合（ｍａｔｃｈｉｎｇ）が要求される適用分野において大きな問題になっている。

これに対して、ＬＴＣＣ基板は９００℃以下の温度で熱処理して多層基板を形成する。該ＬＴＣＣ基板は、９００℃以下の低温で処理されるために、融点の低いガラス（ｇｌａｓｓ)成分を多量に含有している。焼成温度が９００℃以下であるので、コンタクトパッドの材料として低温同時焼成が可能で且つ電気的特性に優れた銀（Ａｇ）あるいは銅（Ｃｕ）が用いられ、受動素子である抵抗、インダクタ及びコンデンサを基板内に組み込むことによって、電子部品の小型化、複合化、モジュール化及び高周波化に広く使用されている。

しかしながら、ＬＴＣＣ基板はＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３及びＺｎＯなどのように耐化学性の弱いガラス成分を多量に含むため、前述のようなＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程などで使われる強酸または強塩基の化学溶液により該ガラス成分が浸食されることによって、セラミック基板とコンタクトパッドとの間の密着力が低下するため、該コンタクトパッドの形成に困難があり、基板の強度が低下するという問題がある。

従って、本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、セラミック積層体の表面のガラス成分を除去して表面改質層を設けた後、該表面改質層上にコンタクトパッドを設けることによって、該コンタクトパッドの形成のためのＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程で使われる強酸または強塩基の化学溶液により、該セラミック積層体の表面が浸食されることを防止し、セラミック積層体とコンタクトパッドとの間の密着力を向上させることができる、多層セラミック基板及びその製造方法を提供することに、その目的がある。

上記目的を達成するために、本発明の好適な実施態様による多層セラミック基板は、多層のセラミック層を積層して構成され、各セラミック層に設けられたビアを介して層間接続が行われ、上下部にガラス成分の除去された表面改質層が設けられたセラミック積層体と、セラミック積層体の上下両面にビアと電気的に接続されるように設けられたコンタクトパッドと、を含むことができる。

ここで、セラミック積層体の表面改質層を除いた各セラミック層は、ガラス成分を含むことができる。

また、コンタクトパッドとセラミック積層体との間に介在した導電性接着パターンを、さらに含むことができる。

また、導電性接着パターンは、Ｎｉ、Ｔｉ及びＣｒのうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。

また、導電性接着パターンとコンタクトパッドとの間に介在したメッキシードパターンを、さらに含むことができる。

また、コンタクトパッドは、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕのうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。

また、上記目的を達成するために、本発明の他の好適な実施態様による多層セラミック基板の製造方法は、ガラス成分を含む多層のセラミック層を積層して構成され、各セラミック層に設けられたビアを介して層間接続が行われたセラミック積層体を準備するステップと、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップと、表面改質層の設けられたセラミック積層体の上下両面に、ビアと電気的に接続されるコンタクトパッドを設けるステップと、を含むことができる。

ここで、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップで、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層から化学的処理方法を用いてガラス成分を除去することができる。

また、化学的処理方法では、強酸のＨＦ及びＨＣｌ、並びに強塩基のＫＯＨ及びＮａＯＨのうちの少なくともいずれか一つを含む化学溶液を用いてガラス成分を除去することができる。

また、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップで、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層から物理的処理方法を用いてガラス成分を除去することができる。

また、物理的処理方法では、レーザビーム、プラズマソース及びマイクロウエーブのうちの少なくともいずれか一つを用いてガラス成分を除去することができる。

また、セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップの後に、表面改質層の表面をポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)処理するステップをさらに含むことができる。

また、コンタクトパッドを設けるステップは、表面改質層の設けられたセラミック積層体上に導電性接着層及びメッキシード層を順次設けるステップと、メッキシード層上にレジストパターンを設けるステップと、レジストパターンにより露出されたメッキシード層上にメッキ工程によってコンタクトパッドを設けるステップと、レジストパターンを除去するステップと、レジストパターンが除去されて露出されたメッキシード層及び導電性接着層の部分をエッチングし、メッキシードパターン及び導電性接着パターンをそれぞれ設けるステップと、を含むことができる。

以上で説明した通り、本発明による多層セラミック基板及びその製造方法によれば、セラミック積層体の上下両面のガラス成分を除去して表面改質層を形成することによって、後続のコンタクトパッド形成のために行うべきＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程などで使われる化学溶液に対するセラミック積層体の表面の耐化学性を確保することができる。

