JP2010271720A - 光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法 - Google Patents

光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】照射される時、エレクトロクロミック薄膜の色彩が変化する光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法が提供される。その方法に従って、透明基板上に少なくとも1つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池がアノード、光電変換層およびカソードを少なくとも含むとともに、アノードの一表面の一部が薄膜太陽電池から露出される。エレクトロクロミック薄膜がカソードの少なくとも1つの表面およびアノードの露出された表面に沈積される。その後、薄膜太陽電池の表面上に電解層を形成してエレクトロクロミック薄膜を被覆する。薄膜太陽電池のアノードおよびカソードが光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとしても供される。
【選択図】図9

Description

この発明は、光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法に関する。
構造の観点から、典型的なエレクトロクロミック装置(通電変色装置とも言う)は、固体型と液体型とに分けられる。固体型エレクトロクロミック装置100の構造が2つのガラスまたはプラスチック透明基板102を含む。図1に示すように、それぞれ異なる機能を有する少なくとも5つの塗布/メッキ層(透明導電層104とエレクトロクロミック薄膜106と固体電解層108とイオン蓄積層110と透明導電層104のように)が2つの基板102間に配置されて、サンドイッチのように、バッテリーのような構造を構成している。液体型エレクトロクロミック装置200の構造が2つの透明導電基板202,202により形成されている。図2に示すように、2つの対向する透明導電基板202上のアノード(陽極)およびカソード(陰極)の1つ又は2つの側面がそれぞれ透明導電エレクトロクロミック層204で塗布/メッキされるとともに、電解溶液206が透明導電基板202,202間に加えられている。
長いあいだ開発されてきたエレクトロクロミック技術を比較すると、光起電性およびエレクトロクロミック技術の統合は、省エネルギーにおけるより良い効率を提供し、エレクトロクロミック装置のために、追加的な電源なしにエレクトロクロミック層中の色彩変化を達成することができる。初期において、光起電性エレクトロクロミック技術は、色彩変化のためにプルシアンブルーエレクトロクロミック色薄膜および感光性層TiO(二酸化チタン)の複合膜を使用するという概念に基づいて発展してきた。近年、そのような概念が更に感光層とエレクトロクロミック層とを分離してアノードとカソードとをそれぞれ1つの装置として構成するように拡張されてきた。この種の装置は、染料増感太陽電池(dye sensitive solar cells)中へ挿入されるエレクトロクロミック材料を有するものとして記述されることができ、エレクトロクロミック技術において最も広範に議論される主題となってきている。エレクトロクロミック材料が三酸化タングステン(WO)であるとともに、主要にルテニウム染料Ru−dyeを使用する染料増感太陽電池である。エレクトロクロミック装置300の構造を図3に示す。エレクトロクロミック装置300は、2つの透明導電基板302,302と、感光材料から形成され、かつ透明導電基板302,302間に配置される工作電極層304と、電解質層306と、エレクトロクロミック材料として形成される補助電極層308とを含む多層式エレクトロクロミック装置である。
米国特許第6,369,934号明細書 米国特許第5,384,653号明細書 米国特許第6,055,089号明細書 米国特許第5,805,330号明細書 米国特許第5,377,037号明細書
米国特許第6369934号が例えば全有機多層光電化学装置を開示している。しかし、そのような構造を実用的な応用に利用するためには、感光層の長期にわたる安定性および大型サイズを有する装置を開発する可能性のような多くの問題が克服される必要がある。
米国特許第5,384,653号は、互いに分離された2つのガラスパネルの可変透過率を提供し、そのうち、エレクトロクロミック層スタックがガラスパネルに沿って配置された光起電性電池のアレイと共に第1ガラスパネルの内面側に配置されて、エレクトロクロミック層スタックの色彩を変化させるために必要な電力を産出する。バッテリーが光起電性電池のアレイに並列式に配置されて、ユーザーは、手動でシステムを欲する透過率にすることができる。
米国特許第6,055,089号は、太陽電池をエレクトロクロミック装置と結合してなるエレクトロクロミックシステムを提供し、そのうち、無機エレクトロクロミックガラスがシリコンクリスタル太陽電池モジュールの前方に配置されるとともに、空気層が無機エレクトロクロミックガラスおよびシリコンクリスタル太陽電池モジュール間に配置される。太陽光照射のもと、太陽電池により生成された電力がセルの末端を介してエレクトロクロミック装置へ出力され、エレクトロクロミック層の色彩を変化させる。エレクトロクロミックシステム中の色彩コントラストが太陽電池に降り注ぐ入射光強度を制御するとともに、それにより太陽電池の出力電流を決定する。
米国特許第5,805,330号は、全有機構造を提供し、そのうち、上部層および下部層がともに透明導電構造であるとともに、有機小型分子エレクトロクロミック材料および電解質溶液がそれらの間に配置される。太陽電池モジュールがエレクトロクロミックガラスのエッジに粘着されて、太陽光により照射される時、太陽電池により生成された電流がセルの出力端を介してエレクトロクロミック装置へ供給されるとともに、それによってエレクトロクロミック装置が色彩を変化させる。
また、米国特許第5,377,037号は、太陽電池をエレクトロクロミック装置と連合して単一装置を形成し、基本的にスタッキング方法を使用することにより製造されて、モノリシックシリコン薄膜太陽電池を第1導電ガラス基板上の無機エレクトロクロミック装置と連合させるとともに、反対の位置にシリコン薄膜太陽電池を他の透明導電ガラス基板に結合する。構造間に、液体有機電解質溶液または固体無機電解質層が配置される。装置の色彩コントラストが比較的低いものである。
そこで、この発明の目的は、照射される時、エレクトロクロミック薄膜の色彩が変化する光起電性エレクトロクロミック装置を提供することにある。光起電性エレクトロクロミック装置は、追加的な電力なしに色彩変化を実施するとともに、電気を生成するために一般の薄膜太陽電池として使用できるものである。
この発明は、さらに、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードがまた光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとして供される光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法を提供するものである。
この発明は、光起電性エレクトロクロミック装置を提供するものであり、透明基板と少なくとも1つの薄膜太陽電池と少なくとも1つのエレクトロクロミック薄膜と電解質層とを少なくとも含むものである。少なくとも1つの薄膜太陽電池が透明基板上に配置され、そのうち、少なくとも1つの薄膜太陽電池がアノードと光電変換層とカソードとを少なくとも含むとともに、アノードの表面の一部が薄膜太陽電池から露出される。少なくとも1つのエレクトロクロミック薄膜がカソードの少なくとも一表面および薄膜太陽電池のアノードの露出された表面に配置される。電解質層がエレクトロクロミック薄膜を被覆する。また、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードがまた光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとして供される。
この発明は、さらに、光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法を提供するとともに、その方法が透明基板上に少なくとも1つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池がアノード、光電変換層およびカソードを少なくとも含むとともに、アノードの一表面の一部が薄膜太陽電池から露出されることを含む。さらに、エレクトロクロミック薄膜がカソードの少なくとも1つの表面およびアノードの露出された表面に沈積される。その後、薄膜太陽電池の表面上に電解層を形成してエレクトロクロミック薄膜を被覆し、そのうち、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードが光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとしても供される。
