JP2010264632A - オフセット印刷方法および電磁波シールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】特にＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、しかも１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をこれまでよりもさらに増加させることができ、前記電磁波シールド等の生産性を向上できるオフセット印刷方法と、前記オフセット印刷方法を利用した、生産性に優れた電磁波シールドの製造方法とを提供する。
【解決手段】オフセット印刷方法は、１回の印刷を行なうごとに、シリコーンブラケット２と、凹版４および溶剤吸収体８とを当接させる相対位置を移動させながら、基板５の表面に連続して印刷をする。電磁波シールドの製造方法は、前記印刷方法により、基板５の表面に導電パターンを形成したのち焼成する。
【選択図】図１
【解決手段】オフセット印刷方法は、１回の印刷を行なうごとに、シリコーンブラケット２と、凹版４および溶剤吸収体８とを当接させる相対位置を移動させながら、基板５の表面に連続して印刷をする。電磁波シールドの製造方法は、前記印刷方法により、基板５の表面に導電パターンを形成したのち焼成する。
【選択図】図１
Description
本発明は、オフセット印刷方法と、それを利用した電磁波シールドの製造方法に関するものである。
例えばプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を構成する電磁波シールドのシールドパターンや前面板の電極等の、基板の面積と比較してごく微細な線幅を有する導電パターンを前記基板のほぼ全面に形成して前記電磁波シールド等を製造するために、従来はいわゆるフォトリソグラフ法を利用した導電パターンの形成方法が採用されてきた。
しかし近時、前記フォトリソグラフ法に代えてできるだけ工程数を少なく、消費エネルギーを小さく、使用する材料の無駄を少なく、そして短時間で生産性良く導電パターンを形成するために凹版オフセット印刷方法等のオフセット印刷方法を利用して導電パターンを形成することが普及しつつある。
しかし近時、前記フォトリソグラフ法に代えてできるだけ工程数を少なく、消費エネルギーを小さく、使用する材料の無駄を少なく、そして短時間で生産性良く導電パターンを形成するために凹版オフセット印刷方法等のオフセット印刷方法を利用して導電パターンを形成することが普及しつつある。
このうち凹版オフセット印刷方法では、前記導電パターンに対応した凹部を有する凹版を用意し、前記凹部に、顔料として導電性粉末を用いたインキ（以下「導電性ペースト」と記載することがある）を充填し、充填した前記導電性ペーストをブランケットの表面に転写した後、前記ブランケットの表面から基板の表面に再転写して焼き付けることで、前記基板の表面に凹版の凹部のパターンに対応した導電パターンが形成されて電磁波シールド等が製造される。
従来のフォトリソグラフ法では、前記導電パターンを形成するために多数の工程を要する上、マスクパターンを用いたエッチングやプレーティング等を組み合わせて導電パターンを形成しているため、そのもとになる導電材料を、実際に形成する導電パターンが必要とする量以上に多量に使用したり、あるいはマスクパターンのもとになり導電パターンの形成後は除去しなければならない感光性樹脂等を多量に使用したりする必要がある。しかもエッチングや除去等によって発生するこれら多量の廃材は、個別に回収して再利用することが困難である。
これに対し凹版オフセット印刷方法では、凹版およびブランケットを繰り返し使用できる上、導電性ペーストの使用量はほぼ導電パターンを形成するのに必要な分だけで済み、多量の廃材が発生するおそれもないため資源の節約に繋がる上、前記のように工程数も少なくて済む。そのためフォトリソグラフ法に比べて消費エネルギーを小さく、使用する材料の無駄を少なく、そして工程数を少なくして電磁波シールド等を短時間で生産性良く製造できる。
しかも凹版オフセット印刷方法によれば、例えば凹版の凹部をフォトリソグラフ法によって形成することで、従来の、基板の表面に直接にフォトリソグラフ法によって形成する場合とほぼ同等の、高い精度を有する導電パターンを有する電磁波シールド等を製造できる。
ブランケットとしては、少なくともその表面が導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れたシリコーンゴムによって形成されたシリコーンブランケットが広く用いられる。
ブランケットとしては、少なくともその表面が導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れたシリコーンゴムによって形成されたシリコーンブランケットが広く用いられる。
シリコーンブランケット等のブランケットは導電性ペーストと繰り返し接触することから、印刷を繰り返すうちに、前記導電性ペースト中に含まれる溶剤が含浸されて徐々に膨潤し、それに伴って導電性ペーストに対するブランケットの表面の濡れ性が徐々に上昇する。
ＰＤＰの電磁波シールドには高い電磁波シールド特性が要求されるだけでなく、画面の明るさを確保するためにできるだけ光透過性にも優れること、前記画面の明るさを均一にするために前記光透過性が電磁波シールドの全面においてほぼ等しいこと等が求められる。
ＰＤＰの電磁波シールドには高い電磁波シールド特性が要求されるだけでなく、画面の明るさを確保するためにできるだけ光透過性にも優れること、前記画面の明るさを均一にするために前記光透過性が電磁波シールドの全面においてほぼ等しいこと等が求められる。
そのため電磁波シールドの導電パターンは、例えば線幅が一定の直線状の導電ライン部を、前記線幅の数倍以上の形成ピッチで等間隔、かつ幾何学状（例えば格子状等）に複数本配列して構成されるのが一般的である。しかし前記のように膨潤が発生して、導電性ペーストに対するブランケットの表面の濡れ性が上昇すると、前記導電ライン部の線幅が徐々に大きくなって、あらかじめ設定された線幅の許容範囲を超えるに至る。
この時点でブランケットが使用寿命に至ったとみなされるため、印刷を停止してブランケットを交換する必要が生じる。電磁波シールド等の生産性を向上すること等を考慮すると、前記膨潤を抑制してブランケットの使用寿命をできるだけ延長し、交換の回数を極力減らすことが重要であり、そのため従来は、導電性ペースト中に含有させる溶剤として、ブランケットに殆ど含浸されない溶剤を使用するのが一般的であった。
しかしその場合には、印刷初期の段階でブランケットの表面が適度な膨潤状態に至らない状態が比較的長く続くことになるため、特に再転写の工程において転写不良を生じやすくなり、前記導電ライン部等において転写不良に基づく断線等を生じやすくなるという問題がある。
断線は最も回避すべき不良であり、それを防止するために、ブランケットの膨潤がある程度進んで導電性ペーストの転写不調が生じにくくなるまでの間、およそ１０回程度の予備印刷をすることも行われるが、電磁波シールド等の生産性を向上すること等を考慮すると予備印刷の回数はできるだけ少ないことが望ましい。
断線は最も回避すべき不良であり、それを防止するために、ブランケットの膨潤がある程度進んで導電性ペーストの転写不調が生じにくくなるまでの間、およそ１０回程度の予備印刷をすることも行われるが、電磁波シールド等の生産性を向上すること等を考慮すると予備印刷の回数はできるだけ少ないことが望ましい。
予備印刷の回数を極力少なくして、印刷初期の段階から良好な印刷を行うことを考慮すると、ブランケットに含浸されやすい溶剤を使用するのが望ましいのであるが、その場合には、先に説明したようにブランケットの膨潤によって、特にＰＤＰ用の電磁波シールドの場合、導電ライン部の線幅が徐々に大きくなってあらかじめ設定された線幅の許容範囲を超えるまでの印刷回数が少なくなり、ブランケットの使用寿命が短くなるという問題を生じ、結果的に生産性を向上することには繋がらない。
そこで、使用寿命を延長するためにブランケットを加熱して含浸された溶剤を除去することが検討されたが、そのためにはおよそ４０ないし２００℃程度に加熱する必要があり、加熱直後の表面温度の高いブランケットを凹版に接触させると前記凹版が熱膨張して、基板の表面に印刷される前記導電パターン等の精度が低下するという問題がある。
凹版から転写された導電性ペーストを基板に再転写させた後、次の導電性ペーストが凹版から転写されるまでの間のブランケットの表面に溶剤を吸収する機能を有する溶剤吸収体を当接させて、含浸された溶剤を前記溶剤吸収体によって吸収して除去することが提案されている。
凹版から転写された導電性ペーストを基板に再転写させた後、次の導電性ペーストが凹版から転写されるまでの間のブランケットの表面に溶剤を吸収する機能を有する溶剤吸収体を当接させて、含浸された溶剤を前記溶剤吸収体によって吸収して除去することが提案されている。
例えば特許文献１には、不織布や紙類等で形成した溶剤吸収体の無端ベルトを、ブランケットの表面に、その回転に合わせて送りながら順次、当接させて溶剤を吸収させるとともに、前記ブランケットから引き離した後の溶剤吸収体を順次、加熱等して吸収した溶剤を除去する操作を、前記無端ベルトを循環させながら繰り返し行うことが記載されている。
また特許文献２には、ブランケットの表面に、前記表面よりも軟らかいゴムの板、ロールもしくは無端ベルトや、あるいは繊維状、スポンジ状の無塵ワイパ等の溶剤吸収体を当接させて溶剤を吸収させ、次いで必要に応じて前記溶剤吸収体を加熱等して吸収した溶剤を除去することが記載されている。
さらに特許文献３には、溶剤吸収体をブランケットの表面に当接させて溶剤を吸収して除去する操作を、基板の表面に転写されたインキパターンの寸法変化量等と、ブランケット中に含浸された溶剤の濃度とを計測した結果に基づいて適宜のタイミングで過不足なく実施することが記載されている。
さらに特許文献３には、溶剤吸収体をブランケットの表面に当接させて溶剤を吸収して除去する操作を、基板の表面に転写されたインキパターンの寸法変化量等と、ブランケット中に含浸された溶剤の濃度とを計測した結果に基づいて適宜のタイミングで過不足なく実施することが記載されている。
