JP2010275618A - イオンプレーティング方法及び装置、及びイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空チャンバ12内に設置された被イオンプレーティング用基材13に対して蒸着材料20を蒸着するイオンプレーティング装置10は、蒸着材料20を収納するるつぼ19と、真空チャンバ12内に昇華ガス25を導入するガス導入部24と、昇華ガス25をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン11と、プラズマ化された昇華ガス25がるつぼ19に収納された蒸着材料20に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構5とを備えている。このうちプラズマガン11はガス導入部24に設けられており、磁場機構5はプラズマガン11と真空チャンバ12との間に設けられている。また、昇華ガス25は、キセノンガス26とアルゴンガス27とを含んでいる。
【選択図】図1
Description
以下、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。
はじめに図1を参照して、イオンプレーティング装置10について説明する。図1に示すように、真空チャンバ12内に設置された被イオンプレーティング用基材13に対して蒸着材料20を蒸着するイオンプレーティング装置10は、真空チャンバ12内に設置され、蒸着材料20を収納するるつぼ19と、真空チャンバ12に取り付けられ、真空チャンバ12内に昇華ガスを導入する昇華ガス導入管25aを有するガス導入部24と、ガス導入部24に接続され、投入された放電電力によって昇華ガス25をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン11と、プラズマガン11によってプラズマ化された昇華ガス25がるつぼ19内の蒸着材料20に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構5とを備えている。
一般にアルゴンやキセノン等の希ガスは、最外殻電子が閉殻構造をとるため、反応性はほとんど見られない。しかしキセノンは、その最外殻(5s25p6)電子と原子核との間の距離がアルゴンに比べて大きいため、原子核と最外殻電子の間にある電子の遮蔽効果によって、原子核が最外殻電子を束縛する力がアルゴンの場合よりも小くなる。従って、キセノンはアルゴンよりもイオン化し易いと言える。このため、真空放電において抵抗の低いプラズマ状態を作り出すことが可能となる。ここで、抵抗の低いプラズマ状態を作り出すことが可能というのは、高電流・低電圧のプラズマを安定的に発生させることが可能ということを意味する。
次に、被イオンプレーティング用基材13上に形成される蒸着膜31について説明する。図2は、本実施の形態において、被イオンプレーティング用基材13上に形成された蒸着膜31を示す断面図である。
次に、被イオンプレーティング用基材13について説明する。被イオンプレーティング用基材13は、図2に示すように、基材33と、基材33の表面を平滑化するために適宜設けられる平坦化層32とからなる。基材33としては、主にはシート状やフィルム状のものが用いられるが、具体的な用途や目的等に応じて、非フレキシブル基板やフレキシブル基板を用いることもできる。例えば、ガラス基板、硬質樹脂基板、ウエハ、プリント基板、様々なカード、樹脂シート等の非フレキシブル基板を用いてもよい。
はじめに、真空チャンバ12内に、基材33と平坦化層32とを有する被イオンプレーティング用基材13を設置する。次に、酸化珪素と導電性化合物との混合物からなる蒸着材料20を真空チャンバ12のるつぼ19内に収納する。その後、真空チャンバ12のガス導入部24に設けられたプラズマガン11に、キセノンガス26とアルゴンガス27とを含む昇華ガス25を導入する。
次に図1乃至図3を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。ここで図3は、本発明の第2の実施の形態において、制御装置による制御を示すブロック図である。
次に図1乃至図3を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。
はじめに、ガスバリア膜31aについて説明する。本実施の形態においては、被イオンプレーティング用基材13上に形成される蒸着膜31としてガスバリア膜31aが形成される。図2に示すように、被イオンプレーティング用基材13と、被イオンプレーティング用基材13上に形成されたガスバリア膜31aとによりガスバリア性シート30が形成されている。
次に、イオンプレーティング方法を用いて、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成する方法について説明する。はじめに、好ましいイオンプレーティング装置10およびイオンプレーティング条件について説明する。
なお、後に実施例において示すように、昇華ガス25がキセノンガス26とアルゴンガス27とからなる場合、昇華ガス25中のキセノンガス26の比率が大きいほど、形成されるガスバリア膜31aのガスバリア特性が向上する。昇華ガス25中のキセノンガス26の比率は、所望のガスバリア特性、コストおよびプラズマガン11における電気抵抗値などを考慮して設定されるが、ガスバリア特性を考慮すると、昇華ガス25中のキセノンガス26の比率が50%以上であることが好ましい。
蒸着材料として、SiO2粉末(高純度化学製)とZnO粉末とを10:3の比で混合し、プレス後1000度で1時間焼成し作製した蒸着材料20を用いた。一方、被イオンプレーティング用基材13として、PENフィルムからなる基材33を有する被イオンプレーティング用基材13を用いた。