上記に基づき、この発明は、薄膜太陽電池により生成された電流を使用して光線誘導電気メッキ(light induced electroplating)を実施する。酸化還元反応を介して、電気メッキ溶液中のモノマー、発色団(chromophores)または金属イオンは、薄膜太陽電池の電極(アノードまたはカソード)上に直接沈積される。また、この発明の光起電性エレクトロクロミック装置は、アノードおよびカソードが透明基板の同一表面上に全て形成されるので、単一側基板光起電性エレクトロクロミック装置である。
以上の結論として、この発明は、薄膜太陽電池の内部光線誘導電圧差(internal photo-induced voltage difference)を使用して、外部電気バイアスフィールドを使用することなしに、電気メッキを行う。照射時に、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードが同時に電子と正孔とを生成し、電気メッキ溶液が反応するとともに、アノードおよびカソード上に沈積することを引き起こす。かくして、薄膜太陽電池が透明基板上に形成される時、エレクトロクロミック薄膜のアノードおよびカソードが太陽電池のアノードおよびカソードの表面に同時に形成される。従って、この発明の光起電性エレクトロクロミック装置は、電力生成能力を有する太陽電池および建材として応用されるスマートウィンドウとして共に機能できるものであり、例えば、グリッド連結(grid-tied)の建材一体型光起電(building integrated photovoltaic;BIPV)として公益的な利益をもたらす。照射される時、電流が薄膜太陽電池により生成され、電流を様々な電気機器に供給することができる。外からの日差しが強くなって室内の温度を上昇させる時、二者択一的に、エレクトロクロミック材料の色彩を変化させるために電流が供給される。ガラスに使用する時、光起電性エレクトロクロミック装置は、紫外線、可視光線および赤外線スペクトルを遮断することができる。その結果として、室内温度と光線とが低減できてビルの所有者を満足させるとともに、省エネルギー目的を達成する。このような自給自足装置は、エネルギー源として太陽光を必要とするだけであり、2つの利点をもたらす。光起電性エレクトロクロミック装置は、BIPVおよびスマートウィンドウの他にも様々な応用性を有する。薄膜太陽電池の異なる設計によって、光起電性エレクトロクロミック装置は、色彩変化するバックミラー、輸送車両用の窓、カールーフ、ディスプレイ、光学フィルター、光学センサーなどを製作するために供給されることができる。従って、この発明は、創意に富むとともに実用的であり、かつエネルギー危機への実行可能な解決策である。
従来の固体型エレクトロクロミック装置の構造を示す概略図である。 従来の液体型エレクトロクロミック装置の構造を示す概略図である。 従来の光電エレクトロクロミック装置を示す概略図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置のエレクトロクロミック薄膜を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置のエレクトロクロミック薄膜を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置のエレクトロクロミック薄膜を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置のエレクトロクロミック薄膜を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために選択的に3つの後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために選択的に3つの後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために選択的に3つの後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために選択的に3つの後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために選択的に3つの後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第2実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第2実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するための手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第2実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するための選択的な後続する手順を示す概略的な断面図である。 この発明の第3実施形態にかかる2種類の光起電性エレクトロクロミック装置を示す説明図である。 この発明の第3実施形態にかかる2種類の光起電性エレクトロクロミック装置を示す説明図である。 プルシアンブルーの定電流式(galvanostatic)電着曲線の走査を示す説明図である。 プルシアンブルーの定電流式電着曲線の別な走査を示す説明図である。 手順2中のシリコン薄膜太陽電池の光電転換の特性を示IV曲線の説明図である。 手順4中のシリコン薄膜太陽電池の光電転換の特性を示IV曲線の説明図である。 手順4中のシリコン薄膜太陽電池の光電転換の特性を示すIV線の説明図である。 実験1中、エレクトロクロミック薄膜としてPEDOTを使用した光起電性エレクトロクロミック装置のCV曲線の説明図である。 実験2中、エレクトロクロミック薄膜としてポリアニリンを使用した光起電性エレクトロクロミック装置のCV曲線の説明図である。 実験4から得られた光起電性エレクトロクロミック装置の光学透過率を示す説明図である。 実験6中のシリコン薄膜太陽電池の光電転換の特性を示IV曲線の説明図である。 この発明にかかる光起電性エレクトロクロミック装置の変形を示す概略的な平面図である。 図21中の光起電性エレクトロクロミック装置の変形を示す概略的な平面図である。 この発明の光起電性エレクトロクロミック装置および出力スイッチレイアウト間の回路を示す説明図である。 この発明の光起電性エレクトロクロミック装置および別なタイプの出力スイッチレイアウト間の回路を示す説明図である。 この発明の光起電性エレクトロクロミック装置および薄膜トランジスターの回路を示す説明図である。
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図4Aと図4Bと図5とは、この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置のエレクトロクロミック薄膜を製造するための手順を示す概略的な断面図である。
図4Aにおいて、第1実施形態中、単一の薄膜太陽電池402が先ず透明基板400上に形成され、そのうち、透明基板400は、例えば、ガラスまたはプラスチックまたはフレキシブル基板の一片である。薄膜太陽電池402が少なくともアノード404と光電変換層406とカソード408とを含み、アノード404の材料は、例えば、透明導電性酸化物(TCO)であるとともに、カソード408の材料は、例えば、TCOおよび金属(例えば、銀、プラチナまたは金)である。また、アノード404の表面404aの一部が薄膜太陽電池402から露出されている。あるいは、第1実施形態中の光起電性エレクトロクロミック装置は、図4Bに示すような複数の薄膜太陽電池402を含む。
第1実施形態中、アノード404が不連続に配置されるが、この発明は、それに限定されるものではない。とりわけ、アノード404は、1つの連続する層として形成されることができ、薄膜太陽電池402により生成される総電流を増大させる。そのような並列関係は、電流を有効に増大させる。薄膜太陽電池402のアノード404およびカソード408は、アレイ中に形成される。アノード404およびカソード408の各ペアは、照射された時、アノード404およびカソード408間にいかなる電気的関係を有することなく、自動的に電位差を生成する。
薄膜太陽電池402は、上記したように、シリコン薄膜太陽電池、CIGS薄膜太陽電池、CdTe薄膜太陽電池、CIGSタンデム薄膜太陽電池、CdTeタンデム薄膜太陽電池、CIGSマルチ接合薄膜太陽電池、CdTeマルチ接合薄膜太陽電池であることができ、そのうち、シリコン薄膜太陽電池は、アモルファスシリコン(a−Si)薄膜太陽電池、a−Si/微結晶性シリコン(mc-Si)タンデム薄膜太陽電池、a−Si/a-Siタンデム薄膜太陽電池またはマルチ接合a−Si薄膜太陽電池を含む。