しかし、先に説明したＰＤＰ用の電磁波シールドにおいては、近年、電磁波シールド特性を現状よりもさらに向上することが求められる傾向にあり、この要求は今後ますます厳しくなると予想される。そのため、前記特許文献１〜３等に記載された溶剤吸収体を用いて溶剤を吸収してブランケットの膨潤を抑制したとしても、導電ライン部等の線幅があらかじめ設定された線幅の許容範囲を超えるまでの印刷回数を増加させることはできず、電磁波シールドの生産性を向上する効果は得られない。
すなわち、電磁波シールドの電磁波シールド特性を向上するためには、前記導電ライン部等の形成ピッチを小さくして、電磁波シールドの単位面積中に含まれる導電ライン部の数を増加させること（導電ライン部の形成密度を高めること）が有効である。
一方、電磁波シールドの光透過性は、前記単位面積あたりの、導電ライン部で覆われていない領域の面積割合で表される開口率によって規定される。そのため、導電ライン部等の形成ピッチを小さくしてその形成密度を高めながら、個々の導電ライン部の線幅を小さくして前記開口率を所定のレベルに維持するようにすると、良好な光透過性を維持しつつ電磁波シールド特性を向上できる。
一方、電磁波シールドの光透過性は、前記単位面積あたりの、導電ライン部で覆われていない領域の面積割合で表される開口率によって規定される。そのため、導電ライン部等の形成ピッチを小さくしてその形成密度を高めながら、個々の導電ライン部の線幅を小さくして前記開口率を所定のレベルに維持するようにすると、良好な光透過性を維持しつつ電磁波シールド特性を向上できる。
例えば、ＰＤＰの動作時に発生する１〜５００ＭＰａ程度の電磁波に対して良好な電磁波シールド特性を有し、かつ開口率が５０〜９０％程度である電磁波シールドを形成するためには、導電ライン部の線幅を４０〜８０μｍ程度、形成ピッチを２００〜３０００μｍ程度で、かつ膜厚みを０．５〜５０μｍ程度に設定すればよいことが知られている。
ところが、前記開口率を維持しながら、前記範囲より広い１〜１０００ＭＨｚ程度の電磁波に対して良好な電磁波シールド特性を有する電磁波シールドを形成するためには、導電ライン部等の形成ピッチを小さくして形成密度を高める代わりに、線幅を４０μｍ以下にしなければならない。
ところが、前記開口率を維持しながら、前記範囲より広い１〜１０００ＭＨｚ程度の電磁波に対して良好な電磁波シールド特性を有する電磁波シールドを形成するためには、導電ライン部等の形成ピッチを小さくして形成密度を高める代わりに、線幅を４０μｍ以下にしなければならない。
したがって、前記電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅は、電磁波シールド特性をより一層向上するために、今後さらに小さくなるとともに、前記線幅の増加分として許容される範囲は小さくなる傾向にある。
そのため、たとえ特許文献１〜３等に記載された溶剤吸収体を用いて溶剤を吸収してブランケットの膨潤を抑制したとしても、その抑制効果には限界があるため、導電ライン部等の線幅があらかじめ設定された線幅の許容範囲を超えるまでの印刷回数を増加させることはできず、電磁波シールドの生産性を向上する効果は期待できないのである。
そのため、たとえ特許文献１〜３等に記載された溶剤吸収体を用いて溶剤を吸収してブランケットの膨潤を抑制したとしても、その抑制効果には限界があるため、導電ライン部等の線幅があらかじめ設定された線幅の許容範囲を超えるまでの印刷回数を増加させることはできず、電磁波シールドの生産性を向上する効果は期待できないのである。
発明者は先に、他の発明者とともに、ブランケットに含浸された溶剤を溶剤吸収体によって除去するのではなく、前記ブランケットを、複数回の印刷を行うごとに一定方向にずらして凹版とブランケットとが当接する相対位置を少しずつ移動させながら印刷を続けることを提案した（特許文献４）。
発明者らの検討によると、通常の凹版オフセット印刷機を用いた凹版オフセット印刷方法においては、印刷を繰り返した際に、凹版とブランケットの表面とが常にほぼ同じ相対位置で接触する。そのためブランケットは、凹版の凹部内のインキと、面内の常にほぼ同じ位置で接触することになり、前記位置の近傍にのみ溶剤が局部的に含浸されて、ブランケットが局部的に膨潤する。
発明者らの検討によると、通常の凹版オフセット印刷機を用いた凹版オフセット印刷方法においては、印刷を繰り返した際に、凹版とブランケットの表面とが常にほぼ同じ相対位置で接触する。そのためブランケットは、凹版の凹部内のインキと、面内の常にほぼ同じ位置で接触することになり、前記位置の近傍にのみ溶剤が局部的に含浸されて、ブランケットが局部的に膨潤する。
これに対し、ブランケットを複数回の印刷を行うごとに一定方向にずらして、凹版とブランケットとを当接させる相対位置を少しずつ移動させながら印刷を続けるようにすると、前記ブランケットに含浸される溶剤の量をブランケットの面内で分散できるため、膨潤による線幅の増加を抑制できると考えたのである。
ところが、前記特許文献４に記載の方法を採用したとしても、後述する実施例、比較例の結果から明らかなように、特にＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら印刷回数を増加させ、電磁波シールドの生産性を向上させることはできなかった。
本発明の目的は、特にＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、しかも１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をこれまでよりもさらに増加させることができ、前記電磁波シールド等の生産性を向上できるオフセット印刷方法と、前記オフセット印刷方法を利用した、生産性に優れた電磁波シールドの製造方法とを提供することにある。
本発明の目的は、特にＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、しかも１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をこれまでよりもさらに増加させることができ、前記電磁波シールド等の生産性を向上できるオフセット印刷方法と、前記オフセット印刷方法を利用した、生産性に優れた電磁波シールドの製造方法とを提供することにある。
本発明は、印刷版の表面にインキを用いてインキパターンを形成し、前記表面にブランケットを当接させて前記インキパターンをブランケットの表面に転写させた後、前記ブランケットを基板の表面に当接させて前記インキパターンを基板の表面に再転写させるとともに、インキパターンを再転写させた後のブランケットの表面に溶剤吸収体を当接させて、前記ブランケットに含浸されたインキ中の溶剤を除去する凹版オフセット印刷方法であって、１回の印刷を行なうごとに、前記印刷版とブランケットとを当接させる相対位置、および前記溶剤吸収体とブランケットとを当接させる相対位置を移動させることを特徴とする。
本発明では、前記のように１回の印刷を行うごとに印刷版とブランケットとを当接させる相対位置を移動させることにより、前記ブランケットに含浸される溶剤の量を、ブランケットの面内でより一層均一に分散できる。また１回の印刷を行うごとに溶剤吸収体とブランケットとを当接させる相対位置も移動させており、前記ブランケットの、インキパターンが転写されて溶剤が含浸された領域に、前記溶剤吸収体の、前回は溶剤吸収に利用されなかった新たな領域を当接させて溶剤を吸収させることができる。
また、前記溶剤吸収体の面内の所定の位置の近傍にのみ溶剤が局部的に吸収されて、前記位置での溶剤吸収力が局部的に低下するのも防止できる。そして、溶剤吸収体の全体における溶剤吸収力を一定に維持した状態で、ブランケットに含浸された溶剤を除去できる。そのため前記ブランケットの膨潤状態を、その全面でほぼ一定に維持できる。
したがって本発明のオフセット印刷方法によれば、印刷を繰り返しても、例えばＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅を、多数回の印刷に亘ってほぼ一定に維持することができ、前記導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数を、これまでよりもさらに増加させることが可能となる。
したがって本発明のオフセット印刷方法によれば、印刷を繰り返しても、例えばＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅を、多数回の印刷に亘ってほぼ一定に維持することができ、前記導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数を、これまでよりもさらに増加させることが可能となる。
前記本発明のオフセット印刷方法においては、ブランケットとして、少なくとも表面がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットを用い、印刷版としては、表面にインキパターンに対応する凹部が設けられた凹版を用いるのが好ましい。
前記シリコーンブランケットと凹版とを用いた凹版オフセット印刷方法によれば、凹版の凹部の深さを調整することで、基板の表面に印刷されるインキパターンの厚みを任意に制御することが可能である。またシリコーンブランケットは、先に説明したように導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れるため、前記シリコーンブランケットから基板へのインキの転写率を向上できる。
前記シリコーンブランケットと凹版とを用いた凹版オフセット印刷方法によれば、凹版の凹部の深さを調整することで、基板の表面に印刷されるインキパターンの厚みを任意に制御することが可能である。またシリコーンブランケットは、先に説明したように導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れるため、前記シリコーンブランケットから基板へのインキの転写率を向上できる。
そのため、例えば１回の印刷で、基板の表面に十分な厚みを有するインキパターン、例えば十分な電磁波シールド特性を有する導電パターンを形成でき、前記所定の厚みを有する導電パターン等を形成するために印刷を重ねたりする必要がなくなって印刷の工数を少なくできる上、印刷を重ねた際に生じる位置ずれによる精度の低下等をもなくすることができる。
