JP2010282113A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマテレビ(PDP―TV)等のプラズマディスプレイ装置において、駆動法の工夫により発光効率を向上させ、かつ表示品質(表示ムラ)を改善する駆動技術を提供する。
【解決手段】少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、単セルにおけるサステイン放電発光が少なくとも2つのピークを有するものを含み、前記2つのピークの大小が時間的に逆転することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、単セルにおけるサステイン放電発光が少なくとも2つのピークを有するものを含み、前記2つのピークの大小が時間的に逆転することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel:以下、PDPと称する)を用いたプラズマディスプレイ装置に関し、特に、表示品質(表示ムラ)を改善し、かつ発光効率を向上させる装置に適用して有効な技術に関する。
プラズマディスプレイパネル(PDP)を用いたプラズマディスプレイ装置の1種であるプラズマテレビ(PDP−TV)は液晶テレビ(LCD−TV)とともに大画面テレビ市場を分け合っている。
図16は従来の3電極構造のac面放電型PDPの例を示す斜視図である。図16に示すac面放電型PDPでは、2枚のガラス基板、即ち、前面基板51および背面基板58が対向配置され、それらの間隙が放電空間63となる。放電空間63には、放電ガスが通常数百Torr以上の圧力で封入されている。放電ガスとしては、Ne、Xe混合ガスを用いるのが一般的である。He或いはAr等のガスを混合する場合もある。
表示面としての前面基板51の下面には、主に表示発光のためのサステイン放電を行なうサステイン電極対が形成されている。このサステイン電極対はX電極、Y電極と称される。通常、X電極及びY電極は、透明電極と透明電極の導電性を補う高導電率の不透明電極から構成される。即ち、X電極64−1、64−2は、X透明電極52−1、52−2と、不透明なXバス電極54−1、54−2とから構成され、Y電極65−1、65−2は、Y透明電極53−1、53−2と、不透明なYバス電極55−1、55−2とから構成される。又、X電極を共通電極、Y電極を独立電極とする場合が多い。通常、X、Y電極の放電間隙Ldgは放電開始電圧が高くならないように狭く、隣接間隙Lngは隣接放電セルとの誤放電を防止するように広く設計される。
これらサステイン電極は、前面誘電体56によって被覆され、この前面誘電体56の表面には酸化マグネシウム(MgO)等の保護膜57が形成される。MgOは耐スパッタ性、二次電子放出係数が高いため、前面誘電体56を保護し、放電開始電圧を低下させる。
一方、背面基板58の上面には、サステイン電極(X電極、Y電極)と直交方向に、アドレス放電のためのアドレス電極(A電極とも呼ぶ)59が設けられている。このA電極59は背面誘電体60によって被覆される。この背面誘電体60の上には隔壁61がA電極59の間の位置に設けられている。更に、隔壁61の壁面と背面誘電体60の上面によって形成される凹領域内には蛍光体62が塗布されている。この構成において、サステイン電極対とA電極との交差部が1つの放電セルに対応している。そして、放電セルは二次元状に配列されている。カラー表示の場合には、赤(R)、緑(G)、青色(B)の各蛍光体が塗布された3種の放電セルを一組として1画素を構成する。
図16中の矢印D1の方向から見た放電セル1個分の断面図を図17に、図16中の矢印D2の方向から見た放電セル1個分の断面図を図18に示す。尚、図16において、セルの境界は概略点線で示す位置である。図18中、符号66は電子、67は正イオン、68は正の壁電荷、69は負の壁電荷を示す。
次に、この例のPDPの動作について説明する。
PDPの発光の原理は、X、Y電極間に印加するパルス電圧によって放電を起こして、励起された放電ガスから発生する紫外線を蛍光体によって可視光に変換するというものである。
図19はPDP装置の基本構成を示すブロック図である。上記PDP(プラズマディスプレイパネル、又はパネルとも呼ぶ)91は、プラズマディスプレイ装置100に組み込まれる。PDP91はパネル内の電極群と外部回路の接続部となるX電極端子部92、Y電極端子部93、及びA電極端子部94を通じてX、Y、A各電極に電圧を与えるX駆動回路95、Y駆動回路96、及びA駆動回路97からなる駆動回路98に接続される。駆動回路98は、画像源99から表示画面の画像信号を受取り、駆動電圧に変換してPDP91の各電極に供給する。
階調表示方式としてADS(Address Display−Period Separation)を用いた駆動電圧の具体的な例を図20に示す。図20の(a)は、図16に示したPDPに1枚の画を表示するのに要する1TVフィールド期間の駆動電圧のタイムチャートを示す図である。図20の(b)は、図20の(a)のアドレス期間80においてA電極59、X電極64およびY電極65に印加される電圧波形を示す図である。X電極、Y電極を各々サステイン電極、まとめてサステイン電極対と呼ぶ。図20の(c)は、図20の(a)のサステイン期間81の間に、サステイン電極であるX電極とY電極の間に一斉に印加されるサステイン電圧とアドレス電極に印加されるアドレス電圧を示す図である。
1TVフィールド期間70は複数の異なる発光回数を持つサブフィールド71〜78に分割されている。この状態を、図20の(a)中の(I)に示す。
各サブフィールド毎の発光と非発光の選択により階調を表現する。例えば、2進法に基づく輝度の重みをもった8個のサブフィールドを設けた場合、3原色表示用放電セルはそれぞれ28(=256)階調の輝度表示が得られ、約1678万色の色表示ができる。
各サブフィールドは、図20の(a)中の(II)に示すように、次の3つの期間を有する。第1は放電セルを初期状態に戻すリセット期間79、第2は発光する放電セルを選択するアドレス期間80、そして、第3はサステイン期間81である。
図20の(b)は、図20の(a)のアドレス期間80においてA電極59、X電極64、およびY電極65に印加される電圧波形(サステイン電圧波形)を示す図である。波形82はアドレス期間80に於ける1本のA電極59に印加する電圧波形(A電圧波形)、波形83はX電極64に印加する電圧波形(X電圧波形)、84、85はそれぞれY電極65のi番目と(i+1)番目に印加する電圧波形(Y電圧波形)である。これに対する、それぞれの電圧はV0、V1、V21およびV22(V)である。
図20の(b)に示すように、Y電極65のi行目にスキャンパルス86が印加された時、電圧V0のA電極59との交点に位置するセルではY電極とA電極の間、次いでY電極とX電極の間にアドレス放電が起こる。グランド電位のA電極59との交点に位置するセルではアドレス放電は起こらない。Y電極の(i+1)行目にスキャンパルス87が印加された場合も同様である。
アドレス放電が起こった放電セルでは、図18に示すように、放電で生じた電荷(壁電荷)がX、Y電極を覆う誘電体膜56および保護膜57の表面に形成され、X電極とY電極との間に壁電圧Vw(V)が発生する。前述したように、図18中、符号66は電子、67は正イオン、68は正の壁電荷、69は負の壁電荷を示す。この壁電荷の有無が、次に続くサステイン期間81でのサステイン放電の有無を決める。