電気メッキまたは他の薄膜形成方法が、カソード408の少なくとも一表面およびアノード404の露出された表面404a上にエレクトロクロミック薄膜を沈積するために採用できる。例えば、エレクトロクロミック薄膜の構成物が、導電性ポリマー、遷移金属酸化物、プルシアンブルーまたは遷移金属を含む。この実施形態中、電気メッキは、一例として使用される。再び図4Bにおいて、その上に形成された薄膜太陽電池402を備える透明基板400が、電気メッキ溶液410中に浸けられ、薄膜太陽電池402のアノード404およびカソード408が電気メッキ溶液410と接触する。上記した電気メッキ溶液410は、例えば、アニリンモノマー、EDOTモノマーまたはビオロゲンモノマーのような導電性ポリマーまたはビオロゲン溶液、およびニッケルオキシハイドロキシド溶液、フェリックフェロシアン化物発色団溶液のような遷移金属酸化物電気メッキ溶液により形成される。
その後、図5において、電気メッキ溶液410中に浸けられた薄膜太陽電池402が照射されて(光線の方向は、図5中の矢印↓で示す)電流を生成し、電気メッキ溶液410中で酸化還元反応を引き起こす。その結果、エレクトロクロミック薄膜500が各アノード404の露出された表面404a上に形成される。このようなプロセスは、アノディック(陽極酸化)光電電気メッキと呼ばれる。また、カソディク光電電気メッキと呼ばれるプロセスが各カソード408の表面上にエレクトロクロミック薄膜を形成するために使用できる。例えば、エレクトロクロミック薄膜500のアノディック(陽極酸化)光電電気メッキ中の構成物がポリアミンの電気化学重合またはニッケルオキシハイドロキシド薄膜の電着を含む。前述の電気メッキ溶液を沈積するための電圧は、約0.6-1.8ボルトである。あるいは、各カソード408の表面上のエレクトロクロミック薄膜の光電電気メッキ中の構成物は、それぞれプルシアンブルーまたはフェリックフェロシアン化物発色団またはペルオキソ(peroxy)タングステン溶液の反応によって得られたWOとすることができる。上記無機材料の酸化還元電位は、約0.5-2ボルトである。
図5および第1実施形態中に述べた方法の外に、他の方法もまた電気メッキ溶液410と薄膜太陽電池402のアノード404およびカソード408との接触を達成することに使用できる。その方法は、電気メッキ溶液600を透明基板602上に塗布するとともに、薄膜太陽電池を被覆するものである(図6に図示)。
光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法は、上述したように、基本的に薄膜太陽電池により生成される電気を使用して電気メッキを実施し、製造手順を簡略化するとともに、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードがエレクトロクロミック薄膜のアノードおよびカソードとしても供されるという構造を形成する。従来の電気メッキ方法は、電極を介して電流を通過させ、それぞれ透明導電性基板の表面にエレクトロクロミック薄膜を沈積させる。従って、基板上のエレクトロクロミック薄膜は、単一極性である。対照的に、この発明の第1実施形態中、薄膜太陽電池が電気メッキを実施するために使用される。照射される時、薄膜太陽電池のアノードおよびカソードが同時に電子および正孔を生成し、電気メッキ溶液が反応するとともに、アノードおよびカソード双方に沈積する。上記に基づいて、薄膜太陽電池が単一の透明基板上に形成される時、エレクトロクロミック薄膜のアノードおよびカソードが同時に太陽電池のアノードおよびカソードの表面に形成される。
また、エレクトロクロミック薄膜は、真空沈積技術によっても沈積することができる。エレクトロクロミック薄膜の材料は、例えば、遷移金属酸化物または遷移金属であり、そのうち、遷移金属酸化物がWO,MoO,V,Nb,NiO,SnO,Fe,CoO,Ir,RhおよびMnOからなるグループから選択されるとともに、遷移金属がMn,Mg,Co,Cu,Ni,Zn,V,Cr,Fe,Bi,Sb,Au,Zn,Pt,Ag,Ti,Nb,TeおよびSeよりなる遷移金属のグループから形成された金属、合金、水素化物、カルコゲニドまたはテテル化物から選択される。例えば、遷移金属水素化物がSb-Cu,Sb-Al,Mg,Mg-TiおよびMg-Niよりなるグループから選択され、遷移金属カルコゲニドがNbSeまたはTiSよりなるグループから選択され、あるいは、遷移金属テテル化物がNbTeよりなるグループから選択される。遷移金属薄膜は、露出されて水素ガスを希釈する又は遷移金属薄膜をアルカリ電解質に接触されることにより、その光学特性を変化させる。
遷移金属酸化物を沈積させる方法は、例えば、電子ビーム蒸着、熱蒸着、イオン補助コーティング、反応性および非反応性スパッタリング、CVD(chemical vapor deposition;化学蒸着)、プラズマ増速CVDまたは大気圧CVDである。さらに、形成手順中、マスクが使用されて沈積位置(例えば、アノード404および/またはカソード408の表面)を変更することができる。
図7A,図7B,図8と図9は、この発明の第1実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するために、3つの後続する手順を選択的に示す概略的な断面図である。
図7Aにおいて、先ず図5中の電気メッキ溶液が除去されるとともに、電解質層700が透明基板400の表面に形成されて、エレクトロクロミック薄膜500を被覆する。図7A中の電解質層700は、液体電解質であり、アルカリ金属塩および溶剤を含む。例えば、アルカリ金属塩がリチウムトリフロロメチルスルフォネート、リチウム過塩素酸塩、ビス(トリフロロエチルスルフォニル)イミドまたはテトラアルキルアンモニウム塩を含み;そして、溶剤がプロピレンカーボネイト、ジプロピルカーボネイト、グリコールカーボネイト、γ-ブチロラクトン、アセトニトリル、テトラヒドロフランまたはN-メチル-2-ピロリドンを含む。各薄膜太陽電池のアノード404およびカソード408がまた光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとしても供される。電解質層700を形成した後、透明非導電性基板702が電解質層700を被覆するために配置され、そのうち、透明非導電性基板702がガラスまたはプラスチックまたはフレキシブル基板の一片を含む。さらに、反射膜704が透明非導電性基板702の表面の両側に形成されることができる。反射膜704は、例えば、ミラーを形成するための銀、クロミウムまたはアルミニウムである。
最後に、再び図7Aにおいて、エポキシ樹脂のような樹脂(図示せず)が基板400を接着するために使用され、薄膜太陽電池402が透明非導電性基板702に対してあまねく形成される。ガラスビーズ(図示せず)が樹脂に混合されてスペーサーとして供され、透明基板400および透明非導電性基板702間のギャップを維持して、光起電性エレクトロクロミック装置を構成する。溶剤により薄膜太陽電池402が侵食されるのを防止するために、保護膜706を形成するステップが、図7Bに示すように、薄膜太陽電池402を形成する時に光電変換層406の側壁上において実施されることができる。
太陽光により照射される時、薄膜太陽電池が、酸化還元反応のために、エレクトロクロミック薄膜500が色彩を変化させる電子-正孔対を生成する。薄膜太陽電池402が透明基板400上にアレイまたはストライプに分布するよう設計されているので、周辺領域および中心領域における電界が均一であり、その結果、光起電性エレクトロクロミック装置の周辺領域および中心領域における色彩濃度が装置の大きさにかかわりなく同一となる。
また、図8において、もし必要であれば、図5(または図6)中の電気メッキ溶液が除去された後、固体電解質800を透明基板400の表面上に形成することができる。図8中の電解質層が固体電解質800であるから、薄膜太陽電池の侵食される可能性が大幅に低減するとともに、装置の信頼性が向上する。例えば、固体電解質800のポリマーがポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(ビニルブチラール)またはポリ(メチルメタクリレート)を含む。そして、反射膜804が固体電解質800上に形成されるとともに、透明非導電性基板802(例えば、ガラス、プラスチックまたはフレキシブル基板)が配置されて固体電解質800を被覆する;あるいは、その代わりに、図9に示すように、固体電解質800が、その上に透明非導電性基板802を有することなく、エレクトロクロミック薄膜500および薄膜太陽電池402を被覆する。
また、固体電解質800は、また、図5(または図6)中の電気メッキ溶液が除去された後、透明基板400の表面上に電解的に沈積されることができる。電解的に沈積される電解質層が例えばLiPO薄膜を含む。
また、エレクトロクロミック薄膜として使用する遷移金属酸化物の真空沈積の後、固体電解質800は、また、透明基板400の表面上に連続的に真空沈積されることができる。固体電解質800は、LiTaO,Ta,ZrOなどのような無機電解質であることができる。固体電解質800を形成した後、ラミネーターまたはオートクレーブのような機械が使用されて透明基板400と固体電解質800と被包性材料(図示せず)と透明非導電性基板802とを一緒に圧縮および接着し、光起電性エレクトロクロミック装置を被包する。