その上、インキの分離は基本的に凹版の凹部からブランケットの表面への転写時の１回しか起こらないため、前記のように位置ずれによる精度の低下等を防止できることと相まって、前記基板の表面に、所定のインキパターンを精度よく、かつ再現性よく印刷することもできる。
本発明は、基板の表面に、インキとしての導電性ペーストを、請求項１または２に記載のオフセット印刷方法によって印刷したのち焼成することによって、前記基板の表面に、互いに平行でかつ等間隔に配列された複数の、線幅が一定の直線状の導電ライン部を含む導電パターンを形成して電磁波シールドを製造することを特徴とする電磁波シールドの製造方法である。
本発明は、基板の表面に、インキとしての導電性ペーストを、請求項１または２に記載のオフセット印刷方法によって印刷したのち焼成することによって、前記基板の表面に、互いに平行でかつ等間隔に配列された複数の、線幅が一定の直線状の導電ライン部を含む導電パターンを形成して電磁波シールドを製造することを特徴とする電磁波シールドの製造方法である。
本発明によれば、先に説明した本発明のオフセット印刷方法の効果により、電磁波シールドを生産性良く製造することができる。
前記本発明の印刷ブランケットの製造方法においては、導電パターンのうち隣り合う導電ライン部間の形成ピッチが前記導電ライン部の線幅の整数倍に設定された導電パターンを、前記相対位置の１回ごとの移動量が、前記導電ライン部の移動方向の幅と一致するように設定して１回の印刷ごとに移動させながら印刷を繰り返したのち、移動回数が前記倍数−１回に達した時点で最初の相対位置に戻す操作を繰り返すことが好ましい。
前記本発明の印刷ブランケットの製造方法においては、導電パターンのうち隣り合う導電ライン部間の形成ピッチが前記導電ライン部の線幅の整数倍に設定された導電パターンを、前記相対位置の１回ごとの移動量が、前記導電ライン部の移動方向の幅と一致するように設定して１回の印刷ごとに移動させながら印刷を繰り返したのち、移動回数が前記倍数−１回に達した時点で最初の相対位置に戻す操作を繰り返すことが好ましい。
前記操作を繰り返すことにより、ブランケットの面内で、先の印刷時に凹版の凹部内の導電性ペーストと接触した領域と、次の印刷時に凹版の凹部内の導電性ペーストと接触する領域とが部分的に重なり合うのを防止しつつ、前記ブランケットの表面のほぼ全面を印刷に有効利用できる。
そのためブランケットの、印刷時に導電性ペーストと接する領域の膨潤状態を各領域間、および各領域内でより一層一定に維持することができ、１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をさらに増加させて、電磁波シールドの生産性をより一層向上することができる。
そのためブランケットの、印刷時に導電性ペーストと接する領域の膨潤状態を各領域間、および各領域内でより一層一定に維持することができ、１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をさらに増加させて、電磁波シールドの生産性をより一層向上することができる。
本発明によれば、特にＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、しかも１つのブランケットを用いて印刷可能な印刷回数をこれまでよりもさらに増加させることができ、前記電磁波シールド等の生産性を向上できるオフセット印刷方法と、前記オフセット印刷方法を利用した、生産性に優れた電磁波シールドの製造方法とを提供することができる。
図１は、本発明のオフセット印刷方法の、実施の形態の一例としての凹版オフセット印刷方法を実施するために用いる凹版オフセット印刷機１の一例を示す概略図である。
図１を参照して、この例の凹版オフセット印刷機１は、少なくとも表面がシリコーンゴムからなるシート状のシリコーンブランケット２と、前記シリコーンブランケット２を外周に円筒状に保持する円柱状のブランケット胴３と、印刷版としての凹版４および基板５を保持する台盤６と、前記凹版４の表面に当接されるドクターブレード７と、前記シリコーンブランケット２の表面に当接される無端ベルト状の溶剤吸収体８とを備えている。
図１を参照して、この例の凹版オフセット印刷機１は、少なくとも表面がシリコーンゴムからなるシート状のシリコーンブランケット２と、前記シリコーンブランケット２を外周に円筒状に保持する円柱状のブランケット胴３と、印刷版としての凹版４および基板５を保持する台盤６と、前記凹版４の表面に当接されるドクターブレード７と、前記シリコーンブランケット２の表面に当接される無端ベルト状の溶剤吸収体８とを備えている。
ブランケット胴３は、図に示すように台盤６から離間した上昇位置と、図示していないが、シリコーンブランケット２を凹版４または基板５の表面に当接させる下降位置との間を図中に実線の矢印で示すように上下動される。
台盤６は、前記シリコーンブランケット２を、凹版４の表面の、図において左側の端に当接させる位置と、基板５の表面の、図において右側の端に当接させる位置との間を、図中に一点鎖線の矢印で示すように左右動される。
台盤６は、前記シリコーンブランケット２を、凹版４の表面の、図において左側の端に当接させる位置と、基板５の表面の、図において右側の端に当接させる位置との間を、図中に一点鎖線の矢印で示すように左右動される。
さらに溶剤吸収体８は、図に示すようにシリコーンブランケット２の表面に当接させた位置と、図示していないが、前記シリコーンブランケット２の表面から離間させた位置との間を図中に破線の矢印で示すように左右動される。
前記上下動と左右動とを組み合わせることで、凹版４の凹部（図示せず）に充填したインキが基板５の表面に印刷されて、前記基板５の表面に、前記凹部に対応したインキパターンが形成される。
前記上下動と左右動とを組み合わせることで、凹版４の凹部（図示せず）に充填したインキが基板５の表面に印刷されて、前記基板５の表面に、前記凹部に対応したインキパターンが形成される。
すなわち図１の状態（初期状態とする）において凹版４の表面にインキを供給し、次いで台盤６を右方向へ移動させると、前記凹版４の表面に当接させたドクターブレード７が、図において凹版４の右端から左端まで前記表面上を相対移動されることで、前記凹版４の凹部にインクが充填されるとともに、凹版の凹部以外の表面のインクが掻き取られる（充填工程）。
それとともに、溶剤吸収体８をシリコーンブランケット２の表面から離間させた状態でブランケット胴３を下降させて、前記シリコーンブランケット２を、凹版４の表面の、図において右側の端に当接させた状態で台盤６をさらに右方向に移動させると、前記移動に伴ってシリコーンブランケット２がブランケット胴３とともに凹版４の表面上で転動されることで、前記シリコーンブランケット２の表面に、凹版４の凹部内に充填されたインキが転写されてインキパターンが形成される（転写工程）。
次に、ブランケット胴３を上昇させるとともに溶剤吸収体８をシリコーンブランケット２の表面から離間させた状態で台盤６を左方向へ移動させたのち下降させて、前記シリコーンブランケット２を、基板５の表面の、図において右側の端に当接させる。
そして台盤６を右方向へ移動させると、前記移動に伴ってシリコーンブランケット２がブランケット胴３とともに基板５の表面上で転動されることで、前記シリコーンブランケット２の表面のインキパターンが、基板５の表面に再転写される（再転写工程）。
そして台盤６を右方向へ移動させると、前記移動に伴ってシリコーンブランケット２がブランケット胴３とともに基板５の表面上で転動されることで、前記シリコーンブランケット２の表面のインキパターンが、基板５の表面に再転写される（再転写工程）。
このあと、ブランケット胴３を再び上昇させて、シリコーンブランケット２の表面に溶剤吸収体８を当接させた状態で前記ブランケット胴３を回転させることによって前記シリコーンブランケット２に含浸されたインキ中の溶剤を除去しながら（除去工程）、台盤６を元の位置に戻して図１に示す初期状態とする。印刷後の基板５は台盤６から取り外して次工程へ送る。
連続的に印刷する場合は、以上で説明した工程を繰り返す。
この例のオフセット印刷方法では、前記各工程のうち除去工程が終了して次の転写工程が開始されるまでの間に、ブランケット胴３の台盤６に対する相対位置（先に説明した上下動方向以外の位置）をずらすことで、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置、および溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置が、それぞれ移動される（移動工程）。
この例のオフセット印刷方法では、前記各工程のうち除去工程が終了して次の転写工程が開始されるまでの間に、ブランケット胴３の台盤６に対する相対位置（先に説明した上下動方向以外の位置）をずらすことで、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置、および溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置が、それぞれ移動される（移動工程）。
具体的には、ブランケット胴３を軸方向、周方向およびこの両方向のいずれかの方向にずらすことにより、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置、および溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置が、それぞれ移動される。
ブランケット胴３を軸方向および／または周方向にずらすためには、前記ブランケット胴３を軸支する軸受部に、両方向の支持位置を微調整する手段を設ければよい。
ブランケット胴３を軸方向および／または周方向にずらすためには、前記ブランケット胴３を軸支する軸受部に、両方向の支持位置を微調整する手段を設ければよい。
またブランケット胴３を周方向にずらすためには、例えば１回の転写時、および再転写時に凹版４上、および基板５上でシリコーンブランケット２を転動させる距離（印刷長）よりも、前記シリコーンブランケット２の周長が僅かに大きくなるか小さくなるように、前記ブランケット胴３の外径と、その周囲に円筒状に保持されるシリコーンブランケット２の外径とを設定してもよい。