従って、本発明によれば、セラミック積層体とコンタクトパッドとの間の界面密着力を向上させ、コンタクトパッドの固着強度を向上させることができるという効果が得られる。

これにより、本発明の多層セラミック基板を用いて構成された電子部品は、電気的漏洩抵抗を防止することができ、高周波回路信号の伝送能力を向上させることができる。

また、本発明には、セラミック積層体の表面の耐化学性を確保することによって、高集積パッド線幅を実現することができ、抵抗、インダクタ及びＭＬＣＣ実装の設計の自由度を確保することができるという長所もある。

また、本発明によれば、セラミック積層体の表面の浸食及びガラス成分の析出などを防止し、多層セラミック基板の強度を改善することができる。

また、本発明によれば、セラミック積層体の表面のガラス成分の析出を防止して粉塵が発生しないようにすることによって、粉塵の発生に起因する不良率を下げ、作業性及び量産性を向上させることができる。

本発明の好適な実施形態による多層セラミック基板を示した断面図である。 本発明の他の好適な実施形態による多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。 同じく、多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者が本発明の思想を十分に理解できるようにするための例として記載するものである。従って、本発明は以下に示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で実現することができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現している場合がある。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。

図１は、本発明の好適な実施形態による多層セラミック基板を示した断面図である。

図１に示すように、本発明の好適な実施形態による多層セラミック基板は、セラミック積層体１１０及びコンタクトパッド１４０を含むことができる。

セラミック積層体１１０は、多層に積層されたセラミック層１１１ａ、１１２、１１３、１１４、１１５ａを含むことができる。この時、多層に積層されたセラミック層１１１ａ、１１２、１１３、１１４、１１５ａでは、本体を貫通するビアホール１２１に充填された伝導性材質、例えば、Ａｇペーストを含むビア１２２を備えることによって、層間接続を行うことができる。

また、セラミック積層体１１０の内部には、ビア１２２と電気的に接続された内部回路パターン１２３をさらに備えることができる。

特に、本発明の実施形態による多層セラミック基板のセラミック積層体１１０を構成する多層のセラミック層１１１ａ、１１２、１１３、１１４、１１５ａのうち、上下両面に位置するセラミック層を除いた各セラミック層１１２、１１３、１１４は、ＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３などのようなガラス（ｇｌａｓｓ)成分を多量に含むＬＴＣＣ層であってよく、上下両面に位置するセラミック層は、ガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａであってよい。

上記のＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３などのガラス成分は、セラミック積層体１１０上にコンタクトパッド１４０などを設けるための工程、例えばＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程などで使われる化学溶液への耐化学性が弱い。

ところが、本発明の実施形態による多層セラミック基板において、セラミック積層体１１０の上下両面に位置する表面改質層１１１ａ、１１５ａは、耐化学性の弱いガラス成分が除去されたセラミック層であるため、上記のＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程が終わった後にもセラミック積層体１１０の表面に損傷が生じることがなく、セラミック積層体１１０とコンタクトパッド１４０との間に優れた界面結合力を実現することができ、セラミック基板の強度を維持することができる。

このようにセラミック積層体１１０とコンタクトパッド１４０との間の界面結合力に優れることにより、電気的漏洩抵抗の防止及び高周波回路信号伝送能力の向上を図ると共に、高集積パッド線幅を実現することができ、抵抗、インダクタ及びＭＬＣＣ実装の設計自由度を確保することができる。

コンタクトパッド１４０は、ビア１２２と電気的に接続させて、セラミック積層体１１０の上下両面にそれぞれ配置することができる。

コンタクトパッド１４０は、導電性材質、例えばＣｕ、Ｎｉ及びＡｕのうちのいずれか一つの単一層、またはＣｕ、Ｎｉ及びＡｕが順次積層された多層などによって構成することができる。

ここで、セラミック積層体１１０の上面に配置されたコンタクトパッド１４０は、電子部品と電気的に接続することができ、例えば多層セラミック基板がプローブ基板を構成するのに使われる場合、検査信号をフィードバックする印刷回路基板と電気的に接続することができる。または、電子部品の他の例としては受動素子や半導体ＩＣチップが挙げられる。