図10Aと図10Bとは、この発明の第2実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を製造するための手順を示す概略的な断面図である。
図10Aにおいて、第2実施形態中、多数の薄膜太陽電池1102が先ず透明基板1100上に形成され、そのうち、各薄膜太陽電池1102が少なくともアノード1104と光電変換層1106とカソード1108とを含む。薄膜太陽電池1102は、直列に接続されることができる。薄膜太陽電池1102のタイプおよび透明基板1100とアノード1104と光電変換層1106とカソード1108との材料は、第1実施形態中に記述されている。そして、図10A中に示される方法が実行されて、アノード1104の表面にエレクトロクロミック薄膜1110が形成される。この実施形態中、各アノード1104がカソード1108間に露出されるとともに、このようにしてエレクトロクロミック薄膜1110の遮光領域がカソード1108間のインターバルの幅により決定される。エレクトロクロミック薄膜1110の構成物は、第1実施形態中に記述されている。
その後、図10Bにおいて、電解質層1112が透明基板1100の表面に形成されてエレクトロクロミック薄膜1110を被覆する。図10B中の電解質層1112が液体電解質であるとともに、その構成物は、第1実施形態中に記述されている。同時に、各薄膜太陽電池1102のアノード1104およびカソード1108が光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとして供される。電解質層1112を形成した後、透明非導電性基板1114が電解質層1112を被覆するために必要となる。もちろん、先の実施形態で述べたように、反射膜1116を透明非導電性基板1114上に形成することができる。最後に、エポキシ樹脂のような樹脂(図示せず)が使用されて、その上に薄膜太陽電池1102形成された透明基板1100を透明非導電性基板1114に接着する。ガラスビーズ(図示せず)が樹脂に混合されてスペーサーとして供され、透明基板1100および透明非導電性基板1114間のギャップを維持して、光起電性エレクトロクロミック装置を構成する。
もし図10B中の電解質層が固体電解質であれば、図11に示すように、電解質層1200を形成するステップが透明基板1100に配置された電解質層1200上に透明非導電性基板1202を積み重ねることを含むとともに、ラミネーターまたはオートクレーブによって透明基板1100と電解質層1200と透明非導電性基板1202とを一緒に圧縮かつ接着する。従って、光起電性エレクトロクロミック装置が被包される。言い換えれば、電解質層1200は、このケース中、接着剤として作用する。先の実施形態で述べたように、反射膜1204がまた透明非導電性基板1202に先だって形成されることができる。
図12Aは、この発明の第3実施形態にかかる光起電性エレクトロクロミック装置を示す説明図である。図12Bは、この発明の第3実施形態にかかる別な光起電性エレクトロクロミック装置を示す説明図である。
図12Aと図12Bとにおいて、第3実施形態中、パターン化された薄膜太陽電池1302が透明基板1300上に形成され、そのうち、薄膜太陽電池1302が少なくともアノード1304と光電変換層1306とカソード1308とを含む。パターン化された薄膜太陽電池1302を形成する方法が、レーザーアブレーションおよびサンドブラストを含んで光電変換層1306およびカソード1308を除去する。薄膜太陽電池1302の型式ならびに透明基板1300、アノード1304、光電変換層1306およびカソード1308の材料は、第1実施形態中に記述されている。そして、図4Aと図5と図6で説明された方法が実行されてエレクトロクロミック膜膜(図示せず)をアノード1304の表面上に形成する。この実施形態中、アノード1304がカソード1308から露出されて太陽照射のもとアノード1304およびカソード1308間に電位差が確立され、エレクトロクロミック膜膜の色合いが決定される。もちろん、エレクトロクロミック膜膜は、またカソード1308の表面にも形成できる。エレクトロクロミック膜膜の組成は、第1実施形態中に記述されている。透明非導電基板および電解質層が薄膜太陽電池上にそれぞれ積み重ねられる。
以下に述べられる幾つかの実験がこの発明の有効性を証明するために実施された。実験中、シリコン薄膜太陽電池が一例として使用される。
<手順1>
光電メッキプロセスのためのVocの必要条件の決定。10mMのKFe(CN)が50mlの脱イオン水(DI(deionized)-water)に加えられるとともに、10mMのFcClおよび10mMのKCLがDIウォーターに加えられて、2つの溶液が得られる。この2つの溶液が容量比1:1で混ぜられる。次に、Autolab TGSTAT30電気化学分析器が使用されてプルシアンブルー薄膜の定電流電着(galvanostatic electrodeposition)を実施する。対向電極(または、対極)がプラチナであるとともに、参考電極がAg/AgClである。0.014mA/cm 2および0.007 mA/cm 2の定電流がそれぞれ入力されてプルシアンブルー薄膜が形成される。走査範囲が図13および図14に示される。図面に基づいて、プルシアンブルー薄膜の電着は、0.8-0.95ボルトの範囲である。従って、もしシリコン薄膜太陽電池が使用されてプルシアンブルー膜を電気メッキする場合、Voc値の必要条件は、約0.8-0.95ボルトである。
<手順2>
光電メッキがソーラーシミュレーターにより実施される。先ず、10mMのKFe(CN)が50mlの脱イオン水(DI-water)に加えられるとともに、10mMのFcClおよび10mMのKClがDIウォーターに加えられて、2つの溶液が得られる。この2つの溶液が容量比1:1で混ぜられる。同時に、5cm×5cmの第1透明基板が提供される。溶液、即ち、前記した2つの溶液の混合体が第1透明基板上に塗布される。さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板上に被覆される。シリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.933V、電流密度Jscが0.0123 A/cm 2、FFが73.03%、Pmaxが2.1mWおよび効率が8.37%である。シリコン薄膜太陽電池の光電変換特性が図15のIVカーブにより表される。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。5分間で、電気メッキ溶液のカソード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のカソード下方で起こるとともに、カソードの色彩が次第にライトブルーに変化する。水で洗われた後、ライトブルー薄膜がカソード上に残り、プルシアンブルー薄膜がカソードの表面にメッキされたことを証明する。
<手順3>
光電メッキが太陽光のもとで実施される。4.55mlの0.1Mのアニリンモノマーおよび10.1mlの2MのHCl(37%)がDIウォーターへ加えられて全体で50mlのアニリン電気メッキ溶液が得られる。次に、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、アニリン溶液が第1透明基板に塗布される。さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。前記したシリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.933V、電流密度Jscが0.0123 A/cm 2、FFが73.03%、Pmaxが2.1mWおよび効率が8.37%である。シリコン薄膜太陽電池が太陽光により照射される時、5分間で、アニリンモノマーのアノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こる。アノードの色彩が次第に透明から黄緑に変化し、ポリアニリン薄膜の存在を表す。光電メッキの時間が増大すれば、薄膜がより厚くなるとともに、アノードの色彩が緑に変わる。
<手順4>
光電メッキが太陽光のもとで実施される。53μlの0.01M 3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)モノマーおよび530mgの0.1M LiClO4が50mlのアセトニトリルへ加えられて、EDOT電気メッキ溶液が得られる。そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、EDOT溶液が第1透明基板に塗布される。さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。前記したシリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが1.57V、電流密度Jscが7.12mA/cm 2、FFが59.16%、Pmaxが1.6mWおよび効率が6.62%である。シリコン薄膜太陽電池の光電変換特性が図16のIVカーブにより表される。シリコン薄膜太陽電池が太陽光によって照射される時、10分間で、EDOTモノマーのアノード光電メッキ沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こる。アノードの色彩が次第に透明からライトブルーに変化し、それがEDOT薄膜の色彩を表す。