ブランケット胴３をどの方向にずらすかは、シリコーンブランケット２の表面に転写されるインキパターンの形状等に応じて適宜設定すればよい。例えばインキパターンの主体部（導電パターンの導電ライン部等）が主にブランケット胴３の周方向に沿う場合は、前記ブランケット胴３を軸方向、もしくは軸方向と周方向の両方向にずらすことが有効であり、前記主体部が主にブランケット胴３の軸方向に沿う場合は、前記ブランケット胴３を周方向、もしくは軸方向と周方向の両方向にずらすことが有効である。
またブランケット胴３とは別個に溶剤吸収体８を軸方向および／または周方向（無端ベルト上の溶剤吸収体８の送り方向）にずらすことにより、前記溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させることもできる。
前記のように１回の印刷を行うごとにブランケット胴３を所定の方向に所定量ずらして、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させることにより、シリコーンブランケット２に含浸される溶剤の量を、前記シリコーンブランケット２の面内でより一層均一に分散できる。
前記のように１回の印刷を行うごとにブランケット胴３を所定の方向に所定量ずらして、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させることにより、シリコーンブランケット２に含浸される溶剤の量を、前記シリコーンブランケット２の面内でより一層均一に分散できる。
また１回の印刷を行うごとにブランケット胴３や溶剤吸収体８を所定の方向に所定量ずらして、前記溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させることにより、前記シリコーンブランケット２の、インキパターンが転写されて溶剤が含浸された領域に、前記溶剤吸収体８の、前回は溶剤吸収に利用されなかった新たな領域を当接させて溶剤を吸収させることができる。
また、溶剤吸収体８の面内の所定の位置の近傍にのみ溶剤が局部的に吸収されて、前記位置での溶剤吸収力が局部的に低下するのも防止できる。そして、溶剤吸収体８の全体における溶剤吸収力を一定に維持した状態で、シリコーンブランケット２に含浸された溶剤を除去できる。
したがって前記凹版オフセット印刷方法によれば、シリコーンブランケット２の膨潤状態を、その全面でほぼ一定に維持することができ、印刷を繰り返しても、例えばＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅を、多数回の印刷に亘ってほぼ一定に維持することができる。
したがって前記凹版オフセット印刷方法によれば、シリコーンブランケット２の膨潤状態を、その全面でほぼ一定に維持することができ、印刷を繰り返しても、例えばＰＤＰ用の電磁波シールドの導電パターンを構成する導電ライン部の線幅を、多数回の印刷に亘ってほぼ一定に維持することができる。
そして、前記導電ライン部の線幅の微細化や、前記線幅の増加分として許容される範囲の狭小化に対応しながら、１つのシリコーンブランケット２を用いて印刷可能な印刷回数を、これまでよりもさらに増加させることが可能となる。
また前記凹版オフセット印刷方法によれば、凹版４の凹部の深さを調整することで、基板５の表面に印刷されるインキパターンの厚みを任意に制御することが可能である。またシリコーンブランケット２は、先に説明したように導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れるため、前記シリコーンブランケット２から基板５へのインキの転写率を向上できる。
また前記凹版オフセット印刷方法によれば、凹版４の凹部の深さを調整することで、基板５の表面に印刷されるインキパターンの厚みを任意に制御することが可能である。またシリコーンブランケット２は、先に説明したように導電性ペースト等のインキに対する離型性に優れるため、前記シリコーンブランケット２から基板５へのインキの転写率を向上できる。
そのため、例えば１回の印刷で、基板５の表面に十分な厚みを有するインキパターン、例えば十分な電磁波シールド特性を有する導電パターンを形成できる。例えば凹部の深さが１０μｍである凹版４と、シリコーンブランケット２とを用いて印刷をすると、理論上は、基板５の表面に、前記凹部の深さの約半分である約５μｍの厚みを有するインキパターンを形成できる。
したがって、所定の厚みを有する導電パターン等を形成するために印刷を重ねたりする必要がなくなって印刷の工数を少なくできる上、印刷を重ねた際に生じる位置ずれによる精度の低下等をもなくすることができる。
その上インキの分離は、基本的に凹版４からシリコーンブランケット２の表面への転写時の１回しか起こらないため、前記のように位置ずれによる精度の低下等を防止できることと相まって、前記基板の表面に、所定のインキパターンを精度よく、かつ再現性よく印刷することもできる。具体的には、例えば導電ライン部の線幅が４０μｍ以下、特に２０μｍ前後である非常に微細な導電パターンを、再現性よく印刷することができる。
その上インキの分離は、基本的に凹版４からシリコーンブランケット２の表面への転写時の１回しか起こらないため、前記のように位置ずれによる精度の低下等を防止できることと相まって、前記基板の表面に、所定のインキパターンを精度よく、かつ再現性よく印刷することもできる。具体的には、例えば導電ライン部の線幅が４０μｍ以下、特に２０μｍ前後である非常に微細な導電パターンを、再現性よく印刷することができる。
シリコーンブランケット２の表面を形成するシリコーンゴムは、常温硬化型シリコーンゴム（ＲＴＶ）と加熱硬化型シリコーンゴム（ＨＴＶ）とに大別され、基本的にこのいずれを用いてもよいが、硬化の際に副生成物を生じない常温硬化型のシリコーンゴムを用いて形成するのが、シリコーンブランケット２の寸法精度を向上する点で好ましい。
また前記シリコーンゴムとしては、例えば未硬化時に液状ないしはペースト状を呈するシリコーンゴムが好ましい。前記液状ないしはペースト状を呈するシリコーンゴムを下地上に塗布し、硬化させて表面層を形成した場合、前記表面層の表面を、硬化時に液またはペーストのセルフレベリング効果によって平滑化できる。そのため電磁波シールドの導電パターン等の高精度のインキパターンを形成するために好適な、表面粗さの小さいシリコーンブランケット２を得ることができる。
また前記シリコーンゴムとしては、例えば未硬化時に液状ないしはペースト状を呈するシリコーンゴムが好ましい。前記液状ないしはペースト状を呈するシリコーンゴムを下地上に塗布し、硬化させて表面層を形成した場合、前記表面層の表面を、硬化時に液またはペーストのセルフレベリング効果によって平滑化できる。そのため電磁波シールドの導電パターン等の高精度のインキパターンを形成するために好適な、表面粗さの小さいシリコーンブランケット２を得ることができる。
なお前記液状ないしはペースト状を呈するシリコーンゴムを金型内に注入し、表面層の形状に成形しながら硬化させてシリコーンブランケット２を製造しても良い。
シリコーンゴムの硬さは、日本工業規格ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７「加硫ゴム及び熱可塑性ゴムの硬さ試験方法」において規定されたデュロメータタイプＡ硬さで表してＡ２０／Ｓ以上、Ａ７０／Ｓ以下、特にＡ３０／Ｓ以上、Ａ６０／Ｓ以下であるのが好ましい。
シリコーンゴムの硬さは、日本工業規格ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７「加硫ゴム及び熱可塑性ゴムの硬さ試験方法」において規定されたデュロメータタイプＡ硬さで表してＡ２０／Ｓ以上、Ａ７０／Ｓ以下、特にＡ３０／Ｓ以上、Ａ６０／Ｓ以下であるのが好ましい。
前記範囲よりシリコーンゴムが柔らかい場合には、転写時および再転写時に凹版４、基板５に圧接された際のシリコーンブランケット２の変形が大きくなって、前記基板５の表面に印刷されるインキパターンの精度が低下するおそれがある。
ただしシリコーンゴムは、ある程度の軟らかさを有している必要もある。すなわちシリコーンブランケット２は、転写時に凹版４に圧接されることで、前記凹版４の凹部内に圧入されて、前記凹部内のインキを受け取り、それによって凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面にインキパターンが転写される。ところが、前記範囲よりシリコーンゴムが硬い場合には、シリコーンブランケット２が凹部内に十分に圧入されないため、インキの受け取りが良好に行なわれず、凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面へのインキパターンの転写が不十分になるおそれが生じる。
ただしシリコーンゴムは、ある程度の軟らかさを有している必要もある。すなわちシリコーンブランケット２は、転写時に凹版４に圧接されることで、前記凹版４の凹部内に圧入されて、前記凹部内のインキを受け取り、それによって凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面にインキパターンが転写される。ところが、前記範囲よりシリコーンゴムが硬い場合には、シリコーンブランケット２が凹部内に十分に圧入されないため、インキの受け取りが良好に行なわれず、凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面へのインキパターンの転写が不十分になるおそれが生じる。
またシリコーンブランケット２の表面状態は、特にインキパターンが微細になるほどその精度に影響を及ぼすため、できるだけ平滑であることが好ましい。例えば電磁波シールドの導電パターンを高精度で印刷するためには、前記シリコーンブランケット２の表面粗さが、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１「製品の幾何特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語，定義及び表面性状パラメータ」の付属書１で規定された十点平均粗さＲＺＪＳ９４で表して１．０μｍ以下、特に０．５μｍ以下であるのが好ましい。
凹版４としては、その表面に所望のインキパターンの平面形状と高さに対応する平面形状と深さを有する凹部を形成しうる種々の材料からなるものを用いることができる。凹版４の表面はできるだけ平滑であるのが好ましい。
