JP2010282471A - 静電容量型タッチパネルの信号処理回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板200上にタッチパネル51が形成される。タッチパネル51の周辺にY方向に沿ってセンサ回路50A,50Bが配置され、X方向に沿ってセンサ回路50C,50Dが配置される。センサ回路50A〜50Dのシリアルクロック端子SCLは、シリアルクロックライン53に共通接続され、シリアルデータ端子SDAは、シリアルデータライン54に共通接続される。ガラス基板200の外部のPCB基板上には、マイクロコンピュータ52が設けられる。マイクロコンピュータ56とセンサ回路50A〜50Dとの間は、シリアルクロックライン53及びシリアルデータライン54を介して、データ通信が可能に構成される。
【選択図】図5
Description
図1に示すように、PCB基板などの基板11上に、励起パッド12と、この励起パッド12を間に挟んで第1のタッチパッド13と第2のタッチパッド14とが配置されている。第1及び第2のタッチパッド13,14と励起パッド12の間には不図示の誘電体層が形成されている。
つまり、C1−C2=ΔCである。
そうすると、C1=C+1/2ΔC、C2=C−1/2ΔCが成り立つ。
第1相において、
第1相と第2相においてノードN1の電荷量は等しいから、数1=数2である。
上述の基本原理を用いた本発明の第1の実施形態を図5乃至図7に基づいて説明する。
図5は、本発明の第1の実施形態による静電容量型タッチセンサパネルの信号処理回路を示す図である。図6は、図5のセンサ回路50Aのシステム構成を示す図である。
次に、センサ回路50A〜50Dのシステム構成を図6に基づいて説明する。図6では、センサ回路50Aだけを示すが、センサ回路50B〜50Dも同じ構成を有している。
次に、4つのセンサ回路50A〜50Dの動作シーケンス例について説明する。図8に示すように、4つのセンサ回路50A〜50Dは、固有のデバイスアドレスを用いて順番に選択される。4つのセンサ回路50A〜50Dは、それぞれ異なる固有のデバイスアドレスが付与され、それはEEPROM43に記憶されている。マイクロコンピュータ52は、シリアルデータライン54にデバイスアドレスを送る。マイクロコンピュータ52から送られたデバイスアドレスは、センサ回路50A〜50DのI2Cインターフェース回路38を介して制御回路37により受信される。いま、マイクロコンピュータ52から送られたデバイスアドレスとセンサ回路50Aのデバイスアドレスが一致する場合について説明する。この場合、センサ回路50Aの制御回路37により、デバイスアドレスの一致が検出され、センサ回路50Aは動作状態に入る。
第1の実施形態では、図8のように、4つのセンサ回路50A〜50Dを順番に選択しているが、本実施形態では、図9のように、外部クロックに同期して4つのセンサ回路50A〜50Dを同時に動作させる。これにより、タッチパネル51上のタッチ位置の検出時間を短縮したものである。
14 第2のタッチパッド 15 配線 16 交流電源
17 電荷増幅器 18、19 配線
33 選択回路 34 電荷増幅器 35 デルタシグマAD変換器
36 駆動回路 37 制御回路 38 I2Cインターフェース回路
39 基準電圧発生回路 40 パワーオンリセット回路
41 発振器 42 調整回路 43 EEPROM
44 割り込みフラグ出力回路 50A〜50D センサ回路
51 タッチパネル 52 マイクロコンピュータ
53 シリアルクロックライン 54 シリアルデータライン
55 割り込みフラグライン 56 FPC 57 外部クロックライン
CIN1〜CIN4 第1乃至第4の入力端子 CDRV 駆動端子
Claims (7)
- 基板上に延びた複数の第1のセンス線と、前記第1のセンス線の両側に隣接して延びた第1の駆動線と、前記基板上に延び前記複数の第1のセンス線と交差した複数の第2のセンス線と、前記第2のセンス線の両側に隣接して延びた第2の駆動線とを備えた静電容量型タッチパネルの信号処理回路であって、
前記第1のセンス線と前記第1の駆動線との間の容量変化を検出し、第1の検出信号を出力する第1のセンサ回路と、
前記第2のセンス線と前記第2の駆動線との間の容量変化を検出し、第2の検出信号を出力する第2のセンサ回路と、
前記第1及び第2のセンサ回路が共通に接続され、前記第1及び第2の検出信号が出力可能であるバスと、を備え、前記バスを介して前記第1及び第2のセンサ回路とマスターデバイスとの間でデータ通信を行うようにしたことを特徴とする静電容量型タッチパネルの信号処理回路。 - 前記マスターデバイスは前記バスを介して、前記第1及び第2のセンサ回路を順番に選択し、動作させることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
- 前記第1及び第2のセンサ回路は、前記容量値の検出が終了したことを知らせる割り込みフラグを出力する第1及び第2の割り込みフラグ出力回路をそれぞれ備えることを特徴とする請求項2に記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
- 前記マスターデバイスにより前記第1のセンサ回路が選択された時、前記第2のセンサ回路の前記第2の割り込みフラグ出力回路は高インピーダンス状態に設定されること特徴とする請求項3に記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
- 前記マスターデバイスにより前記第1のセンサ回路が選択され、前記第1のセンサ回路が割り込みフラグを出力すると、前記マスターデバイスは前記バスを介して、前記第1のセンサ回路の前記第1の検出信号を受信することを特徴とする請求項3に記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
- 前記マスターデバイスは前記バスを介して供給される外部クロックに同期して、前記第1及び第2のセンサ回路を同時に選択することを特徴とする請求項1に記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
- 前記バスは、I2Cバスを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の静電容量型タッチパネルの信号処理回路。
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