<手順5>
光電メッキがソーラーシミュレーター中で実施される。53μlの0.01M EDOTモノマーおよび530mgの0.1M LiClO4が50mlのアセトニトリルへ加えられて、EDOT電気メッキ溶液が得られる。そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、EDOT溶液が第1透明基板に塗布される。さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。シリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが1.58V、電流密度Jscが6.86mA/cm 2、FFが58.69%、Pmaxが1.59mWおよび効率が6.38%である。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。10分間で、EDOTモノマーのアノード光電メッキ沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明からライトブルーに変化する。
<手順6>
光電メッキがソーラーシミュレーター中で実施される。9.1mlの0.01M アニリンモノマーおよび20.2mlの2M HCl(37%)が加えられて総量61.7mlのアニリン電気メッキ溶液を得る。そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、アニリン溶液が第1透明基板に塗布される。さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。シリコン薄膜太陽電池がストライプ状に形成されるとともに、各ストライプが1×5cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.92V、電流密度Jscが14.01mA/cm 2、FFが54.89%、Pmaxが35.3mWおよび効率が7.07%である。シリコン薄膜太陽電池の光電変換特性が図17のIVカーブにより表される。各ストライプの間隔が0.5cmである。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。5分間で、アニリンモノマーのアノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明から黄緑に変化する。
<手順7>
光電メッキがソーラーシミュレーター中で実施される。ニッケルオキシハイドロキシド(Nikel oxyhydroxide;NiOOH)薄膜が0.005 MのNiSO.6HOおよび0.015 Mの(NH)2SO pH>8未満を調製することにより導かれる。そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、溶液が第1透明基板に塗布される。
さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。シリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.93V、電流密度Jscが12.29mA/cm 2、FFが73.03%、Pmaxが2.1mWおよび効率が8.37%である。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。10分間で、ニッケル電気メッキ溶液のアノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明から褐色(brown)に変化する。ニッケルオキシハイドロキシド薄膜が乾燥され、かつ空気中で30分間200℃以上でアニールされる。薄膜の色彩が加熱ステップ後に透明に戻る。
<実験1>
実験1は、光起電性エレクトロクロミック装置の酸化還元反応の特性を試験するものである。0.1Mのテトラブチルアンモニウム テトラフルオロホウ塩酸(tetrabutylammoniumtetrafluoroborate;TBABF4)が100mlのプロピレンカーボネイト溶剤中に溶解される。手順5の結果が作業電極として使用されるとともに、Autolab PGSTAT30電気化学分析器がサイクリックボルタモグラム(cyclic voltammogram;CV)カーブ走査を実施するために使用される。対向電極がプラチナであるとともに、参考電極がAg/AgClである。走査範囲を図18に示す。CVカーブ走査を描く曲線が、PEDOT薄膜(ポリEDOT薄膜)の色彩(即ち、この発明のエレクトロクロミック薄膜)が青みがかった色彩に変わり、酸化状態において次第に透明へ戻ることを示している。試験の結果が、PEDOT(ポリEDOT)が薄膜太陽電池により光電メッキでき、かつCV循環運動(cycling)により色彩が変えられる材料であることを証明する。
<実験2>
実験2は、光起電性エレクトロクロミック装置の酸化還元反応の特性を試験するものである。0.1MのTBABF4が100mlのプロピレンカーボネイト溶剤中に溶解される。そして、手順6の結果が作業電極として使用され、かつAutolab PGSTAT30電気化学分析器がCVカーブ走査を実施するために使用される。対向電極がプラチナであるとともに、参考電極がAg/AgClである。走査範囲を図19に示す。CVカーブ走査を描く曲線が、ポリアニリン薄膜の色彩(即ち、この発明のエレクトロクロミック薄膜)が酸化状態において黄緑から緑に変わり、還元状態において次第に黄緑へ戻ることを示している。試験の結果が、ポリアニリンが薄膜太陽電池により光電メッキでき、かつCV循環運動により色彩が変えられる材料であることを証明する。
<実験3>
実験3は、光電メッキおよびソーラーシミュレーターの照射のもとでの色彩変化を試験するものである。9.1mlの0.1M アニリンモノマーおよび20.2mlの2MHCl(37%)が61.7mlのDIウォーターに加えられてアニリン電気メッキ溶液を得る。そして、そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、アニリン溶液が第1透明基板に塗布される。また、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。シリコン薄膜太陽電池がストライプ状に形成されるとともに、各ストライプが1×5cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.92V、電流密度Jscが14.01mA/cm 2、FFが54.89%、Pmaxが35.3mWおよび効率が7.07%である。各ストライプの間隔が0.5cmである。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。5分間で、アノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明から黄緑に変化する。
その後、0.1MのTBABF4が100mlのプロピレンカーボネイト溶剤中に溶解される。次に、5cm×5cmの第3透明ガラス基板が提供されるとともに、前記した電解質層が第3透明ガラス基板上に塗り広げられる。ポリアニリンで光電メッキされたシリコン薄膜太陽電池を含む5cm×5cmの第2透明ガラス基板が第3透明ガラス基板を被覆するよう配置されて、光起電性エレクトロクロミック装置を構成する。
上記した光起電性エレクトロクロミック装置がPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。3分間で、シリコン薄膜太陽電池のアノード下方に酸化が起こるとともに、アノードの色彩が次第に黄緑から緑へ変化する。もし照射が除去されれば、光起電性エレクトロクロミック装置の色彩が数秒後に黄緑に戻る。
<実験4>
実験4は、照射下の光起電性エレクトロクロミック装置の着色/漂白(color/bleach)変化を試験するものである。実験3から得られる光起電性エレクトロクロミック装置の光学透過率は、UV−VIS−NIR分光光度計(Perkin Elmer Lambda 750)を使用して波長範囲400-800nmで計測したものである。ソーラーシミュレーターによる照射後/前の光起電性エレクトロクロミックの着色/漂白状態変化の量が図20に示される。その結果が、ポリアミン薄膜の色彩コントラストが30%を超えることを示す。
<実験5>