表面の平滑性が低いと、ドクターブレード７によってインキを凹部内に充填する際に、凹版４の表面にインキの掻き残りが生じて、基板５の表面の非画線部（インキパターンを形成していない領域）に、いわゆる地汚れが発生するおそれがある。
表面の平滑性が低いと、ドクターブレード７によってインキを凹部内に充填する際に、凹版４の表面にインキの掻き残りが生じて、基板５の表面の非画線部（インキパターンを形成していない領域）に、いわゆる地汚れが発生するおそれがある。
前記のように表面の平滑性に優れた凹版４を形成しうる材料としては、例えば４２アロイ、ステンレス鋼等の金属や、ソーダライムガラス、ノンアルカリガラス等のガラス等が挙げられる。
凹版４の凹部の深さは、形成するインキパターンの厚み応じて適宜設定できる。通常は１μｍ以上、５０μｍ以下程度である。先に説明したように、凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面への転写時にはインキの分離が発生する。通常は、凹部の深さの約半分の量のインキがシリコーンブランケット２の表面に転写される。そのため１回の印刷で所定の厚みを有するインキパターンを形成することを考慮すると、凹版４の凹部の深さは、基板５の表面に形成するインキパターンの厚みの約２倍程度に設定するのが好ましい。
凹版４の凹部の深さは、形成するインキパターンの厚み応じて適宜設定できる。通常は１μｍ以上、５０μｍ以下程度である。先に説明したように、凹版４の凹部からシリコーンブランケット２の表面への転写時にはインキの分離が発生する。通常は、凹部の深さの約半分の量のインキがシリコーンブランケット２の表面に転写される。そのため１回の印刷で所定の厚みを有するインキパターンを形成することを考慮すると、凹版４の凹部の深さは、基板５の表面に形成するインキパターンの厚みの約２倍程度に設定するのが好ましい。
〈電磁波シールドの製造方法〉
本発明の電磁波シールドの製造方法の一例では、前記例の凹版オフセット印刷方法を利用して、基板５の表面に、インキとしての導電性ペーストを印刷したのち焼成することによって、前記基板５の表面に、互いに平行でかつ等間隔に配列された複数の、線幅が一定の直線状の導電ライン部を含む導電パターンを形成する。
本発明の電磁波シールドの製造方法の一例では、前記例の凹版オフセット印刷方法を利用して、基板５の表面に、インキとしての導電性ペーストを印刷したのち焼成することによって、前記基板５の表面に、互いに平行でかつ等間隔に配列された複数の、線幅が一定の直線状の導電ライン部を含む導電パターンを形成する。
図２は、前記例の製造方法によって基板５の表面に印刷される導電パターン９の一例を示す平面図である。
図３は、この例の製造方法において凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させた際の、前記シリコーンブランケット２の表面における導電パターン９の位置の移動を説明する平面図である。
図３は、この例の製造方法において凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動させた際の、前記シリコーンブランケット２の表面における導電パターン９の位置の移動を説明する平面図である。
図１および図２を参照して、この例の導電パターン９は、図２中に実線の矢印で示す印刷方向Ｄ１、すなわちシリコーンブランケット２およびブランケット胴３の、凹版４上および基板５上での転動方向に対して４５°傾斜させて互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ１が一定の直線状の導電ライン部１０と、前記導電ライン部１０と直交させて（すなわち前記転動方向に対して前記と逆方向に４５°傾斜させて）互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ２が一定の直線状の導電ライン部１１とを含む格子状に形成されている。
また、前記導電ライン部１０の形成ピッチＰ１、すなわち隣り合う導電ライン部１０の、それぞれ幅方向の中心位置間の距離は、各導電ライン部１０の線幅Ｗ１の整数倍に設定され、導電ライン部１１の形成ピッチＰ２、すなわち隣り合う導電ライン部１１の、それぞれ幅方向の中心位置間の距離も、各導電ライン部１１の線幅Ｗ２の整数倍に設定されている。
さらにこの例では、電磁波シールドの光透過性を均一にするため、前記線幅Ｗ１、Ｗ２が同一で、かつ形成ピッチＰ１、Ｐ２も同一とされている。
図１〜図３を参照して、前記平面形状を有する導電パターン９を、前記凹版オフセット印刷方法によって複数の基板５の表面に連続的に印刷して電磁波シールドを連続的に製造するに際し、この例では、前記印刷方法のうち移動工程において、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３を、１回の印刷ごとに、図３中に黒矢印で示すように、前記印刷方向Ｄ１と直交する前記ブランケット胴３の軸方向Ｄ２に沿って図において左方向にずらす。
図１〜図３を参照して、前記平面形状を有する導電パターン９を、前記凹版オフセット印刷方法によって複数の基板５の表面に連続的に印刷して電磁波シールドを連続的に製造するに際し、この例では、前記印刷方法のうち移動工程において、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３を、１回の印刷ごとに、図３中に黒矢印で示すように、前記印刷方向Ｄ１と直交する前記ブランケット胴３の軸方向Ｄ２に沿って図において左方向にずらす。
そうすると、前記シリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置が、図３中に白矢印で示すように、前記軸方向Ｄ２に沿って前記と逆の右方向に移動する。すなわちシリコーンブランケット２の表面において、導電パターン９の転写位置が、図中に実線で示した位置から破線で示した位置に移動する。
この際の移動量を、導電ライン部１０の前記移動方向の幅Ｗ３（導電ライン部１１の、前記方向の幅でもある）と一致させると、図に示すように先の転写位置（実線）と後の転写位置（破線）とが互いに重なり合わずに接するように、導電パターン９の転写位置を移動させることができる。
この際の移動量を、導電ライン部１０の前記移動方向の幅Ｗ３（導電ライン部１１の、前記方向の幅でもある）と一致させると、図に示すように先の転写位置（実線）と後の転写位置（破線）とが互いに重なり合わずに接するように、導電パターン９の転写位置を移動させることができる。
例えば図の例の場合、前記移動量Ｗ３は、移動方向に対する導電ライン部１０、１１の傾斜角がいずれも４５°であるため、線幅Ｗ１（＝Ｗ２）の約１．４倍（√２倍）に設定される。例えば線幅Ｗ１（＝Ｗ２）が２０μｍであるとき、移動量Ｗ３は約２８．３μｍとなる。
また、前記のように隣り合う導電ライン部１０、１１間の形成ピッチＰ１、Ｐ２は、各導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１（＝Ｗ２）の整数倍に設定されているため、前記隣り合う導電ライン部１０の、前記移動方向の形成ピッチは、前記移動量Ｗ３に対して同じ整数倍となる。
また、前記のように隣り合う導電ライン部１０、１１間の形成ピッチＰ１、Ｐ２は、各導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１（＝Ｗ２）の整数倍に設定されているため、前記隣り合う導電ライン部１０の、前記移動方向の形成ピッチは、前記移動量Ｗ３に対して同じ整数倍となる。
そのため１回の印刷ごとに、シリコーンブランケット２と凹版４とを当接させる相対位置を前記所定の移動量Ｗ３で移動させてゆくと、移動回数が前記倍数−１回に達した時点で、シリコーンブランケット２の表面における導電パターン９の転写位置は、最初の実線で示した位置から、図中に二点鎖線で示した位置、つまり最初の実線で示した位置に移動方向と反対側で接する位置まで順次移動する。
そのためシリコーンブランケット２の表面の、従来方法では利用することがなかった隣り合う導電ライン部１０間、導電ライン部１１間の領域のほぼ全面を印刷に有効利用できることになる。
例えば図の例の場合、例えば線幅Ｗ１（＝Ｗ２）が２０μｍ、形成ピッチＰ１（＝Ｐ２）が２００μｍであるとき、導電パターン９が実線の位置から二点鎖線の位置まで移動するのに要する回数は２０／２−１＝９回である。１回の印刷ごとに約２８．３μｍ移動させながら９回の印刷をした後、再び実線の位置に戻す操作を繰り返すことになる。
例えば図の例の場合、例えば線幅Ｗ１（＝Ｗ２）が２０μｍ、形成ピッチＰ１（＝Ｐ２）が２００μｍであるとき、導電パターン９が実線の位置から二点鎖線の位置まで移動するのに要する回数は２０／２−１＝９回である。１回の印刷ごとに約２８．３μｍ移動させながら９回の印刷をした後、再び実線の位置に戻す操作を繰り返すことになる。
したがってこの例の製造方法によれば、シリコーンブランケット２の、印刷時に導電性ペーストと接する領域の膨潤状態を各領域間、および各領域内でより一層一定に維持することができ、１つのシリコーンブランケット２を用いて印刷可能な印刷回数をさらに増加させて、電磁波シールドの生産性をより一層向上することができる。
基板としては、透明性が高く、また導電性ペーストの焼成に耐えうる耐熱性を有する種々の基板が使用可能である。前記基板としては、例えばポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂等の樹脂からなる樹脂板や、ソーダライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスからなるガラス板が挙げられる。特に耐熱性や耐薬品性、透明性に優れたソーダライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス等からなるガラス板や、アクリル樹脂板が好ましい。