図20の(c)は、図20の(a)のサステイン期間81の間に、サステイン電極であるX電極とY電極の間に一斉に印加されるサステイン電圧を示す図である。X電極には電圧波形88のサステイン電圧が、Y電極には電圧波形89のサステイン電圧が印加される。いずれも、電圧値はV3(V)である。A電極59には、電圧波形90の駆動電圧が印加され、サステイン期間内は一定電圧(V4)に保持される。尚、この電圧V4は、グランド電位の場合もある。V3の電圧のサステインパルス電圧が交互に印加されることにより、X電極とY電極との間の相対電圧は反転を繰り返す。このV3の電圧値は、アドレス放電による壁電圧の有無でサステイン放電の有無が決まるように設定される。
アドレス放電が起こった放電セルの1番目のサステイン電圧パルスにおいて、放電が起り逆極性の壁電荷がある程度蓄積するまで放電は続く。この放電の結果、蓄積された壁電圧は2番目の反転した電圧パルスを支援する方向に働き、再び放電が起こる。3番目のパルス以降も同様である。このように、アドレス放電を起こした放電セルのX電極とY電極の間には、印加電圧パルス数分の維持放電が起こり発光する。逆に、アドレス放電を起こさなかった放電セルでは発光しない。以上が、従来のPDP装置の基本構成及びその駆動方法である。
また、サステイン期間の駆動方法はサステイン電圧波形に依存する。典型的な駆動方法は、サステイン電圧波形として矩形パルスを用いたものであるが、これ以外の主な光効率を向上させる駆動技術として下記のごときものを挙げることが出来る。
(1)特開2005−10398号公報(特許文献1)。サステイン電極に外部電源により2段階の電圧を印加して前置放電とその後に引き続いて行なう本放電の少なくとも2段階でサステイン放電を発生させる2段放電駆動に関する発明である。この駆動により、低放電空間電圧での放電を実現し発光効率の向上を図っている。
(2)特開2002−132215号公報(特許文献2)。サステイン電極に電力回収回路を利用して第1の放電を発生させた後に第2の放電を発生させる。第1の放電は、PDPの容量電流をコンデンサに回収、放出する電力回収回路に含まれるコイルのインダクタンスLrとパネル容量CpによるLC共振を利用する。すなわち、第1の放電は、このLC共振により電圧が上昇して極大値から極小値へ降下する過程で発生する。電圧が極大値から極小値に降下する過程で、第1の放電が弱まり始めた瞬間から電流制限により紫外線放出量の飽和が緩和され始め、その後放電電流に対する紫外線の飽和が少なくなるために発光効率が向上するとしている。
しかし、上記2例とも駆動による表示ムラの改善方法に関しては考慮されていなかった。
PDPのサステイン期間において従来駆動波形による駆動では、表示負荷率に依存する表示ムラが発生して表示品質が低下する問題があった。
そこで、本発明の目的は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマテレビ(PDP―TV)等のプラズマディスプレイ装置において、駆動法の工夫により発光効率を向上させ、かつ表示品質(表示ムラ)を改善する駆動技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
表示ムラには、大別すると色ムラと粒状ムラがある。色ムラは特に全白表示において画面が部分的に色付いて見える表示ムラ、粒状ムラは全白表示を含む様々な表示において周囲に比べて明るい輝点が粒状に発生する表示ムラである。以下、輝点の周囲のより暗い部分を輝点に対して暗点と呼ぶことにする。
表示ムラが表示負荷率に大きく依存することから、表示ムラが駆動回路に大きく依存していると考えられる。そこで、駆動方法による表示ムラ改善の指針を得るため、表示ムラ発生のメカニズムを調査した。
図2はサステイン期間の従来駆動波形(サステイン電圧波形)と1つのセルでの理想的な放電発光波形を示す。図2の上から、放電発光波形、X電圧(Vx)とY電圧(Vy)の差分(Vx−Vy)波形を示す。Vx−Vy波形においてVsへの立上り、−Vsへの立下り直後に放電発光する。しかし、表示ムラの発生した画面における発光はこれと異なる。
図3に、全白表示で典型的な粒状ムラの発生した画面における暗点(A)と輝点(B)での発光とVx−Vy波形を示す。図2とは異なり、Vx−Vy波形が放電電流による回路、配線、パネル等のインダクタンス、容量の影響を受けて変形している。Vx−Vy波形は電圧降下(a)した後、オーバーシュート(b)している。暗点セルの発光(A)は放電タイミングが早く、この放電による電圧降下のために低電圧で放電するため強度が弱くなり、暗点となる。一方、輝点セルの発光(B)はタイミングが遅く、オーバーシュートした電圧で放電するため強度が強くなり、輝点となる。
表示ムラ発生のメカニズムを調査した結果、以下のことが分かった。
(1)粒状ムラの発生メカニズムでは、輝点セルの放電開始電圧が暗点セルより低いため、暗点セルの放電が先に(図3のa)始まる。サステイン電圧が降下(図3のa)して、遅れて放電開始しようとした輝点セルの放電がさらに遅れる。サステイン電圧がオーバーシュートしたタイミング(図3のb)で放電するため、輝点セルの放電が強くなり明るくなる。
(2)暗点では、暗点セルの放電開始電圧が周囲のセルより低くないため、着目する暗点セルとほぼ同時に周囲のセルの放電が始まる。このため、周囲セルの放電が強くならず周囲も含めて暗点となる。
(3)色ムラの発生メカニズムでは、色ムラとして部分的に緑っぽくなる緑ムラを例に説明する。緑ムラの発生メカニズムは、粒状ムラの発生メカニズムにおいて輝点セルをGセルに、暗点セルをR、Bセルに置き換えたものと考えた。すなわち、Gセルの放電開始電圧が高いために、電圧オーバーシュートしたタイミング(図3のb)で放電するため、明るくなる。R、Bセルは放電開始電圧が低いために、放電が早く始まり低い電圧(図3のa)で放電するため、暗くなる。
また、2段放電駆動においても条件により表示ムラが発生する。輝点と暗点の放電のタイミングはほぼ同じであるが、前置放電、本放電の強度が違っている。すなわち、輝点では電圧の高いタイミングの本放電が強いために全体として放電が強くなり、暗点では電圧の低いタイミングの前置放電が強いために全体として放電が弱くなる。この場合も含めて、輝点、暗点の違いは放電タイミングの違いと表現する。
以上のように、セルによって放電開始電圧が異なり、放電タイミングが異なった点で固定されることが、表示ムラ発生の原因である。
したがって、表示ムラを駆動的に解決するためには、放電タイミングをセルごとに固定させないようにすればよい。すなわち、課題を解決するための手段は、放電タイミングをばらつかせることである。2段放電では、前置放電と本放電の強度を時間的にばらつかせることである。これにより、輝点、暗点であったセルの輝度が平均化され表示ムラが軽減できる。そのために、駆動波形のシーケンスと波形パラメータを表示負荷率によって最適化する。
本書において開示される発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の通りである。
本発明の骨子は次のようなプラズマディスプレイ装置である。
