JP2010268009A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、
   前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、
   前記データから対向するエッジを有した基準パターンを生成する生成手段と、
   前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、
   前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出する手段と、
   前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、
   前記検査手段は、前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするパターン検査装置。
2. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンを用いる検査方法として、直線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、曲線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、切断・短絡、切断もしくは短絡しやすい部分の検査方法、ゲート線幅検査方法のうち少なくとも一つの方法を使うことを特徴とするパターン検査装置。
3. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とするパターン検査装置。
4. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とするパターン検査装置。
5. 請求項１に記載のパターン検査装置において、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするパターン検査装置。
6. 請求項５に記載のパターン検査装置において、前記複数の半導体デバイスから得られた前記欠陥位置と欠陥サイズのうち、少なくとも一つの第１の前記半導体デバイスについては、前記検査領域から前記欠陥位置と欠陥サイズを得て、それ以外の第２の前記半導体デバイスについては、前記第１の半導体デバイスから得られた欠陥位置の近傍のみを検査することを特徴とするパターン検査装置。
7. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像の取得直後における前記検査対象パターン画像の歪量の検出により、前記基準パターン、前記検査対象パターン画像、前記検査対象パターン画像のエッジと前記基準パターンとの間のベクトルのうち少なくとも一つが補正されることを特徴とするパターン検査装置。
8. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像の歪補正ベクトルを予め求めておき、前記画像歪補正ベクトルを用いて走査位置を補正するか、前記画像歪補正ベクトルを用いて前記検査対象パターン画像を補正することを特徴とするパターン検査装置。
9. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像位置に依存する線幅の変動量を予め求めておき、前記画像位置に依存する線幅の変動量を用いて前記検査対象パターン画像から得られた線幅を補正することを特徴とするパターン検査装置。
10. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンから信号強度補正を必要とする線分を抽出して、前記信号強度補正の量に応じて前記線分の位置を補正すること、もしくは、許容パターン変形量を設定することを特徴とするパターン検査装置。
11. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンから得られた幾何学情報と前記検査対象パターン画像のエッジから得られた幾何学情報を使用してマッチングを行うことを特徴とするパターン検査装置。
12. 請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンの内部に相当する画像の統計量と外部に相当する画像の統計量とを比較することにより、前記検査対象パターン画像と前記基準パターンとのマッチングを行うことを特徴とするパターン検査装置。
13. 検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査方法であって、
    前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンであって、対向するエッジを有した基準パターンを生成し、
    前記検査対象パターン画像を生成し、
    前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出し、
    前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするパターン検査方法。
14. 請求項１３に記載のパターン検査方法において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とするパターン検査方法。
15. 請求項１３に記載のパターン検査方法において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とするパターン検査方法。
16. 請求項１３に記載のパターン検査方法において、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするパターン検査方法。