基板としては、透明性が高く、また導電性ペーストの焼成に耐えうる耐熱性を有する種々の基板が使用可能である。前記基板としては、例えばポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂等の樹脂からなる樹脂板や、ソーダライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスからなるガラス板が挙げられる。特に耐熱性や耐薬品性、透明性に優れたソーダライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス等からなるガラス板や、アクリル樹脂板が好ましい。
導電性ペーストとしては、顔料として導電性粉末を含む任意の導電性ペーストが使用可能である。
前記導電性粉末としては、例えば銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、コバルト等の金属の粉末や前記金属の２種以上の合金の粉末、銀メッキ銅等のメッキ複合体の粉末、酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウム等の金属酸化物の粉末などの１種または２種以上が挙げられる。中でも高い導電性を有する上、高絶縁性の酸化物を生成しにくい耐酸化性に優れるため導電性に優れた導電パターンを形成できる銀が好ましい。またコスト安価に導電性に優れた導電パターンを形成できる銅も好ましい。
前記導電性粉末としては、例えば銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、コバルト等の金属の粉末や前記金属の２種以上の合金の粉末、銀メッキ銅等のメッキ複合体の粉末、酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウム等の金属酸化物の粉末などの１種または２種以上が挙げられる。中でも高い導電性を有する上、高絶縁性の酸化物を生成しにくい耐酸化性に優れるため導電性に優れた導電パターンを形成できる銀が好ましい。またコスト安価に導電性に優れた導電パターンを形成できる銅も好ましい。
導電性粉末は、粒度分布の５０％累積径Ｄ５０が０．１μｍ以上、２０μｍ以下、特に０．１μｍ以上、２μｍ以下であるのが好ましい。導電性粉末の粒径を前記範囲内とすることにより、凹版オフセット印刷方法に使用する際の印刷適性に優れる上、微細な導電パターンを細部まで良好に再現できる導電性ペーストを調製できる。
また導電性粉末の形状は、前記印刷適正を向上するためには球状であるのが好ましく、前記導電性粉末同士の接触面積を大きくして導電パターンの導電性を高めるためには鱗片状であるのが好ましい。また、導電性粉末を細密充填して導電パターンの導電性をさらに高めるためには、前記鱗片状の導電性粉末と球状の導電性粉末とを併用してもよい。
また導電性粉末の形状は、前記印刷適正を向上するためには球状であるのが好ましく、前記導電性粉末同士の接触面積を大きくして導電パターンの導電性を高めるためには鱗片状であるのが好ましい。また、導電性粉末を細密充填して導電パターンの導電性をさらに高めるためには、前記鱗片状の導電性粉末と球状の導電性粉末とを併用してもよい。
導電性粉末の添加量は、電磁波シールド特性に優れ、高い精度を有し、しかも基材に対する密着性にも優れた良好な導電パターンを形成することを考慮すると、導電性ペーストの総量の７０質量％以上、９５質量％以下、特に７５質量％以上、９０質量％以下であるのが好ましい。
導電性ペーストには黒色顔料を添加してもよい。前期黒色顔料としてはカーボンブラック等が挙げられる。黒色顔料を添加して導電パターンを黒色に着色することで、外光の反射を防いでＰＤＰ等のコントラストを向上させることができる。黒色顔料の添加量は、導電パターンの電磁波シールド特性を低下させることなしに、前記導電パターンを、十分な色濃度を有する黒色に着色することを考慮すると、導電性ペーストの総量の０．５質量％以上、５０質量％以下、特に１質量％以上、３０質量％以下であるのが好ましい。
導電性ペーストには黒色顔料を添加してもよい。前期黒色顔料としてはカーボンブラック等が挙げられる。黒色顔料を添加して導電パターンを黒色に着色することで、外光の反射を防いでＰＤＰ等のコントラストを向上させることができる。黒色顔料の添加量は、導電パターンの電磁波シールド特性を低下させることなしに、前記導電パターンを、十分な色濃度を有する黒色に着色することを考慮すると、導電性ペーストの総量の０．５質量％以上、５０質量％以下、特に１質量％以上、３０質量％以下であるのが好ましい。
導電性ペーストにはバインダ樹脂を添加してもよい。前記バインダ樹脂としては、例えばポリエステル−メラミン樹脂、メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化型樹脂、アクリル樹脂等の紫外線硬化型樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチルセルロース樹脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂などの１種または２種以上が挙げられる。
次に述べるガラスフリットを添加し、印刷後の導電パターンを焼成してバインダ樹脂を熱分解させて除去する場合には、前記バインダ樹脂として熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は２５０〜４００℃程度の低い焼成温度で熱分解できるため、焼成後の導電パターンの低抵抗化に寄与する。
ガラスフリットは、バインダ樹脂を熱分解させて除去した後にバインダとして機能させて、導電パターンの機械的強度を維持するためのもので、前記バインダとして機能しうる種々のガラス材料からなる粉末が、前記ガラスフリットとして使用可能である。
ガラスフリットは、バインダ樹脂を熱分解させて除去した後にバインダとして機能させて、導電パターンの機械的強度を維持するためのもので、前記バインダとして機能しうる種々のガラス材料からなる粉末が、前記ガラスフリットとして使用可能である。
前記ガラスフリットとしては例えばホウケイ酸ガラスの粉末や、あるいは酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ビスマス等の金属酸化物を含有するガラスの粉末等の１種または２種以上が挙げられる。
ガラスフリットは、粒度分布の５０％累積径Ｄ５０が０．０１μｍ以上、５μｍ以下、特に０．２μｍ以上、３μｍ以下であるのが好ましい。ガラスフリットの粒径を前記範囲内とすることにより、凹版オフセット印刷方法に使用する際の印刷適性に優れる上、微細な導電パターンを細部まで良好に再現できるインキ組成物を調製できる。また導電性粉末同士、および導電性粉末と基板との間を良好に結着させて導電性、密着性、および強度等に優れた導電パターンを形成できる。
ガラスフリットは、粒度分布の５０％累積径Ｄ５０が０．０１μｍ以上、５μｍ以下、特に０．２μｍ以上、３μｍ以下であるのが好ましい。ガラスフリットの粒径を前記範囲内とすることにより、凹版オフセット印刷方法に使用する際の印刷適性に優れる上、微細な導電パターンを細部まで良好に再現できるインキ組成物を調製できる。また導電性粉末同士、および導電性粉末と基板との間を良好に結着させて導電性、密着性、および強度等に優れた導電パターンを形成できる。
ガラスフリットの添加量は、導電パターンの電磁波シールド特性を低下させることなしに、前記導電パターンの機械的強度を十分に向上させることを考慮すると、導電性ペーストの総量の０．０１質量％以上、５０質量％以下、特に１質量％以上、１０質量％以下であるのが好ましい。
導電性ペーストには溶剤を添加する。溶剤としては、バインダ樹脂を良好に溶解して導電性ペーストを形成しうる種々の溶剤が使用可能であり、特に沸点が１５０℃以上である溶剤が好ましい。沸点が１５０℃未満である溶剤を使用した場合には、導電性ペーストが印刷時に乾燥しやすくなって、良好な印刷を続けられないおそれがある。
導電性ペーストには溶剤を添加する。溶剤としては、バインダ樹脂を良好に溶解して導電性ペーストを形成しうる種々の溶剤が使用可能であり、特に沸点が１５０℃以上である溶剤が好ましい。沸点が１５０℃未満である溶剤を使用した場合には、導電性ペーストが印刷時に乾燥しやすくなって、良好な印刷を続けられないおそれがある。
前記溶剤としては、例えばヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、α−テルピネオール等のアルコール類；エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート（セロソルブアセタート）、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート（ブチルセロソルブアセタート）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート（カルビトールアセタート）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート（ブチルカルビトールアセタート）等のアルキルエーテル類の１種または２種以上が挙げられる。
溶剤の含有割合は、導電性ペーストに求められる粘度等の特性に合わせて適宜設定すればよい。凹版オフセット印刷方法に適した導電性ペーストの粘度は２Ｐａ・ｓ以上、３０Ｐａ・ｓ以下程度、特に５Ｐａ・ｓ以上、２０Ｐａ・ｓ以下程度である。
導電性ペーストには、前記各成分に加えて、例えばレベリング剤、分散剤、揺変性付与剤（チキソトロピック粘性付与剤）、消泡剤、充填剤、可塑剤、硬化触媒等の種々の配合剤を任意の含有割合で含有させることもできる。導電性ペーストは、前記各成分を所定の割合で配合後、３本ロール、ボールミル、アトライター、サンドミル等を用いて攪拌し、混合して調製される。
導電性ペーストには、前記各成分に加えて、例えばレベリング剤、分散剤、揺変性付与剤（チキソトロピック粘性付与剤）、消泡剤、充填剤、可塑剤、硬化触媒等の種々の配合剤を任意の含有割合で含有させることもできる。導電性ペーストは、前記各成分を所定の割合で配合後、３本ロール、ボールミル、アトライター、サンドミル等を用いて攪拌し、混合して調製される。
焼成の温度は、例えば導電性ペーストにガラスフリットを含有させる場合、バインダ樹脂の熱分解温度以上で、かつ前記ガラスフリットが軟化もしくは溶融する温度範囲に設定する。具体的には２５０℃以上、６５０℃以下、特に３５０℃以上、６２０℃以下で焼成するのが好ましい。