(1)少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、単セルにおけるサステイン放電発光が少なくとも2つのピークを有するものを含み、前記2つのピークの大小が時間的に逆転することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(2)少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、サブフィールド(SF)駆動によるSFごとの表示負荷率を検出するSF負荷率検出回路と、サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類と順番を、前記SF負荷率検出回路で検出した各SFの表示負荷率と対応させるSF負荷率−シーケンス対応付け回路と、前記SF負荷率−シーケンス対応付け回路からの情報を用いて各SFのサステイン電圧波形のシーケンスを決定するシーケンス変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(3)前記(1)に記載のプラズマディスプレイ装置において、サブフィールド(SF)駆動によるSFごとの表示負荷率を検出するSF負荷率検出回路と、サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類と順番を、前記SF負荷率検出回路で検出した各SFの表示負荷率と対応させるSF負荷率−シーケンス対応付け回路と、前記SF負荷率−シーケンス対応付け回路からの情報を用いて各SFのサステイン電圧波形のシーケンスを決定するシーケンス変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(4)前記(1)または(2)に記載のプラズマディスプレイ装置において、サブフィールド(SF)駆動によるSFごとの表示負荷率を検出するSF負荷率検出回路と、前記SF負荷率検出回路で検出した各SFの表示負荷率と波形パラメータを対応させるSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路と、前記SF負荷率−波形パラメータ対応付け回路からの情報を用いて各SFのサステイン電圧波形パラメータを決定する波形パラメータ変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(5)前記(2)に記載のプラズマディスプレイ装置において、ひとつのSF中のサステイン放電において、サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類として、少なくとも電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形と、第一の電圧と、前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(6)前記(5)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記第一の電圧と前記第二の電圧を有する駆動波形は、前記電力回収期間の後前記第二の電圧に立ち上がり前記第一の電圧に立上がる駆動波形であり、電力回収回路のスイッチ信号のオン期間LD、前記LDオンから前記第二の電圧のスイッチ信号のオンまでの期間PD、前記LDオンから前記第一の電圧のスイッチ信号のオンまでの期間CDを波形パラメータとして、SFごとの表示負荷率に応じて前記波形パラメータを変化させることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(7)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が60%以上では、前記表示負荷率が20〜50%よりも前記PDを短く設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(8)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が60%以上では、前記PDを160ns以下に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(9)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が60%以上では、前記PDを130ns以下に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(10)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が20〜40%では、前記PDを200〜400nsに設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(11)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が20〜40%では、前記PDを250ns以上に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(12)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が20%までは、前記表示負荷率が低くなるほど前記CDを大きく設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(13)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、前記表示負荷率が20%までは、前記表示負荷率が低くなるほど前記LDを大きく設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(14)前記(2)に記載のプラズマディスプレイ装置において、電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形のうち、前記電力回収期間の短い駆動波形をF、前記電力回収期間の長い駆動波形をBとし、第一の電圧と前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形をWとして、繰返し単位に含まれる駆動波形がW、F、B、Wのように、Wの間にF、Bが挟まれる順番であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(15)前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイ装置において、第二の電圧のスイッチがサステイン電極対の一方の駆動回路のみに設置されたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(16)前記(2)に記載のプラズマディスプレイ装置において、電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形のうち、前記電力回収期間の短い駆動波形をF、前記電力回収期間の長い駆動波形をBとし、第一の電圧と前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形をWとして、繰返し単位に含まれる駆動波形がW、F、W、Bのように、Wの間にFまたはBが挟まれる順番であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(17)前記(3)に記載のプラズマディスプレイ装置において、シーケンス変更の際、輝度が連続に変化するようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(18)前記(4)に記載のプラズマディスプレイ装置において、波形パラメータ切り替えの際、輝度が連続に変化するようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