また、セラミック積層体１１０の下面に配置されたコンタクトパッド１４０は、素子と電気的に接続することができ、例えば多層セラミック基板がプローブ基板を構成するのに使われる場合、検査対象である半導体素子と電気的に接触するプローブピンと電気的に接続することができる。

ここで、本発明の実施形態による多層セラミック基板においては、セラミック積層体１１０の表面にガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられており、それによって、セラミック積層体１１０とコンタクトパッド１４０との接合強度が低下することを防止することができるため、多層セラミック基板とプローブピンとの問の接合性をも向上させることができる。そのため、多層セラミック基板とプローブピンとの間の漏洩抵抗を減少させることができ、プローブ基板の電気的特性を向上させることができる。

これに加えて、コンタクトパッド１４０とセラミック積層体１１０との間に導電性接着パターン１３１をさらに設けることができる。

導電性接着パターン１３１は、コンタクトパッド１４０とセラミック積層体１１０との間の接着強度を向上させることによって、コンタクトパッド１４０の信頼性を向上させる役割をすることができる。導電性接着パターン１３１を構成する材質の例としては、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒのうちの少なくともいずれか一つが挙げられる。即ち、導電性接着パッド１３１は単一膜または二重以上の膜として設けることができる。また、導電性接着パッド１３１はＴｉ、Ｎｉ及びＣｒのうちのいずれか一つの単一成分から構成するか、または二つ以上を共蒸着した混合成分から構成することができる。

そして、導電性接着パターン１３１とコンタクトパッド１４０との間に、コンタクトパッド１４０を設けるためのメッキ工程のシード層として使われるメッキシードパターン１３２をさらに設けることができる。

このように、本発明の実施形態による多層セラミック基板においては、セラミック積層体１１０の表面に、ガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａを設けることによって、多層セラミック基板の耐化学性及び耐久性を向上させることができ、多層セラミック基板を用いた電子部品の信頼性及び電気的特性を向上させることができる。

また、本発明の実施形態において、セラミック積層体１１０は５つのセラミック層が積層されものとして示したが、説明の便宜上、５つのセラミック層として示しただけで、これに限定されるのではない。

また、本発明の実施形態では、セラミック積層体１１０の上下両面にそれぞれ１つの表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられるものとして示したが、ガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａの個数はこれに限定されるのではない。

以下、図２〜図８を参照して、本発明の他の好適な実施形態による多層セラミック基板の製造方法を詳細に説明する。

図２〜図８は各々、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を説明するために工程を順次示した断面図である。

図２に示すように、多層セラミック基板を製造するために、まず、ビア１２２を介して層間接続が行われた多層のセラミック層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が積層されて構成されたセラミック積層体１１０を準備する。

セラミック積層体１１０は、ビア１２２を備えたグリーンシートを多層に積層した後、積層されたグリーンシートを焼成することによって形成することができる。この時、積層された多数のグリーンシートでは、各層に設けられたビア１２２を介して層間接続を行うことができる。また、グリーンシートは、ビア１２２と接続された内部回路パターン１２３をさらに備えることができる。

ここで、セラミック積層体１１０は、９００℃以下の低温焼成により形成されるＬＴＣＣ基板であって、それぞれのセラミック層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５は、ＳｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３などのようなガラス成分を多量に含有していてよい。

続いて、図３に示すように、セラミック積層体１１０を構成する多層のセラミック層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５のうち、該セラミック積層体１１０の上下両面に位置するセラミック層１１１、１１５に含まれているガラス成分を除去して、表面改質層１１１ａ、１１５ａを形成する。

ここで、表面改質層１１１ａ、１１５ａの形成のために、セラミック積層体１１０の上下両面に位置するセラミック層１１１、１１５のガラス成分を除去する表面改質処理は、化学的処理または物理的処理方法により行うことができる。

まず、化学的処理方法を用いる場合、ガラス成分を溶かすことができる化学溶液、例えばＨＦ及びＨＣＩなどのような強酸と、ＫＯＨ及びＮａＯＨなどのような強塩基のうちの少なくともいずれか一つを含む化学溶液を用いて、ガラス成分を除去することができる。この化学的処理時に、化学溶液に４０℃〜８０℃程度の温度を加えて渦流を形成することができる。