プラズマガン11における放電電流が149A、放電電圧が123Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を6秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は40nm、全光線透過率は90.5%、水蒸気透過率は0.05g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が99A、放電電圧が110Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は47.9nm、全光線透過率は90.5%、水蒸気透過率は0.03g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が184A、放電電圧が97Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は50.9nm、全光線透過率は90.7%、水蒸気透過率は0.01g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が134A、放電電圧が105Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、圧力調整ガス28としてアルゴンガスを20sccm真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は80nm、全光線透過率は92.1%、水蒸気透過率は0.03g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が135A、放電電圧が129Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、圧力調整ガス28としてアルゴンガスを40sccm真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は38nm、全光線透過率は90.0%、水蒸気透過率は0.12g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が174A、放電電圧が102Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、圧力調整ガス28としてキセノンガスを20sccm真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は87nm、全光線透過率は92.7%、水蒸気透過率は0.03g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が105A、放電電圧が136Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、昇華ガス25としてキセノンガス6sccmとアルゴンガス6sccmとを混合して真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は123nm、全光線透過率は89.4%、水蒸気透過率は0.03g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が143A、放電電圧が98Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、蒸着材料として、SiO2粉末(高純度化学製、φ5mm)からなる蒸着材料20を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は185.8nm、全光線透過率は92.9%、水蒸気透過率は0.24g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が114A、放電電圧が85Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、蒸着材料として、SiO2粉末(高純度化学製、φ5mm)からなる蒸着材料20を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は97.3nm、全光線透過率は93.0%、水蒸気透過率は0.29g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が113A、放電電圧が162Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を12秒間とし、さらに、昇華ガス25としてアルゴンガス12sccmを真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例1と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は52.0nm、全光線透過率は89.7%、水蒸気透過率は0.20g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が77A、放電電圧が118Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を24秒間とし、さらに、昇華ガス25としてアルゴンガス12sccmを真空チャンバ12内に導入したこと以外は、実施例9と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は105.4nm、全光線透過率は92.8%、水蒸気透過率は1.08g/m2dayであった。
プラズマガン11における放電電流が126A、放電電圧が144Vであり、かつイオンプレーティングの実施時間を12秒間とし、さらに、圧力調整ガス28としてアルゴンガスを40sccm真空チャンバ12内に導入したこと以外は、比較例2と同様にして、被イオンプレーティング用基材13上にガスバリア膜31aを形成した。得られたガスバリア膜31aの膜厚は161.5nm、全光線透過率は90.9%、水蒸気透過率は1.12g/m2dayであった。
2 電子帰還電極
3 反射電子流
5 磁場機構
10 イオンプレーティング装置
11 プラズマガン
12 真空チャンバ
12A 短管部
13 被イオンプレーティング用基材
14 放電電源
15 陰極
16 第1中間電極
17 第2中間電極
18 収束コイル
19 るつぼ
20 蒸着材料
21 るつぼ用磁石
22 プラズマ化昇華ガス流
23 電子帰還電極水冷用ジャケット