実験5は、ソーラーシミュレーターの照射下の光電メッキおよび色彩変化を試験するものである。ニッケルオキシハイドロキシド薄膜の電着が0.005 MのNiSO.6HOおよび0.015 Mの(NH)2SO pH>8未満を調製することにより導かれる。そして、5cm×5cmの第1透明ガラス基板が提供されるとともに、溶液が第1透明ガラス基板に塗布される。
さらに、その上に形成されたシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明ガラス基板が第1透明ガラス基板を被覆するように配置される。シリコン薄膜太陽電池がアレイ状に形成されるとともに、各アレイが0.25cm 2の面積を有する。シリコン薄膜太陽電池の開路電圧Vocが0.93V、電流密度Jscが12.29mA/cm 2、FFが73.03%、Pmaxが2.1mWおよび効率が8.37%である。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。10分間で、ニッケル電気メッキ溶液のアノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明から褐色(brown)に変化する。ニッケルオキシハイドロキシド薄膜が乾燥され、かつ空気中で30分間200℃以上でアニールされる。薄膜の色彩が加熱ステップ後に透明に戻る。
その後、0.1MのKOH水性溶液が塗布される。次に、5cm×5cmの第3透明ガラス基板が提供されるとともに、前記した電解質層が第3透明ガラス基板上に塗り広げられる。さらに、ニッケルオキシハイドロキシドで光電メッキされたシリコン薄膜太陽電池モジュールを含む5cm×5cmの第2透明ガラス基板が第3透明ガラス基板を被覆するよう配置されて、光起電性エレクトロクロミック装置を構成する。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。10分間で、酸化がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に透明から褐色(brown)に変化する。その結果が、ニッケルオキシハイドロキシドが薄膜太陽電池により光電メッキされるとともに太陽照射により色彩が変化することのできる材料であることを証明する。
<実験6>
実験6は、直列接続された薄膜太陽電池モジュールを使用するソーラーシミュレーターの照射下の光電メッキおよび色彩変化を試験するものである。ポリアニリン薄膜の電着が、61.7mlのDIウォーターへ加えられる、9.1mlの0.1M アニリンモノマーおよび20.2mlの2MHCl(37%)を調製することによって、アニリン電気メッキ溶液を得る。そして、5cm×5cmの第1透明基板が提供されるとともに、溶液が第1透明基板に塗布される。
さらに、その上に直列接続された多数のシリコン薄膜太陽電池を有する5cm×5cmの第2透明基板が第1透明基板を被覆するように配置される。図21に示すように、シリコン薄膜太陽電池モジュールの開路電圧Vocが2.4V、電流Jscが25mAである。前述した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。5分間で、アノード光電沈積がシリコン薄膜太陽電池下方で起こり、かつアノードの色彩が次第に透明から黄緑に変化する。
その後、0.1MのTBABF4が100mlのプロピレンカーボネイト溶剤中に溶解される。次に、5cm×5cmの第3透明ガラス基板が提供されるとともに、前記した電解質層が第3透明ガラス基板上に塗り広げられる。さらに、ポリアニリンで光電メッキされたシリコン薄膜太陽電池モジュールを含む、5cm×5cmの第2透明ガラス基板が第3透明ガラス基板を被覆するよう配置されて、光起電性エレクトロクロミック装置を構成する。
上記した光起電性エレクトロクロミック装置が照射のためにPeccell Pec-L11ソーラーシミュレーター中に置かれる。3分間で、酸化がシリコン薄膜太陽電池のアノード下方で起こるとともに、アノードの色彩が次第に黄緑から緑に変化する。
上記した実験から、この発明が照射下で色彩変化の効果を達成することが証明される。
図22と図23とは、それぞれ薄膜太陽電池の並列接続および直列接続を示し、そのうち、薄膜太陽電池が、図22に示すような連続膜を形成するアノード2000を有する又は図23に示すようなストライプアノードを有する。図22中、カソード2002がそれぞれ出力スイッチレイアウト2004に接続されている。図23中、アノード2100が別な薄膜太陽電池のカソード2101に接続されるとともに、直列接続を介して出力スイッチレイアウト2104に接続されている。
この発明の光起電性エレクトロクロミック装置を制御するために、以下の方法がスイッチを製作するために採用できる。
図24に示すように、電気供給のために、DC/ACインバーター2200を配置して薄膜太陽電池により生成された電流を交流電流(AC)即ち、商用電気(electric utility)に変換する。
図25に示すように、薄膜太陽電池により生成された電流をDC電荷蓄電装置2300(DC電気供給のためにバッテリーとしても供される)に提供する。
図26に示すように、TFT製作プロセスに使用して、薄膜トランジスター2400を薄膜太陽電池のアノードおよびカソードに配置し、各薄膜太陽電池および外部開路間のオン/オフを制御するスイッチとして機能させる。
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
400,602,1100,1300 透明基板
402,1102,1302 薄膜太陽電池
404,1104,1304,2000,2100 アノード
406,1106,1306 光電変換層
408,1108,1308,2002,2102 カソード
410,600 電気メッキ溶液
500,1110 エレクトロクロミック薄膜
700,1112,1200 電解質層
702,802,1114,1202 透明非導電性基板
704,804,1116,1204 反射膜
706 保護膜
800 固体電解質
2004,2104 出力スイッチレイアウト
2200 DC/ACインバーター
2202 商用電気(AC)
2300 DC電荷蓄電装置
2400 薄膜トランジスター

Claims (29)

  1. 光起電性エレクトロクロミック装置であり、少なくとも:
    透明基板と;
    前記透明基板上に形成される少なくとも1つの薄膜太陽電池であり、そのうち、薄膜太陽電池がアノードと光電変換層とカソードとを少なくとも含むとともに、前記アノードの表面の一部が薄膜太陽電池から露出される、少なくとも1つの薄膜太陽電池と;
    少なくとも前記カソードの一表面および薄膜太陽電池の前記アノードの露出された表面に配置される少なくとも1つののエレクトロクロミック薄膜と;
    前記エレクトロクロミック薄膜を被覆する電解質層と
    を備える光起電性エレクトロクロミック装置。
  2. 前記エレクトロクロミック薄膜の構成物が、導電性ポリマー、遷移金属酸化物、遷移金属またはプルシアンブルーを含む、請求項1記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  3. 前記遷移金属酸化物が、WO,MoO,V,Nb,NiO,SnO,Fe,CoO,Ir,RhおよびMnOからなるグループから選択されるものである、請求項2記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  4. 前記遷移金属が、Mn,Mg,Co,Cu,Ni,Zn,V,Cr,Fe,Bi,Sb,Au,Zn,Pt,Ag,Ti,Nb,TeおよびSeよりなる遷移金属のグループから形成された金属、合金、水素化物、カルコゲニドまたはテテル化物から選択される、請求項2記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  5. 前記薄膜太陽電池が、シリコン薄膜太陽電池・CIGS薄膜太陽電池またはCdTe薄膜太陽電池を含む請求項1または2記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  6. 前記シリコン薄膜太陽電池が、a−Si薄膜太陽電池、a−Si/mc-Siタンデム薄膜太陽電池、a−Si/a-Siタンデム薄膜太陽電池またはマルチ接合a−Si薄膜太陽電池を含む、請求項5記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  7. 前記光起電性エレクトロクロミック装置が、複数の薄膜太陽電池を含むとともに、それらが直列に接続され;かつ前記薄膜太陽電池の1つの前記アノードが他の薄膜太陽電池の前記カソードに電気接続される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  8. 前記アノードが前記カソード間に露出され、かつ前記エレクトロクロミック薄膜の遮光領域が前記カソード間のインターバルの幅により決定される、請求項7に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  9. 