(19)前記(6)に記載のプラズマディスプレイ装置において、第一の電圧電源に正側の第二の電圧を接続しスイッチに接続し、サステイン電圧波形の立下りのタイミングで放電することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
すなわち、代表的なものによって得られる効果は、発光効率を向上させながら表示ムラを改善させるプラズマディスプレイ装置を提供出来る効果がある。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。尚、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施の形態1]
図4は、本発明の実施の形態1のPDP装置の概略構成を示すブロック図である。このPDP装置は従来例の図16と同様の構造の放電セルを有するプラズマディスプレイパネル1と、パネルのアドレス電極に印加する電圧を出力するA駆動回路2と、Y電極に順次印加するスキャンパルス及びリセットパルスとサステインパルスを出力するY駆動回路3と、X電極に印加するリセットパルスとサステインパルスを出力するX駆動回路4と、映像入力信号をA/D変換するA/D変換回路5と、ディザや誤差拡散などの処理により映像信号の階調数を調整する表示階調調整回路6と、調整された映像デジタル信号を展開して各セルの階調表示するための点灯サブフィールドの組合せを決定する映像信号−SF対応付け回路7と、映像信号−SF対応付け回路7のSF情報からサブフィールドの表示負荷率を検出するSF負荷率検出回路8と、サブフィールドの表示負荷率とサステイン電圧波形パラメータ(後述)の関係を定めるSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9と、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9の情報から各サブフィールドの波形パラメータを変更する波形パラメータ変更回路10と、サブフィールドの表示負荷率とサステイン電圧波形のシーケンス(後述)の関係を定めるSF負荷率−シーケンス対応付け回路11と、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−シーケンス対応付け回路11の情報から各サブフィールドのサステイン電圧波形のシーケンスを変更するシーケンス変更回路12と、映像信号−SF対応付け回路7のSF情報と波形パラメータ変更回路10とシーケンス変更回路12の情報から、サブフィールド表示のため駆動信号を発生するSF処理回路13とを有し、SF処理回路13からA駆動回路2とY駆動回路3とX駆動回路4に駆動信号が供給される。
図4は、本発明の実施の形態1のPDP装置の概略構成を示すブロック図である。このPDP装置は従来例の図16と同様の構造の放電セルを有するプラズマディスプレイパネル1と、パネルのアドレス電極に印加する電圧を出力するA駆動回路2と、Y電極に順次印加するスキャンパルス及びリセットパルスとサステインパルスを出力するY駆動回路3と、X電極に印加するリセットパルスとサステインパルスを出力するX駆動回路4と、映像入力信号をA/D変換するA/D変換回路5と、ディザや誤差拡散などの処理により映像信号の階調数を調整する表示階調調整回路6と、調整された映像デジタル信号を展開して各セルの階調表示するための点灯サブフィールドの組合せを決定する映像信号−SF対応付け回路7と、映像信号−SF対応付け回路7のSF情報からサブフィールドの表示負荷率を検出するSF負荷率検出回路8と、サブフィールドの表示負荷率とサステイン電圧波形パラメータ(後述)の関係を定めるSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9と、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9の情報から各サブフィールドの波形パラメータを変更する波形パラメータ変更回路10と、サブフィールドの表示負荷率とサステイン電圧波形のシーケンス(後述)の関係を定めるSF負荷率−シーケンス対応付け回路11と、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−シーケンス対応付け回路11の情報から各サブフィールドのサステイン電圧波形のシーケンスを変更するシーケンス変更回路12と、映像信号−SF対応付け回路7のSF情報と波形パラメータ変更回路10とシーケンス変更回路12の情報から、サブフィールド表示のため駆動信号を発生するSF処理回路13とを有し、SF処理回路13からA駆動回路2とY駆動回路3とX駆動回路4に駆動信号が供給される。
図1は、本発明の実施の形態1のプラズマディスプレイ装置のサステイン期間81においてサステイン電極(X電極とY電極)に一斉に印加されるサステイン電圧波形のX電圧(Vx)とY電圧(Vy)、およびその差分(Vx−Vy)波形と発光波形である。VxまたはVy波形においてVsからグランドへの立下りのタイミングで放電発光する。発光波形は赤外フィルタ(波長828nm付近の光を透過)を通してフォトマルで1セルの発光を検出し、オシロスコープに入力することにより測定する。図1に示されていないA電極はグランド、またはVs/2程度の一定電圧が印加される。あるいは、A電極をフローティングにする場合もある。
図5は、図1のサステイン期間の駆動波形であるサステイン電圧波形を発生させるためのサステイン駆動回路を示す回路図である。図6は、図5の回路を用いて図1のサステイン電圧波形を発生させるための駆動回路のスイッチへの入力信号(Sxru〜Syd)のタイミングチャートである。図5のスイッチ(実際にはトランジスタ)を、図6のスイッチへの入力信号と同じ記号(Sxru〜Syd)で表す。以下も同様である。サステインX駆動回路15はスイッチSxru、Sxrd、ダイオードDxru、Dxrd、電力回収コンデンサCxr、電力回収コイルLxr、および接地端子GNDから成るX電力回収回路17と、スイッチSxu、Sxd、Sxp、および電圧Vs、Vpの電源、接地端子GNDから成る。サステインY駆動回路14はサステインX駆動回路15と同様であり、添え字のxの代わりにyとした要素、すなわちスイッチSyru、Syrd、ダイオードDyru、Dyrd、電力回収用コンデンサCyr、電力回収コイルLyr、および接地端子GNDから成るY電力回収回路16と、スイッチSyu、Syd、Syp、および電圧Vs、Vpの電源、接地端子GNDから成る。サステインX駆動回路15、サステインY駆動回路14の間にパネル1の電極間容量に相当するパネル容量Cpが示されている。ここで、図4のY駆動回路3、X駆動回路4と図5のサステインY駆動回路14、サステインX駆動回路15の関係を明確にしておく。Y駆動回路3の内、サステイン期間に関するものだけを抜き出したものがサステインY駆動回路14である。同様に、X駆動回路4の内、サステイン期間に関するもののみを抜き出したものがサステインX駆動回路15である。