化学溶液によってセラミック積層体１１０の表面のガラス成分を溶かして表面改質層１１１ａ、１１５ａを形成した後、アルコールまたはＤＩ（Ｄｉｓｔｉｌｌｅｄ ｗａｔｅｒ)などで洗浄し、及び乾燥させた後、表面改質層１１１ａ、１１５ａの表面をポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)処理し、後に設けられるコンタクトパッド１４０とセラミック積層体１１０との間の密着力を強化する。

そして、このような化学的処理の代わりに、物理的処理方法で表面改質層１１１ａ、１１５ａを形成する場合には、ガラス成分の融点（ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）以上にしてガラス成分を溶かすために、レーザビーム、プラズマソース及びマイクロウエーブのうちの少なくともいずれか一つを用いてガラス成分を除去することができる。

このような物理的処理でガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａを設けた後、ポリッシング、洗浄及び乾燥処理によって耐化学的に、且つ機械的に特性の強化された多層セラミック基板を得る。

つまり、本発明の実施形態によれば、前述のような表面改質処理によってセラミック積層体１１０の上下両面にガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａを設けることによって、後述のコンタクトパッド１４０などを設けるための工程、例えばＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程などで使われる化学溶液に対するセラミック積層体１１０表面の耐化学性を安定して確保することができ、これによりセラミック積層体１１０とコンタクトパッド１４０との間の界面結合力を向上させることができる。

続いて、図４に示すように、表面改質層１１１ａ、１１５ａの設けられたセラミック積層体１００の両面上に、導電性接着層１３１ａ及びメッキシード層１３２ａを順次設ける。

導電性接着層１３１ａを構成する材質の例としては、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒのうちの少なくともいずれか一つまたは二つ以上が挙げられる。

そして、メッキシード層１３２ａは、後述のコンタクトパッド１４０を設けるためのシードの役割をする。メッキシード層１３２ａを構成する材質の例としては、Ｃｕが挙げられる。

続いて、図５に示すように、メッキシード層１３２ａ上にレジストパターン１５０を設ける。レジストパターン１５０は、ビア１２１と対応する部分を露出させるように設けることができる。レジストパターン１５０は、メッキシード層１３２ａ上にフォトレジスト膜を設けたりドライフィルムを付着させたりした後、露光及び現像工程によって設けることができる。

続いて、図６に示すように、レジストパターン１５０により露出されたメッキシード層１３２ａ上にメッキ工程によってコンタクトパッド１４０を設けることができる。ここで、コンタクトパッド１４０はＣｕ、Ｎｉ及びＡｕのうちのいずれか一つからなる単一層、またはＣｕ、Ｎｉ及びＡｕが順次メッキされた多層に構成することができる。

続いて、図７に示すように、レジストパターン１５０を除去する。

ここで、本発明の実施形態によれば、セラミック積層体１１０に、ガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられるため、レジストパターン１５０を形成するためのＰＲ工程で使われるＴＭＡＨなどの現像液と、コンタクトパッド１４０のメッキ工程で使われる硫酸及び塩化物などのメッキ液とによって、セラミック積層体１１０の表面が浸食されることを防止することができる。

続いて、図８に示すように、レジストパターン１５０が除去されて露出されたメッキシード層１３２ａ及び導電性接着層１３１ａの箇所をエッチングし、メッキシードパターン１３２及び導電性接着パターン１３１をそれぞれ設けることができる。これにより、ビア１２１と電気的に接続されたコンタクトパッド１４０を設けることができる。

ここで、上記のエッチング工程は湿式エッチング工程であってもよい。この時、表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられていることによって、湿式エッチング工程で使われるＨＦ又はＫＯＨなどのような強酸、または強塩基の化学溶液によりセラミック積層体１１０の表面が損傷する恐れがない。

前述のように、本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法によれば、セラミック積層体１１０の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層１１１ａ、１１５ａを設けることによって、後続のコンタクトパッド１４０の形成のために行うべきＰＲ工程、メッキ工程及びエッチング工程などで使われる化学溶液に対するセラミック積層体１１０の表面の耐化学性を確保することができ、それによって、セラミック積層体１１０とコンタクトパッド１４０との間の界面密着力を向上させることができる。