24 ガス導入部
25 昇華ガス
25a 昇華ガス導入管
26 キセノンガス
26a キセノン導入管
26b キセノン導入バルブ
27 アルゴンガス
27a アルゴン導入管
27b アルゴン導入バルブ
28 圧力調整ガス28
28a 圧力調整ガス導入管
28b 圧力調整ガス導入バルブ
30 ガスバリア性シート
31 蒸着膜
31a ガスバリア膜
32 平坦化層
32a 第1平坦化層
32b 第2平坦化層
33 基材
40 防着板
41 成膜速度計
42 真空計
43 酸素供給管
44 測定値収集ユニット
45 放電電流計
46 放電電圧計
47 電子帰還電極電流計
48 接地電流計
49 排気管
50 排気ポンプ
51 演算部
55 アース
60 制御装置
61 検出機構
Claims (11)
- 被イオンプレーティング用基材に対して蒸着材料を蒸着するイオンプレーティング方法において、
真空チャンバ内に被イオンプレーティング用基材を設置する工程と、
真空チャンバ内に蒸着材料を設置する工程と、
真空チャンバのガス導入部に設けられたプラズマガンに、昇華ガス導入管を介して昇華ガスを導入する工程と、
プラズマガンに放電電力を投入し、放電を生じさせ、当該放電により昇華ガスをプラズマ化させる工程と、
プラズマ化した昇華ガスを真空チャンバ内の蒸着材料に向けて照射する工程と、
プラズマ化した昇華ガスによって蒸着材料を昇華させるとともにイオン化させることにより、蒸着材料を基材に対して蒸着させる工程と、を備え、
昇華ガスはキセノンガスを含むことを特徴とするイオンプレーティング方法。 - 昇華ガスのうちキセノンガスの導入量は、昇華ガス導入管に設けられたキセノン導入バルブを介して制御装置により調整され、
制御装置は、プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流に基づき算出される電気抵抗値が所定範囲内に含まれるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項1に記載のイオンプレーティング方法。 - 制御装置は、プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流に基づき算出される電気抵抗値が0.5〜1.3Ωとなるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項2に記載のイオンプレーティング方法。
- 制御装置は、プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流に基づき算出される電気抵抗値が0.5〜0.9Ωとなるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項3に記載のイオンプレーティング方法。
- 昇華ガスのうちキセノンガスの導入量は、昇華ガス導入管に設けられたキセノン導入バルブを介して制御装置により調整され、
制御装置は、プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流に基づき算出される電気抵抗値が所定値よりも大きい場合、電気抵抗値が所定値以下になるまでキセノンガスの導入量を増加させるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項1に記載のイオンプレーティング方法。 - 請求項1に記載のイオンプレーティング方法を用いて、被イオンプレーティング用基材上にガスバリア膜を形成することを特徴とするガスバリア膜形成方法。
- 真空チャンバ内に設置された被イオンプレーティング用基材に対して蒸着材料を蒸着するイオンプレーティング装置において、
真空チャンバ内に設置され、蒸着材料を収納するるつぼと、
真空チャンバに取り付けられ、真空チャンバ内に昇華ガスを導入する昇華ガス導入管を有するガス導入部と、
ガス導入部に接続され、投入された放電電力によって発生する放電により昇華ガスをプラズマ化させるプラズマガンと、
プラズマガンによってプラズマ化された昇華ガスがるつぼ内の蒸着材料に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構と、を備え、
昇華ガスはキセノンガスを含むことを特徴とするイオンプレーティング装置。 - プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流を計測するとともに、放電電圧と放電電流とに基づき電気抵抗値を算出する検出機構を更に備え、
昇華ガスのうちキセノンガスの導入量は、昇華ガス導入管に設けられたキセノン導入バルブを介して制御装置により調整され、
制御装置は、検出機構により算出された電気抵抗値が所定範囲内に含まれるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項7に記載のイオンプレーティング装置。 - 制御装置は、検出機構により算出された電気抵抗値が0.5〜1.3Ωとなるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項8に記載のイオンプレーティング装置。
- 制御装置は、検出機構により算出された電気抵抗値が0.5〜0.9Ωとなるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項9に記載のイオンプレーティング装置。
- プラズマガンに投入された放電電力により生じる放電電圧と放電電流を計測するとともに、放電電圧と放電電流とに基づき電気抵抗を算出する検出機構を更に備え、
昇華ガスのうちキセノンガスの導入量は、昇華ガス導入管に設けられたキセノン導入バルブを介して制御装置により調整され、
制御装置は、検出機構により算出された電気抵抗値が所定値よりも大きい場合、電気抵抗値が所定値以下になるまでキセノンガスの導入量を増加させるようキセノン導入バルブを制御することを特徴とする請求項7に記載のイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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