前記薄膜太陽電池が、さらに、前記薄膜太陽電池の前記光電変換層の側壁上に配置される保護膜を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  10. 前記電解質層が、固体電解質または液体電解質を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  11. 前記透明基板が、ガラス・プラスチックまたはフレキシブル基板を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  12. さらに、前記電解質層を被覆する透明非導電性基板を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  13. さらに、ミラーを形成するために前記透明非導電性基板の一表面上に配置される反射膜を含む、請求項12記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  14. さらに、前記薄膜太陽電池により生成された電流を商用電気グリッドに変換するDC/ACインバーターを含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  15. さらに、前記薄膜太陽電池により生成された前記電流を蓄電するDC電荷蓄電装置を含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  16. さらに、薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードに接続され、薄膜太陽電池および外部回路間のスイッチを制御する薄膜トランジスターを含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
  17. 光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法であり:
    透明基板上に少なくとも1つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池が少なくとも1つのアノード、光電変換層およびカソードを含むとともに、前記アノードの一表面の一部が薄膜太陽電池から露出されることと;
    エレクトロクロミック薄膜を前記カソードの少なくとも1つの表面および前記アノードの露出された表面に沈積することと;
    前記薄膜太陽電池の表面上に電解層を形成して前記エレクトロクロミック薄膜を被覆し、そのうち、薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードが前記光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとしても供されることと
    を備える光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法。
  18. 前記エレクトロクロミック薄膜を沈積する方法が:
    電気メッキ溶液を薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードに接触するように配置することと;
    前記薄膜太陽電池を照射して電流を生成させ、前記電気メッキ溶液中に酸化還元反応を引き起こして、前記アノードおよび前記カソードの少なくとも1つの表面上にエレクトロクロミック薄膜を形成することと;
    前記電気メッキ溶液を除去することと
    を含む、請求項17記載の製造方法。
  19. 前記エレクトロクロミック薄膜を沈積する方法が、電子ビーム蒸着、イオン補助コーティング、反応性および非反応性スッパッタリング、熱蒸着、CVD、プラズマ増速CVDまたは大気圧CVDを含む、請求項17記載の製造方法。
  20. 前記エレクトロクロミック薄膜の材料が、遷移金属酸化物または遷移金属を含む、請求項17〜19のいずれか1項に記載の製造方法。
  21. 前記遷移金属酸化物が、WO,MoO,V,Nb,NiO,SnO,Fe,CoO,Ir,RhおよびMnOからなるグループから選択される、請求項20記載の製造方法。
  22. 前記遷移金属が、Mn,Mg,Co,Cu,Ni,Zn,V,Cr,Fe,Bi,Sb,Au,Zn,Pt,Ag,Ti,Nb,TeおよびSeよりなる遷移金属のグループから形成された金属、合金、水素化物、カルコゲニドまたはテテル化物から選択される、請求項20記載の製造方法。
  23. 前記薄膜太陽電池が、シリコン薄膜太陽電池、CIGS薄膜太陽電池またはCdTe薄膜太陽電池を含む、請求項17〜22のいずれか1項に記載の製造方法。
  24. 前記透明基板上に前記薄膜太陽電池を形成するステップが、さらに、保護膜を前記薄膜太陽電池の前記光電変換層の側壁上に形成することを含む、請求項17〜23のいずれか1項に記載の製造方法。
  25. 前記電解質層が、固体電解質または液体電解質を含む、請求項17〜24のいずれか1項に記載の製造方法。
  26. 前記電解質層を形成するステップが、前記薄膜太陽電池の前記表面上に電解質を連続的に真空沈積すること含む、請求項17〜25のいずれか1項に記載の製造方法。
  27. さらに、透明非導電基板を配置して前記電解質層を被覆することを含む、請求項17〜26のいずれか1項に記載の製造方法。
  28. さらに、前記電解質層を形成した後、ラミネーターまたはオートクレーブによって前記透明基板、前記電解質層および前記透明非導電基板を結合することを含む、請求項17〜27のいずれか1項に記載の製造方法。
  29. 前記電解質層を形成する前記ステップが、さらに、ラミネーターまたはオートクレーブによって前記透明基板、前記電解質層および前記透明非導電基板を結合することを含む、請求項17〜27のいずれか1項に記載の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011059650A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Ind Technol Res Inst 多色光電変換エレクトロクロミック装置
JP2013109076A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Tokyo Univ Of Science 光発電可能な調光素子およびその製造方法
JP2014194072A (ja) * 2013-02-26 2014-10-09 Mitsubishi Materials Corp 酸化ニオブスパッタリングターゲット、その製造方法及び酸化ニオブ膜
KR20150109020A (ko) * 2014-03-19 2015-10-01 전자부품연구원 매립형 전기 변색 소자 및 그 제조 방법
KR101764319B1 (ko) 2012-06-28 2017-08-03 한국전자통신연구원 실리콘 태양전지를 가지는 자가충전형 전기변색소자
CN107024814A (zh) * 2017-02-09 2017-08-08 中国科学技术大学 一种电致变色器件及其制备方法
JP2018185424A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロクロミック素子及びそれを用いた調光部材

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140150857A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Zena Technologies, Inc. Multi-junction multi-tab photovoltaic devices
US8950886B2 (en) * 2009-06-02 2015-02-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Solar-powered lighting module
US8164818B2 (en) 2010-11-08 2012-04-24 Soladigm, Inc. Electrochromic window fabrication methods
TWI456774B (zh) * 2010-12-01 2014-10-11 Ind Tech Res Inst 可塗佈太陽光電電變色元件及模組
US9645465B2 (en) 2011-03-16 2017-05-09 View, Inc. Controlling transitions in optically switchable devices
US10739658B2 (en) 2011-12-12 2020-08-11 View, Inc. Electrochromic laminates
US11048137B2 (en) * 2011-12-12 2021-06-29 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US11950340B2 (en) 2012-03-13 2024-04-02 View, Inc. Adjusting interior lighting based on dynamic glass tinting