前記焼成を経て、基板の表面に所定の導電パターンが形成された電磁波シールドが製造される。前記電磁波シールドは、先に説明したように導電パターンの線幅をできるだけ細かくしつつ導電ライン部の形成密度を高めることで、十分な光透過性と良好な電磁波シールド特性に優れたものとすることができるが、さらに必要に応じて、前記導電パターンの表面に無電解めっきまたは電気めっきによってめっき被膜を積層してもよい。その場合には電磁波シールド特性をさらに向上できる。
前記焼成を経て、基板の表面に所定の導電パターンが形成された電磁波シールドが製造される。前記電磁波シールドは、先に説明したように導電パターンの線幅をできるだけ細かくしつつ導電ライン部の形成密度を高めることで、十分な光透過性と良好な電磁波シールド特性に優れたものとすることができるが、さらに必要に応じて、前記導電パターンの表面に無電解めっきまたは電気めっきによってめっき被膜を積層してもよい。その場合には電磁波シールド特性をさらに向上できる。
なお、前記凹版オフセット印刷方法のうち充填工程で使用するドクターブレード７と凹版４とを当接させる圧力や、凹版４上を移動させる速度等を１回の印刷ごとに違えるようにすると、多数回の印刷に亘って、より一層精度に優れた導電パターンを印刷することが可能となる。
すなわち電磁波シールドのサイズは、ＰＤＰ等の画面サイズの大型化に伴って今後ますます大型化する傾向にあり、それに対応してドクターブレード７も長大化する傾向にあるが、例えばＧ５以上の大型サイズになると、凹版４の凹部の全域に、単一のドクターブレード７を用いてインキを均一に充填するのが難しくなる。
すなわち電磁波シールドのサイズは、ＰＤＰ等の画面サイズの大型化に伴って今後ますます大型化する傾向にあり、それに対応してドクターブレード７も長大化する傾向にあるが、例えばＧ５以上の大型サイズになると、凹版４の凹部の全域に、単一のドクターブレード７を用いてインキを均一に充填するのが難しくなる。
ドクターブレード７のたわみ等が原因であり、それを防止するために、現状ではドクターブレード７の凹版４に対する接触圧を微調整しながら印刷をしているが、どうしても接触圧を均一にすることは困難である。
１枚だけの印刷であれば、それでも印刷ムラ等は生じにくいが、連続して印刷をすると、凹版４の凹部のうち特定の領域の圧力が常に高かったり低かったりする状態が続き、特に圧力が高い領域では新たなインキを凹部内に十分に充填できなくなって、その領域のみ凹部内のインキが乾燥し、前記凹部の見かけ上の深さが小さくなって導電パターンにムラを生じるおそれがある。
１枚だけの印刷であれば、それでも印刷ムラ等は生じにくいが、連続して印刷をすると、凹版４の凹部のうち特定の領域の圧力が常に高かったり低かったりする状態が続き、特に圧力が高い領域では新たなインキを凹部内に十分に充填できなくなって、その領域のみ凹部内のインキが乾燥し、前記凹部の見かけ上の深さが小さくなって導電パターンにムラを生じるおそれがある。
これに対し、ドクターブレード７と凹版４とを当接させる圧力や、凹版４上を移動させる速度等を１回の印刷ごとに違えるようにすると、圧力の偏在が特定の領域に固定されるのを防止できる。そのため、前記インキの乾燥やそれに伴う導電パターンのムラが発生するのを防止して、多数回の印刷に亘って、より一層精度に優れた導電パターンを印刷することが可能となる。
前記例の製造方法によれば、良好な光透過性を有する上、例えば１〜１０００ＭＨｚ程度の電磁波に対して良好な電磁波シールド特性を有する電磁波シールドを製造することができる。例えば図２に示す格子状の導電パターン９の場合、前記特性を満足するために、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２はいずれも５μｍ以上、４０μｍ以下、特に１５μｍ以上、２５μｍ以下であるのが好ましい。線幅Ｗ１、Ｗ２が前記範囲未満であるごく微細な導電ライン部１０、１１は、たとえ本発明を適用したとしても、断線等を生じることなしに、連続的に安定して形成できないおそれがある。また線幅Ｗ１、Ｗ２が前記範囲を超える場合には、先に説明した良好な電磁波シールド特性が得られないおそれがある。
また前記線幅Ｗ１、Ｗ２と、導電ライン部１０、１１の形成ピッチＰ１、Ｐ２とを調整して設定される開口率が５０％以上、９０％以下、特に６０％以上、８０％以下であるのが好ましい。開口率が前記範囲未満では、導電性ペーストの光透過性が不十分であり、前記範囲を超える場合には、先に説明した良好な電磁波シールド特性が得られないおそれがある。
開口率を前記範囲内とした場合、電磁波シールドの面内における、導電パターンが形成された領域の全面積ＳＳと、導電パターンが形成されていない領域の全面積ＳＫとの比ＳＫ／ＳＳは１．０〜９．０とされる。
導電パターンは、図に示した格子状には限定されない。例えば正三角形、平行四辺形、正ｎ角形、円、楕円等の幾何学模様の１種または複数種の繰り返しにより、光透過率やモアレ現象（画面のドットパターンのピッチとの関係で緩衝縞が発生する）の有無、さらには電磁波シールド特性に応じて適宜設計することができる。その際、線幅は、幾何学模様を形成する１つのユニットを形成する導電ライン部の線幅であり、形成ピッチは、隣り合うユニット間の距離である。形成ピッチを出しにくい場合は、１つのユニットの面積の平方根（ユニットを正方形に換算したときの１辺の長さ）を形成ピッチとして定義することとする。
導電パターンは、図に示した格子状には限定されない。例えば正三角形、平行四辺形、正ｎ角形、円、楕円等の幾何学模様の１種または複数種の繰り返しにより、光透過率やモアレ現象（画面のドットパターンのピッチとの関係で緩衝縞が発生する）の有無、さらには電磁波シールド特性に応じて適宜設計することができる。その際、線幅は、幾何学模様を形成する１つのユニットを形成する導電ライン部の線幅であり、形成ピッチは、隣り合うユニット間の距離である。形成ピッチを出しにくい場合は、１つのユニットの面積の平方根（ユニットを正方形に換算したときの１辺の長さ）を形成ピッチとして定義することとする。
〈実施例１〉
導電性ペーストとしては、バインダ樹脂としてのアクリル樹脂（重量平均分子量Ｍｗ＝１０００００）１００質量部と、導電性粉末としての銀粉末（粒度分布の５０％累積径Ｄ５０＝０．５μｍ）９００質量部と、ガラスフリット（粒度分布の５０％累積径Ｄ５０＝０．５μｍ）１５質量部と、溶剤としてのブチルセロソルブアセタート１００質量部とを配合し、３本ロールを用いて混練して調製したものを用いた。
導電性ペーストとしては、バインダ樹脂としてのアクリル樹脂（重量平均分子量Ｍｗ＝１０００００）１００質量部と、導電性粉末としての銀粉末（粒度分布の５０％累積径Ｄ５０＝０．５μｍ）９００質量部と、ガラスフリット（粒度分布の５０％累積径Ｄ５０＝０．５μｍ）１５質量部と、溶剤としてのブチルセロソルブアセタート１００質量部とを配合し、３本ロールを用いて混練して調製したものを用いた。
オフセット印刷機としては図１に示す各部を備えた凹版オフセット印刷機１を用い、シリコーンブランケット２としては、表面層が常温硬化型でかつ付加型のシリコーンゴムからなり、そのデュロメータタイプＡ硬さがＡ４０／Ｓで、かつ表面の十点平均粗さＲＺＪＳ９４が０．１μｍであるものを用いた。
シリコーンブランケット２は、ブランケット胴３とともに、印刷方向と直交する軸方向にずらすことができるように、前記ブランケット胴３を軸支する軸受部に、支持位置を微調整する手段を設けた。これにより、１回の印刷を行なうごとにシリコーンブランケット２を前記軸方向にずらすことで、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置、および溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動できるようにした。
シリコーンブランケット２は、ブランケット胴３とともに、印刷方向と直交する軸方向にずらすことができるように、前記ブランケット胴３を軸支する軸受部に、支持位置を微調整する手段を設けた。これにより、１回の印刷を行なうごとにシリコーンブランケット２を前記軸方向にずらすことで、凹版４とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置、および溶剤吸収体８とシリコーンブランケット２とを当接させる相対位置を移動できるようにした。
溶剤吸収体８としては、ウレタンゴムからなる無端ベルト状のものを用いた。
導電パターン９は、図２に示すように、印刷方向Ｄ１に対して４５°傾斜させて互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ１が一定の直線状の導電ライン部１０と、前記導電ライン部１０と直交させて（すなわち前記転動方向に対して前記と逆方向に４５°傾斜させて）互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ２が一定の直線状の導電ライン部１１とを含む格子状とすることとした。
導電パターン９は、図２に示すように、印刷方向Ｄ１に対して４５°傾斜させて互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ１が一定の直線状の導電ライン部１０と、前記導電ライン部１０と直交させて（すなわち前記転動方向に対して前記と逆方向に４５°傾斜させて）互いに平行でかつ等間隔に配列された複数本の、線幅Ｗ２が一定の直線状の導電ライン部１１とを含む格子状とすることとした。
導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２は、ともに２０μｍとした。また導電ライン部１０の形成ピッチＰ１、および導電ライン部１１の形成ピッチＰ２は、ともに２００μｍとした。
前記格子状の導電パターン９に対応する凹部を表面に形成した金属製の凹版を用意した。凹部の深さは１０μｍとした。
前記格子状の導電パターン９に対応する凹部を表面に形成した金属製の凹版を用意した。凹部の深さは１０μｍとした。
移動工程では、１回の印刷を行うごとにシリコーンブランケット２およびブランケット胴３を、前記ブランケット胴３の軸方向Ｄ２に沿って一方向にずらすことで、前記シリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置、および溶剤吸収体８と当接される相対位置を、それぞれ前記軸方向Ｄ２に沿って約２８．３μｍずつ移動させることとした。また前記相対位置を９回移動させた後、つまり９回の印刷をした後、再び最初の位置に戻す操作を繰り返すこととした。