本実施の形態1のプラズマディスプレイ装置の駆動方法について、図1、図4、図5及び図6を用いて説明する。PDPの1TVフィールド期間の駆動方法の基本は図20に示したものと同様である。即ち、各サブフィールドは、図20の(a)の(II)に示すように、放電セルを初期状態に戻すリセット期間79、発光する放電セルを選択するアドレス期間80、選択した放電セルを表示発光させるサステイン期間81からなる。
まず、図4の映像入力信号がA/D変換回路5によりA/D変換され、表示階調調整回路6によりディザや誤差拡散などの処理により映像信号の階調数が調整され、映像信号−SF対応付け回路7により、調整された映像デジタル信号を展開して各セルの階調表示するための点灯サブフィールドの組合せが決定され、SF負荷率検出回路8により、映像信号−SF対応付け回路7のSF情報からサブフィールドの表示負荷率を検出する。波形パラメータ変更回路10により、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9からの情報を用いて各サブフィールドの波形パラメータを決定する。さらにシーケンス変更回路12により、検出した各サブフィールドの表示負荷率に応じてSF負荷率−シーケンス対応付け回路11からの情報を用いて各サブフィールドのサステイン電圧波形のシーケンスを決定する。映像信号−SF対応付け回路7のSF情報と波形パラメータ変更回路10とシーケンス変更回路12の情報から、SF処理回路13によりサブフィールド表示のため駆動信号を発生する。このSF処理回路13からA駆動回路2とY駆動回路3とX駆動回路4に駆動信号が供給される。
リセット期間79において、放電セルを初期壁電荷状態(次のアドレス期間に放電しなければサステイン期間に放電しないような壁電荷状態)に戻す。アドレス期間80においては、図20(b)に示すように、SF処理回路13からのデータに基づき、A駆動回路2から図20(b)のA波形82、X、Y駆動回路4、3からX、Y波形83、84、85を出力する。従来技術の図18の説明と同様にして発光させるべき所望の放電セルにアドレス放電を発生させ、前記所望の放電セルのX、Y電極間に、壁電圧Vw(V)を発生させる。これにより、サステイン期間に発光する放電セルとしない放電セルが選択される。サステイン期間内に、X電極64とY電極65間に、この壁電圧があるときだけ放電する程度の電圧をX電極とY電極間に印加することにより、所望の放電セルだけが放電発光する。
サステイン期間の駆動について説明する。サステイン電圧Vx、Vyは図1に示すように、pls1、pls2、pls3、pls4の4パルスから成り、それぞれパルス幅Tpls1、Tpls2、Tpls3、Tpls4である。本実施の形態1では、各パルスにおいてVx、Vyの立下りのタイミングで放電が発生する。本実施の形態1では、この4パルスを1単位として繰り返すシーケンスである。
pls1では、まず時間(t1〜t2)がサステインY駆動回路の電力回収期間try1である。次の時間(t2〜t3)ではVyがVs−Vpの中間電圧まで立下り、期間(t3〜t4)にグランドに維持される。この間、VxはVs一定なので、Vx−Vyでは期間(t1〜t2)で立上り、期間(t2〜t3)で中間電圧Vp、期間(t3〜t4)でVsの波形となる。期間(t2〜t3)を前置期間tpy1、Vpを前置電圧と呼ぶ。Vx−Vyの絶対値がVsの期間をVs期間と呼ぶ(ここではt3〜t4)。放電は図1の「発光」に示すように、前置期間tpy1で1度目の放電を、Vs期間で2度目の放電をしている。この前置電圧を設けた駆動波形を2段放電駆動波形、これによる放電を2段放電と呼ぶ。2段放電は低電圧の放電のため高発光効率であることが知られている。
pls2では、まず期間(t5〜t6)がサステインX駆動回路の電力回収期間trx2である。次の期間(t6〜t7)ではVxがグランドに維持される。この間、VyはVs一定なので、Vx−Vyでは期間(t5〜t6)で立下り、期間(t6〜t7)で−Vsの波形となる。放電は単一ピークであることが多い。これを従来駆動波形、この放電を従来放電と呼ぶ。
pls3では、まず期間(t8〜t9)がサステインY駆動回路の電力回収期間try3である。次の期間(t9〜t10)ではVyがグランドに維持される。この間、VxはVs一定なので、Vx−Vyでは期間(t8〜t9)で立上り、期間(t9〜t10)でVsの波形となる。pls3との違いは電力回収期間の長さである。すなわちtrx2<try3である。電力回収期間を延長することにより放電が2段放電のようにダブルピークとなる。これをL延長駆動波形、これによる放電をL延長放電と呼ぶ。このL延長放電も従来放電よりも通常発光効率が高い。2段放電駆動波形とL延長駆動波形の違いは、2段放電駆動波形の方がVpを変えたり、電力回収期間try1と独立に前置期間tpy1を変えたり出来るので自由度が高く、目的に対してより放電の最適化が出来ることである。
pls4は再び2段放電駆動波形である。ただし、pls1とは異なり、サステインX駆動回路の立下りで放電する。まず期間(t11〜t12)がサステインX駆動回路の電力回収期間trx4である。次の期間(t12〜t13)ではVxがVs−Vpの中間電圧まで立下り、期間(t13〜t14)にグランドに維持される。この間、VyはVs一定なので、Vx−Vyでは期間(t11〜t12)で立上り、期間(t12〜t13)で中間電圧Vp、期間(t13〜t14)でVsの波形となる。期間(t12〜t13)を前置期間tpx4、Vpを前置電圧と呼ぶのはpls1と同じである。放電は図1の「発光」に示すように、前置期間tpx4で1度目の放電を、Vs期間で2度目の放電をしている。この場合にも高発光効率な2段放電をしている。
以上のような複数の種類のパルスを組合わせたシーケンスにすることにより、高発光効率で、かつ放電を安定化出来る。従来駆動波形pls2を入れたのは安定化のためである。
次に、図1のX、Yサステイン電圧波形を発生させるサステインX、Y駆動回路の動作を図1、図5、図6を用いて説明する。図1のサステインパルス波形Vx、Vyは図5のノードNx1およびY駆動回路のノードNy1の電圧波形である。図6のタイムチャートにおいてハイがスイッチオンの状態である。
図1に示す期間Tpls1(t1〜t5)の動作を説明する。この期間においてはサステインX駆動回路15のスイッチはSxuのみオンなので、VxはVsに保たれている。サステインY駆動回路14の動作は以下の通りである。期間(t1〜t2)ではSyrdがオン、それ以外のスイッチはオフである。したがって、電力回収コンデンサCyrがスイッチSyrd、ダイオードDyrdを介して電力回収コイルLyrに接続され、電力回収コイルLyrおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードNy1の電圧がVsから曲線的に下降する。このときパネル容量Cpに蓄積された電荷が電力回収コイルLyr、ダイオードDyr、dスイッチSyrdを介して電力回収コンデンサCyrへ充電される。期間(t2〜t3)ではスイッチSypがオン、それ以外のスイッチはオフとなる。したがって、ノードNy1はスイッチSypを介して電圧Vpの電源に接続され、Vp電源の正側がVs電源に接続されているので、ノードNx1の電位は中間電圧Vs−Vpに保持される。期間(t3〜t4)ではスイッチSydがオン、それ以外のスイッチはオフとなる。したがって、ノードNy1はスイッチSydを介してグランドに接続されノードNy1の電位はグランドまで立下り保持される。期間(t4〜t5)ではSyruがオン、それ以外のスイッチはオフである。したがって、電力回収コンデンサCyrがスイッチSyru、ダイオードDyruを介して電力回収コイルLyrに接続され、電力回収コイルLyrおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードNy1の電圧がグランドから曲線的に上昇する。このとき電力回収コンデンサCyrの電荷がスイッチSyru、ダイオードDyru、電力回収コイルLyrを介してパネル容量Cpに充電される。以上の動作により図1に示した期間Tpls1におけるサステイン電圧波形Vx、Vyが得られる。