つまり、本発明の実施形態によれば、コンタクトパッド１４０の固着強度を既存の１６Ｎ/ｍｍ^２から３５Ｎ/ｍｍ^２へと、２倍以上向上させることができた。

これにより、本発明の実施形態による多層セラミック基板を用いて構成された電子部品は、電気的漏洩抵抗を防止することができ、高周波回路信号伝送能力を向上させることができる。また、高集積パッド線幅を実現することができ、抵抗、インダクタ及びＭＬＣＣ実装への設計自由度を確保することができる。

また、セラミック積層体１１０表面の浸食及びガラス成分の析出などを防止し、多層セラミック基板の強度を既存の２００ＭＰａから３５０Ｍｐａ以上に高めることによって、高強度および耐久性を有する電子部品として活用することができる。

また、本発明の実施形態には、ガラス成分の析出を防止して粉塵の発生が起こらないようにすることによって、粉塵の発生による不良率を下げ、作業性及び量産性を向上させることができるという長所もある。

今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１１０ セラミック積層体
１１１、１１２、１１３、１１４、１１１ａ、１１５ａ 表面改質層
１２１ ビアホール
１２２ ビア
１２３ 内部回路パターン
１３１ａ 導電性接着層
１３１ 導電性接着パターン
１３２ａ メッキシード層
１３２ メッキシードパターン
１４０ コンタクトパッド
１５０ レジストパターン
１１５ セラミック層

Claims (13)

1. 多層のセラミック層を積層して構成され、該各セラミック層に設けられたビアを介して層間接続が行われ、上下部にガラス成分の除去された表面改質層が設けられたセラミック積層体と、
   前記セラミック積層体の上下両面に、前記ビアと電気的に接続されるように設けられたコンタクトパッドと、
   を含む多層セラミック基板。
2. 前記セラミック積層体の前記表面改質層を除いた各セラミック層が、ガラス成分を含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
3. 前記コンタクトパッドと前記セラミック積層体との間に介在した導電性接着パターンをさらに含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
4. 前記導電性接着パターンが、Ｎｉ、Ｔｉ及びＣｒのうちの少なくともいずれか一つを含む請求項３に記載の多層セラミック基板。
5. 前記導電性接着パターンと前記コンタクトパッドとの間に介在したメッキシードパターンをさらに含む請求項３に記載の多層セラミック基板。
6. 前記コンタクトパッドが、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕのうちの少なくともいずれか一つを含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
7. ガラス成分を含む多層のセラミック層を積層して構成され、該各セラミック層に設けられたビアを介して層間接続が行われたセラミック積層体を準備するステップと、
   前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップと、
   前記表面改質層の設けられた前記セラミック積層体の上下両面に、前記ビアと電気的に接続されるコンタクトパッドを設けるステップと、
   を含む多層セラミック基板の製造方法。
8. 前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップで、
   前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層から化学的処理方法を用いて前記ガラス成分を除去する請求項７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
9. 前記化学的処理方法で、強酸のＨＦ及びＨＣＩ、並びに強塩基のＫＯＨ及びＮａＯＨのうちの少なくともいずれか一つを含む化学溶液を用いて該ガラス成分を除去する請求項８に記載の多層セラミック基板の製造方法。
10. 前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を形成するステップで、
    前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層から物理的処理方法を用いて該ガラス成分を除去する請求項７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
11. 前記物理的処理方法で、レーザビーム、プラズマソース及びマイクロウエーブのうちの少なくともいずれか一つを用いて前記ガラス成分を除去する請求項１０に記載の多層セラミック基板の製造方法。
12. 前記セラミック積層体の上下両面に位置するセラミック層のガラス成分を除去して表面改質層を設けるステップの後に、
    前記表面改質層の表面をポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理するステップをさらに含む請求項７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
13. 前記コンタクトパッドを設けるステップが、
    前記表面改質層の設けられた前記セラミック積層体上に、導電性接着層及びメッキシード層を順次設けるステップと、
    前記メッキシード層上にレジストパターンを設けるステップと、
    前記レジストパターンにより露出された前記メッキシード層上にメッキ工程によって前記コンタクトパッドを設けるステップと、
    前記レジストパターンを除去するステップと、
    前記レジストパターンが除去されて露出された前記メッキシード層及び導電性接着層の箇所をエッチングし、メッキシードパターン及び導電性接着パターンをそれぞれ形成するステップと、
    を含む請求項７に記載の多層セラミック基板の製造方法。

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