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US10048561B2 (en) 2013-02-21 2018-08-14 View, Inc. Control method for tintable windows
US9638978B2 (en) 2013-02-21 2017-05-02 View, Inc. Control method for tintable windows
US11674843B2 (en) 2015-10-06 2023-06-13 View, Inc. Infrared cloud detector systems and methods
CN103676393A (zh) * 2012-09-05 2014-03-26 群康科技(深圳)有限公司 电致变色显示元件
TWI495945B (zh) * 2012-09-05 2015-08-11 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 電致變色顯示元件
US11960190B2 (en) 2013-02-21 2024-04-16 View, Inc. Control methods and systems using external 3D modeling and schedule-based computing
US11966142B2 (en) 2013-02-21 2024-04-23 View, Inc. Control methods and systems using outside temperature as a driver for changing window tint states
US11719990B2 (en) 2013-02-21 2023-08-08 View, Inc. Control method for tintable windows
TWI521725B (zh) * 2013-04-22 2016-02-11 茂迪股份有限公司 太陽能電池之製造方法
WO2015018948A1 (es) * 2013-08-07 2015-02-12 Intercomet, S.L. Célula electrocrómica flexible.
TWI746446B (zh) 2015-07-07 2021-11-21 美商唯景公司 用於可著色窗戶之控制方法
CN105022199A (zh) * 2015-08-13 2015-11-04 武汉大学 一种节能的显示装置和显示方法
US11255722B2 (en) 2015-10-06 2022-02-22 View, Inc. Infrared cloud detector systems and methods
CN105185296B (zh) * 2015-10-27 2017-12-26 武汉大学 一种显示装置
CN108878570B (zh) * 2018-06-01 2020-06-26 上海大学 空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法
CN110412098B (zh) * 2019-08-23 2022-02-01 衡阳师范学院 一种花球状Mn-Fe普鲁士蓝类似物材料及其制备方法与应用
CN111883570B (zh) * 2020-08-05 2022-11-29 合肥京东方显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的控制方法
CN114563894B (zh) * 2022-03-31 2023-09-15 辽宁大学 一种高性能三元复合材料组装的储能-电致变色器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62119529A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH01169224U (ja) * 1988-05-20 1989-11-29
JPH0271823U (ja) * 1988-11-19 1990-05-31

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384653A (en) * 1992-11-06 1995-01-24 Midwest Research Institute Stand-alone photovoltaic (PV) powered electrochromic window
US5377037A (en) * 1992-11-06 1994-12-27 Midwest Research Institute Electrochromic-photovoltaic film for light-sensitive control of optical transmittance
US5805330A (en) * 1996-03-15 1998-09-08 Gentex Corporation Electro-optic window incorporating a discrete photovoltaic device
US6369934B1 (en) * 1996-05-30 2002-04-09 Midwest Research Institute Self bleaching photoelectrochemical-electrochromic device
US6055089A (en) * 1999-02-25 2000-04-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic powering and control system for electrochromic windows
GB0307975D0 (en) * 2003-04-05 2003-05-14 Univ Cambridge Tech Composite structure
US7618680B2 (en) * 2005-05-31 2009-11-17 Massachusetts Institute Of Technology Oxidative chemical vapor deposition of electrically conductive and electrochromic polymers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62119529A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH01169224U (ja) * 1988-05-20 1989-11-29
JPH0271823U (ja) * 1988-11-19 1990-05-31

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011059650A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Ind Technol Res Inst 多色光電変換エレクトロクロミック装置
JP2013109076A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Tokyo Univ Of Science 光発電可能な調光素子およびその製造方法
KR101764319B1 (ko) 2012-06-28 2017-08-03 한국전자통신연구원 실리콘 태양전지를 가지는 자가충전형 전기변색소자
JP2014194072A (ja) * 2013-02-26 2014-10-09 Mitsubishi Materials Corp 酸化ニオブスパッタリングターゲット、その製造方法及び酸化ニオブ膜
KR20150109020A (ko) * 2014-03-19 2015-10-01 전자부품연구원 매립형 전기 변색 소자 및 그 제조 방법
KR101642894B1 (ko) 2014-03-19 2016-07-26 전자부품연구원 매립형 전기 변색 소자 및 그 제조 방법
CN107024814A (zh) * 2017-02-09 2017-08-08 中国科学技术大学 一种电致变色器件及其制备方法
JP2018185424A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロクロミック素子及びそれを用いた調光部材
JP7089724B2 (ja) 2017-04-26 2022-06-23 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロクロミック素子及びそれを用いた調光部材

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