図1に示す期間Tpls2(t5〜t8)の動作を説明する。この期間においてはサステインy駆動回路14のスイッチはSyuのみオンなので、VyはVsに保たれる。サステインX駆動回路15の動作は以下の通りである。期間(t5〜t6)ではSxrdがオン、それ以外のスイッチはオフである。したがって、電力回収コンデンサCxrがスイッチSxrd、ダイオードDxrdを介して電力回収コイルLxrに接続され、電力回収コイルLxrおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードNx1の電圧がVsから曲線的に下降する。このときパネル容量Cpに蓄積された電荷が電力回収コイルLxr、ダイオードDxr、dスイッチSxrdを介して電力回収コンデンサCxrへ充電される。期間(t6〜t7)ではスイッチSxdがオン、それ以外のスイッチはオフとなる。したがって、ノードNx1はスイッチSxdを介してグランドに接続されノードNx1の電位はグランドまで立下り保持される。期間(t7〜t8)ではSxruがオン、それ以外のスイッチはオフである。したがって、電力回収コンデンサCxrがスイッチSxru、ダイオードDxruを介して電力回収コイルLxrに接続され、電力回収コイルLxrおよびパネル容量CpによるLC共振により、ノードNx1の電圧がグランドから曲線的に上昇する。このとき電力回収コンデンサCxrの電荷がスイッチSxru、ダイオードDxru、電力回収コイルLxrを介してパネル容量Cpに充電される。以上の動作により図1に示した期間Tpls2におけるサステイン電圧波形Vx、Vyが得られる。
図1に示す期間Tpls3(t8〜t11)の動作は、XとYを逆にすれば期間Tpls2(t5〜t8)と同じである。ただし、期間(t8〜t9)が期間(t5〜t6)より長いことももう一つの相違点である。
図1に示す期間Tpls4(t11〜t15)の動作は、XとYを逆にすれば期間Tpls1(t1〜t5)と同じである。電力回収期間try1(t1〜t2)とtrx4(t11〜t12)、前置期間tpy1(t2〜t3)とtpx4(t12〜t13)を共通にする。これにより、入力信号の数を少なく出来、低コスト化につながる。ただし、別の値にすることが可能であることは言うまでもない。
以上のような、PDP装置の構成(図4)とサステイン駆動回路(図5)と入力信号タイミング(図6)により、図1のようなサステイン電圧波形による駆動が可能となる。
SF負荷率−シーケンス対応付け回路11の内容について説明する。
本実施の形態1では、サステイン電圧波形として4つのパルスを1単位とする繰返しの例を説明した。SF負荷率−シーケンス対応付け回路は、従来駆動波形(F)と、L延長駆動波形(B)と、2段放電駆動波形(W)の3種類の駆動波形の組合わせ方と順番を、SFごとの表示負荷率に応じて指定するルックアップテーブルである。SF負荷率−シーケンス対応付け回路のルックアップテーブルの例を図7に示す。表示負荷率10%以下では、輝度を重視してFのみ、表示負荷率10〜50%では電力回収率を重視してW、F、Bを、50%以上では発光効率と表示ムラ改善のためにW、F、B、Wのシーケンスにする。例えば、全白表示(表示負荷率100%)においては、Fのみを用いると「課題を解決するための手段」で述べたように表示ムラが大きく発生した。これは放電セルによって放電強度が異なり、それが固定化されるためであった。F、Bの組合わせを用いると表示ムラは若干改善したが不十分であった。放電が若干ばらつくようになったが、ばらつき方が不十分であった。これにWを加えてW、F、Bの組合わせにすることにより、放電が充分ばらつくようになり、輝点、暗点であった放電が平均化されて表示ムラが大幅に改善した。ただし、Wの波形パラメータに関し最適化しないと大幅な表示ムラの改善は出来ないことも分った。そのために、次に説明する「SF負荷率−波形パラメータ対応付け回路」が必要であった。
SF負荷率−波形パラメータ対応付け回路9の内容について説明する。図8は2段放電駆動の波形パラメータをタイミング信号として新たに定義したものである。電力回収回路オンの期間をLD、LDオンからVpオンまでの期間をPD、LDオンからVsオンまでの期間をCDとする。図8のサステイン電圧は絶対値で書かれている。図9に表示負荷率に対して発光効率向上を維持しながら、表示ムラを改善させたときの2段放電駆動波形の最適波形パラメータである。これをSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路のルックアップテーブルとする。FとBに関しても表示負荷率に応じて「CD」を変化させているが、省略する。表示負荷率約50%以上の高表示負荷率ではPDを120ns程度に早くオンし、20〜40%の低表示負荷率では300ns程度に遅くする。PDを変えると、前置電圧の立上り、および電力回収期間が変わる。PDを早くオンすると前置電圧が早く立上り、放電をばらつかせることが出来るようになる。これにより、表示ムラを軽減する効果がある。低表示負荷率においては、PDを遅くオンするとともに、LDも長くする。これにより、低表示負荷率でより効いてくる無効電力を低減出来る。図10は全白表示において、2段放電駆動の波形パラメータの最適化により、表示ムラが軽減できた際の発光波形の例である。PDを300nsに設定した場合には表示ムラの改善度合いが低かった。その場合の発光波形(A1)と発光波形(B1)は従来駆動(F)でそれぞれ輝点と暗点であった放電セルでの発光であり、放電のばらつきも小さかった。pls1の発光で見られるように放電セルAの発光が強くまだ輝点となっていた。逆に放電セルBは暗点であった。しかし、PDを160ns程度以下に短くすると放電が大きくばらつくようになった。放電セルAの発光が時に発光(A1)、時に発光(A2)のようにばらつき、放電セルBの発光が時に発光(B1)、時に発光(B2)のようにばらつきうまく平均化されて、表示ムラが大きく改善できた。このように、単セルにおけるサステイン放電発光が少なくとも2つのピークを有して、この2つのピークの大小が時間的に逆転しているようなばらついた放電が実現出来、うまく輝度が平均化されて、表示ムラが大きく改善できた。
他の表示負荷率領域においても同様な考え方で波形パラメータを最適化した。
また、WFBWというシーケンスに限らず、少なくともW、F、Bの3種類のサステイン駆動波形を含むことが放電をばらつかせ易く、さらに50%以上の高表示負荷率においてはPDを160nsに短く設定することが放電をばらつかせるのに効果的である。それにより、表示ムラを大幅に軽減することが出来る。