そして前記凹版オフセット印刷機１と導電性ペーストとを用いて、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
また印刷後のガラス基板を、ベルト式の電気炉を用いて６００℃×１５分間焼成して電磁波シールドを製造した。焼成後の導電パターンの厚みは３μｍであった。
また印刷後のガラス基板を、ベルト式の電気炉を用いて６００℃×１５分間焼成して電磁波シールドを製造した。焼成後の導電パターンの厚みは３μｍであった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところいずれも許容範囲内であり、また精度や光透過性、電磁波シールド特性も製造した全ての電磁波シールドにおいて安定していることが確認された。
〈実施例２〉
溶剤吸収体８を、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３とは別個に、１回の印刷を行うごとに、軸方向Ｄ２に沿って一方向に約２８３μｍずつずらすとともに、９回移動させた後、つまり９回の印刷をした後、再び最初の位置に戻す操作を繰り返すこととしたこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
〈実施例２〉
溶剤吸収体８を、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３とは別個に、１回の印刷を行うごとに、軸方向Ｄ２に沿って一方向に約２８３μｍずつずらすとともに、９回移動させた後、つまり９回の印刷をした後、再び最初の位置に戻す操作を繰り返すこととしたこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
また印刷後のガラス基板を、ベルト式の電気炉を用いて６００℃×１５分間焼成して電磁波シールドを製造した。焼成後の導電パターンの厚みは３μｍであった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところいずれも許容範囲内であり、また精度や光透過性、電磁波シールド特性も製造した全ての電磁波シールドにおいて安定していることが確認された。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところいずれも許容範囲内であり、また精度や光透過性、電磁波シールド特性も製造した全ての電磁波シールドにおいて安定していることが確認された。
〈比較例１〉
シリコーンブランケット２およびブランケット胴３、ならびに溶剤吸収体８をいずれもずらさなかった、つまりシリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置、および溶剤吸収体８と当接される相対位置を移動させなかったこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
シリコーンブランケット２およびブランケット胴３、ならびに溶剤吸収体８をいずれもずらさなかった、つまりシリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置、および溶剤吸収体８と当接される相対位置を移動させなかったこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
また印刷後のガラス基板を、ベルト式の電気炉を用いて６００℃×１５分間焼成して電磁波シールドを製造した。焼成後の導電パターンの厚みは３μｍであった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところ、印刷１００回目で導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えてしまった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところ、印刷１００回目で導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えてしまった。
そこで印刷１００回ごとに溶剤吸収体８をシリコーンブランケット２の表面に当接させた状態で３０分間連続して回転させて溶剤を吸収する工程を追加したところ、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えることは防止できたが、生産性は著しく低下した。
〈比較例２〉
特許文献４を再現するため、溶剤吸収体８を省略するとともに、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３を、１０回の印刷を行うごとに、前記ブランケット胴３の軸方向Ｄ２に沿って一方向にずらすことで、前記シリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置を、前記軸方向Ｄ２に沿って約２８．３μｍずつ移動させることとしたこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
〈比較例２〉
特許文献４を再現するため、溶剤吸収体８を省略するとともに、シリコーンブランケット２およびブランケット胴３を、１０回の印刷を行うごとに、前記ブランケット胴３の軸方向Ｄ２に沿って一方向にずらすことで、前記シリコーンブランケット２の表面の、凹版４と当接される相対位置を、前記軸方向Ｄ２に沿って約２８．３μｍずつ移動させることとしたこと以外は実施例１と同様にして、基板としての厚み２．８ｍｍ、対角長５０インチのソーダライムガラス板の表面に前記導電パターン９を印刷する操作を連続して５０００回行なった。印刷直後の導電パターンの厚みは約５μｍであった。
また印刷後のガラス基板を、ベルト式の電気炉を用いて６００℃×１５分間焼成して電磁波シールドを製造した。焼成後の導電パターンの厚みは３μｍであった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところ、印刷３００回目で導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えてしまった。
製造した各々の電磁波シールドについて、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２を測定したところ、印刷３００回目で導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えてしまった。
溶剤吸収体８を省略したため、印刷５０回ごとにシリコーンブランケット２の表面を加熱して溶剤を除去する工程を追加したところ、導電ライン部１０、１１の線幅Ｗ１、Ｗ２が許容範囲を超えることは防止できたが、生産性は著しく低下した。また加熱によりブランケット胴３や凹版４が不均等に熱膨張して導電パターンの精度が低下した。
１ 凹版オフセット印刷機
２ シリコーンブランケット（ブランケット）
３ ブランケット胴
４ 凹版（印刷版）
５ 基板
６ 台盤
７ ドクターブレード
８ 溶剤吸収体
９ 導電パターン
１０、１１ 導電ライン部
２ シリコーンブランケット（ブランケット）
３ ブランケット胴
４ 凹版（印刷版）
５ 基板
６ 台盤
７ ドクターブレード
８ 溶剤吸収体
９ 導電パターン
１０、１１ 導電ライン部
Claims (4)
- 印刷版の表面にインキを用いてインキパターンを形成し、前記表面にブランケットを当接させて前記インキパターンをブランケットの表面に転写させた後、前記ブランケットを基板の表面に当接させて前記インキパターンを基板の表面に再転写させるとともに、インキパターンを再転写させた後のブランケットの表面に溶剤吸収体を当接させて、前記ブランケットに含浸されたインキ中の溶剤を除去する凹版オフセット印刷方法であって、１回の印刷を行なうごとに、前記印刷版とブランケットとを当接させる相対位置、および前記溶剤吸収体とブランケットとを当接させる相対位置を移動させることを特徴とするオフセット印刷方法。
- ブランケットとして、少なくとも表面がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットを用い、印刷版として、表面にインキパターンに対応する凹部が設けられた凹版を用いる請求項１に記載のオフセット印刷方法。
- 基板の表面に、インキとしての導電性ペーストを、請求項１または２に記載のオフセット印刷方法によって印刷したのち焼成することによって、前記基板の表面に、互いに平行でかつ等間隔に配列された複数の、線幅が一定の直線状の導電ライン部を含む導電パターンを形成して電磁波シールドを製造することを特徴とする電磁波シールドの製造方法。
- 導電パターンのうち隣り合う導電ライン部間の形成ピッチが前記導電ライン部の線幅の整数倍に設定された導電パターンを、前記相対位置の１回ごとの移動量が、前記導電ライン部の移動方向の幅と一致するように設定して１回の印刷ごとに移動させながら印刷を繰り返したのち、移動回数が前記倍数−１回に達した時点で最初の相対位置に戻す操作を繰り返す請求項３に記載の電磁波シールドの製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014128925A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dic Corp | グラビアオフセット印刷方法 |
| KR101511026B1 (ko) | 2014-09-18 | 2015-04-13 | 한국기계연구원 | 연장 인쇄 방법 |
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- 2009-05-13 JP JP2009116717A patent/JP2010264632A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130516 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130912 |