JP2010278207A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するための一態様として、真空容器内部に配置された真空処理室と、前記真空処理室内の下方に配置されその上面に試料が載置される試料台と、前記真空処理室の下方に配置され前記真空処理室を排気する排気手段と、前記真空処理室の上部で前記試料台の上面と対向して配置された第１のプレートと、前記真空容器内部で前記第１のプレートの上方に配置された平板状の第２のプレートと、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間の第１の空間及び前記第２のプレートの上方に配置されて前記処理用ガスが導入される円筒状の第２の空間と、前記前記試料台の上方の前記第２のプレートの前記平板状の部分に配置され、前記第１及び第２の空間を連通して前記第２の空間内の処理用ガスが前記第１の空間に流入する貫通孔と、前記第１のプレートに配置され、前記第１の空間内に導入された前記処理用ガスが前記真空処理室内に流入する複数の導入孔とを備えたプラズマ処理装置とする。

また、真空処理室と、前記真空処理室に配置された試料台と、前記試料台の上部に配置された処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部へ導入される処理ガスの流量を制御するガス流量制御器と、前記真空処理室を排気する排気手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記試料台に対向して設けられ、前記試料台の中心を通る軸周りに軸対象に複数の導入孔を有する第１のプレートと、前記第１のプレートの上部に配置され、平板状の部分に貫通孔を有する第２のプレートと、前記第１のプレートと前記第２のプレートの間に形成される第１の空間と、前記第２のプレート上部に形成され、処理ガスが導入される円筒状の第２の空間と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置とする。

Claims (9)

1. 真空容器内部に配置された真空処理室と、
   前記真空処理室内の下方に配置されその上面に試料が載置される試料台と、
   前記真空処理室の下方に配置され、前記真空処理室を排気する排気手段と、
   前記真空処理室の上部で前記試料台の上面と対向して配置された第１のプレートと、
   前記真空容器内部で前記第１のプレートの上方に配置された平板状の第２のプレートと、
   前記第１のプレートと前記第２のプレートの間の第１の空間と、
   前記第２のプレートの上方に配置されて前記処理用ガスが導入される円筒状の第２の空間と、
   前記試料台の上方の前記第２のプレートの前記平板状の部分に配置され、前記第１及び第２の空間を連通して前記第２の空間内の処理用ガスが前記第１の空間に流入する貫通孔と、
   前記第１のプレートに配置され、前記第１の空間内に導入された前記処理用ガスが前記真空処理室内に流入する複数の導入孔と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記複数の導入孔が前記試料台の中心を通る軸周りに軸対称に配置され、前記貫通孔が前記軸周囲に絞って配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記複数の導入孔が前記試料台の前記上面より広い範囲であって前記貫通孔の配置された前記軸の上方から見て当該貫通孔の外周側の重ならない位置に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項１乃至３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記第１の空間内の前記処理用ガスの流れが分子流であることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項１乃至３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記貫通孔の配置された領域の径が５ｍｍであり、前記導入孔の最小の内径が０．１乃至０．７ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 真空処理室と、前記真空処理室に配置された試料台と、前記試料台の上部に配置された処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部へ導入される処理ガスの流量を制御するガス流量制御器と、前記真空処理室を排気する排気手段とを有するプラズマ処理装置であって、
   前記処理ガス供給部は、前記試料台に対向して設けられ、
   前記試料台の中心を通る軸周りに軸対象に複数の導入孔を有する第１のプレートと、
   前記第１のプレートの上部に配置され、平板状の部分に貫通孔を有する第２のプレートと、
   前記第１のプレートと前記第２のプレートの間に形成される第１の空間と、
   前記第２のプレート上部に形成され、処理ガスが導入される円筒形状の第２の空間と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 請求項６記載のプラズマ処理装置において、
   前記貫通孔は、前記試料台の中心の軸とその近傍に絞って配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
8. 請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置において、
   前記貫通孔は、鉛直上方から見て前記貫通孔の外周側であって前記複数の前記導入孔とは重ならない位置に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
   前記プラズマ処理装置は、前記処理室の上方に配置され前記第１及び第２のプレートを透過してこの処理室内に供給される電界の形成手段及びこの処理室内に供給される磁界の形成手段とを有して前記電界及び磁界を用いて前記処理室内に形成したプラズマにより前記試料をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理装置。