また、検出された表示負荷率に応じてサステインパルス数を制御することによって消費電力を常に一定値以下に制限するというAPC(Automatic Power Control)機能を有している。すなわち、ある一定以上の表示負荷率h1%(例えば15%)の表示で消費電力を一定に保つように、SF処理回路13により、表示負荷率が大きくなるほどサステインパルス数を少なく設定する。
また、シーケンス変更回路12や波形パラメータ変更回路10により用いる駆動波形の組合わせ、パラメータ値が変わる境界の表示負荷率においては、両者の放電による発光輝度を略一致させる。略一致させるとは、人間の目に不自然にならない程度に一致させることである。発光輝度を略一致させるためには、パルス数を調節したり、波形パラメータを出来るだけ細かく変化させる方法等がある。
以上のように、本実施の形態1では、従来駆動波形とL遅延駆動波形および2段放電駆動波形を同時に用い、また、2段放電駆動波形のパラメータPDを短く設定することにより、放電をばらつかせることが出来る。これにより、発光効率を向上させながら、表示ムラを大幅に軽減したプラズマディスプレイ装置が得られる。
[実施の形態2]
実施の形態1と異なる点のみを述べる。PDP装置の概略構成と動作は実施の形態1の図4と同じである。実施の形態2のサステイン電圧波形と発光波形を図11に、サステイン駆動回路を図12に、図12の回路を用いて図11のサステイン電圧波形を発生させるための駆動回路のスイッチへの入力信号(Sxru〜Syd)のタイミングチャートを図13示す。実施の形態1と異なるのは、図12において実施の形態1の図5にあったサステインX駆動回路のVp電源とスイッチSxpが無いことである。すなわち、前置電圧VpはサステインY駆動回路のみで発生する構成である。これにより、Vp用のスイッチをXY両側配置する場合よりも低コスト化することが出来る。
実施の形態1と異なる点のみを述べる。PDP装置の概略構成と動作は実施の形態1の図4と同じである。実施の形態2のサステイン電圧波形と発光波形を図11に、サステイン駆動回路を図12に、図12の回路を用いて図11のサステイン電圧波形を発生させるための駆動回路のスイッチへの入力信号(Sxru〜Syd)のタイミングチャートを図13示す。実施の形態1と異なるのは、図12において実施の形態1の図5にあったサステインX駆動回路のVp電源とスイッチSxpが無いことである。すなわち、前置電圧VpはサステインY駆動回路のみで発生する構成である。これにより、Vp用のスイッチをXY両側配置する場合よりも低コスト化することが出来る。
実施の形態2のサステイン期間では、サステインY駆動回路の立下りのときが常にWでシーケンスはWFWB(繰返し単位)である。図11に示す期間Tpls1、Tpls2は実施の形態1とまったく同じである。期間Tpls3、Tpls4は、実施の形態1の期間Tpls3、Tpls4のXとYを逆にした動作である。この場合のSF負荷率−シーケンス対応付け回路のルックアップテーブルを図14に示す。表示負荷率10%以下ではF、表示負荷率10%以上ではWFWBである。この場合のSF負荷率−波形パラメータ対応付け回路のルックアップテーブルを図15に示す。表示負荷率約50%以上では実施の形態1とほぼ同じであるが、表示負荷率10%付近でPDが急速に0に近づく点が少し異なる。これにより、表示負荷率10%以下のF駆動と輝度が連続的につながり易い。表示負荷率50%以上の表示では、PDを160ns以下程度に小さくして急峻にVpを立ち上げることにより放電をばらつかせ、表示ムラを軽減することが出来た。
以上のように、本実施の形態2では、Vpのスイッチが片側配置なので両側配置の場合より低コスト化でき、発光効率を向上させながら表示ムラを低減出来る効果がある。
本発明は、上記の形態のみに制限されず、上記で述べた様々な組合わせも含まれる。
以上のように、本発明による駆動法によれば、従来法に比べて発光効率を向上させながら、表示ムラを低減した駆動が可能となる。
また、前述した各実施の形態の諸組み合わせで、可能なもの全てが本発明として実施可能であることは言うまでもない。
以上、前記諸実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
本発明は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関し、特に、表示品質(表示ムラ)を改善し、かつ発光効率を向上させる装置に利用可能である。
1…プラズマディスプレイパネル(パネル、PDP)、2…A駆動回路、3…Y駆動回路、4…X駆動回路、5…A/D変換回路、6…表示階調調整回路、7…映像信号−SF対応付け回路、8…SF負荷率検出回路、9…SF負荷率−波形パラメータ対応付け回路、10…波形パラメータ変更回路、11…SF負荷率−シーケンス対応付け回路、12…シーケンス変更回路、13…SF処理回路、14…サステインY駆動回路、15…サステインX駆動回路、16…Y電力回収回路、17…X電力回収回路、
51…前面基板、52…X透明電極、53…Y透明電極、54…Xバス電極、55…Yバス電極、56…前面誘電体(誘電体膜)、57…保護膜、58…背面基板、59…アドレス電極(書き込み電極、A電極)、60…背面誘電体(誘電体膜)、61…隔壁、62…蛍光体、63…放電空間、64…X電極、65…Y電極、66…電子、67…正イオン、68…正の壁電荷、69…負の壁電荷、
70…1TVフィールド期間、71〜78…サブフィールド、79…リセット期間、80…アドレス期間、81…サステイン期間、82…A電極に印加する電圧波形(A波形)、83…X電極に印加する電圧波形(X波形)、84…Y電極のi番目に印加する電圧波形(Y波形)、85…Y電極の(i+1)番目に印加する電圧波形(Y波形)、86、87…スキャンパルス、88…X電極電圧波形、89…Y電極電圧波形、90…A電極電圧波形、
91…パネル(プラズマディスプレイパネル、PDP)、92…X電極端子部、93…Y電極端子部、94…A電極端子部、95…X駆動回路、96…Y駆動回路、97…A駆動回路、98…駆動回路、99…画像源、100…プラズマディスプレイ装置。
51…前面基板、52…X透明電極、53…Y透明電極、54…Xバス電極、55…Yバス電極、56…前面誘電体(誘電体膜)、57…保護膜、58…背面基板、59…アドレス電極(書き込み電極、A電極)、60…背面誘電体(誘電体膜)、61…隔壁、62…蛍光体、63…放電空間、64…X電極、65…Y電極、66…電子、67…正イオン、68…正の壁電荷、69…負の壁電荷、
70…1TVフィールド期間、71〜78…サブフィールド、79…リセット期間、80…アドレス期間、81…サステイン期間、82…A電極に印加する電圧波形(A波形)、83…X電極に印加する電圧波形(X波形)、84…Y電極のi番目に印加する電圧波形(Y波形)、85…Y電極の(i+1)番目に印加する電圧波形(Y波形)、86、87…スキャンパルス、88…X電極電圧波形、89…Y電極電圧波形、90…A電極電圧波形、
91…パネル(プラズマディスプレイパネル、PDP)、92…X電極端子部、93…Y電極端子部、94…A電極端子部、95…X駆動回路、96…Y駆動回路、97…A駆動回路、98…駆動回路、99…画像源、100…プラズマディスプレイ装置。
Claims (19)
- 少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、
単セルにおけるサステイン放電発光が少なくとも2つのピークを有するものを含み、前記2つのピークの大小が時間的に逆転することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 少なくとも発光表示のためのサステイン放電を行うサステイン電極対を有する複数の放電セルを少なくとも備えるプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、
サブフィールド駆動によるサブフィールドごとの表示負荷率を検出するサブフィールド負荷率検出回路と、
サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類と順番を、前記サブフィールド負荷率検出回路で検出した各サブフィールドの表示負荷率と対応させるサブフィールド負荷率−シーケンス対応付け回路と、
前記サブフィールド負荷率−シーケンス対応付け回路からの情報を用いて各サブフィールドのサステイン電圧波形のシーケンスを決定するシーケンス変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置において、
サブフィールド駆動によるサブフィールドごとの表示負荷率を検出するサブフィールド負荷率検出回路と、
サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類と順番を、前記サブフィールド負荷率検出回路で検出した各サブフィールドの表示負荷率と対応させるサブフィールド負荷率−シーケンス対応付け回路と、
前記サブフィールド負荷率−シーケンス対応付け回路からの情報を用いて各サブフィールドのサステイン電圧波形のシーケンスを決定するシーケンス変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマディスプレイ装置において、
サブフィールド駆動によるサブフィールドごとの表示負荷率を検出するサブフィールド負荷率検出回路と、
前記サブフィールド負荷率検出回路で検出した各サブフィールドの表示負荷率と波形パラメータを対応させるサブフィールド負荷率−波形パラメータ対応付け回路と、
前記サブフィールド負荷率−波形パラメータ対応付け回路からの情報を用いて各サブフィールドのサステイン電圧波形パラメータを決定する波形パラメータ変更回路とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項2に記載のプラズマディスプレイ装置において、
ひとつのサブフィールド中のサステイン放電において、サステイン放電における繰返し単位に含まれる駆動波形の種類として、
少なくとも電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形と、
第一の電圧と、前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項5に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第一の電圧と前記第二の電圧を有する駆動波形は、前記電力回収期間の後前記第二の電圧に立ち上がり前記第一の電圧に立上がる駆動波形であり、
電力回収回路のスイッチ信号のオン期間LD、前記LDオンから前記第二の電圧のスイッチ信号のオンまでの期間PD、前記LDオンから前記第一の電圧のスイッチ信号のオンまでの期間CDを波形パラメータとして、サブフィールドごとの表示負荷率に応じて前記波形パラメータを変化させることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が60%以上では、前記表示負荷率が20〜50%よりも前記PDを短く設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が60%以上では、前記PDを160ns以下に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が60%以上では、前記PDを130ns以下に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が20〜40%では、前記PDを200〜400nsに設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が20〜40%では、前記PDを250ns以上に設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が20%までは、前記表示負荷率が低くなるほど前記CDを大きく設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記表示負荷率が20%までは、前記表示負荷率が低くなるほど前記LDを大きく設定することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項2に記載のプラズマディスプレイ装置において、
電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形のうち、前記電力回収期間の短い駆動波形をF、前記電力回収期間の長い駆動波形をBとし、
第一の電圧と前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形をWとして、
繰返し単位に含まれる駆動波形がW、F、B、Wのように、Wの間にF、Bが挟まれる順番であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイ装置において、
第二の電圧のスイッチがサステイン電極対の一方の駆動回路のみに設置されたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項2に記載のプラズマディスプレイ装置において、
電力回収期間と第一の電圧維持期間を有する駆動波形である電力回収期間の異なる2種類の駆動波形のうち、前記電力回収期間の短い駆動波形をF、前記電力回収期間の長い駆動波形をBとし、
第一の電圧と前記第一の電圧より低い第二の電圧を有する駆動波形をWとして、
繰返し単位に含まれる駆動波形がW、F、W、Bのように、Wの間にFまたはBが挟まれる順番であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項3に記載のプラズマディスプレイ装置において、
シーケンス変更の際、輝度が連続に変化するようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項4に記載のプラズマディスプレイ装置において、
波形パラメータ切り替えの際、輝度が連続に変化するようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置において、
第一の電圧電源に正側の第二の電圧を接続しスイッチに接続し、サステイン電圧波形の立下りのタイミングで放電することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
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